1.一種TEM樣品的制備方法，其特征在于，包括：
提供半導體襯底，所述半導體襯底中包括待測的目標區(qū)域；
在所述半導體襯底上沉積保護層，所述保護層覆蓋所述目標區(qū)域以及所述目標區(qū)域周圍的部分半導體襯底；
采用離子束在所述保護層相對兩側(cè)的所述半導體襯底中形成兩個溝槽，并將所述目標區(qū)域下方的所述半導體襯底切割開，使得兩個所述溝槽連通，形成預定厚度的預處理樣品；
采用離子束在所述預處理樣品的遠離所述目標區(qū)域的一側(cè)軸對稱的形成N個凹槽，并依次將所述預處理樣品分成N+1個區(qū)域；
采用離子束將所述預處理樣品與所述半導體襯底切割分離，將所述預處理樣品放置于一TEM承載片上，并且，所述預處理樣品在所述TEM承載片上呈凹型，采用離子束對所述預處理樣品由中心區(qū)域依次向邊緣區(qū)域進行轟擊，形成TEM樣品。
2.如權(quán)利要求1所述的TEM樣品的制備方法，其特征在于，所述凹槽的個數(shù)為3個、4個或5個。
3.如權(quán)利要求2所述的TEM樣品的制備方法，其特征在于，當N為偶數(shù)時，先對第(N+2)/2個區(qū)域進行轟擊，之后依次對兩邊相鄰的區(qū)域進行轟擊；當N為奇數(shù)時，先對第(N+1)/2個區(qū)域和第(N+3)/2個區(qū)域進行轟擊，之后依次對兩邊相鄰的區(qū)域進行轟擊。
4.如權(quán)利要求1所述的TEM樣品的制備方法，其特征在于，所述凹槽的深度為30nm～40nm。
5.如權(quán)利要求1所述的TEM樣品的制備方法，其特征在于，所述凹槽的寬度為0.5μm～1μm。
6.如權(quán)利要求1所述的TEM樣品的制備方法，其特征在于，采用稼離子束對所述預處理樣品進行轟擊。
7.如權(quán)利要求6所述的TEM樣品的制備方法，其特征在于，離子束轟擊過程中的加速電壓為3kV～10kV，發(fā)射電流為5pA～20pA。
8.如權(quán)利要求7所述的TEM樣品的制備方法，其特征在于，離子束轟擊過 程中的加速電壓為5kV，發(fā)射電流為8pA，轟擊預處理樣品的離子束的能量為4×10-8W。
9.如權(quán)利要求1所述的TEM樣品的制備方法，其特征在于，所述預處理樣品的預定厚度為80nm～120nm。
10.如權(quán)利要求9所述的TEM樣品的制備方法，其特征在于，所述預處理樣品的長度為10μm～20μm。
11.如權(quán)利要求1所述的TEM樣品的制備方法，其特征在于，所述保護層的材料為鉑或者鎢。
12.如權(quán)利要求1所述的TEM樣品的制備方法，其特征在于，所述目標區(qū)域的邊緣與鄰近的所述保護層的邊緣之間距離為100nm～200nm。
13.如權(quán)利要求1所述的TEM樣品的制備方法，其特征在于，所述溝槽的深度為1μm～5μm。
14.如權(quán)利要求1所述的TEM樣品的制備方法，其特征在于，在將所述預處理樣品與所述半導體分離之前還包括去除所述保護層。