1.一種基于非晶態(tài)碳膜的加速度傳感器芯片，包括硅質敏感結構(1)，硅質敏感結構(1)的背面與硼玻璃(2)的正面鍵合，硅質敏感結構(1)的背面和硼玻璃(2)的正面之間設有空腔(3)，硅質敏感結構(1)包括質量塊(5)以及與質量塊(5)相連的懸臂梁6，其特征在于：在硅質敏感結構(1)上采用物理氣相沉積或化學氣相沉積方法鍍有四個非晶碳膜電阻(4-1、4-2、4-3、4-4)，其中第一非晶態(tài)碳膜電阻(4-1)位于硅質敏感結構(1)的懸臂梁(6)上，并靠近邊框一端；第二非晶態(tài)碳膜電阻(4-2)、第三非晶態(tài)碳膜電阻(4-3)以及第四非晶態(tài)碳膜電阻(4-4)位于硅質敏感結構(1)的邊框處，四個非晶碳膜電阻(4-1、4-2、4-3、4-4)連接成惠斯通半橋檢測電路，并通過金屬導線(7)和焊盤(8)連接，硅質敏感結構(1)、硼玻璃(2)、非晶態(tài)碳膜電阻、金屬導線(7)以及焊盤(8)構成了基于非晶態(tài)碳膜的加速度傳感器芯片。
2.根據權利要求1所述的一種基于非晶態(tài)碳膜的加速度傳感器芯片，其特征在于：所述的非晶態(tài)碳膜電阻是采用磁控濺射以及化學氣相沉積方法制備的，其偏壓分別為-300V～300V和-150V～-750V。
3.根據權利要求1所述的一種基于非晶態(tài)碳膜的加速度傳感器芯片，其特征在于：所述的硅質敏感結構(1)的質量塊(5)與硼玻璃(2)之間預留有20-40μm的工作間隙。