技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及微納米加工技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種微納米陣列結(jié)構(gòu)、制備方法及應(yīng)用，所述結(jié)構(gòu)包括碳化硅基底、在所述碳化硅基底上的微米柱體以及在所述碳化硅基底和所述微米柱體表面的納米結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的微米柱體不受形狀的限制，納米結(jié)構(gòu)不受形狀限制；實現(xiàn)了10-13μm的中紅外寬光譜吸收，吸光率幾乎為1；本發(fā)明材料簡單，操作步驟單一，而且納米結(jié)構(gòu)加工方便，使用紫外光刻等設(shè)備，降低了成本，可實現(xiàn)大面積快速加工，為實際應(yīng)用奠定了基礎(chǔ)。

技術(shù)研發(fā)人員：陳東學(xué);董建杰;劉前
受保護(hù)的技術(shù)使用者：國家納米科學(xué)中心
文檔號碼：201510239633
技術(shù)研發(fā)日：2015.05.12
技術(shù)公布日：2017.01.04