譜成像探測(cè)器的制造方法
【專利摘要】一種方法，包括：獲得具有兩個(gè)相對(duì)的主表面的光電傳感器基底（236）。所述兩個(gè)相對(duì)的主表面中的一個(gè)主表面包括由至少一個(gè)光電傳感器元件（232，234）構(gòu)成的至少一個(gè)光電傳感器行（230），并且所獲得的光電傳感器基底具有等于或大于一百微米的厚度。所述方法還包括將閃爍體陣列（310）光學(xué)耦合至所述光電傳感器基底。所述閃爍體陣列包括由至少一個(gè)互補(bǔ)閃爍體元件（226，228）構(gòu)成的至少一個(gè)互補(bǔ)閃爍體行（224），并且所述至少一個(gè)互補(bǔ)閃爍體行光學(xué)耦合至所述至少一個(gè)光電傳感器行（230）且所述至少一個(gè)互補(bǔ)閃爍體元件光學(xué)耦合至所述至少一個(gè)光電傳感器元件。所述方法還包括對(duì)光學(xué)耦合至所述閃爍體的所述光電傳感器基底進(jìn)行減薄，產(chǎn)生光學(xué)耦合至所述閃爍體并且厚度在小于一百微米的量級(jí)的減薄的光電傳感器基底。
【專利說明】譜成像探測(cè)器
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]以下總體涉及譜成像，并且更具體地涉及譜成像探測(cè)器，并且接合計(jì)算機(jī)斷層攝影(CT)對(duì)其進(jìn)行描述。然而，其也適用于其它成像形態(tài)。
【背景技術(shù)】
[0002]常規(guī)計(jì)算機(jī)斷層攝影(CT)掃描儀包括旋轉(zhuǎn)地安裝至總體靜止的構(gòu)臺(tái)的旋轉(zhuǎn)構(gòu)臺(tái)。旋轉(zhuǎn)構(gòu)臺(tái)支撐X射線管和探測(cè)器陣列，探測(cè)器陣列安裝在可旋轉(zhuǎn)構(gòu)臺(tái)上，跨檢查區(qū)域與X射線管相對(duì)。旋轉(zhuǎn)構(gòu)臺(tái)并且因此X射線管和探測(cè)器陣列繞縱或Z軸圍繞檢查區(qū)域旋轉(zhuǎn)。X射線管被配置為發(fā)射穿過檢查區(qū)域(并且檢查區(qū)域中的受試者或?qū)ο蟮牟糠?并照射探測(cè)器陣列的輻射。探測(cè)器陣列探測(cè)輻射并生成指示檢查區(qū)域和設(shè)置于檢查區(qū)域中的受試者或?qū)ο蟮碾娦盘?hào)。重建器重建投影數(shù)據(jù)，生成體積圖像數(shù)據(jù)。
[0003]對(duì)于譜CT，掃描儀可以包括能量分辨探測(cè)器陣列，諸如雙層探測(cè)器陣列。圖1中示出了雙層探測(cè)器陣列100的范例部分。探測(cè)器100包括在X方向106上沿基底104相對(duì)于彼此對(duì)齊的多個(gè)探測(cè)器模塊102。每一個(gè)模塊102包括第一和第二閃爍體行108和110,第一和第二閃爍體行108和110光學(xué)耦合至光電二極管基底116的對(duì)應(yīng)的第一和第二探測(cè)區(qū)域112和114。第一和第二閃爍體行108和110相對(duì)于彼此布置，使得第一閃爍體行108相對(duì)于入射輻射120在第二閃爍體元件110以上。通常，較低能量的X射線光子往往吸收于較上閃爍體行108中，且較高能量的X射線光子往往吸收于較下閃爍體行110中。第一和第二閃爍體行108和110以及探測(cè)區(qū)域112和114沿z方向122延伸，形成多行探測(cè)器元件。
[0004]對(duì)于圖1的探測(cè)器陣列100，探測(cè)器陣列100在X方向106上的分辨率通常受到每一個(gè)模塊102的光電二極管基底116在X方向106上的有限厚度124的限制，該厚度在一百(100)微米至四百(400)微米的量級(jí)。不幸的是，較薄的光電二極管基底易碎并且不適于構(gòu)造諸如探測(cè)器陣列100的探測(cè)器模塊102的探測(cè)器模塊。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本申請(qǐng)的當(dāng)前方面提供處理上述問題和其它問題的新的和/或改進(jìn)的技術(shù)。
[0006]根據(jù)一方面，一種方法，包括獲得具有兩個(gè)相對(duì)的主表面的光電傳感器基底。所述兩個(gè)相對(duì)的主表面中的一個(gè)主表面包括由至少一個(gè)光電傳感器元件構(gòu)成的至少一個(gè)光電傳感器行，并且所獲得的光電傳感器基底具有等于或大于一百微米的厚度。所述方法還包括將閃爍體陣列光學(xué)耦合至所述光電傳感器基底。所述閃爍體陣列包括由至少一個(gè)互補(bǔ)(complementary)閃爍體元件構(gòu)成的至少一個(gè)互補(bǔ)閃爍體行，并且所述至少一個(gè)互補(bǔ)閃爍體行光學(xué)耦合至所述至少一個(gè)光電傳感器行且所述至少一個(gè)互補(bǔ)閃爍體元件光學(xué)耦合至所述至少一個(gè)光電傳感器元件。所述方法還包括對(duì)光學(xué)耦合至所述閃爍體的所述光電傳感器基底進(jìn)行減薄，產(chǎn)生光學(xué)耦合至所述閃爍體并且厚度在小于一百微米的量級(jí)的減薄的光電傳感器基底。[0007]根據(jù)另一方面，一種成像探測(cè)器，包括:至少一個(gè)探測(cè)器瓦，所述至少一個(gè)探測(cè)器瓦包括瓦基底和沿所述瓦基底沿X方向布置的多個(gè)探測(cè)器模塊。探測(cè)器模塊包括閃爍體陣列，所述閃爍體陣列具有沿z方向延伸的由閃爍體元件構(gòu)成的至少一個(gè)閃爍體行，所述至少一個(gè)閃爍體行耦合至光電傳感器基底的由光電傳感器元件構(gòu)成的至少一個(gè)光電傳感器行。所述光電傳感器基底耦合至所述閃爍體陣列并具有等于或大于一百微米的初始厚度，并且所述成像探測(cè)器的所述光電傳感器基底具有小于一百微米的減薄的厚度。
[0008]根據(jù)另一方面，一種方法，包括:組裝成像系統(tǒng)的成像探測(cè)器模塊，其中，所述成像探測(cè)器模塊包括光學(xué)稱合至光電傳感器基底的閃爍體，所述光電傳感器基底具有小于一百微米的厚度。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0009]本發(fā)明可以采取各種部件和部件的布置以及各種步驟和步驟的布置的形式。圖僅是為示例優(yōu)選實(shí)施例并且不視為限制本發(fā)明。
[0010]圖1示意性地示例現(xiàn)有技術(shù)上層譜探測(cè)器陣列的透視圖。
[0011]圖2示意性地示例具有譜探測(cè)器陣列的范例成像系統(tǒng)，該探測(cè)器陣列包括具有多個(gè)探測(cè)器模塊的探測(cè)器瓦。
[0012]圖3示意性地示例探測(cè)器模塊的從z方向看的側(cè)視圖。
[0013]圖4-12示例用于組裝圖3的探測(cè)器模塊的方法。
[0014]圖13示例其中支撐載體用于方便制造獨(dú)立的光電傳感器基底的實(shí)施例。
【具體實(shí)施方式】
`[0015]圖2示意性地示例諸如計(jì)算機(jī)斷層攝影(CT)掃描儀的成像系統(tǒng)200。成像系統(tǒng)200包括總體靜止的構(gòu)臺(tái)部分202和旋轉(zhuǎn)構(gòu)臺(tái)部分204。旋轉(zhuǎn)構(gòu)臺(tái)部分204由總體靜止的構(gòu)臺(tái)部分202經(jīng)由軸承(未示出)等可旋轉(zhuǎn)地支撐。
[0016]諸如X射線管的輻射源206由旋轉(zhuǎn)構(gòu)臺(tái)部分204支撐，并且繞與在212示出的參考系有關(guān)的縱或z軸210圍繞檢查區(qū)域208與旋轉(zhuǎn)構(gòu)臺(tái)部分204 —起旋轉(zhuǎn)。源準(zhǔn)直器214對(duì)由輻射源106發(fā)射的輻射進(jìn)行準(zhǔn)直，產(chǎn)生穿過檢查區(qū)域208的通常錐形、扇形、楔形或其它形狀的輻射束。
[0017]能量分辨探測(cè)器陣列218相對(duì)于輻射源206對(duì)著檢查區(qū)域208對(duì)面的角度弧，并且探測(cè)穿過檢查區(qū)域208的輻射。示例的探測(cè)器陣列218包括多個(gè)瓦220。每一個(gè)瓦220包括沿X方向相對(duì)于彼此布置在瓦基底242上的多個(gè)探測(cè)器模塊222p……、222n (其中，N是整數(shù))。多個(gè)探測(cè)器模塊222:、……、222n于此也稱為探測(cè)器模塊222。
[0018]每一個(gè)探測(cè)器模塊222包括由閃爍體元件226:、…………、228κ(其中，K是整數(shù)，并且共稱為226和228)構(gòu)成的沿ζ方向延伸的多行224ρ……、224M (其中，M是等于或大于I的整數(shù)，并且共稱為224)。在示例的實(shí)施例中，M = 2，并且探測(cè)器模塊是譜探測(cè)器模塊。閃爍體兀件226和228行光學(xué)稱合至由光電傳感器基底236的光電傳感器元件232p……、和234p……(共稱為232和234)構(gòu)成的沿z方向延伸的多行230”......、230m (共稱為 230)。
[0019]每一個(gè)探測(cè)器模塊222還包括導(dǎo)電路徑或引腳238。在探測(cè)器模塊222還包括并入到光電傳感器基底236中的處理電子器件240 (如所示)的地方，導(dǎo)電路徑或引腳238用于將功率和數(shù)字信號(hào)從處理電子器件240發(fā)送至瓦基底242。在處理電子器件240位于光電傳感器基底236外部的地方,導(dǎo)電路徑或引腳238用于將信號(hào)從光電傳感器兀件232和234發(fā)送至瓦基底242。
[0020]如以下更詳細(xì)地描述的，在一個(gè)實(shí)例中，光電傳感器基底236的X軸厚度小于一百(100)微米。利用該光電傳感器基底,相對(duì)于具有較厚光電傳感器基底(即，大于100微米)的探測(cè)器陣列的配置，探測(cè)器陣列218對(duì)于給定的X軸長(zhǎng)度能夠包括更多探測(cè)器模塊222，并且因此在X方向上提供較高的分辨率。在一個(gè)實(shí)例中，該探測(cè)器陣列可以包括百分之三十
(30)至六十(60)以上的探測(cè)器模塊222。該探測(cè)器陣列可以視為高清晰度探測(cè)器陣列。
[0021]重建器246重建由探測(cè)器陣列218生成的信號(hào)并生成指示檢查區(qū)域208的體積圖像數(shù)據(jù)。通常，能夠獨(dú)立地處理來自不同行230光電傳感器元件232和234的數(shù)據(jù)以得到譜信息和/或?qū)碜圆煌?30光電傳感器元件232和234的數(shù)據(jù)進(jìn)行組合(例如，通過對(duì)相同射線路徑中的不同元件的輸出進(jìn)行求和)來產(chǎn)生常規(guī)非譜CT數(shù)據(jù)。
[0022]受試者支撐物248被配置為在對(duì)對(duì)象或受試者進(jìn)行掃描之前、期間和/或之后將對(duì)象或受試者相對(duì)于檢查區(qū)域208安置于X、y和/或z方向上。
[0023]通用目的的計(jì)算系統(tǒng)用作操作員控制臺(tái)250，并且包括:諸如顯示器的輸出裝置；諸如鍵盤、鼠標(biāo)和/或等的輸入裝置；一個(gè)或多個(gè)處理器；和計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)(例如，物理存儲(chǔ)器)?？刂婆_(tái)250容許操作員控制系統(tǒng)200的操作，例如，容許操作員選擇譜成像協(xié)議和/或譜成像重建算法、促發(fā)掃描等。
[0024]圖3示意性地示例探測(cè)器模塊222的從z軸方向看的側(cè)視圖。為說明，探測(cè)器模塊222示為具有兩個(gè)閃爍體行221和2242以及兩個(gè)對(duì)應(yīng)的光電傳感器行2301和2302。然而，如以上討論的，探測(cè)器模塊222可以具有閃爍體行224和光電傳感器行224中的每者中的一個(gè)或多個(gè)。
[0025]探測(cè)器模塊222包括光電傳感器基底236。不例的光電傳感器基底236具有五十(50)微米的量級(jí)的厚度300 (加或減預(yù)定的容限)，諸如從十(10)至九十(90)微米、二十五
[25]至七十五(75)微米、四十(40)至六十(60)微米的范圍的厚度值，和/或一個(gè)或多個(gè)其它范圍的其它厚度值。光電傳感器基底236的合適的材料包括但不限于硅。
[0026]光電傳感器基底236包括第一主表面302和第二相對(duì)的主表面308,第一主表面具有第一區(qū)域304和第二區(qū)域306。光電傳感器行2301和2302位于第一主表面302的第一區(qū)域304中。光電傳感器行230i是較靠近輻射源206 (圖1)并且因此較靠近入射輻射的較上行，而光電傳感器行2302是較遠(yuǎn)離輻射源206 (圖1)并且因此較遠(yuǎn)離入射輻射的較下行。
[0027]閃爍體行221是較靠近輻射源206 (圖1)并且因此較靠近入射輻射的較上閃爍體元件，而閃爍體行2242是較遠(yuǎn)離輻射源206 (圖1)并且因此較遠(yuǎn)離入射輻射的較下行。如于此討論的，較上閃爍體行221光學(xué)稱合至對(duì)應(yīng)的較上光電傳感器行2301并且較下閃爍體行2242光學(xué)稱合至對(duì)應(yīng)的較下光電傳感器行2302。
[0028]在示例的實(shí)施例中，較上和較下閃爍體行221和2242是矩形形狀的并且尺寸幾乎相等。然而，應(yīng)當(dāng)理解，于此可以設(shè)想其它形狀和不同尺寸的閃爍體行221和2242。此外，閃爍體行221和2242之間的間隔能夠更小或更大。此外，因?yàn)殚W爍體行224的深度(和材料)能夠影響能量分離和/或X射線統(tǒng)計(jì)量，所以深度通常是使得較上閃爍體行224i主要響應(yīng)于較低能量的光子，而較下閃爍體行2 2 42主要響應(yīng)于較高能量的光子。
[0029]光電傳感器基底236可選地包括為光電傳感器基底236的部分的處理電子器件240(用于處理來自光電傳感器兀件232和234的信號(hào))。同樣，將存在較少的從光電傳感器基底236至瓦基底242的電路徑，并且能夠使光電傳感器元件232和234的z軸寬度變窄，提高沿z方向的探測(cè)器分辨率。在2009年10月29日提交的名稱為“Spectral ImagingDetector”的專利申請(qǐng)PCT/IB2009/054818 (W0/2010/058309)中描述了其中并入了處理電子器件的光電傳感器基底的非限制性范例，于此通過引用并入了該申請(qǐng)的全部。
[0030]在示例的實(shí)施例中，閃爍體行224的未固定至基底236的側(cè)面由反射材料312圍繞，反射材料在整個(gè)第一主表面302之上延伸。閃爍體行224和反射材料312的組合于此稱為閃爍體陣列310。在另一實(shí)施例中，能夠省略反射材料312。在再一實(shí)施例中，反射材料312可以僅覆蓋第一區(qū)域304。
[0031]圖4-12描述了用于組裝探測(cè)器陣列218的途徑。
[0032]在402，獲得了厚度大于一百(100)微米的光電傳感器基底。例如，在一個(gè)實(shí)例中，獲得了光電傳感器基底236。圖5中示意性地示例了基底236的范例，并且該范例包括兩個(gè)光電傳感器行232和234、用于處理電子器件240的區(qū)域502、用于電部件的導(dǎo)電焊盤504、以及用于導(dǎo)電引腳238的導(dǎo)電焊盤506。
[0033]需要注意，在圖5中，光電傳感器行232和234、區(qū)域502、和焊盤504、以及焊盤506在光電傳感器基底236的第一主表面302的相同表面平面508上。圖6不意性地不出了實(shí)施例，其中，固定至光電傳感器基底236的閃爍體陣列310包括具有凹部604的第一表面602和凹部604中的用于處理電子器件204、電部件、以及導(dǎo)電引腳238的第二表面606。
[0034]在404，各種電子器件安裝至光電傳感器基底。例如，并且如圖7中示意性地示出的，集成芯片702 (包括處理電子器件240和/或其它部件)安裝至區(qū)域502，電部件704 (例如，無源部件)安裝至導(dǎo)電焊盤504，并且連接至引線框708的導(dǎo)電引腳238安裝至導(dǎo)電焊盤 506。
[0035]在406，閃爍體固定至裝有電子器件的光電傳感器基底，形成閃爍體-光電傳感器組件。例如，圖8示意性地示出了光電傳感器基底236，閃爍體陣列310經(jīng)由光學(xué)粘合劑固定至該光電傳感器基底236，形成閃爍體-光電傳感器組件804。需要注意，在導(dǎo)電引腳238之間存在腔806。
[0036]在408，將以上動(dòng)作404中安裝的電引腳緊固于閃爍體-光電傳感器基底組件中。例如，圖9示意性地示出了在導(dǎo)電引腳238之間的腔806中具有粘合劑902的閃爍體-光電傳感器組件804。需要注意，已經(jīng)從閃爍體-光電傳感器組件804去除了引線框708。
[0037]在410，將光電傳感器基底減薄至五十(50)微米或更小的厚度。例如，圖10示意性地示出了具有減薄的光電傳感器基底236的閃爍體-光電傳感器組件804，該基底具有五十(50)微米或更小的厚度。在一個(gè)實(shí)例中，能夠通過研磨來對(duì)光電傳感器基底236進(jìn)行減薄。于此也能夠設(shè)想其它較薄(thinner)技術(shù)。
[0038]在412，從多個(gè)閃爍體-光電傳感器組件804創(chuàng)建探測(cè)器瓦。例如，圖11和12分別示出了底和頂透視圖，其中，多個(gè)閃爍體-光電傳感器組件804經(jīng)由引腳238物理和電連接至瓦基底242，形成瓦220。需要注意，瓦基底242也包括用于將瓦220物理和電連接至探測(cè)器陣列218的導(dǎo)電引腳1102。
[0039]應(yīng)當(dāng)理解，上述動(dòng)作的順序不是限定性的。同樣，于此可以設(shè)想其它順序。另外，可以省略一個(gè)或多個(gè)動(dòng)作和/或可以包括一個(gè)或多個(gè)附加動(dòng)作，和/或一個(gè)或多個(gè)動(dòng)作可以同時(shí)發(fā)生。
[0040]圖13示例了其中支撐載體1302用于方便制造獨(dú)立基底236的實(shí)施例。在一個(gè)實(shí)例中，對(duì)包括多個(gè)基底236的材料片1304進(jìn)行處理并將其減薄至例如小于一百微米的厚度。然后將片1304轉(zhuǎn)移至支撐載體1302。將處理電子器件240安裝至多個(gè)基底236。然后使用激光、機(jī)械鋸等將獨(dú)立的基底236從該片切割出，并保留于載體1302上。在切割出獨(dú)立的基底236之后啟動(dòng)載體的真空吸盤特征。然后將閃爍體陣列310光學(xué)耦合至并接合至獨(dú)立的基底236，并對(duì)其進(jìn)行固化。然后對(duì)得到的組件如于此描述地進(jìn)行進(jìn)一步的處理。
[0041]設(shè)想變形。
[0042]在另一實(shí)施例中，處理電子器件240位于光電傳感器基底236外部。
[0043]在另一實(shí)施例中，模塊222包括光學(xué)耦合至單個(gè)光電傳感器行的單個(gè)閃爍體行。
[0044]附加或替代地，在再一實(shí)施例中，每一個(gè)閃爍體行和每一個(gè)光電傳感器行分別包括單個(gè)閃爍體元件和單個(gè)光電傳感器元件。
[0045]已經(jīng)參照優(yōu)選實(shí)施例描述了本發(fā)明。在閱讀并理解前述詳細(xì)描述后，其它人可以進(jìn)行修改和更改。意圖將本發(fā)明視為包括所有該修改和更改，只要它們?cè)谒綑?quán)利要求或其等同物的范圍內(nèi)即可。
【權(quán)利要求】
1.一種方法，包括: 獲得具有兩個(gè)相對(duì)的主表面(302和308)的光電傳感器基底(236)，其中，所述兩個(gè)相對(duì)的主表面中的一個(gè)主表面包括由至少一個(gè)光電傳感器元件(232，234)構(gòu)成的至少一個(gè)光電傳感器行(230)，并且所獲得的光電傳感器基底具有等于或大于一百微米的厚度； 將閃爍體陣列(310)光學(xué)耦合至所述光電傳感器基底，其中，所述閃爍體陣列包括由至少一個(gè)互補(bǔ)閃爍體元件(226，228)構(gòu)成的至少一個(gè)互補(bǔ)閃爍體行(224)，并且所述至少一個(gè)互補(bǔ)閃爍體行光學(xué)耦合至所述至少一個(gè)光電傳感器行(230 )且所述至少一個(gè)互補(bǔ)閃爍體元件光學(xué)耦合至所述至少一個(gè)光電傳感器元件；以及 對(duì)光學(xué)耦合至所述閃爍體的所述光電傳感器基底進(jìn)行減薄，產(chǎn)生光學(xué)耦合至所述閃爍體的厚度在小于一百微米的量級(jí)的減薄的光電傳感器基底。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述兩個(gè)相對(duì)的主表面中的所述一個(gè)主表面包括第一區(qū)域(304)和第二區(qū)域(306)，其中，由所述至少一個(gè)光電傳感器元件構(gòu)成的所述至少一個(gè)光電傳感器行僅耦合至所述第一區(qū)域且所述閃爍體耦合至由所述至少一個(gè)光電傳感器元件構(gòu)成的所述至少一個(gè)光電傳感器行和所述第二區(qū)域。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，其中，所述閃爍體包括光學(xué)耦合至由所述至少一個(gè)光電傳感器元件構(gòu)成的所述至少一個(gè)光電傳感器行的第一閃爍體的和耦合至所述第二區(qū)域的另一材料。
4.如權(quán)利要求1至3中的任一項(xiàng)所述的方法，還包括: 在將所述閃爍體光學(xué)耦合至所述光電傳感器基底之前，將處理電子器件(240)或?qū)щ娨_(238)中的至少之一耦合至所述光電傳感器基底，其中，在將所述閃爍體耦合至所述光電傳感器基底之后，將所述處理電子器件或所述導(dǎo)電引腳中的所述至少之一設(shè)置在所述光電傳感器基底與所述閃爍體之間。
5.如權(quán)利要求4所述的方法，其中，由所述至少一個(gè)光電傳感器元件構(gòu)成的所述至少一個(gè)光電傳感器行和所述處理電子器件或所述導(dǎo)電引腳中的所述至少之一設(shè)置在所述光電傳感器基底的相同表面(508)上。
6.如權(quán)利要求4所述的方法，其中，所述處理電子器件或所述導(dǎo)電引腳中的至少之一設(shè)置在所述閃爍體陣列的凹部(604)中的表面(606)上。
7.如權(quán)利要求4至6中的任一項(xiàng)所述的方法，還包括: 在將所述處理電子器件、所述導(dǎo)電引腳、和所述閃爍體陣列耦合至所述光電傳感器基底之前，對(duì)所述光電傳感器基底進(jìn)行減??； 將所述減薄的光電傳感器基底放置在支撐載體上； 在將所述光電傳感器基底放置在所述支撐載體上時(shí)，將所述處理電子器件和所述導(dǎo)電引腳安裝至所述減薄的光電傳感器基底；以及 在將所述光電傳感器基底放置在所述支撐載體上時(shí)，將所述閃爍體陣列光學(xué)耦合至所述減薄的光電傳感器基底。
8.如權(quán)利要求4至6中的任一項(xiàng)所述的方法，其中，所述光電傳感器基底是包括多個(gè)光電傳感器基底的材料片的部分，并且所述方法還包括: 將多個(gè)處理電子器件分別耦合至所述多個(gè)光電傳感器基底；以及 在至少將所述處理電子器件耦合至所述光電傳感器基底之后，將所述光電傳感器基底從所述材料片物理去除。
9.如權(quán)利要求1至8中的任一項(xiàng)所述的方法，還包括: 將所述光電傳感器基底放置在支撐結(jié)構(gòu)上，然后至少將所述閃爍體耦合至所述光電傳感器基底并將所述光電傳感器基底上的至少一個(gè)部件(244,240,238, 704)與所述支撐結(jié)構(gòu)上的所述光電傳感器基底耦合。
10.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括: 將所述至少一個(gè)光電傳感器元件電耦合至位于所述光電傳感器基底外部的處理電子器件。
11.如權(quán)利要求1至10中的任一項(xiàng)所述的方法，還包括: 將多個(gè)所述減薄的光電傳感器基底機(jī)械且電耦合至探測(cè)器瓦基底(242)，由此形成探測(cè)器瓦(220)。
12.如權(quán)利要求11所述的方法，還包括: 機(jī)械且電耦合多個(gè)所述探測(cè)器瓦，以形成探測(cè)器陣列。
13.如權(quán)利要求1至10中的任一項(xiàng)所述的方法，其中，所述減薄的光電傳感器基底的厚度在從二十五至七十五微米的范圍中。
14.如權(quán)利要求1至11中的任一項(xiàng)所述的方法，其中，所述減薄的光電傳感器基底的厚度在五十微米的量級(jí)。
15.一種成像探測(cè)器(218)，包括:至少一個(gè)探測(cè)器瓦(220)，所述至少一個(gè)探測(cè)器瓦(220)包括瓦基底(242 )和沿所述瓦基底沿X方向布置的多個(gè)探測(cè)器模塊(222)，探測(cè)器模塊包括閃爍體陣列(310)，所述閃爍體陣列(310)具有沿z方向延伸的由閃爍體元件(226，228)構(gòu)成的至少一個(gè)閃爍體行(224)，所述至少一個(gè)閃爍體行(224)耦合至光電傳感器基底的由光電傳感器元件(232，234)構(gòu)成的至少一個(gè)光電傳感器行(230)，其中，耦合至所述閃爍體陣列的所述光電傳感器基底具有等于或大于一百微米的初始厚度，并且所述成像探測(cè)器的所述光電傳感器基底具有小于一百微米的減薄的厚度。
16.如權(quán)利要求15所述的成像探測(cè)器，其中，所述成像探測(cè)器是譜探測(cè)器。
17.如權(quán)利要求15至16中的任一項(xiàng)所述的成像探測(cè)器，還包括:處理電子器件(240)，其中，所述處理電子器件并入到所述光電傳感器基底中。
18.如權(quán)利要求15至17中的任一項(xiàng)所述的成像探測(cè)器，其中，所述減薄的光電傳感器基底的厚度在五十微米的量級(jí)。
19.如權(quán)利要求15至18中的任一項(xiàng)所述的成像探測(cè)器，其中，所述成像探測(cè)器是成像系統(tǒng)的部分。
20.—種方法,包括: 組裝成像系統(tǒng)的成像探測(cè)器模塊，其中，所述成像探測(cè)器模塊包括光學(xué)耦合至光電傳感器基底的閃爍體，所述光電傳感器基底具有小于一百微米的厚度。
【文檔編號(hào)】G01T1/20GK103443652SQ201280014657
【公開日】2013年12月11日 申請(qǐng)日期:2012年3月19日 優(yōu)先權(quán)日:2011年3月24日
【發(fā)明者】R·P·盧赫塔, R·A·馬特森 申請(qǐng)人:皇家飛利浦有限公司