本實用新型屬于醫(yī)療器械設備領域，具體涉及一種抗震型閃爍晶體陣列。

背景技術：

輻射探測器的種類廣泛，這些探測器可以測量輻射射線和它們的性質，常用的有電離室、計數(shù)管和閃爍計數(shù)器、原子核乳膠、固體核徑跡探測器和半導體探測器等。其原理主要是利用輻射線與物質相互作用時所產(chǎn)生的多種效應。如應用帶電粒子與物質作用產(chǎn)生電離的原理制作的電離室、計數(shù)管，以及α徑跡探測器等；利用其熒光作用做成的閃爍計數(shù)器；利用電離和激發(fā)所引起的化學反應過程制作原子核乳膠，固體核徑跡探測器等。其中閃爍計數(shù)器分辨時間短、效率高，還可根據(jù)電信號的大小測定粒子的能量，其應用過程中多數(shù)使用閃爍晶體陣列作為能量接收端,受到能量激發(fā)的閃爍晶體放出熒光,由光電倍增管(PMT)將光信號轉換成可測量的電子信號后輸出。

通常情況下，閃爍晶體陣列作為接收端安裝在輻射探測器上必須直接將陣列的出光面接觸光電倍增管，且陣列是由加工過的閃爍晶體組裝而成，本身并不具備良好的物理強度，安裝或使用輻射探測設備的過程不可避免的造成陣列隨之震動，受到應力容易使陣列散開或晶條破損，但現(xiàn)有閃爍晶體陣列只有在外側包覆一層鋁箔膠帶，作為保護層并無法阻隔晃動、震動等外力帶給陣列的影響，若陣列受到外力影響導致結構松散將產(chǎn)生漏光的現(xiàn)象，破壞閃爍晶體陣列的收光與成像效果，進而影響輻射探測器的功能。

如何設計一種抗震型閃爍晶體陣列，是現(xiàn)有技術急需解決的技術難題。

技術實現(xiàn)要素：

為了解決閃爍晶體陣列因受到外力影響導致結構松散或晶體受損的問題，避免陣列產(chǎn)生漏光、收光與成像效果不佳的問題，進而影響輻射探測器的功能，本實用新型提供一種具有更好保護效果，不會受損或漏光的耐抗震閃爍晶體陣列。

本實用新型解決其技術問題所采用的技術方案如下：一種耐抗震閃爍晶體陣列，它包括閃爍晶體陣列與保護層，所述保護層位于閃爍晶體陣列四周及底面，保留閃爍晶體陣列一端面作為出光面；所述保護層包括抗震層、雙面鋁箔膠帶，單面鋁箔膠帶，其中抗震層位于保護層的中間，抗震層兩側為單面鋁箔膠帶及雙面鋁箔膠帶，雙面鋁箔膠帶位于抗震層與閃爍晶體陣列之間。

所述保護層為由所接觸的閃爍晶體陣列的面大小相同，形狀一致的片狀結構組合而成。

所述閃爍晶體的端面是指由所有閃爍晶體晶條端面組成的面。側面是指由最外層閃爍晶體晶條側面組成的面。

所述抗震層材料選自EPE珍珠棉、硅膠、橡膠、高分子塑料中的任意一種。

所述閃爍晶體陣列包括閃爍晶體晶條、高反射率反射層、高反射率外圍層，所述閃爍晶體晶條為1條以上，所述高反射率反射層位于閃爍晶體晶條與閃爍晶體晶條之間；所述高反射率反射層包括反射膜、光學UV膠層和涂膠接合處，其中，涂膠結合處位于反射膜兩側的上段1/10-4/9及下段1/10-4/9位置，兩區(qū)域共占反射膜總面積的20-50％，光學UV膠層均勻分布在涂膠接合處上；所述高反射率外圍層位于閃爍晶體晶條和高反射率反射層形成的陣列除出光面的5個面外表面，與陣列貼合固定。

更進一步的，涂膠結合處中心位于反射膜兩側的上段1/3及下段1/3位置，兩區(qū)域共占反射膜總面積的25-35％，光學UV膠層均勻分布在涂膠接合處上。

做為本實用新型的更優(yōu)選技術方案，涂膠結合處中心位于反射膜兩側的上段1/3及下段1/3位置，兩區(qū)域共占反射膜總面積的30％。

做為本實用新型的優(yōu)選技術方案，位于反射膜兩側的涂膠結合處位置相對，大小相同。

所述閃爍晶體晶條為N×M條，N≥2，M≥2，組合成陣列，大多情況下，N＝M。

本實用新型的有益效果在于：

1.本實用新型閃爍晶體陣列外的包覆材料具有更佳的保護效果，不易因外力因素產(chǎn)生陣列散開的問題。

2.本實用新型本技術使閃爍晶體陣列不易產(chǎn)生漏光問題，提高陣列運作時的穩(wěn)定性。

3.本實用新型減少光學UV膠層量和控制光學UV膠層分布位置可以減少放光損耗，在相同晶體材料、光學UV膠的條件下能提高31％的光輸出。

4.本實用新型適當減少光學UV膠的使用量和控制其位置，并使其達到最佳的平衡，避免UV膠在組裝過程中殘留于陣列表面，減低組裝過程中的難度。

附圖說明

圖1是實施例耐抗震閃爍晶體陣列未組裝情況俯視圖；

圖2是實施例1保護層的結構示意圖；

圖3是實施例1的結構示意圖；

圖4是實施例1部分剖開結構示意圖；

圖5是實施例2的閃爍晶體晶條和高反射率反射層的拆分結構示意圖。

具體實施方式

下面參照附圖1-5詳細描述本實用新型的實施方式。

實施例1：

參見圖1-4一種耐抗震閃爍晶體陣列，它包括閃爍晶體陣列1與保護層2，所述保護層2位于閃爍晶體陣列1四周及底面，保留閃爍晶體陣列端面8作為出光面；所述保護層包括抗震層10、雙面鋁箔膠帶9，單面鋁箔膠帶11，其中抗震層10位于保護層2的中間，抗震層10兩側為單面鋁箔膠帶11及雙面鋁箔膠帶9，雙面鋁箔膠帶9位于抗震層10與閃爍晶體陣列1之間。

所述抗震層10材料選自EPE珍珠棉、硅膠、橡膠、高分子塑料中的任意一種。

實施例2：

參見圖5，基于實施例1的技術進行進一步說明：閃爍晶體陣列1包括閃爍晶體晶條3、高反射率反射層4、高反射率外圍層12，所述閃爍晶體晶條為25條，形成5×5的陣列1，還包括保護層2位于陣列1外，包裹陣列1的5個面，未被包裹的陣列1的面為由閃爍晶體晶條端面組成的陣列端面8。

所述高反射率反射層4位于閃爍晶體晶條3與晶條之間；所述高反射率反射層4包括反射膜5、光學UV膠層6和涂膠接合處7，其中，參見圖3本實施例抗震型閃爍晶體陣列結構示意圖：涂膠結合處7中心位于反射膜5兩側的上段1/3及下段1/3位置，兩區(qū)域共占反射膜總面積的30％，光學UV膠層6均勻分布在涂膠接合處7上。位于反射膜5兩側的涂膠結合處7位置相對，大小相同；所述高反射率外圍層12位于閃爍晶體晶條和高反射率反射層形成的陣列的除出光面外表面的5個面上，與陣列貼合固定。

當然，以上所述是本實用新型的優(yōu)選實施方式，應當指出，對于本技術領域的普通技術人員來說，在不脫離本實用新型原理的前提下，還可以做出若干改進和潤飾，這些改進和潤飾也視為本實用新型的保護范圍。