本實用新型屬于醫(yī)療器械設備領域，具體涉及一種高效能閃爍晶體陣列。

背景技術：

多數(shù)高能射線探測器應用過程中使用閃爍晶體陣列作為能量接收端,受到能量激發(fā)的閃爍晶體放出熒光,由光電倍增管(PMT)將光信號轉換成電子信號后輸出。高能射線探測器的效率受閃爍晶體陣列的光輸出及能量分辨率影響，具有較高光輸出(light output)的閃爍晶體陣列可以縮短探測器所需的偵測時間，并提高準確率。閃爍晶體的生長已經(jīng)十分成熟，閃爍晶體陣列的性能很難依靠提升材料的品質而有所成長，需藉由陣列組裝工藝來提升閃爍晶體陣列的性能。

通常情況下，使用高反射率反射膜作為閃爍晶體陣列的反射層，陣列的組裝過程中會在每根晶條之間以UV膠將反射膜與閃爍晶體晶條接合，確定陣列的排序及位置無誤后再進行固定，現(xiàn)階段使用UV膠的方法為“完全涂膠”，指晶條與反射膜之間涂滿UV膠并且壓緊后無空隙存在，但過多的UV膠導致閃爍晶體陣列的放光效率降低，且溢出的UV膠布滿陣列端面，導致后續(xù)加工困難，若減少UV膠的使用量也會導致陣列強度不足易散開的問題，導致晶體陣列的放光效率下降及產(chǎn)生漏光的問題。

技術實現(xiàn)要素：

為了解決現(xiàn)有技術中閃爍晶體陣列中晶條若UV膠過多則影響放光效率或污染陣列端面，而UV膠過少則使陣列強度不足，受壓等情況下易發(fā)生損壞、放光效率降低、產(chǎn)生漏光現(xiàn)象等缺陷，本實用新型提供一種放光效率高、強度大、不會污染陣列端面的高效能閃爍晶體陣列。

本實用新型解決其技術問題所采用的技術方案如下：一種高效能閃爍晶體陣列，它包括閃爍晶體晶條、高反射率反射層，所述閃爍晶體晶條為1條以上，所述高反射率反射層位于閃爍晶體晶條與閃爍晶體晶條之間；所述高反射率反射層包括反射膜、光學UV膠層和涂膠接合處，其中，涂膠結合處位于反射膜兩側的上段1/10-4/9及下段1/10-4/9位置，兩區(qū)域共占反射膜總面積的20-50％，光學UV膠層位于在反射膜上。

做為本實用新型的優(yōu)選技術方案，涂膠結合處中心位于反射膜兩側的上段2/10-3.5/9及下段2/10-3.5/9位置，兩區(qū)域共占反射膜總面積的30-50％，光學UV膠層位于在涂膠接合處及涂膠接合處至端面邊沿的范圍內。

做為本實用新型的更優(yōu)選技術方案，涂膠結合處中心位于反射膜兩側的上段1/3及下段1/3位置，兩區(qū)域共占反射膜總面積的40-50％，光學UV膠層位于在涂膠接合處范圍內，均勻的貼合于涂膠接合處上。

做為本實用新型的最優(yōu)選技術方案，涂膠結合處中心位于反射膜兩側的上段1/3及下段1/3位置，兩區(qū)域共占反射膜總面積的50％。

做為本實用新型的優(yōu)選技術方案，位于反射膜兩側的涂膠結合處位置相對，大小相同。

所述晶條為N×M條，N≥2，M≥2，組合成陣列，大多情況下，N＝M。

還包括高反射率外包層，高反射率外包層位于陣列外，包裹陣列的5個面，未被包裹的陣列的面為由閃爍晶體晶條端面組成的平面。

當然，做為本實用新型的替換，涂膠接合處也可以在閃爍晶體晶條上，光學UV膠層基本位于涂膠接合處范圍內，光學UV膠層的形狀可以不規(guī)則，也可以規(guī)則。但是這是一種變劣的技術方案，因為閃爍晶體晶條對潔凈度的需求非常高，若在閃爍晶體晶條上設置涂膠接合處進行光學UV膠層的鋪設，很容易污染閃爍晶體晶條，使得產(chǎn)品質量下降。

與現(xiàn)有陣列制作方式相比，本實用新型的有益效果：

1.本實用新型與傳統(tǒng)方式比較，減少光學UV膠層量和控制光學UV膠層分布位置可以減少放光損耗，在相同晶體材料、光學UV膠的條件下能提高30％的光輸出(light output)。

2.本實用新型適當減少光學UV膠的使用量和控制其位置，并使其達到最佳的平衡，避免UV膠在組裝過程中溢出殘留于陣列表面，減低組裝過程中的難度。

3.本實用新型控制UV膠的接合位置，使陣列具有良好的固化強度，經(jīng)試驗驗證，與全面積涂膠強度差別不大，完全能適應3倍當前工作環(huán)境壓力的條件，經(jīng)循環(huán)壓力檢測，沒發(fā)生脫落、損壞。

4.本實用新型控制涂膠位置，降低了因中部位置涂膠而產(chǎn)生的放光損耗，經(jīng)試驗驗證，在相同晶體材料、光學UV膠、涂膠面積相同的情況下，在上下兩端不涂膠，只在中部涂膠，則強度降低，放光損耗也比在兩端涂膠大。

5.本實用新型產(chǎn)品光輸出強，牢固性強，結構設計科學合理、降低了組裝難度，適宜推廣應用。

附圖說明

圖1為實施例1高效能閃爍晶體陣列結構示意圖；

圖2為實施例1晶條和高反射率反射層拆分結構示意圖；

圖3為實施例1晶條和高反射率反射層組合結構示意圖；

圖4為實施例2晶條和高反射率反射層組合結構示意圖。

具體實施方式

下面參照附圖詳細描述本實用新型的實施方式。

實施例1：

參見圖1-3本實施例高效能閃爍晶體陣列結構示意圖，其中圖3是選取了高效能閃爍晶體陣列中部的3條閃爍晶體晶條和高反射率反射層的組合：

一種高效能閃爍晶體陣列，它包括閃爍晶體晶條3、高反射率反射層4，所述閃爍晶體晶條為25條，形成5×5的陣列1，還包括高反射率外包層2，高反射率外包層2位于陣列1外，包裹陣列1的5個面，未被包裹的陣列1的面為由閃爍晶體晶條端面8組成的平面。

所述高反射率反射層4位于閃爍晶體晶條3與晶條之間；所述高反射率反射層4包括反射膜5、光學UV膠層6和涂膠接合處7，其中，位于反射膜5兩側的涂膠結合處7位置相對大小相同，涂膠結合處7中心位于反射膜5兩側的上段1/3及下段1/3位置，兩區(qū)域共占反射膜總面積的30％左右，光學UV膠層6均勻分布在涂膠接合處7上。

上述各圖僅為示意圖，僅供參考和理解，具體比例和位置以實施例說明為準。

實施例2：

參見圖4，其中圖4是選取了本實施例高效能閃爍晶體陣列中部的3條閃爍晶體晶條和高反射率反射層的組合：涂膠結合處7位于反射膜5兩側的上段3/22-6/22及下段3/22-6/22位置，涂膠結合處7中心位于上段及下段的3.5/22位置上，涂膠結合處7的上下兩段上的兩區(qū)域共占反射膜總面積的27％。其余同實施例1。上述各圖僅為示意圖，具體比例和位置以實施例說明為準。

實施例3：

涂膠結合處7中心位于反射膜5兩側的上段1/3及下段1/3位置，兩區(qū)域共占反射膜總面積的50％，其余同實施例1。

當然，以上所述是本實用新型的優(yōu)選實施方式，應當指出，對于本技術領域的普通技術人員來說，在不脫離本實用新型原理的前提下，還可以做出若干改進和潤飾，這些改進和潤飾也視為本實用新型的保護范圍。