本實用新型涉及一種芯片的封裝結(jié)構(gòu)，更具體地，本實用新型涉及一種壓力傳感器的封裝結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：

壓力傳感器芯片是一種薄膜元件，依靠薄膜變形來感測環(huán)境壓力，通過壓敏元件或電容等檢測方式將薄膜的變形量轉(zhuǎn)換為電信號。由于薄膜為敏感元件，所以容易受到外界機械作用的影響導致檢測性能的變化。

現(xiàn)有壓力傳感器多采用PCB板加外殼的封裝形式，在外殼上設(shè)置連通外界的導通孔，該種封裝形式不能有效保護內(nèi)部MEMS及ASIC，其易受外界氣體、液體及異物的影響或腐蝕，造成壓力傳感器可靠性差，精度偏移等問題。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本實用新型的一個目的是提供了一種壓力傳感器的封裝結(jié)構(gòu)。

根據(jù)本實用新型的一個方面，提供一種壓力傳感器的封裝結(jié)構(gòu)，包括殼體，所述殼體具有一端開口的容腔；還包括設(shè)置在殼體容腔中的MEMS壓力傳感器芯片以及ASIC芯片；還包括填充在殼體容腔內(nèi)并將所述MEMS壓力傳感器芯片、ASIC芯片封裝起來并作為外界壓力傳導媒介的膠體。

可選地，所述殼體包括筒狀的側(cè)壁部，以及封裝在所述側(cè)壁部下端開口的基板。

可選地，所述基板采用燒結(jié)玻璃，所述側(cè)壁部采用金屬材料，所述基板與側(cè)壁部通過燒結(jié)的方式結(jié)合在一起。

可選地，所述基板的上端面與側(cè)壁部的下端面結(jié)合在一起。

可選地，所述基板位于側(cè)壁部的容腔內(nèi)。

可選地，所述MEMS壓力傳感器芯片以及ASIC芯片分別設(shè)置在基板上，且二者通過打線的方式進行電連接。

可選地，還包括引腳，所述引腳穿過基板并與基板燒結(jié)在一起。

可選地，所述ASIC芯片設(shè)置在基板上，所述MEMS壓力傳感器芯片貼裝在ASIC芯片上，且二者通過打線的方式進行電連接。

可選地，還包括引腳，所述引腳穿過基板并與基板燒結(jié)在一起。

可選地，所述膠體為凝膠。

本實用新型的封裝結(jié)構(gòu)，通過膠體的變形將外界的壓力變化傳遞至MEMS壓力傳感器芯片上，從而使MEMS壓力傳感器芯片輸出相應(yīng)的電信號。該封裝方式避免了MEMS壓力傳感器芯片與外界的直接接觸，特別是MEMS壓力傳感器芯片在用于腐蝕、臟污或水汽環(huán)境時，可有效避免對MEMS壓力傳感器芯片及ASIC芯片的損傷。該種封裝方式可以達到很高的防水等級，適用于各種汽車、工業(yè)或其它消費領(lǐng)域。

通過以下參照附圖對本實用新型的示例性實施例的詳細描述，本實用新型的其它特征及其優(yōu)點將會變得清楚。

附圖說明

構(gòu)成說明書的一部分的附圖描述了本實用新型的實施例，并且連同說明書一起用于解釋本實用新型的原理。

圖1是本實用新型封裝結(jié)構(gòu)第一個實施方式的示意圖。

圖2是本實用新型封裝結(jié)構(gòu)第二個實施方式的示意圖。

具體實施方式

現(xiàn)在將參照附圖來詳細描述本實用新型的各種示例性實施例。應(yīng)注意到：除非另外具體說明，否則在這些實施例中闡述的部件和步驟的相對布置、數(shù)字表達式和數(shù)值不限制本實用新型的范圍。

以下對至少一個示例性實施例的描述實際上僅僅是說明性的，決不作為對本實用新型及其應(yīng)用或使用的任何限制。

對于相關(guān)領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的技術(shù)和設(shè)備可能不作詳細討論，但在適當情況下，所述技術(shù)和設(shè)備應(yīng)當被視為說明書的一部分。

在這里示出和討論的所有例子中，任何具體值應(yīng)被解釋為僅僅是示例性的，而不是作為限制。因此，示例性實施例的其它例子可以具有不同的值。

應(yīng)注意到：相似的標號和字母在下面的附圖中表示類似項，因此，一旦某一項在一個附圖中被定義，則在隨后的附圖中不需要對其進行進一步討論。

參考圖1，本實用新型提供了一種壓力傳感器的封裝結(jié)構(gòu)，其包括殼體，所述殼體具有一端開口的容腔。在本實用新型一個具體的實施方式中，所述殼體例如可以包括筒狀的側(cè)壁部3，以及封裝在所述側(cè)壁部3下端開口的基板4，通過基板4可以將側(cè)壁部3的下端開口封閉住，從而形成具有一端開口的容腔，參考圖1的視圖方向。

本實用新型的封裝結(jié)構(gòu)，還包括設(shè)置在殼體容腔中的MEMS壓力傳感器芯片2以及ASIC芯片1，所述MEMS壓力傳感器芯片2以及ASIC芯片1可以通過本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知的方式設(shè)置在殼體的容腔中，例如采用貼裝的方式等。

本實用新型的封裝結(jié)構(gòu)，所述MEMS壓力傳感器芯片2以及ASIC芯片1可以分別貼裝在基板4上，二者通過本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知的打線方式電連接在一起，使得MEMS壓力傳感器芯片2輸出的電信號可以經(jīng)過ASIC芯片1進行處理，參考圖1。

在本實用新型另一個具體的實施方式中，參考圖2，所述ASIC芯片1可以貼裝在基板4上，所述MEMS壓力傳感器芯片2貼裝在ASIC芯片1的上方，且二者通過打線的方式進行電連接。采用這種結(jié)構(gòu)，可以使MEMS壓力傳感器芯片2與ASIC芯片1在垂直方向上集成起來，降低兩個芯片占用的基板4面積。

本實用新型的封裝結(jié)構(gòu)，還包括填充在殼體容腔內(nèi)的膠體6，通過該填充在殼體容腔中的膠體6將所述MEMS壓力傳感器芯片2、ASIC芯片1封裝起來。膠體6作為外界環(huán)境壓力的傳導媒介，在受到外界壓力變化時，可以發(fā)生相應(yīng)的變形，并最終將該變形傳遞至MEMS壓力傳感器芯片2上。本實用新型的膠體6優(yōu)選采用較低模量的膠材料，例如凝膠等，使得可以有效地防止壓力遲滯的影響。

本實用新型的封裝結(jié)構(gòu)，通過膠體的變形將外界的壓力變化傳遞至MEMS壓力傳感器芯片上，從而使MEMS壓力傳感器芯片輸出相應(yīng)的電信號。該封裝方式避免了MEMS壓力傳感器芯片與外界的直接接觸，特別是MEMS壓力傳感器芯片在用于腐蝕、臟污或水汽環(huán)境時，可有效避免對MEMS壓力傳感器芯片及ASIC芯片的損傷。該種封裝方式可以達到很高的防水等級，適用于各種汽車、工業(yè)或其它消費領(lǐng)域。

在本實用新型一個優(yōu)選的實施方式中，所述基板4采用燒結(jié)玻璃，所述側(cè)壁部3采用金屬材料，所述基板4與側(cè)壁部3通過燒結(jié)的方式結(jié)合在一起，從而使得基板4與側(cè)壁部3可以緊密結(jié)合在一起。金屬的側(cè)壁部3可以提高封裝結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)強度。

具體地，所述基板4的上端面與側(cè)壁部3的下端面結(jié)合在一起，也就是說，通過燒結(jié)的方式使得基板4的上端面與側(cè)壁部3的下端面結(jié)合在一起。在本實用新型一個優(yōu)選的實施方式中，所述基板4位于側(cè)壁部3的容腔內(nèi)，參考圖1?？深A(yù)先將基板4放置在側(cè)壁部3容腔的下方，然后通過燒結(jié)的方式將二者結(jié)合在一起。該結(jié)構(gòu)可以提高基板4與側(cè)壁部3結(jié)合的密封性；而且金屬材質(zhì)的側(cè)壁部3可以在一定程度上保護燒結(jié)玻璃的基板4。

本實用新型的封裝結(jié)構(gòu)，還包括用于與外部終端連接的引腳5，引腳5的數(shù)量設(shè)置有多個，具體根據(jù)ASIC芯片1輸出端子的數(shù)量而定。引腳5的一端位于封裝結(jié)構(gòu)的容腔中，另一端穿過基板4露出在外界，從而可以將ASIC芯片1的電信號引出。

為了提高引腳5在基板4上穿出位置的密封性，所述引腳5與基板4燒結(jié)在一起。例如可在半成品的基板4上設(shè)置通孔，將引腳5從通孔穿出后，通過燒結(jié)的方式將二者結(jié)合在一起。這種燒結(jié)的工藝屬于本領(lǐng)域技術(shù)人員的公知常識，在此不再具體說明。

雖然已經(jīng)通過示例對本實用新型的一些特定實施例進行了詳細說明，但是本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該理解，以上示例僅是為了進行說明，而不是為了限制本實用新型的范圍。本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該理解，可在不脫離本實用新型的范圍和精神的情況下，對以上實施例進行修改。本實用新型的范圍由所附權(quán)利要求來限定。