1.一種能實(shí)現(xiàn)多層電路板微波性能自校準(zhǔn)方法,其特征在于包括:
步驟1:電路板上一共設(shè)計(jì)n組信號(hào)通道,分別命名為A1至An;記通道Ai上的傳輸線水平過(guò)渡個(gè)數(shù)為Ni,水平過(guò)渡衰減為B,垂直過(guò)渡個(gè)數(shù)為Mi,垂直過(guò)渡衰減為T,拐角過(guò)渡個(gè)數(shù)Pi,拐角損耗為R,通道的傳輸線長(zhǎng)度為L(zhǎng)i,單位傳輸線損耗為D,由測(cè)試夾具引入的損耗為E,各通道的總的插入損耗為Ki;i大于等于5;所述通道Ai的總插入損耗Ki可以表示為:
Ki=Ni×B+Mi×T+Pi×R+Li×D+E (1)
所述通道的總插入損耗Ki可以通過(guò)矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀測(cè)試該通道的“插入損耗得到,所述水平過(guò)渡個(gè)數(shù)Ni、垂直過(guò)渡個(gè)數(shù)Mi、拐角過(guò)渡個(gè)數(shù)Pi以及傳輸線長(zhǎng)度Li是設(shè)計(jì)時(shí)的已知參數(shù);
步驟2:設(shè)計(jì)參考信號(hào)通道A1,該通道的水平過(guò)渡個(gè)數(shù)為N1,垂直過(guò)渡個(gè)數(shù)為M1,拐角過(guò)渡個(gè)數(shù)P1,通道的傳輸線長(zhǎng)度為L(zhǎng)1,通道1的插入損耗為K1,則得到第一個(gè)方程為:
K1=N1×B+M1×T+P1×R+L1×D+E (2)
步驟3:根據(jù)公式(1)設(shè)計(jì)n-1信號(hào)通道A2到An對(duì)應(yīng)求解總插入損耗的n-1個(gè)方程,以通道A1為基礎(chǔ),設(shè)計(jì)A2~An的n-1個(gè)方程,使通道Ai得到總插入損耗Ki時(shí),四個(gè)參數(shù)的系數(shù)至少有一個(gè)比通道A1的總插入損耗K1中對(duì)應(yīng)的四個(gè)參數(shù)的系數(shù)有變化;同時(shí)滿足A2到An中,四個(gè)參數(shù)的系數(shù)對(duì)應(yīng)A1時(shí)的系數(shù)有過(guò)至少1次的變化;四個(gè)參數(shù)指的是B、T、R、D;i=2~n;
步驟4:利用所述方程(1)至方程(n),計(jì)算可得到得到B,T,R,D值。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種能實(shí)現(xiàn)多層電路板微波性能自校準(zhǔn)方法,其特征在于所述步驟3中當(dāng)n=5時(shí),設(shè)計(jì)信號(hào)通道A2,使通道A2比通道A1多兩個(gè)水平過(guò)渡結(jié)構(gòu),其余參數(shù)與通道A1保持一致,則得到第二個(gè)方程:
K2=(N1+2)×B+M1×T+P1×R+L1×D+E (3)
第三步,設(shè)計(jì)信號(hào)通道A3,使通道A3比通道A1多兩個(gè)垂直過(guò)渡結(jié)構(gòu),則得到第三個(gè)方程:
K3=N1×B+(M1+2)×T+P1×R+L1×D+E (4)
第四步,設(shè)計(jì)信號(hào)通道A4,使通道A4比通道A1多四個(gè)拐角過(guò)渡結(jié)構(gòu),傳輸線長(zhǎng)度多出ΔL1,則得到第四個(gè)方程:
K4=N1×B+M1×T+(P1+4)×R+(L1+ΔL1)×D+E (5)
第五步,設(shè)計(jì)信號(hào)通道A5,使通道A5比通道A1多四個(gè)拐角過(guò)渡結(jié)構(gòu),傳輸線長(zhǎng)度多出ΔL2,則得到第五個(gè)方程:
K5=N1×B+M1×T+(P1+4)×R+(L1+ΔL2)×D+E (6)
利用所述方程(2)至方程(5),計(jì)算可得到:
傳輸線水平過(guò)渡衰減為B為:
B=(K2-K1)/2 (7)
傳輸線垂直過(guò)渡衰減為T為:
T=(K3-K1)/2 (8)
傳輸線拐角損耗為R為:
R==(K4-K1-ΔL1×D)/4 (9)
傳輸線單位傳輸線損耗為D為:
D=(K5-K1)/(ΔL2-ΔL1) (10)。
3.一種能實(shí)現(xiàn)多層電路板微波性能自校準(zhǔn)裝置,其特征在于包括:
總插入損耗計(jì)算模塊,用于通過(guò)電路板上一共設(shè)計(jì)n組信號(hào)通道,分別命名為A1至An;記通道Ai上的傳輸線水平過(guò)渡個(gè)數(shù)為Ni,水平過(guò)渡衰減為B,垂直過(guò)渡個(gè)數(shù)為Mi,垂直過(guò)渡衰減為T,拐角過(guò)渡個(gè)數(shù)Pi,拐角損耗為R,通道的傳輸線長(zhǎng)度為L(zhǎng)i,單位傳輸線損耗為D,由測(cè)試夾具引入的損耗為E,各通道的總的插入損耗為Ki;i大于等于5;所述通道Ai的總插入損耗Ki可以表示為:
Ki=Ni×B+Mi×T+Pi×R+Li×D+E (1)
所述通道的總插入損耗Ki可以通過(guò)矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀測(cè)試該通道的S21得到,所述水平過(guò)渡個(gè)數(shù)Ni、垂直過(guò)渡個(gè)數(shù)Mi、拐角過(guò)渡個(gè)數(shù)Pi以及傳輸線長(zhǎng)度Li是設(shè)計(jì)時(shí)的已知參數(shù);
參考信號(hào)通道模塊,用于設(shè)計(jì)參考信號(hào)通道A1,該通道的水平過(guò)渡個(gè)數(shù)為N1,垂直過(guò)渡個(gè)數(shù)為M1,拐角過(guò)渡個(gè)數(shù)P1,通道的傳輸線長(zhǎng)度為L(zhǎng)1,通道1的插入損耗為K1,則得到第一個(gè)方程為:
K1=N1×B+M1×T+P1×R+L1×D+E (2)
參數(shù)計(jì)算模塊,用于根據(jù)公式(1)設(shè)計(jì)n-1信號(hào)通道A2到An對(duì)應(yīng)求解總插入損耗的n-1個(gè)方程,以通道A1為基礎(chǔ),設(shè)計(jì)A2~An的n-1個(gè)方程,使通道Ai得到總插入損耗Ki時(shí),四個(gè)參數(shù)的系數(shù)至少有一個(gè)比通道A1的總插入損耗K1中對(duì)應(yīng)的四個(gè)參數(shù)的系數(shù)有變化;同時(shí)滿足A2到An中,四個(gè)參數(shù)的系數(shù)對(duì)應(yīng)A1時(shí)的系數(shù)有過(guò)至少1次的變化;利用所述方程(1)至方程(n),計(jì)算可得到得到B,T,R,D值;;四個(gè)參數(shù)指的是B、T、R、D;i=2~n。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種能實(shí)現(xiàn)多層電路板微波性能自校準(zhǔn)裝置,其特征在于所述參數(shù)計(jì)算模塊中當(dāng)n=5時(shí),設(shè)計(jì)信號(hào)通道A2,使通道A2比通道A1多兩個(gè)水平過(guò)渡結(jié)構(gòu),其余參數(shù)與通道A1保持一致,則得到第二個(gè)方程:
K2=(N1+2)×B+M1×T+P1×R+L1×D+E (3)
第三步,設(shè)計(jì)信號(hào)通道A3,使通道A3比通道A1多兩個(gè)垂直過(guò)渡結(jié)構(gòu),則得到第三個(gè)方程:
K3=N1×B+(M1+2)×T+P1×R+L1×D+E (4)
第四步,設(shè)計(jì)信號(hào)通道A4,使通道A4比通道A1多四個(gè)拐角過(guò)渡結(jié)構(gòu),傳輸線長(zhǎng)度多出ΔL1,則得到第四個(gè)方程:
K4=N1×B+M1×T+(P1+4)×R+(L1+ΔL1)×D+E (5)
第五步,設(shè)計(jì)信號(hào)通道A5,使通道A5比通道A1多四個(gè)拐角過(guò)渡結(jié)構(gòu),傳輸線長(zhǎng)度多出ΔL2,則得到第五個(gè)方程:
K5=N1×B+M1×T+(P1+4)×R+(L1+ΔL2)×D+E (6)
利用所述方程(2)至方程(5),計(jì)算可得到:
傳輸線水平過(guò)渡衰減為B為:
B=(K2-K1)/2 (7)
傳輸線垂直過(guò)渡衰減為T為:
T=(K3-K1)/2 (8)
傳輸線拐角損耗為R為:
R==(K4-K1-ΔL1×D)/4 (9)
傳輸線單位傳輸線損耗為D為:
D=(K5-K1)/(ΔL2-ΔL1) (10)。