1.一種微納米陣列結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述結(jié)構(gòu)包括碳化硅基底、在所述碳化硅基底上的微米柱體以及在所述碳化硅基底和所述微米柱體上表面的納米結(jié)構(gòu)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微納米陣列結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述碳化硅基底為存在表面極化激元的碳化硅；
優(yōu)選地，所述的微米柱體為圓柱、四方柱或多邊形柱狀結(jié)構(gòu)中的任意一種；
優(yōu)選地，所述納米結(jié)構(gòu)為納米顆粒、納米針尖或納米錐中的任意一種；
優(yōu)選地，所述納米結(jié)構(gòu)與基底為同種材料。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的微納米陣列結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述微米柱體為周期陣列，周期為2-20μm，優(yōu)選為5-15μm；
優(yōu)選地，所述微米柱體的橫截面積為3-30μm2；
優(yōu)選地，所述微米柱體的高度為0-30μm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一項所述的微納米陣列結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述納米結(jié)構(gòu)的底面橫截面積為0.01-4μm2；
優(yōu)選地，所述納米結(jié)構(gòu)的高度為1-10μm。
5.一種制備如權(quán)利要求1-4中任一項所述的微納米陣列結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于，包括如下步驟：
(1)在碳化硅基底上旋涂紫外光刻膠，旋涂后烘烤，再使用紫外光刻機曝光后，在顯影液中顯影；
(2)用電子束蒸發(fā)鍍膜儀鍍銅后去膠，優(yōu)選在丙酮中去膠；
(3)用反應(yīng)離子刻蝕，將柱狀陣列結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)移到碳化硅基底上；
(4)用電子束蒸發(fā)鍍膜儀鍍銅，再用反應(yīng)離子刻蝕，得到碳化硅微納米陣 列結(jié)構(gòu)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，步驟(1)所述的碳化硅基底的厚度為100-400μm，優(yōu)選為200-350μm；
優(yōu)選地，步驟(1)所述的紫外光刻膠厚度為0.2-5μm，優(yōu)選為2μm；
優(yōu)選地，步驟(1)所述烘烤的時間為1-8min；
優(yōu)選地，步驟(1)所述的曝光時間為20-50s，優(yōu)選為30-45s；
優(yōu)選地，步驟(1)所述的顯影時間為20-50s，優(yōu)選為30-45s。
7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的方法，其特征在于，步驟(2)所述的鍍銅厚度為330-480nm。
8.根據(jù)權(quán)利要求5-7中任一項所述的方法，其特征在于，步驟(4)所述的鍍銅厚度為220-400nm；
優(yōu)選地，步驟(4)所述的刻蝕時間為20-50min，優(yōu)選為30-45min。
9.一種如權(quán)利要求1-4中任一項所述的微納米陣列結(jié)構(gòu)的應(yīng)用，其特征在于，采用紅外入射光照射碳化硅微納米陣列結(jié)構(gòu)表面，實現(xiàn)紅外寬光譜的吸收。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，所述紅外入射光覆蓋碳化硅基底存在光學聲子的波段；
優(yōu)選地，所述紅外入射光的照射角度為0-90°。