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一種制備鑭鈣錳氧納米線陣列的方法與流程

文檔序號(hào):11511054閱讀:來(lái)源:國(guó)知局

技術(shù)特征:

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開(kāi)一種制備鑭鈣錳氧納米線陣列的方法,屬于制備納米材料技術(shù)領(lǐng)域;通過(guò)配套降壓減薄工藝得到分布間距可控的陽(yáng)極氧化鋁模板之后輔以低壓直流擇優(yōu)電沉積方法制備得到分布間距可控的鑭鈣錳氧納米線陣列;該工藝突破了現(xiàn)有技術(shù)只能制備單一填充納米線陣列的限制;豐富了鑭鈣錳氧納米陣列作為微納物理基礎(chǔ)研究對(duì)象的磁學(xué)性能表現(xiàn)力,同時(shí)拓寬了其作為磁學(xué)器件的結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)和性能基礎(chǔ)。

技術(shù)研發(fā)人員:楊盛安;陳清明;張輝;劉翔;金菲
受保護(hù)的技術(shù)使用者:昆明理工大學(xué)
技術(shù)研發(fā)日:2017.05.10
技術(shù)公布日:2017.10.17
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