半孔環(huán)電路板的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開一種半孔環(huán)電路板，其包括：基板、位于基板上端的上側(cè)面、位于基板下端的下側(cè)面、以及沿豎直方向貫穿基板的若干導(dǎo)電通孔，其中每一導(dǎo)電通孔具有沿豎直方向貫穿上側(cè)面和下側(cè)面的通孔、形成通孔的環(huán)形側(cè)壁、以及覆蓋環(huán)形側(cè)壁的覆銅，所述覆銅向上延伸至上側(cè)面且在上側(cè)面上形成一圍繞通孔的環(huán)形導(dǎo)電圈，所述覆銅向下延伸未到達(dá)下側(cè)面，即電路板的一側(cè)無孔環(huán)，從而節(jié)省了更多空間用于電路板上零件的放置。
【專利說明】
半孔環(huán)電路板
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實(shí)用新型涉及一種電路板，尤其涉及一種半孔環(huán)電路板。
【背景技術(shù)】
[0002]電路板的名稱有:線路板，PCB板，招基板，尚頻板，厚銅板，阻抗板，PCB，超薄線路板，超薄電路板，印刷(銅刻蝕技術(shù))電路板等。電路板使電路迷你化、直觀化，對(duì)于固定電路的批量生產(chǎn)和優(yōu)化用電器布局起重要作用。電路板可稱為印刷線路板或印刷電路板，英文名稱為(Printed Circuit Board)PCB。
[0003]電路板按層數(shù)來分的話分為單面板，雙面板，和多層電路板三個(gè)大的分類。首先是單面板，在最基本的PCB上，零件集中在其中一面，導(dǎo)線則集中在另一面上。因?yàn)閷?dǎo)線只出現(xiàn)在其中一面，所以就稱這種PCB叫作單面線路板。單面板通常制作簡(jiǎn)單，造價(jià)低，但是缺點(diǎn)是無法應(yīng)用于太復(fù)雜的產(chǎn)品上。雙面板是單面板的延伸，當(dāng)單層布線不能滿足電子產(chǎn)品的需要時(shí)，就要使用雙面板了。雙面都有覆銅有走線，并且可以通過過孔來導(dǎo)通兩層之間的線路，使之形成所需要的網(wǎng)絡(luò)連接。多層板是指具有三層以上的導(dǎo)電圖形層與其間的絕緣材料以相隔層壓而成，且其間導(dǎo)電圖形按要求互連的印制板。多層線路板是電子信息技術(shù)向高速度、多功能、大容量、小體積、薄型化、輕量化方向發(fā)展的產(chǎn)物。
[0004]現(xiàn)有PCB(電路板)制造中，鉆孔后在孔內(nèi)鍍上一層鍍銅來實(shí)現(xiàn)內(nèi)外層線路的電氣連接，外層在孔口設(shè)計(jì)成一個(gè)孔環(huán)來便于外層布線及測(cè)試。然而，隨著電路上電子元件的緊密排布，有些產(chǎn)品無需無外層線路連接，只要做成無環(huán)孔，用于內(nèi)層間的電氣連接即可。
[0005]鑒于上述缺陷，實(shí)有必要設(shè)計(jì)一種半孔環(huán)電路板。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0006]本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題在于:提供一種半孔環(huán)電路板，其有益于電路板上零件的緊密排布。
[0007]為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型的技術(shù)方案是:
[0008]—種半孔環(huán)電路板，其包括:基板、位于基板上端的上側(cè)面、位于基板下端的下側(cè)面、以及沿豎直方向貫穿基板的若干導(dǎo)電通孔，其中每一導(dǎo)電通孔具有沿豎直方向貫穿上側(cè)面和下側(cè)面的通孔、形成通孔的環(huán)形側(cè)壁、以及覆蓋環(huán)形側(cè)壁的覆銅，所述覆銅向上延伸至上側(cè)面且在上側(cè)面上形成一圍繞通孔的環(huán)形導(dǎo)電圈，所述覆銅向下延伸未到達(dá)下側(cè)面。
[0009]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型有益效果如下:由于所述覆銅向下延伸未到達(dá)下側(cè)面，即，電路板的一側(cè)無孔環(huán)，從而節(jié)省了更多空間用于電路板上零件的放置。
[0010]本實(shí)用新型進(jìn)一步的改進(jìn)如下:
[0011]進(jìn)一步地，所述覆銅向下延伸的末端距離下側(cè)面的距離為35um至38um之間。
[0012]進(jìn)一步地，所述覆銅向下延伸的末端距離下側(cè)面的距離為35.64um。
[0013]進(jìn)一步地，所述覆銅向下延伸的末端距離下側(cè)面的距離為37.62um。
[0014]進(jìn)一步地，所述半孔環(huán)電路板為四層板。
[0015]進(jìn)一步地，所述半孔環(huán)電路板包括設(shè)置于基板內(nèi)的第一層銅箔、位于第一層銅箔上方的第二層銅箔、位于第二層銅箔上方的第三層銅箔、以及位于第三層銅箔上方的第四層銅箔。
[0016]進(jìn)一步地，所述第一層銅箔和第四層銅箔之間的厚度相等，所述第二層銅箔與第三層銅箔的厚度相等，所述第一層銅箔的厚度小于第二層銅箔的厚度。
[0017]進(jìn)一步地，所述第一層銅箔的厚度為18um，所述第二層銅箔的厚度為35um0
[0018]進(jìn)一步地，所述覆銅在豎直方向上延伸并分別與第二層銅箔、第三層銅箔、第四層銅箔連接，所述覆銅向下延伸未到達(dá)第一層銅箔。
[0019]進(jìn)一步地，所述第一層銅箔形成有第一孔，所述通孔在豎直方向的投影位于第一孔內(nèi)，所述通孔的外徑小于第一孔。
【附圖說明】
[0020]圖1是本實(shí)用新型半孔環(huán)電路板第一實(shí)施例的剖視圖。
[0021 ]圖2是本實(shí)用新型半孔環(huán)電路板第二實(shí)施例的剖視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0022]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)一步說明。
[0023]如圖1所示，為本實(shí)用新型的第一實(shí)施例。
[0024]—種半孔環(huán)電路板100，其包括:基板10、位于基板11上端的上側(cè)面11、位于基板10下端的下側(cè)面12、以及沿豎直方向貫穿基板11的若干導(dǎo)電通孔13。
[0025]每一導(dǎo)電通孔13具有沿豎直方向貫穿上側(cè)面11和下側(cè)面12的通孔131、形成通孔的環(huán)形側(cè)壁132、以及覆蓋環(huán)形側(cè)壁132的覆銅133。所述覆銅133向上延伸至上側(cè)面11且在上側(cè)面11上形成一圍繞通孔131的環(huán)形導(dǎo)電圈134，所述覆銅133向下延伸未到達(dá)下側(cè)面12。
[0026]所述覆銅133向下延伸的末端135距離下側(cè)面12的距離為35um至38um之間。所述覆銅133向下延伸的末端135距離下側(cè)面12的距離為35.64um。所述覆銅133向下延伸的末端135距離下側(cè)面12的距離為37.62um。
[0027]如圖2所示，為本實(shí)用新型的第二實(shí)施例。
[0028]與第一實(shí)施例覆銅設(shè)置類似，與第一實(shí)施例的不同在于半孔環(huán)電路板200為四層板。所述半孔環(huán)電路板200包括設(shè)置于基板21內(nèi)的第一層銅箔31、位于第一層銅箔31上方的第二層銅箔32、位于第二層銅箔32上方的第三層銅箔33、以及位于第三層銅箔33上方的第四層銅箔34。
[0029]所述第一層銅箔31和第四層銅箔34之間的厚度相等，所述第二層銅箔32與第三層銅箔33的厚度相等，所述第一層銅箔31的厚度小于第二層銅箔32的厚度。
[0030]所述第一層銅箔31的厚度為18um，所述第二層銅箔32的厚度為35um。
[0031]覆銅233在豎直方向上延伸并分別與第二層銅箔32、第三層銅箔33、第四層銅箔34連接，所述覆銅233向下延伸未到達(dá)第一層銅箔31。
[0032]所述第一層銅箔31形成有第一孔311，所述通孔231在豎直方向的投影位于第一孔311內(nèi)，所述通孔231的外徑小于第一孔311。
[0033]本產(chǎn)品的要求是做一面有環(huán)一面無環(huán)的導(dǎo)通孔，其無環(huán)面的導(dǎo)通孔孔口要求平滑，無環(huán)孔切面鍍層，孔銅整齊內(nèi)縮0.05--01mm，以利用特殊產(chǎn)品封裝的要求。有環(huán)通孔的制作工藝可以采用正片或負(fù)片流程來完成，無環(huán)孔只可用正片工藝來完成，而此產(chǎn)品無法直接用正片或者負(fù)片工藝來完成，只能開發(fā)一種新方法來完成此工藝。根據(jù)產(chǎn)品特點(diǎn)結(jié)合各制程工藝，本實(shí)用新型將后制程阻焊塞孔工藝前置，在形成孔環(huán)前將已電鍍完成的孔內(nèi)塞上一層樹脂，在蝕刻工序當(dāng)作抗蝕刻保護(hù)層來完成一面孔環(huán)一面無孔環(huán)的通孔制作。本實(shí)用新型不局限于上述具體的實(shí)施方式，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員從上述構(gòu)思出發(fā)，不經(jīng)過創(chuàng)造性的勞動(dòng)，所作出的種種變換，均落在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種半孔環(huán)電路板，其包括:基板、位于基板上端的上側(cè)面、位于基板下端的下側(cè)面、以及沿豎直方向貫穿基板的若干導(dǎo)電通孔，其特征在于:每一導(dǎo)電通孔具有沿豎直方向貫穿上側(cè)面和下側(cè)面的通孔、形成通孔的環(huán)形側(cè)壁、以及覆蓋環(huán)形側(cè)壁的覆銅，所述覆銅向上延伸至上側(cè)面且在上側(cè)面上形成一圍繞通孔的環(huán)形導(dǎo)電圈，所述覆銅向下延伸未到達(dá)下側(cè)面。2.如權(quán)利要求1所述的半孔環(huán)電路板，其特征在于:所述覆銅向下延伸的末端距離下側(cè)面的距離為35um至38um之間。3.如權(quán)利要求2所述的半孔環(huán)電路板，其特征在于:所述覆銅向下延伸的末端距離下側(cè)面的距離為35.64um。4.如權(quán)利要求2所述的半孔環(huán)電路板，其特征在于:所述覆銅向下延伸的末端距離下側(cè)面的距離為37.62um。5.如權(quán)利要求1所述的半孔環(huán)電路板，其特征在于:所述半孔環(huán)電路板為四層板。6.如權(quán)利要求5所述的半孔環(huán)電路板，其特征在于:所述半孔環(huán)電路板包括設(shè)置于基板內(nèi)的第一層銅箔、位于第一層銅箔上方的第二層銅箔、位于第二層銅箔上方的第三層銅箔、以及位于第三層銅箔上方的第四層銅箔。7.如權(quán)利要求6所述的半孔環(huán)電路板，其特征在于:所述第一層銅箔和第四層銅箔之間的厚度相等，所述第二層銅箔與第三層銅箔的厚度相等，所述第一層銅箔的厚度小于第二層銅箔的厚度。8.如權(quán)利要求7所述的半孔環(huán)電路板，其特征在于:所述第一層銅箔的厚度為18um，所述第二層銅箔的厚度為35um。9.如權(quán)利要求8所述的半孔環(huán)電路板，其特征在于:所述覆銅在豎直方向上延伸并分別與第二層銅箔、第三層銅箔、第四層銅箔連接，所述覆銅向下延伸未到達(dá)第一層銅箔。10.如權(quán)利要求9所述的半孔環(huán)電路板，其特征在于:所述第一層銅箔形成有第一孔，所述通孔在豎直方向的投影位于第一孔內(nèi)，所述通孔的外徑小于第一孔。
【文檔編號(hào)】H05K1/11GK205566809SQ201620270531
【公開日】2016年9月7日
【申請(qǐng)日】2016年4月5日
【發(fā)明人】錢榮喜
【申請(qǐng)人】蘇州市惠利源科技有限公司