本發(fā)明涉及一種鹽生植物鹽分觀察的方法，特別是直接觀察鹽生草根系及周圍環(huán)境鹽分的方法。

背景技術(shù)：

鹽堿土是地球上分布最廣泛的一種土壤類型，約占陸地總面積的25％，在我國，鹽堿地的面積為3400多萬公頃，其主要分布在華北平原，東北平原，西北內(nèi)陸及濱海地區(qū)。鹽生草(Halogetonglomeratus)為一年生稀鹽鹽生植物，通過自身葉片較強(qiáng)的聚鹽特性使得土壤含鹽量降低，進(jìn)而改良鹽堿地土壤、提高鹽堿地土壤肥力水平。在鹽脅迫下，鹽生草根系內(nèi)部鹽分含量隨外界環(huán)境變化呈現(xiàn)一定的規(guī)律性，其主要是通過自身調(diào)節(jié)來實現(xiàn)對鹽分的限制性吸收，維持脅迫環(huán)境下植株的正常生長發(fā)育。這種根系對鹽分的限制性吸收特性是鹽生草耐鹽性的重要特征。目前并沒有準(zhǔn)確直觀的方法來觀察鹽生植物根系內(nèi)部與外界環(huán)境中鹽分差異，尤其是鹽生草根系對鹽分限制性吸收的研究尚未見任何報道，所以，提供一種直接觀察鹽生草根系及周圍環(huán)境鹽分的方法至關(guān)重要。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于避免現(xiàn)有技術(shù)的不足之處而提供一種直接觀察鹽生草根系及周圍環(huán)境鹽分的方法，以解決無法提供直接證據(jù)來證實鹽生草根系對鹽分的限制性吸收特性。同時，本方法為研究不同植物對礦質(zhì)元素的吸收，尤其是觀察根系對礦質(zhì)元素吸收特征提供了更為便捷有效的方法。

為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采取的技術(shù)方案為：一種直接觀察鹽生草根系及周圍環(huán)境鹽分的方法，其主要特點在于步驟為：

(1)以瓊脂為基質(zhì)，培育0-300mM NaCl處理下的鹽生草無菌苗，培養(yǎng)基為Hoagland完全營養(yǎng)液，4-6g/L瓊脂，pH為5.7-5.8；

(2)待步驟(1)的鹽生草無菌苗生長至2-3個月，將瓊脂包裹的鹽生草無菌苗原封不動地取出，切去幼苗莖、葉部分，原樣保留瓊脂固定根系的狀態(tài)；

(3)用雙面刀片將步驟(2)瓊脂包裹的鹽生草無菌苗的瓊脂固定根系從根尖往上0.5-1.0cm處橫切，保留固定根尖部分的瓊脂，在1-2min內(nèi)橫切成厚度為0.2-0.5cm的切片；(4)將步驟(3)獲得的切片以根系橫截面為中心縱切，留取瓊脂厚度0.2-0.5cm的瓊脂包裹根系橫截面的切片，用鑷子在1-2min之內(nèi)將瓊脂包裹根系橫截面的小切片移入置有液氮的鋁盒，速凍5-10min；

(5)液氮速凍后，在2-3min之內(nèi)將步驟(4)裝有小切片的鋁盒放入冷凍干燥機(jī)，真空冷凍干燥12-18h，真空度為15-80pa，溫度為-50℃；

(6)將步驟(5)所獲小切片中根系橫截面和周圍瓊脂進(jìn)行電鏡掃描觀察，利用能量色散X射線光譜儀分別測定不同NaCl處理下根系橫截面和周圍瓊脂中Na的重量百分比。

所述的直接觀察鹽生草根系及周圍環(huán)境鹽分的方法，其步驟(1)所述無菌苗的培養(yǎng)所用試管為平口試管，每個試管中50mL固體培養(yǎng)基，每管10-15粒種子。

所述的直接觀察鹽生草根系及周圍環(huán)境鹽分的方法，其步驟(4)所述用鑷子將瓊脂包裹根系橫截面的切片移入鋁盒時，應(yīng)從包裹根系橫截面的瓊脂小塊周圍輕輕夾取，不能接觸根系橫截面。

所述的直接觀察鹽生草根系及周圍環(huán)境鹽分的方法，其步驟(6)所述切片電鏡掃描和能量色散X射線光譜儀分析時，分別掃描同一切塊的根系橫截面和周圍瓊脂。

本發(fā)明的有益效果如下：

1.選用2-3個月的無菌苗，其根系生長發(fā)育已經(jīng)基本完成，表皮堅硬，橫切時對根系內(nèi)部結(jié)構(gòu)造成的影響較小，同時，無菌苗生長環(huán)境容易控制，外界環(huán)境對其造成的干擾較小。

2.將切好瓊脂包裹根系橫截面的小塊用液氮速凍，使根系橫截面保持了原有的生長狀態(tài)，對研究更具有說服力。

3.液氮速凍后的小塊真空冷凍12-18h，只是最大限度地將其內(nèi)部的水分抽干，其它成分與含量不發(fā)生變化，電鏡掃描并結(jié)合利用能量色散X射線光譜儀測定的結(jié)果準(zhǔn)確可信，對最終結(jié)果影響較小。

4.通過掃描根系橫截面和周圍瓊脂并且對根系橫截面Na的重量百分比與周圍瓊脂中Na的重量百分比進(jìn)行分析，能夠直接觀察鹽生草根系內(nèi)部與周圍環(huán)境中NaCl的差異，并且操作技術(shù)簡單易行，實驗結(jié)果一目了然，為研究不同植物對礦質(zhì)元素的吸收尤其是觀察其吸收特征提供了方法基礎(chǔ)。

附圖說明：

圖1生長2個月的鹽生草試管苗圖片；

圖2A ck處理下根系橫截面與周圍瓊脂的電鏡掃描圖片；

圖2B 50mM NaCl處理下根系橫截面與周圍瓊脂的電鏡掃描圖片；

圖2C 100mM NaCl處理下根系橫截面與周圍瓊脂的電鏡掃描圖片；

圖2D 150mM NaCl處理下根系橫截面與周圍瓊脂的電鏡掃描圖片；

圖2E 200mMNaCl處理下根系橫截面與周圍瓊脂的電鏡掃描圖片；

圖2F 300mMNaCl處理下根系橫截面與周圍瓊脂的電鏡掃描圖片；

圖中：a:根系橫截面；b:外部環(huán)境(瓊脂)；

圖3A ck處理下根系橫截面與周圍瓊脂的光譜圖；

圖3B 50mM NaCl處理下根系橫截面與周圍瓊脂的光譜圖；

圖3C 100mM NaCl處理下根系橫截面與周圍瓊脂的光譜圖；

圖3D 150mM NaCl處理下根系橫截面與周圍瓊脂的光譜圖；

圖3E 200mM NaCl處理下根系橫截面與周圍瓊脂的光譜圖；

圖3F 300mM NaCl處理下根系橫截面與周圍瓊脂的光譜圖；

圖3中：a:根系橫截面；b:外部環(huán)境(瓊脂)；

圖4不同處理下根系橫截面Na的重量百分比與周圍瓊脂中Na的重量百分比分析圖。

具體實施方式

以下結(jié)合實施例對本發(fā)明的原理和特征進(jìn)行描述，所舉實例只用于解釋本發(fā)明，并非用于限定本發(fā)明的范圍。下面對本發(fā)明的內(nèi)容進(jìn)行詳細(xì)的說明。

實施例1：一種直接觀察鹽生草根系及周圍環(huán)境鹽分的方法，其主要特點在于步驟為：(1)以瓊脂為基質(zhì)，培育0-300mM NaCl處理下的鹽生草無菌苗，培養(yǎng)基為Hoagland完全營養(yǎng)液，4-6g/L瓊脂，pH為5.7-5.8；

(2)待步驟(1)的鹽生草無菌苗生長至2-3個月，將瓊脂包裹的鹽生草無菌苗原封不動地取出，切去幼苗莖、葉部分，原樣保留瓊脂固定根系的狀態(tài)；

(3)用雙面刀片將步驟(2)瓊脂包裹的鹽生草無菌苗的瓊脂固定根系從根尖往上0.5-1.0cm處橫切，保留固定根尖部分的瓊脂，在1-2min內(nèi)橫切成厚度為0.2-0.5cm的切片；

(4)將步驟(3)獲得的切片以根系橫截面為中心縱切，留取瓊脂厚度0.2-0.5cm的瓊脂包裹根系橫截面的切片，用鑷子在1-2min之內(nèi)將瓊脂包裹根系橫截面的小切片移入置有液氮的鋁盒，速凍5-10min；

(5)液氮速凍后，在2-3min之內(nèi)將步驟(4)裝有小切片的鋁盒放入冷凍干燥機(jī)，真空冷凍干燥12-18h，真空度為15-80pa，溫度為-50℃；

(6)將步驟(5)所獲小切片中根系橫截面和周圍瓊脂進(jìn)行電鏡掃描觀察，利用能量色散X射線光譜儀分別測定不同NaCl處理下根系橫截面和周圍瓊脂中Na的重量百分比。

實施例2：一種直接觀察鹽生草根系及周圍環(huán)境鹽分的方法，其主要特點在于步驟為：

(1)以瓊脂為基質(zhì)，培育0-300mM NaCl處理下的鹽生草無菌苗，培養(yǎng)基為Hoagland完全營養(yǎng)液，4-6g/L瓊脂，pH為5.7-5.8；

(2)待步驟(1)的鹽生草無菌苗生長至2-3個月，將瓊脂包裹的鹽生草無菌苗原封不動地取出，切去幼苗莖、葉部分，原樣保留瓊脂固定根系的狀態(tài)；

(3)用雙面刀片將步驟(2)瓊脂包裹的鹽生草無菌苗的瓊脂固定根系從根尖往上0.5-1.0cm處橫切，保留固定根尖部分的瓊脂，在1-2min內(nèi)橫切成厚度為0.2-0.5cm的切片；

(4)將步驟(3)獲得的切片以根系橫截面為中心縱切，留取瓊脂厚度0.2-0.5cm的瓊脂包裹根系橫截面的切片，用鑷子在1-2min之內(nèi)將瓊脂包裹根系橫截面的小切片移入置有液氮的鋁盒，速凍5-10min；

(5)液氮速凍后，在2-3min之內(nèi)將步驟(4)裝有小切片的鋁盒放入冷凍干燥機(jī)，真空冷凍干燥12-18h，真空度為15-80pa，溫度為-50℃；

(6)將步驟(5)所獲小切片中根系橫截面和周圍瓊脂進(jìn)行電鏡掃描觀察，利用能量色散X射線光譜儀分別測定不同NaCl處理下根系橫截面和周圍瓊脂中Na的重量百分比；

其步驟(1)所述無菌苗的培養(yǎng)所用試管為平口試管，每個試管中50mL固體培養(yǎng)基，每管10-15粒種子。

其步驟(4)所述用鑷子將瓊脂包裹根系橫截面的切片移入鋁盒時，應(yīng)從包裹根系橫截面的瓊脂小塊周圍輕輕夾取，不能接觸根系橫截面。

其步驟(6)所述切片電鏡掃描和能量色散X射線光譜儀分析時，分別掃描同一切塊的根系橫截面和周圍瓊脂。

實施例3：見圖1至圖4，一種直接觀察鹽生草根系和周圍環(huán)境鹽分的方法，其步驟為：

(1)培育0-300mM NaCl處理下的鹽生草無菌苗，培養(yǎng)基為Hoagland完全營養(yǎng)液，4-6g/L瓊脂，NaCl濃度為0，50mM，100mM，150mM，200mM，300mM，其中0為ck，pH為5.7-5.8；

(2)待步驟(1)的鹽生草無菌苗生長至2-3個月，將瓊脂包裹的鹽生草無菌苗原封不動地取出，切去幼苗莖、葉部分，原樣保留瓊脂固定根系的狀態(tài)；

(3)用雙面刀片將步驟(2)瓊脂包裹的鹽生草無菌苗的瓊脂固定根系從根尖往上0.5-1.0cm處橫切，保留固定根尖部分的瓊脂，在1-2min內(nèi)橫切成厚度為0.2-0.5cm的切片；；

(4)將步驟(3)獲得的切片以根系橫截面為中心縱切，留取瓊脂厚度0.2-0.5cm的瓊脂包裹根系橫截面的切片，用鑷子在1-2min之內(nèi)將瓊脂包裹根系橫截面的小切片移入置有液氮的鋁盒，速凍5-10min；

(5)液氮速凍后，在2-3min之內(nèi)將步驟(4)裝有小切片的鋁盒放入冷凍干燥機(jī)，真空冷凍干燥12-18h，真空度為15-80pa，溫度為-50℃；

(6)將經(jīng)過上述步驟(5)所獲小切片中根系橫截面和周圍瓊脂進(jìn)行電鏡掃描觀察，利用能量色散X射線光譜儀分別測定不同處理下根系橫截面和周圍瓊脂中Na的重量百分比。

將0-300mM NaCl處理下根系橫截面Na的重量百分比與周圍瓊脂中Na的重量百分比進(jìn)行分析，得出隨著NaCl濃度的升高，根系橫截面Na的重量百分比先升高，然后趨于穩(wěn)定，而其生長的外界固體培養(yǎng)基中Na的重量百分比一直升高，并且外界固體培養(yǎng)基中Na的重量百分比升高的幅度更大。

步驟(1)中所述的無菌苗的培養(yǎng)選用Hoagland完全營養(yǎng)液+4-6g/L瓊脂+NaCl(0，50mM，100mM，150mM，200mM和300mM)，0為ck，pH為5.7-5.8，所用試管為高12cm，直徑3.7cm的平口試管，每個試管中50mL固體培養(yǎng)基，10-15粒種子。

步驟(2)所述的將瓊脂包裹的鹽生草無菌苗原封不動地取出時，首先要將試管傾斜，使得培養(yǎng)基與植株一起倒出，置于干凈的白紙上，然后切去幼苗莖、葉部分，原樣保留瓊脂固定的根系的狀態(tài)；

步驟(3)所述的橫切根系時，刀片要鋒利，切割的部位盡量一致，從根尖往上0.5-1.0cm處為根毛區(qū)，是吸收養(yǎng)分的主要部位。

步驟(4)所述的鋁盒要用蒸餾水沖洗干凈，并且烘干，其標(biāo)記相應(yīng)地為ck，50，100，150，200，300，用鑷子將瓊脂包裹根系橫截面的小塊移入鋁盒時，應(yīng)從包裹根系橫截面的瓊脂小塊周圍輕輕夾取，不能接觸根系橫截面。

在步驟(5)所述的冷凍干燥機(jī)要提前真空制冷30min，然后將鋁盒放入冷凍干燥機(jī)，真空度為15-80Pa，溫度為-50℃，真空冷凍12-18h。

步驟(6)所述電鏡掃描時，分別掃描根系橫截面和周圍瓊脂，因為根系橫截面是將完整的根系橫切，液氮速凍后得到的，其特性與植株本身的特性一致，足以代表根系內(nèi)部，周圍瓊脂則代表外界環(huán)境。

所述的將0-300mM NaCl處理下根系橫截面Na的重量百分比與周圍瓊脂中Na的重量百分比進(jìn)行分析時，得出隨著NaCl濃度的升高，根系橫截面Na的重量百分比先升高，然后趨于穩(wěn)定，而其生長的外界固體培養(yǎng)基中Na的重量百分比一直升高，并且外界固體培養(yǎng)基中Na的重量百分比升高的幅度更大。但是，外界NaCl濃度指能使鹽生草正常完成生活史的濃度，并不是鹽生草的致死濃度。

所述的將不同處理下根系橫截面Na的重量百分比與周圍瓊脂中Na的重量百分比進(jìn)行分析時，ck條件下，根系橫截面與周圍瓊脂中出現(xiàn)一定量的Na的重量百分比，是因為Hoagland完全營養(yǎng)液的鐵鹽中含有少量Na⁺。

實施例4：見圖1至圖4，一種直接觀察鹽生草根系及周圍環(huán)境鹽分的方法，培育無菌苗，培養(yǎng)基為Hoagland完全營養(yǎng)液+4.5g/L瓊脂+NaCl(0，50mM，100mM，150mM，200mM和300mM)，0為ck，pH為5.8，每個試管中50mL固體培養(yǎng)基，種12粒種子，每個處理設(shè)置3個重復(fù)，待其生長2個月，將包裹鹽生草根系的瓊脂從根尖往上0.5cm處橫切，保留固定根尖部分的瓊脂，在2min內(nèi)將瓊脂切片繼續(xù)橫切成厚度為0.5cm的切片，然后以切片的根系橫截面為中心縱切，留取瓊脂厚度0.5cm的瓊脂包裹根系橫截面的切片，迅速移入鋁盒，液氮速凍5min，再將鋁盒放入提前真空制冷好的冷凍干燥機(jī)(FD-1B-5，北京博醫(yī)康)，真空度為80Pa，溫度為-50℃，真空冷凍16h，最后掃描電鏡(JSM-5600LV，日本JEOL公司)對不同處理下根系橫截面和周圍瓊脂進(jìn)行掃描，結(jié)合利用能量色散X射線光譜儀(EDX-9100，日本日立公司)測定其含量并進(jìn)行分析。

結(jié)果：掃描電鏡下能看到理想的根系橫截面，并且根系橫截面的Na的重量百分比(wt％)依次為0.06，0.72，1.53，2.18，2.18和2.25。周圍瓊脂中Na的重量百分比(wt％)依次為0.07，1.01，2.76，3.77，5.03和5.73。隨著NaCl濃度的升高，根系橫截面Na的重量百分比先升高，然后趨于穩(wěn)定，而其生長的外界固體培養(yǎng)基中Na的重量百分比一直升高，并且外界固體培養(yǎng)基中Na的重量百分比升高的幅度更大。

實施例5：見圖1至圖4，一種直接觀察鹽生草根系和周圍環(huán)境鹽分的方法，培育無菌苗，培養(yǎng)基為Hoagland完全營養(yǎng)液+5g/L瓊脂+NaCl(0，50mM，100mM，150mM，200mM和300mM)，0為ck，pH為5.8，每個試管中50mL固體培養(yǎng)基，種10粒種子，每個處理設(shè)置3個重復(fù)，待其生長2個月，將包裹鹽生草根系的瓊脂從根尖往上0.7cm處橫切，保留固定根尖部分的瓊脂，在2min內(nèi)將瓊脂切片繼續(xù)橫切成厚度為0.4cm的切片，以切片的根系橫截面為中心縱切，留取瓊脂厚度0.5cm的瓊脂包裹根系橫截面的切片，然后迅速移入鋁盒，液氮速凍4min，再將鋁盒放入提前真空制冷好的冷凍干燥機(jī)(FD-1B-5，北京博醫(yī)康)，真空度為80Pa，溫度為-50℃，真空冷凍14h，最后掃描電鏡(JSM-5600LV，日本JEOL公司)對不同處理下根系橫截面和周圍瓊脂進(jìn)行掃描，結(jié)合利用能量色散X射線光譜儀(EDX-9100，日本日立公司)測定其含量并進(jìn)行分析。

結(jié)果：掃描電鏡下能看到理想的根系橫截面，并且根系橫截面的Na的重量百分比(wt％)依次為0.05，0.72，1.54，2.17，2.18和2.20。周圍瓊脂中Na的重量百分比(wt％)依次為0.06，1.02，2.76，3.78，5.00和5.91。隨著NaCl濃度的升高，根系橫截面Na的重量百分比先升高，然后趨于穩(wěn)定，而其生長的外界固體培養(yǎng)基中Na的重量百分比一直升高，并且外界固體培養(yǎng)基中Na的重量百分比升高的幅度更大。

實施例6：一種直接觀察鹽生草根系和周圍環(huán)境鹽分的方法，培育無菌苗，培養(yǎng)基為Hoagland完全營養(yǎng)液+4g/L瓊脂+NaCl(0，50mM，100mM，150mM，200mM和300mM)，0為ck，pH為5.8，每個試管中50mL固體培養(yǎng)基，種15粒種子，每個處理設(shè)置3個重復(fù)，待其生長3個月，將包裹鹽生草根系的瓊脂從根尖往上1.0cm處橫切，保留固定根尖部分的瓊脂，在2min內(nèi)將瓊脂切片繼續(xù)橫切成厚度為0.5cm的切片，以切片的根系橫截面為中心縱切，留取瓊脂厚度0.4cm的瓊脂包裹根系橫截面的切片，然后迅速移入鋁盒，液氮速凍5min，再將鋁盒放入提前真空制冷好的冷凍干燥機(jī)(FD-1B-5，北京博醫(yī)康)，真空度為80Pa，溫度為-50℃，真空冷凍18h，最后掃描電鏡(JSM-5600LV，日本JEOL公司)對不同處理下根系橫截面和周圍瓊脂進(jìn)行掃描，結(jié)合利用能量色散X射線光譜儀(EDX-9100，日本日立公司)測定其含量并進(jìn)行分析。

結(jié)果：掃描電鏡下能看到理想的根系橫截面，并且根系橫截面的Na的重量百分比(wt％)依次為0.06，0.71，1.54，2.19，2.18和2.23，周圍瓊脂中Na的重量百分比(wt％)依次為0.07，1.00，2.77，3.77，5.03和5.80。隨著NaCl濃度的升高，根系橫截面Na的重量百分比先升高，然后趨于穩(wěn)定，而其生長的外界固體培養(yǎng)基中Na的重量百分比一直升高，并且外界固體培養(yǎng)基中Na的重量百分比升高的幅度更大。

試驗例：在觀察鹽生草根系及周圍環(huán)境鹽分差異的過程中，無菌苗的大小，根系橫切的部位，真空冷凍的時間起到了關(guān)鍵作用，本試驗通過對上述三種關(guān)鍵因素進(jìn)行優(yōu)化，最終確定了最佳的測定鹽生草根系限制性吸收NaCl的方法。

1.最佳無菌苗的選擇:設(shè)置三個時間處理，分別是處理A：20d，處理B：40d，處理C：60d的無菌苗，培養(yǎng)基為Hoagland完全營養(yǎng)液+5g/L瓊脂+NaCl(0，50mM，100mM，150mM，200mM和300mM)，0為ck，pH為5.8，每個試管中50mL固體培養(yǎng)基，種13粒種子，每個處理設(shè)置3個重復(fù)，生長時間分別為A，B，C，將培養(yǎng)基連同植株一起取出，選取生長健壯的植株，將包裹鹽生草根系的瓊脂從根尖往上0.5cm處橫切，保留固定根尖部分的瓊脂，在2min內(nèi)將瓊脂切片繼續(xù)橫切成厚度為0.5cm的切片，以切片的根系橫截面為中心縱切，留取瓊脂厚度0.5cm的瓊脂包裹根系橫截面的切片，然后迅速移入鋁盒，液氮速凍5min，再將鋁盒放入提前真空制冷好的冷凍干燥機(jī)，真空度為80Pa，溫度為-50℃，真空冷凍18h，最后掃描電鏡對不同處理下根系橫截面和周圍瓊脂進(jìn)行掃描，利用能量色散X射線光譜儀測定其含量并進(jìn)行分析。

結(jié)果發(fā)現(xiàn)：處理A和處理B在電鏡下觀察不到理想的根系橫截面，并且測定得到的數(shù)據(jù)沒有規(guī)律性，處理C在電鏡下觀察到理想的根系橫截面，并且根系橫截面的Na的重量百分比(wt％)依次為0.05，0.71，1.54，2.18，2.17和2.24，周圍瓊脂中Na的重量百分比(wt％)依次為0.07，1.00，2.73，3.80，5.00和5.81。即處理C條件下，隨著NaCl濃度的升高，根系橫截面Na的重量百分比先升高，然后趨于穩(wěn)定，而其生長的外界固體培養(yǎng)基中Na的重量百分比一直升高，并且外界固體培養(yǎng)基中Na的重量百分比升高的幅度更大。

2.最佳根系橫切部位的選擇：通過實驗1優(yōu)選出的最佳無菌苗大小的基礎(chǔ)上，對根系橫切部位進(jìn)行研究，設(shè)置3個橫切位置，分別是處理A：從根尖往上0.6cm，處理B：從根尖往上2cm，處理C：從根尖往上0.2cm。選取生長2個月的無菌苗，培養(yǎng)基為Hoagland完全營養(yǎng)液+5g/L瓊脂+NaCl(0，50mM，100mM，150mM，200mM和300mM)，0為ck，pH為5.8，每個試管中50mL固體培養(yǎng)基，種13粒種子，每個處理設(shè)置3個重復(fù)，將培養(yǎng)基連同植株一起取出，選取生長健壯的植株，將包裹鹽生草根系的瓊脂從根尖往上A，B，C處橫切，保留固定根尖部分的瓊脂，在2min內(nèi)將瓊脂切片繼續(xù)橫切成厚度為0.5cm的切片，以切片的根系橫截面為中心縱切，留取瓊脂厚度0.5cm的瓊脂包裹根系橫截面的切片，然后迅速移入鋁盒，液氮速凍5min，再將鋁盒放入提前真空制冷好的冷凍干燥機(jī)，真空度為80Pa，溫度為-50℃，真空冷凍18h，最后掃描電鏡對不同處理下根系橫截面和周圍瓊脂進(jìn)行掃描，利用能量色散X射線光譜儀測定其含量并進(jìn)行分析。

結(jié)果發(fā)現(xiàn)：處理B和處理C在電鏡下能觀察到理想的根系橫截面，但是測定得到的數(shù)據(jù)沒有規(guī)律性，而處理A在電鏡下觀察到理想的根系橫截面，并且根系橫截面的Na的重量百分比(wt％)依次為0.06，0.70，1.60，2.20，2.21和2.25，周圍瓊脂中Na的重量百分比(wt％)依次為0.07，1.02，2.78，3.80，5.04和5.73，即處理A條件下，隨著NaCl濃度的升高，根系橫截面Na的重量百分比先升高，然后趨于穩(wěn)定，而其生長的外界固體培養(yǎng)基中Na的重量百分比一直升高，并且外界固體培養(yǎng)基中Na的重量百分比升高的幅度更大。

3.最適真空冷凍時間的選擇:通過實驗2優(yōu)選出的最佳根系橫切部位的基礎(chǔ)上，對真空冷凍時間進(jìn)行了研究，設(shè)置三個時間處理，分別是處理A：5h，處理B：8h，處理C：16h。選取生長2個月的無菌苗，培養(yǎng)基為Hoagland完全營養(yǎng)液+5g/L瓊脂+NaCl(0，50mM，100mM，150mM，200mM和300mM)，0為ck，pH為5.8，每個試管中50mL固體培養(yǎng)基，種植13粒種子，每個處理設(shè)置3個重復(fù)，將培養(yǎng)基連同植株一起取出，選取生長健壯的植株，將包裹鹽生草根系的瓊脂從根尖往上0.5cm處橫切，保留固定根尖部分的瓊脂，在2min內(nèi)將瓊脂切片繼續(xù)橫切成厚度為0.5cm的切片，以切片的根系橫截面為中心縱切，留取瓊脂厚度0.5cm的瓊脂包裹根系橫截面的切片，然后迅速移入鋁盒，液氮速凍5min，再將鋁盒放入提前真空制冷好的冷凍干燥機(jī)，真空度為80Pa，溫度為-50℃，真空冷凍時間A，B，C，最后掃描電鏡對不同處理下根系橫截面和周圍瓊脂進(jìn)行掃描，利用能量色散X射線光譜儀測定其含量并進(jìn)行分析。

結(jié)果發(fā)現(xiàn)：處理A和處理B在電鏡下能觀察到理想的根系橫截面，但是測定得到的數(shù)據(jù)沒有規(guī)律性，而處理C在電鏡下能觀察到理想的根系橫截面，并且根系橫截面的Na的重量百分比(wt％)依次為0.05，0.71，1.54，2.17，2.17和2.20，周圍瓊脂中Na的重量百分比(wt％)依次為0.06，1.02，2.75，3.77，5.02和5.74。即處理C條件下，隨著NaCl濃度的升高，根系橫截面Na的重量百分比先升高，然后趨于穩(wěn)定，而其生長的外界固體培養(yǎng)基中Na的重量百分比一直升高，并且外界固體培養(yǎng)基中Na的重量百分比升高的幅度更大。

上述實施例為本發(fā)明較佳的實施方式，但本發(fā)明的實施方式并不受上述實施例的限制，其他的任何未背離本發(fā)明的精神實質(zhì)與原理下所作的改變、修飾、替代、組合、簡化，均應(yīng)為等效的置換方式，都包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。