專(zhuān)利名稱(chēng)：引線(xiàn)框架電流傳感器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明總地涉及安裝在引線(xiàn)框架上的集成電路(IC)晶粒，并且更特別地，涉及使用引線(xiàn)框架的一部分作為傳感元件的電流傳感。
背景技術(shù)：
IC器件已經(jīng)被用以通過(guò)一些形式或另外的形式來(lái)完成幾乎所有的電子功能。IC 器件的構(gòu)件通常使用如圖ι中所示的引線(xiàn)框架2，其中IC晶粒(未示出)安裝在可以從如圖1中所示的連接接頭6的平面下移設(shè)置的晶粒焊盤(pán)(die paddle)4上。IC晶粒的電路可以通過(guò)焊絲(wirebonded)跳線(xiàn)(未示出)連接到接頭6。一些應(yīng)用比如馬達(dá)速度控制或者定位系統(tǒng)經(jīng)常需要IC器件來(lái)測(cè)量在電路中流著的電流的量。一種測(cè)量電流的方法是將低值電阻插入電路并且測(cè)量該電阻兩端的電壓降。 只要該電阻值不變，則測(cè)量的電壓與電流成線(xiàn)性比例，這要求精確的測(cè)量，因?yàn)椴黄谕趥鞲须娮杵髦泻纳⒐β?，因此傳感電阻器的電阻值典型地小于一個(gè)歐姆，導(dǎo)致一個(gè)小的測(cè)量壓降。該措施用以測(cè)量電流的一個(gè)不足在于傳感電阻器中不可避免地耗散的功率升高了傳感電阻器的溫度并且該溫度變化將導(dǎo)致電阻器的值發(fā)生變化。在圖2中示出了一示例性設(shè)計(jì)(來(lái)自美國(guó)專(zhuān)利No. 6150714)，其中傳感電阻器沈已經(jīng)被形成為引線(xiàn)框架10鄰近于安裝在晶粒焊盤(pán)14上的IC晶粒12的部分。兩個(gè)跳線(xiàn)30 將IC晶粒12上的焊點(diǎn)(pads)32連接到傳感電阻器沈的端子28。在本示例中，電流從外部引線(xiàn)1、2和3流過(guò)左傳導(dǎo)元件M、流過(guò)電阻器沈，并且接著流過(guò)右傳導(dǎo)元件M并流出外部引線(xiàn)14、15和16。電阻器沈兩端的電壓降被IC晶粒12上的電路通過(guò)連接到端子28的引線(xiàn)30測(cè)量。某些時(shí)候使用溫度補(bǔ)償電路來(lái)改進(jìn)電流測(cè)量的精度。這些電路可以包括能夠用以產(chǎn)生補(bǔ)償信號(hào)的一個(gè)或多個(gè)溫度敏感元件，該補(bǔ)償信號(hào)與從電阻器取得的測(cè)量結(jié)果組合， 可以提供更精確的測(cè)量結(jié)果。在圖2所示的示例中，能夠看出電阻器沈與IC晶粒12物理分離。因?yàn)閷㈦娮杵?6連接到IC晶粒12的熱路徑通過(guò)塑料封裝22，位于IC晶粒12上的任意溫度補(bǔ)償電路可以處于與電阻器沈不同的溫度。這種溫度補(bǔ)償電路從傳感電阻器沈的分離降低了補(bǔ)償精度。

發(fā)明內(nèi)容
存在對(duì)于精確地補(bǔ)償IC器件中的電流傳感元件中的與溫度相關(guān)的變化的電流傳感器的需求。在某些實(shí)施方式中，公開(kāi)了電流傳感器。該電流傳感器包括引線(xiàn)框架，所述引線(xiàn)框架具有晶粒焊盤(pán)，所述晶粒焊盤(pán)的一部分被構(gòu)造為電流能夠流過(guò)的電阻元件；和集成電路(IC)晶粒，所述集成電路晶粒安裝到并且熱耦合到所述晶粒焊盤(pán)。所述IC晶粒包括電流傳感模塊，所述電流傳感模塊被構(gòu)造用以測(cè)量所述電阻元件兩端的電壓降并且將該電壓降測(cè)量結(jié)果轉(zhuǎn)換成為電流測(cè)量信號(hào)；和溫度補(bǔ)償模塊，所述溫度補(bǔ)償模塊電耦合到所述電流傳感模塊。所述溫度補(bǔ)償模塊被構(gòu)造用以調(diào)節(jié)所述電流測(cè)量信號(hào)以補(bǔ)償所述電阻元件中依賴(lài)溫度的變化。所述溫度補(bǔ)償模塊包括溫度敏感元件，所述溫度敏感元件的一部分位于所述電阻元件的一部分的直接上方。在某些實(shí)施方式中，公開(kāi)了 IC封裝。所述IC封裝包括殼體，引線(xiàn)框架，所述引線(xiàn)框架具有晶粒焊盤(pán)，所述晶粒焊盤(pán)的一部分被構(gòu)造為電流能夠流過(guò)的電阻元件。所述引線(xiàn)框架安裝在所述殼體內(nèi)并且所述IC晶粒安裝到并且熱耦合到所述晶粒焊盤(pán)。所述IC晶粒包括電流傳感模塊，所述電流傳感模塊被構(gòu)造用以測(cè)量所述電阻元件兩端的電壓降并且將該電壓降測(cè)量結(jié)果轉(zhuǎn)換成為電流測(cè)量信號(hào)；和溫度補(bǔ)償模塊，所述溫度補(bǔ)償模塊電耦合到所述電流傳感模塊。所述溫度補(bǔ)償模塊被構(gòu)造用以調(diào)節(jié)所述電流測(cè)量信號(hào)以補(bǔ)償所述電阻元件中依賴(lài)溫度的變化。所述溫度補(bǔ)償模塊位于所述電阻元件的一部分的直接上方。在某些實(shí)施方式中，公開(kāi)了一種測(cè)量電流的方法。該測(cè)量電流的方法包括如下步驟將IC晶粒安裝到引線(xiàn)框架，所述引線(xiàn)框架具有如下的部分，該部分被構(gòu)造為電流所能夠流過(guò)的電阻元件，所述IC晶粒包括具有輸出的溫度補(bǔ)償模塊，所述溫度補(bǔ)償模塊被構(gòu)造用以補(bǔ)償所述電阻元件中的溫度相關(guān)的變化到所述引線(xiàn)框架，所述IC晶粒安裝成使得所述溫度補(bǔ)償模塊的溫度敏感元件的一部分被定位在所述引線(xiàn)框架的電阻元件的一部分的直接上方，連接著所述電阻元件使得所述電阻元件形成待測(cè)電流的路徑的一部分；測(cè)量所述電阻元件兩端的電壓降；將所述電壓降測(cè)量結(jié)果轉(zhuǎn)換成為電流測(cè)量信號(hào)；和至少部分地基于所述溫度補(bǔ)償模塊的輸出調(diào)節(jié)所述電流測(cè)量信號(hào)。


附圖被包括以提供進(jìn)一步的理解并且被整合和構(gòu)成本說(shuō)明書(shū)的一部分，附圖示出所揭示的實(shí)施方式并且與說(shuō)明一起用以解釋所揭示的實(shí)施方式的原理。在附圖中圖1是具有下移設(shè)置的晶粒焊盤(pán)的引線(xiàn)框架的透視圖。圖2是安裝在引線(xiàn)框架上的IC晶粒的平面圖，其中引線(xiàn)框架的一部分形成傳感電阻器。圖3是根據(jù)本發(fā)明的某些方面的引線(xiàn)框架電流傳感器的實(shí)施方式的分解透視圖。圖4至圖6是根據(jù)本發(fā)明的某些方面的包含有電流傳感元件的晶粒焊盤(pán)的實(shí)施方式的平面圖。圖7是根據(jù)本發(fā)明的某些方面的包含有電流傳感元件的晶粒焊盤(pán)的示例性實(shí)施方式的下側(cè)的平面圖。圖8至圖10是根據(jù)本發(fā)明的某些方面的包含有電流傳感元件的晶粒焊盤(pán)的替代實(shí)施方式的平面圖。
具體實(shí)施例方式這里公開(kāi)的電流傳感器提供了測(cè)量電流同時(shí)補(bǔ)償傳感電阻器中的與溫度相關(guān)的變化的能力。在下面的詳細(xì)說(shuō)明中，提出了若干具體細(xì)節(jié)以提供對(duì)于本發(fā)明的全面理解。但是顯然，對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員，本發(fā)明的實(shí)施方式可以不采用所述具體細(xì)節(jié)中的某些細(xì)節(jié)而實(shí)踐。在其它的示例中，未詳細(xì)示出熟知的結(jié)構(gòu)和技術(shù)，以不會(huì)模糊本發(fā)明。
圖3是根據(jù)本發(fā)明的某些方面的引線(xiàn)框架電流傳感器34的實(shí)施方式的分解透視圖。電流傳感器；34包括IC晶粒35，IC晶粒35包括溫度補(bǔ)償模塊36。IC晶粒35在虛線(xiàn) 38所示的區(qū)域中安裝到晶粒焊盤(pán)37。晶粒35安裝到晶粒焊盤(pán)37，在本示例中IC晶粒35 利用粘合膜35A安裝到晶粒焊盤(pán)37，其中粘結(jié)膜35A在晶粒35和晶粒焊盤(pán)37之間提供了機(jī)械粘合及電隔離。在本實(shí)施方式中，電阻元件39形成在晶粒焊盤(pán)37中。該粘合膜35A 可以是在晶粒分割之前施加到晶粒35的下側(cè)的分立的粘合片或者涂層。在本示例中，電流從焊點(diǎn)39A流到焊點(diǎn)39B，并且大的焊點(diǎn)37A上的電壓降與電阻元件39兩端的電壓降相比可以忽略。如輪廓線(xiàn)36A所示，電阻元件39位于溫度補(bǔ)償模塊36的直接下方，輪廓線(xiàn)36A 表示在裝配時(shí)晶粒焊盤(pán)37被溫度補(bǔ)償模塊36覆蓋的區(qū)域。在某些實(shí)施方式中，完整的溫度補(bǔ)償模塊36的物理尺寸可以大于電阻元件39的面積，并且溫度補(bǔ)償模塊36的僅一部分可以在電阻元件39直接上方。在某些構(gòu)造中，溫度補(bǔ)償模塊36可以包括如下元件，該元件是溫度敏感的并且向帶有另外的溫度不敏感的元件比如數(shù)字電路的溫度補(bǔ)償模塊36提供溫度輸入。溫度補(bǔ)償模塊36的溫度不敏感的部分可以被置于IC晶粒35遠(yuǎn)離電阻元件39上方的位置的部分上，只要電路的溫度敏感部分或者該部分的一部分位于電阻元件39上方，就不會(huì)對(duì)溫度補(bǔ)償?shù)木扔胸?fù)面影響。對(duì)于平的物體比如晶粒焊盤(pán)37，所使用的描述性詞語(yǔ)比如“之上”、“上方”和“之下”是相對(duì)于物體沿與晶粒焊盤(pán)37的平面垂直的軸線(xiàn)的位移而言，其中晶粒焊盤(pán)被認(rèn)為是 “水平”的。該術(shù)語(yǔ)作為方便的方式用于標(biāo)識(shí)相對(duì)位置且并不隱含相對(duì)于重力參照系規(guī)定的定向。當(dāng)IC晶粒35安裝到晶粒焊盤(pán)37時(shí)，電流傳感元件39和溫度補(bǔ)償模塊36的協(xié)同定位提供了在電流傳感元件39與溫度補(bǔ)償模塊36之間的卓越的熱耦合。另外，電流傳感元件39也在兩側(cè)熱連接到大的焊點(diǎn)37A并且趨于處于與焊點(diǎn)37A相同的溫度。在電流傳感元件39中產(chǎn)生的熱將傳導(dǎo)到兩個(gè)焊點(diǎn)37A中并且在大的粘結(jié)區(qū)域上方進(jìn)入IC晶粒35。 這將降低IC晶粒35與晶粒焊盤(pán)37之間的溫度差異。結(jié)果，溫度補(bǔ)償模塊36的溫度將非常接近電流傳感元件39的溫度，這改進(jìn)了補(bǔ)償精度。圖4至圖6是根據(jù)本發(fā)明的某些方面的包含有電流傳感元件的晶粒焊盤(pán)的實(shí)施方式的平面圖。圖4是與圖3中所示相同的晶粒焊盤(pán)37，其中由IC晶粒(未示出)遮蓋的區(qū)域由輪廓線(xiàn)38標(biāo)識(shí)而減小的橫截面的區(qū)域39形成電阻元件。電流傳感元件39的替代實(shí)施方式可以包括多個(gè)并聯(lián)元件以替代如圖4中所示的單個(gè)元件39或者將電阻元件39定位成遠(yuǎn)離圖4中所示的中心位置。圖5是替代實(shí)施方式，其中整個(gè)晶粒焊盤(pán)40形成傳感電阻器。電流從區(qū)域41A流到區(qū)域41B，并且電壓降能夠在這些相同區(qū)域41A和區(qū)域41B中測(cè)量到。圖6示出了一種晶粒焊盤(pán)42，該晶粒焊盤(pán)構(gòu)造有接頭44并且具有減小的橫截面的電阻元件43。電流從區(qū)域43A通過(guò)電阻元件43流到區(qū)域43B。電阻元件43兩端的電壓降能夠在接頭44的兩端測(cè)量到，因?yàn)樵诿總€(gè)接頭44與電阻元件43的近側(cè)之間的大的焊點(diǎn)兩端的電壓降可以忽略。電路中的電壓降的測(cè)量類(lèi)型已知為“開(kāi)爾文(Kelvin)法”或者“4端傳感”阻抗測(cè)量。因?yàn)闆](méi)有電流流過(guò)電壓測(cè)量線(xiàn)，假設(shè)它們連接到測(cè)量電路上的高阻抗輸入， 不管傳感線(xiàn)的長(zhǎng)度是多少，在傳感線(xiàn)上沒(méi)有電壓降。圖7是根據(jù)本發(fā)明的某些方面的包含有電流傳感元件45的引線(xiàn)框架70的示例性實(shí)施方式的下側(cè)的平面圖。在本圖中，可以觀察到連接接頭6圍繞晶粒焊盤(pán)71。焊點(diǎn)45A和45B是用于外部電路的連接點(diǎn)，其中IC將在電流流過(guò)焊點(diǎn)45A與45B之間時(shí)測(cè)量電流。 使用多個(gè)引腳用于該連接允許更高的電流并且使得更易于檢查到焊點(diǎn)45A和45B的焊料連接。連接接頭44將是用于連接線(xiàn)(未示出)的觸點(diǎn)或者是在晶粒焊盤(pán)與被構(gòu)造用以對(duì)電流傳感元件45兩端的電壓降進(jìn)行Kelvin法測(cè)量的電流傳感模塊(未示出)之間的其它電連接。在本實(shí)施方式中，與在電阻元件45的兩側(cè)中的任一側(cè)上構(gòu)成晶粒焊盤(pán)的大部分的區(qū)域46的厚度和寬度相比，電阻元件45的截面在厚度上及在寬度(垂直于電流)上已經(jīng)減圖8至圖10是根據(jù)本發(fā)明的某些方面的包含有電流傳感元件的引線(xiàn)框架的替代實(shí)施方式的平面圖。圖8示出了晶粒焊盤(pán)80，晶粒焊盤(pán)80帶有電阻元件82，電阻元件82沿電流的中心線(xiàn)路徑的長(zhǎng)度比電阻元件82的寬度長(zhǎng)，所述中心線(xiàn)路徑通過(guò)虛線(xiàn)86示出。電阻元件82的該構(gòu)造可用以為低電流應(yīng)用增大電阻。圖9是替代實(shí)施方式，其中晶粒焊盤(pán)90 具有電阻元件92，該電阻元件92所沿著的路徑不在焊盤(pán)90的中心。電阻元件92的卷曲路徑由周邊94限定。在本示例中，溫度傳感模塊的投影位置36A在由周邊94限定的區(qū)域內(nèi)， 但不直接在電阻元件92上方。該構(gòu)造提供了與使溫度傳感模塊直接在電阻元件92上方的相同的益處，因?yàn)殡娮柙?2在由周邊94限定的整個(gè)區(qū)域的上方熱耦合于溫度補(bǔ)償模塊 (未示出)。圖10示出了另一個(gè)實(shí)施方式，其中晶粒焊盤(pán)100具有由周邊104限定的長(zhǎng)的蛇形電阻元件102。簡(jiǎn)言之，所公開(kāi)的堆疊引線(xiàn)框架組件的實(shí)施方式提供了形成在引線(xiàn)框架的晶粒焊盤(pán)中的電流傳感電阻器與位于安裝到晶粒焊盤(pán)的IC晶粒上的溫度補(bǔ)償模塊之間的熱耦合。這是通過(guò)將溫度補(bǔ)償模塊置于電阻元件的直接上方，或者在卷曲的電阻元件的情況中， 通過(guò)將溫度補(bǔ)償模塊置于電阻元件的區(qū)域內(nèi)而完成。使溫度補(bǔ)償模塊處于與電阻元件的溫度非常接近的溫度，能夠在電流測(cè)量信號(hào)中精確補(bǔ)償所述電阻元件中的影響電流的測(cè)量結(jié)果的依賴(lài)溫度的變化。先前的說(shuō)明被提供用以使本領(lǐng)域中的技術(shù)人員能夠?qū)嵺`這里說(shuō)明的各個(gè)方面。雖然先前已經(jīng)說(shuō)明了所認(rèn)為的最佳方案和/或其它的示例，應(yīng)理解對(duì)于這些方面的各種修改對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員將是容易清楚的，并且這里限定的一般原理可以應(yīng)用于其它方面。由此，權(quán)利要求并不意圖限定于這里所示的方面，而是與權(quán)利要求書(shū)中的權(quán)利要求一致的完整范圍相一致，其中除非具體說(shuō)明，以單數(shù)形式對(duì)于元件的引用并不意圖指“一個(gè)和僅一個(gè)”，而是“一個(gè)或多個(gè)”。除非另外具體地聲明，術(shù)語(yǔ)“一些”指一個(gè)或多個(gè)。男性代詞(例如，他的)包括女性和中性(例如，她的或者它的)，并且反之亦然。如果有標(biāo)題或者副標(biāo)題，則僅是為了方便，并不限定本發(fā)明。應(yīng)理解，在所公開(kāi)的流程中的步驟的特定順序或者層次結(jié)構(gòu)是對(duì)于示例性措施的說(shuō)明?；谠O(shè)計(jì)優(yōu)選項(xiàng)，應(yīng)理解流程中的步驟的特定順序或者層次結(jié)構(gòu)可以重新安排。一些步驟可以同時(shí)進(jìn)行。所附方法權(quán)利要求使各步驟要素以示例的順序呈現(xiàn)，并不意圖限定于給出的特定的順序或?qū)哟谓Y(jié)構(gòu)。在本公開(kāi)中使用的術(shù)語(yǔ)比如“頂”、“底”、“前”、“后”等應(yīng)理解為指代任意的參照
系，而不是指通常的重力參照系。由此，頂面、底面、前面和后面在重力參照系中可以向上、 向下、斜向或者水平地延伸。短語(yǔ)比如“方面”并不暗指該方面對(duì)于主題技術(shù)是必不可少的或者該方面適用于本主題技術(shù)的全部構(gòu)造。與方面相關(guān)的公開(kāi)可以應(yīng)用于全部的構(gòu)造，或者應(yīng)用于一個(gè)或多個(gè)構(gòu)造。短語(yǔ)比如一個(gè)方面可以指一個(gè)或多個(gè)方面并且反之亦然。短語(yǔ)比如“實(shí)施方式”并不暗指該實(shí)施方式對(duì)于主題技術(shù)是必不可少的或者該實(shí)施方式應(yīng)用于主題技術(shù)的全部的構(gòu)造。與實(shí)施方式相關(guān)的公開(kāi)可以應(yīng)用于全部的實(shí)施方式，或者應(yīng)用于一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式。短語(yǔ)比如實(shí)施方式可以指一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式并且反之亦然。詞語(yǔ)“示例性”在這里用以表示“作為示例或者說(shuō)明”。這里說(shuō)明為“示例性的”方面或者設(shè)計(jì)并不解釋為比其它的方面或設(shè)計(jì)優(yōu)選或者有利。對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知或者隨后將已知的與整個(gè)說(shuō)明書(shū)中說(shuō)明的各個(gè)方面的元件等效的全部結(jié)構(gòu)和功能明確地通過(guò)引用包含在此并且意圖由權(quán)利要求涵蓋。而且，不管該公開(kāi)是否在權(quán)利要求中明白地提到，這里公開(kāi)的內(nèi)容不意圖奉獻(xiàn)給公眾。除非權(quán)利要求的元件明確地使用短語(yǔ)“用于…的裝置”，或者在方法權(quán)利要求的情況中，該元件通過(guò)用短語(yǔ)“用于…的步驟”提及，權(quán)利要求中的元件不根據(jù)《美國(guó)法典》第35卷第112節(jié)第六段來(lái)解釋。另外，關(guān)于術(shù)語(yǔ)“包括(include)”、“具有(have)”等在說(shuō)明書(shū)或者權(quán)利要求中被使用的范圍，該術(shù)語(yǔ)意圖以與術(shù)語(yǔ)“包括(comprise)，，的解釋方式類(lèi)似的方式被包括， 即術(shù)語(yǔ)“包括(comprise) ”被采用作為權(quán)利要求中的過(guò)渡性詞語(yǔ)時(shí)的解釋方式。
權(quán)利要求
1.一種電流傳感器，包括引線(xiàn)框架，所述引線(xiàn)框架具有晶粒焊盤(pán)，所述晶粒焊盤(pán)的一部分被構(gòu)造作為電流所能夠流過(guò)的電阻元件；和集成電路(IC)晶粒，所述集成電路晶粒安裝到并且熱耦合到所述晶粒焊盤(pán)，所述IC晶粒包括電流傳感模塊，所述電流傳感模塊被構(gòu)造用以測(cè)量所述電阻元件兩端的電壓降并且將該電壓降測(cè)量轉(zhuǎn)換成為電流測(cè)量信號(hào)；和溫度補(bǔ)償模塊，所述溫度補(bǔ)償模塊電耦合到所述電流傳感模塊，所述溫度補(bǔ)償模塊被構(gòu)造用以調(diào)節(jié)所述電流測(cè)量信號(hào)以補(bǔ)償所述電阻元件中依賴(lài)溫度的變化，所述溫度補(bǔ)償模塊包括溫度敏感元件，所述溫度敏感元件的一部分位于所述電阻元件的一部分的直接上方。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電流傳感器，其中所述電流傳感模塊被構(gòu)造用以對(duì)所述電阻元件兩端的電壓降進(jìn)行Kelvin法測(cè)量。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電流傳感器，其中所述電阻元件包括整個(gè)所述晶粒焊盤(pán)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電流傳感器，其中所述電阻元件具有與所述電阻元件的兩側(cè)中任一側(cè)的所述晶粒焊盤(pán)的橫截面相比減小的橫截面，其中所述橫截面垂直于電流的方向。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電流傳感器，其中所述電阻元件沿所述電流的中心線(xiàn)路徑的長(zhǎng)度比垂直于所述電流的所述電阻元件的平均寬度長(zhǎng)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電流傳感器，其中所述電阻元件通過(guò)大體上呈直線(xiàn)的周邊所限定，并且所述溫度補(bǔ)償模塊位于由所述周邊限定的區(qū)域的一部分的上方。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電流傳感器，其中所述電阻元件在所述溫度補(bǔ)償元件的直接下方與所述晶粒熱接觸。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電流傳感器，其中所述溫度補(bǔ)償模塊的整個(gè)區(qū)域在所述電阻元件上方。
9.一種IC封裝，其包括殼體；引線(xiàn)框架，所述引線(xiàn)框架具有晶粒焊盤(pán)，所述晶粒焊盤(pán)的一部分被構(gòu)造作為電流所能夠流過(guò)的電阻元件，所述引線(xiàn)框架安裝到所述殼體；和IC晶粒，所述IC晶粒安裝到并且熱耦合到所述晶粒焊盤(pán)，所述IC晶粒包括電流傳感模塊，所述電流傳感模塊被構(gòu)造用以測(cè)量所述電阻元件兩端的電壓降并且將該電壓降測(cè)量結(jié)果轉(zhuǎn)換成為電流測(cè)量信號(hào)；和溫度補(bǔ)償模塊，所述溫度補(bǔ)償模塊電耦合到所述電流傳感模塊，所述溫度補(bǔ)償模塊被構(gòu)造用以調(diào)節(jié)所述電流測(cè)量信號(hào)以補(bǔ)償所述電阻元件中依賴(lài)溫度的變化，所述溫度補(bǔ)償模塊包括溫度敏感元件，所述溫度敏感元件的一部分位于所述電阻元件的一部分的直接上方。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電流傳感器，其中所述電流傳感模塊被構(gòu)造用以對(duì)所述電阻元件兩端的電壓降進(jìn)行Kelvin法測(cè)量。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電流傳感器，其中所述電阻元件包括整個(gè)所述晶粒焊盤(pán)。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電流傳感器，其中所述電阻元件具有與所述電阻元件的兩側(cè)中任一側(cè)的所述晶粒焊盤(pán)的橫截面相比減小的橫截面，其中所述橫截面垂直于電流的方向。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的電流傳感器，其中所述電阻元件沿所述電流的中心線(xiàn)路徑的長(zhǎng)度比垂直于所述電流的所述電阻元件的平均寬度長(zhǎng)。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的電流傳感器，其中所述電阻元件通過(guò)大體上直線(xiàn)周邊所限定，并且所述溫度補(bǔ)償模塊位于由所述周邊限定的區(qū)域的一部分的上方。
15.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電流傳感器，其中所述電阻元件在所述溫度補(bǔ)償元件的直接下方與所述晶粒熱接觸。
16.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電流傳感器，其中所述溫度補(bǔ)償模塊的整個(gè)區(qū)域在所述電阻元件上方。
17.根據(jù)權(quán)利要求9所述的IC封裝，其中所述引線(xiàn)框架的一部分穿過(guò)所述殼體而暴露。
18.—種測(cè)量電流的方法，所述方法包括如下步驟將IC晶粒安裝到引線(xiàn)框架，所述引線(xiàn)框架具有如下的部分，該部分被構(gòu)造為電流所能夠流過(guò)的電阻元件，所述IC晶粒包括溫度補(bǔ)償模塊和溫度敏感元件，所述溫度補(bǔ)償模塊具有輸出，所述溫度補(bǔ)償模塊被構(gòu)造用以補(bǔ)償所述電阻元件中的溫度相關(guān)的變化到所述引線(xiàn)框架，所述IC晶粒安裝成使得所述溫度補(bǔ)償模塊的溫度敏感元件的一部分被定位在所述引線(xiàn)框架的電阻元件的一部分的上方；連接所述電阻元件，使得所述電阻元件形成待測(cè)電流的路徑的一部分；測(cè)量所述電阻元件兩端的電壓降；將所述電壓降測(cè)量結(jié)果轉(zhuǎn)換成為電流測(cè)量信號(hào)；和至少部分地基于所述溫度補(bǔ)償模塊的輸出，調(diào)節(jié)所述電流測(cè)量信號(hào)。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中測(cè)量所述電壓降的步驟包括對(duì)所述電阻元件的兩端的電壓降進(jìn)行Kelvin法測(cè)量。
20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中所述安裝IC晶粒的步驟包括定位所述IC晶粒， 使得所述溫度補(bǔ)償模塊的整個(gè)區(qū)域在所述電阻元件上方。
全文摘要
公開(kāi)了一種電流傳感器。該電流傳感器包括具有晶粒焊盤(pán)的引線(xiàn)框架，所述晶粒焊盤(pán)的一部分構(gòu)造為電流所能夠流過(guò)的電阻元件，并且集成電路(IC)晶粒安裝到并且熱耦合到該晶粒焊盤(pán)。所述IC晶粒包括電流傳感模塊，所述電流傳感模塊被構(gòu)造用以測(cè)量所述電阻元件兩端的電壓降并且將該電壓降測(cè)量結(jié)果轉(zhuǎn)換成為電流測(cè)量信號(hào)；和溫度補(bǔ)償模塊，所述溫度補(bǔ)償模塊電耦合到電流傳感模塊。溫度補(bǔ)償模塊被構(gòu)造用以調(diào)節(jié)電流測(cè)量信號(hào)以補(bǔ)償電阻元件中依賴(lài)溫度的變化。所述溫度補(bǔ)償模塊包括溫度敏感元件，所述溫度敏感元件的一部分位于電阻元件的一部分的直接上方。
文檔編號(hào)G01R19/32GK102313832SQ20111018134
公開(kāi)日2012年1月11日 申請(qǐng)日期2011年6月30日 優(yōu)先權(quán)日2010年6月30日
發(fā)明者萬(wàn)華·蕙, 埃德森·韋恩·波特, 羅伯特C·齊亞科齊亞 申請(qǐng)人:凌力爾特有限公司