技術(shù)總結(jié)
一種基于非晶態(tài)碳膜的加速度傳感器芯片，包括硅質(zhì)敏感結(jié)構(gòu)，硅質(zhì)敏感結(jié)構(gòu)的背面與硼玻璃鍵合，硅質(zhì)敏感結(jié)構(gòu)包括質(zhì)量塊以及與質(zhì)量塊相連的懸臂梁，在硅質(zhì)敏感結(jié)構(gòu)上采用物理氣相沉積或化學(xué)氣相沉積方法鍍有四個(gè)非晶碳膜電阻，其中第一非晶態(tài)碳膜電阻位于硅質(zhì)敏感結(jié)構(gòu)的懸臂梁上，并靠近邊框一端；第二、第三、第四非晶態(tài)碳膜電阻位于硅質(zhì)敏感結(jié)構(gòu)的邊框處，四個(gè)非晶碳膜電阻連接成惠斯通半橋檢測(cè)電路，并通過(guò)金屬導(dǎo)線和焊盤(pán)連接，由于本發(fā)明采用的非晶態(tài)碳膜電阻具有低摩擦系數(shù)、耐腐蝕，耐磨等優(yōu)良特性，徹底解決傳統(tǒng)MEMS硅微傳感器測(cè)量靈敏度和固有頻率之間的制約關(guān)系，使傳感器兼具高固有頻率以及高測(cè)量靈敏度等特點(diǎn)。

技術(shù)研發(fā)人員：趙玉龍;馬鑫;張琪;胡騰江;王鵬
受保護(hù)的技術(shù)使用者：西安交通大學(xué)
文檔號(hào)碼：201610606289
技術(shù)研發(fā)日：2016.07.28
技術(shù)公布日：2017.01.04