本發(fā)明涉及一種納米線分布趨勢(shì)和線間距均可調(diào)控的鑭鈣錳氧納米線陣列的制備方法，屬于制備鈣鈦礦型巨磁阻納米線材陣列技術(shù)領(lǐng)域。

背景技術(shù)：

陽(yáng)極氧化鋁模板是目前微納材料科研領(lǐng)域應(yīng)用得最為廣泛的一種硬模板，其具有極為規(guī)律的蜂窩狀結(jié)構(gòu)，亦使得該結(jié)構(gòu)具有極佳的物理空間穩(wěn)定性，而模板本身材質(zhì)為三氧化二鋁，具有化學(xué)惰性，能夠在高溫高壓和強(qiáng)酸堿性的環(huán)境下工作。鑭鈣錳氧體系材料是目前功能材料領(lǐng)域最為前沿的研究熱點(diǎn)之一，其具有獨(dú)特的巨磁阻效應(yīng)，能夠幫助人們進(jìn)一步研究磁學(xué)物理基礎(chǔ)理論和構(gòu)建新一代磁學(xué)器件，綜合上述兩點(diǎn)，近年來(lái)通過(guò)陽(yáng)極氧化鋁模板制備各種結(jié)構(gòu)和尺寸的微納級(jí)別鑭鈣錳氧材料成為了最新的研究方向。

針對(duì)鑭鈣錳氧體系微納材料制備和研究，經(jīng)對(duì)現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)檢索發(fā)現(xiàn)，國(guó)內(nèi)報(bào)道極少，大多見(jiàn)諸于國(guó)外期刊文獻(xiàn)報(bào)道，如葡萄牙的mkumaresavanji在journalofappliedphysics上報(bào)道的“magnetocaloriceffectinla0.7ca0.3mno3nanotubearrayswithbroadworkingtemperaturespan”只能制備得到全模板填充的鑭鈣錳氧納米管陣列，納米管之間間距無(wú)法調(diào)控，排布形式單一，使得其無(wú)法通過(guò)改變間距和填充排布趨勢(shì)來(lái)調(diào)整性能，無(wú)法滿足研究微納尺寸下物理性能變化的要求和制備不同結(jié)構(gòu)的微納磁學(xué)器件。如印度的satyendrasingh在daltontransactions上報(bào)道的“surfacespinglassbehaviorinsol–gelderivedla0.7ca0.3mno3nanotubes”只能制備得到斷層狀態(tài)的鑭鈣錳氧納米管陣列，亦出在納米管之間間距無(wú)法調(diào)控，排布形式只能為全填充狀態(tài)等問(wèn)題。南佛羅里達(dá)州立大學(xué)的s.chandraa在physicab上報(bào)道的“fabricationandmagneticresponseprobedbyrftransversesusceptibilityinla0.67ca0.33mno3nanowires”只能得到分散的鑭鈣錳氧納米線陣列，納米線之間間距完全無(wú)法控制，不存在分布結(jié)構(gòu)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種納米線分布趨勢(shì)和線間距均可調(diào)控的鑭鈣錳氧納米線陣列的制備方法；可通過(guò)調(diào)控改變納米線之間的性能耦合情況進(jìn)而改變整體磁學(xué)性能表現(xiàn)力，亦能夠調(diào)整陣列結(jié)構(gòu)解決目前技術(shù)只能制備得到全填充的鑭鈣錳氧納米陣列的限制。

本制備鑭鈣錳氧納米線陣列的方法包括如下步驟：

（1）一次氧化過(guò)程：以表面預(yù)處理后高光潔鏡面鋁箔片作陽(yáng)極，鋁箔片的表面鏡面平整度會(huì)極大影響制備所得陽(yáng)極氧化鋁模板陣列有序度，其成正比關(guān)系；以鉑電極作為陰極，在0.2~0.4mol/l草酸電解質(zhì)中，35~50v直流電壓下，進(jìn)行1~3h一次氧化，得到一次氧化過(guò)程模板；

上述對(duì)鋁箔原材料進(jìn)行常規(guī)規(guī)格裁剪后，高溫退火、清洗去脂和電化學(xué)拋光可得表面預(yù)處理的鋁箔片；

（2）去氧化層過(guò)程：用質(zhì)量分?jǐn)?shù)1.5%~2%鉻酸和質(zhì)量分?jǐn)?shù)5%~10%磷酸的混合酸液，在60~80℃下對(duì)步驟（1）中一次氧化過(guò)程模板進(jìn)行化學(xué)腐蝕脫洗1~3h，其中鉻酸和磷酸的體積比為=1:1~1:3，得到排布為正六邊形且陣列有序的凹坑過(guò)程模板，模板上的有序凹坑將成為二次氧化高度陣列的誘發(fā)點(diǎn)；

（3）二次氧化過(guò)程：以步驟（2）中所得陣列有序的凹坑過(guò)程模板作陽(yáng)極，鉑電極作為陰極，在0.2~0.4mol/l草酸電解質(zhì)中，80~120v直流電壓下，進(jìn)行1~2h二次氧化，得到二次氧化過(guò)程模板；

（4）降壓減薄過(guò)程：在0.2~0.4mol/l草酸電解質(zhì)中，對(duì)二次氧化過(guò)程模板通過(guò)設(shè)定程序?qū)λ┘又绷麟妷哼M(jìn)行階梯式降壓處理得到具有特殊減薄分布的陽(yáng)極氧化鋁模板，因不同降壓工藝相互配合和降壓過(guò)程中同等面積下不斷降壓造成虛擬電位線不斷重新調(diào)整排布，會(huì)導(dǎo)致陽(yáng)極氧化鋁模板底端三氧化二鋁材質(zhì)的阻擋層減薄程度不同，且分布規(guī)律與工藝配合和電位線重新排布有關(guān)，而因?yàn)闇p薄程度不同將造成在后續(xù)步驟（8）中對(duì)不同分布納米孔內(nèi)的溶膠進(jìn)行電輸運(yùn)輔助沉積時(shí)先后和難易程度不同，以達(dá)到能形成具有特殊鑭鈣錳氧納米線溶膠填充分布的陽(yáng)極氧化鋁模板的目的，且具有工藝可控性；

（5）清洗干燥過(guò)程：用二次蒸餾水對(duì)步驟（4）中所得具有特殊減薄分布的陽(yáng)極氧化鋁模板進(jìn)行浸泡清洗12~24h，后在20~25℃低常溫環(huán)境下干燥陽(yáng)極氧化鋁模板，此步驟能保證陽(yáng)極氧化鋁模板不會(huì)污染鑭鈣錳氧納米線材料且清空孔洞內(nèi)雜質(zhì)；

（6）配置及成膠過(guò)程：稱(chēng)取硝酸鑭、硝酸鈣、硝酸錳、乙二醇和檸檬酸，加入到二次蒸餾水中攪拌溶解，然后在80~95℃環(huán)境下進(jìn)行蒸發(fā)成膠，得到已完成螯合的成膠溶液，該步驟無(wú)需得到完全螯合發(fā)泡的成膠，只需要得到已有螯合且具有常規(guī)流動(dòng)粘度的成膠溶液即可，以保證后續(xù)步驟（7）和步驟（8）能得以實(shí)施；

（7）浸潤(rùn)過(guò)程：將步驟（5）中所得具有特殊減薄分布的陽(yáng)極氧化鋁模板浸泡至步驟（6）中的成膠溶液10~30min，通過(guò)毛細(xì)管吸力作用得到具有一定浸潤(rùn)填充程度的模板；

（8）低壓直流擇優(yōu)電沉積生長(zhǎng)過(guò)程：以步驟（7）中得到具有一定浸潤(rùn)填充程度的模板作為陰極，以鉑電極作為陽(yáng)極，施加低壓直流電進(jìn)行電輸運(yùn)輔助沉積形成具有特殊分布規(guī)律和間距的鑭鈣錳氧納米線溶膠填充分布的陽(yáng)極氧化鋁模板，該電輸運(yùn)輔助沉積所形成的納米線溶膠分布規(guī)律更多取決于步驟（4）降壓減薄過(guò)程所形成的具有特殊減薄分布陽(yáng)極氧化鋁模板的分布規(guī)律；

（9）干燥凝膠過(guò)程：對(duì)步驟（8）中所得鑭鈣錳氧納米線溶膠填充分布的陽(yáng)極氧化鋁模板進(jìn)行干燥處理得到鑭鈣錳氧納米線凝膠填充分布的陽(yáng)極氧化鋁模板，干燥溫度為70~140℃，干燥時(shí)間為6~12h；

（10）燒結(jié)成相過(guò)程：對(duì)步驟（9）中所得鑭鈣錳氧納米線凝膠填充分布的陽(yáng)極氧化鋁模板進(jìn)行燒結(jié)成相處理得到具有特殊分布規(guī)律和間距的鑭鈣錳氧納米線填充分布的陽(yáng)極氧化鋁模板，燒結(jié)溫度為500~650℃，燒結(jié)時(shí)間為5~8h。

步驟（4）中所述降壓減薄過(guò)程的設(shè)定程序?yàn)椋簭?0v~120v的上限電壓降壓至20v時(shí)，降壓幅度范圍為2~3v，間隔頻率為40~60s；從20v的階段電壓降壓至10v時(shí)，降壓幅度范圍為1.5~2v，間隔頻率為60s~120s；從10v的階段電壓降壓至5v時(shí)，降壓幅度范圍為1~1.5v，間隔頻率為120s~180s；從5v的階段電壓降壓至3v時(shí)，降壓幅度范圍為0.5~1v，間隔頻率為180s~240s；在3v的終點(diǎn)電壓進(jìn)行3~5min的恒壓氧化，根據(jù)上述不同階段、幅度、間隔的配合能得到不同特殊減薄分布的陽(yáng)極氧化鋁模板；

步驟（8）中所述的低壓直流擇優(yōu)電沉積生長(zhǎng)過(guò)程：施加電壓范圍為1.5~5v，沉積時(shí)長(zhǎng)范圍為15~60min。根據(jù)上述不同施加電壓和沉積時(shí)長(zhǎng)配合能得到具有不同間距鑭鈣錳氧納米線溶膠填充分布的陽(yáng)極氧化鋁模板。

步驟（6）中每ml二次蒸餾水中添加硝酸鑭8.938×10^-3~1.033×10^-2g、硝酸鈣2.598×10^-3~2.846×10^-3g、硝酸錳9.432×10^-3~1.015×10^-2g、檸檬酸為3.04×10^-2~3.27×10^-2g、乙二醇為10~15ml。

本發(fā)明對(duì)比已有技術(shù)具有以下創(chuàng)新點(diǎn)：本發(fā)明通過(guò)配套不同的降壓工藝組合，包含有不同降壓階段、降壓幅度、降壓間隔，得到具有分布間距可控的陽(yáng)極氧化鋁模板，在此基礎(chǔ)上輔以低壓直流擇優(yōu)電沉積法通過(guò)電輸運(yùn)輔助沉積作用制備得到具有分布間距可調(diào)控鑭鈣錳氧納米線陣列，解決了現(xiàn)有技術(shù)只能制備單一填充納米線陣列的缺點(diǎn)。豐富了鑭鈣錳氧納米陣列作為微納物理基礎(chǔ)研究對(duì)象的磁學(xué)性能表現(xiàn)力，同時(shí)拓寬了其作為磁學(xué)器件的結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)和性能基礎(chǔ)。

附圖說(shuō)明

圖1為實(shí)施例1中步驟（3）所得二次氧化過(guò)程模板正面的sem圖，其無(wú)間距分布可控結(jié)構(gòu)；

圖2為實(shí)施例3中步驟（4）經(jīng)過(guò)降壓減薄所得間距分布為80~85nm的陽(yáng)極氧化鋁模板正面的sem圖，其中灰色襯度孔洞為閉合孔洞而黑色襯度區(qū)為通孔，于通孔上擇優(yōu)分布生長(zhǎng)納米陣列；

圖3為上述圖2的陽(yáng)極氧化鋁模板的橫截面sem圖，可見(jiàn)其間距分布為80~85nm；

圖4為實(shí)施例1中所制得間距分布為55~60nm鑭鈣錳氧納米線陣列填充的陽(yáng)極氧化鋁模板正面sem圖；

圖5為上述圖4間距分布為55~60nm鑭鈣錳氧納米線陣列填充的陽(yáng)極氧化鋁模板橫截面sem圖；

圖6為實(shí)施例2中所制得間距分布為70~75nm鑭鈣錳氧納米線陣列填充的陽(yáng)極氧化鋁模板正面sem圖；

圖7為實(shí)施例3中所制得間距分布為80~85nm鑭鈣錳氧納米線陣列填充的陽(yáng)極氧化鋁模板正面sem圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不限于所述內(nèi)容。

實(shí)施例1：本制備鑭鈣錳氧納米線陣列的方法包括如下步驟：

（1）一次氧化過(guò)程：對(duì)鋁箔原材料進(jìn)行規(guī)格裁剪、高溫退火、丙酮酒精去脂和高氯酸混合液電化學(xué)拋光可得表面預(yù)處理的鋁箔片，以表面預(yù)處理后高光潔鏡面鋁箔片作陽(yáng)極，鉑電極作為陰極，在0.25mol/l草酸電解質(zhì)中，40v直流電壓下，對(duì)鋁箔片進(jìn)行1h一次氧化，得到一次氧化過(guò)程模板；

（2）去氧化層過(guò)程：用質(zhì)量分?jǐn)?shù)1.5%鉻酸和質(zhì)量分?jǐn)?shù)6%磷酸的混合酸液，在75℃下對(duì)步驟（1）一次氧化過(guò)程模板進(jìn)行化學(xué)腐蝕脫洗1h，其中鉻酸和磷酸的體積比為=1:1，得到凹坑過(guò)程模板；

（3）二次氧化過(guò)程：以步驟（2）的凹坑過(guò)程模板作陽(yáng)極，鉑電極作為陰極，在0.25mol/l草酸電解質(zhì)中，80v直流電壓下，進(jìn)行1h二次氧化，得到二次氧化過(guò)程模板；

（4）降壓減薄過(guò)程：在0.25mol/l草酸電解質(zhì)中，對(duì)二次氧化過(guò)程模板進(jìn)行階梯式降壓處理，即從80v上限電壓降壓至20v，降壓幅度為2v，間隔頻率為40s；從20v的階段電壓降壓至10v，降壓幅度為1.5v，間隔頻率為75s；從10v的階段電壓降壓至5v，降壓幅度為1v，間隔頻率為135s；從5v的階段電壓降壓至3v階段，降壓幅度為0.5v，間隔頻率為190s；在3v的終點(diǎn)電壓進(jìn)行3min的恒壓氧化，得到間距分布為55~60nm的陽(yáng)極氧化鋁模板；

（5）清洗干燥過(guò)程：用二次蒸餾水對(duì)步驟（4）中所得間距分布為55~60nm的陽(yáng)極氧化鋁模板進(jìn)行浸泡清洗12h，后在20℃低常溫環(huán)境下干燥陽(yáng)極氧化鋁模板；

（6）配置及成膠過(guò)程：在300ml二次蒸餾水中加入硝酸鑭2.7g、硝酸鈣0.78g、硝酸錳2.85g、乙二醇10ml和檸檬酸9.5g，攪拌溶解后在80℃下進(jìn)行蒸發(fā)成膠至175ml，得到成膠溶液；

（7）浸潤(rùn)過(guò)程：將步驟（5）中所得間距分布為55~60nm的陽(yáng)極氧化鋁模板浸泡至步驟（6）成膠溶液10min，通過(guò)毛細(xì)管吸力作用得到具有一定浸潤(rùn)填充程度的模板；

（8）低壓直流擇優(yōu)電沉積生長(zhǎng)過(guò)程：以步驟（7）中得到具有一定浸潤(rùn)填充程度的模板作為陰極，以鉑電極作為陽(yáng)極，施加2v低壓直流電進(jìn)行電輸運(yùn)輔助沉積，沉積時(shí)長(zhǎng)為20min，形成間距分布為55~60nm鑭鈣錳氧納米線溶膠陣列填充的陽(yáng)極氧化鋁模板；

（9）干燥凝膠過(guò)程：對(duì)步驟（8）中所得間距分布為55~60nm鑭鈣錳氧納米線溶膠填充的陽(yáng)極氧化鋁模板進(jìn)行干燥處理得到間距分布為55~60nm鑭鈣錳氧納米線凝膠陣列填充的陽(yáng)極氧化鋁模板，干燥溫度為75℃，干燥時(shí)間為7h；

（10）燒結(jié)成相過(guò)程：對(duì)步驟（9）中所得間距分布為55~60nm鑭鈣錳氧納米線凝膠填充的陽(yáng)極氧化鋁模板進(jìn)行燒結(jié)成相處理得到間距分布為55~60nm鑭鈣錳氧納米線陣列填充的陽(yáng)極氧化鋁模板，燒結(jié)溫度為500℃，燒結(jié)時(shí)間為6h。

對(duì)該實(shí)施例制備所得間距分布為55~60nm鑭鈣錳氧納米線陣列填充的陽(yáng)極氧化鋁模板正面進(jìn)行sem掃描見(jiàn)圖4，對(duì)橫截面進(jìn)行sem掃描可見(jiàn)圖5，均可見(jiàn)納米陣列呈現(xiàn)間距分布可控結(jié)構(gòu)；圖1則為還未配套降壓工藝所制得的純陽(yáng)極氧化鋁模板正面sem圖，其可見(jiàn)無(wú)間距分布結(jié)構(gòu)。

實(shí)施例2：本制備鑭鈣錳氧納米線陣列的方法包括如下步驟：

（1）一次氧化過(guò)程：對(duì)鋁箔原材料進(jìn)行規(guī)格裁剪、高溫退火、丙酮酒精去脂和高氯酸混合液電化學(xué)拋光可得表面預(yù)處理的鋁箔片，以表面預(yù)處理后高光潔鏡面鋁箔片作陽(yáng)極，鉑電極作為陰極，在0.3mol/l草酸電解質(zhì)中，43v直流電壓下，進(jìn)行2h一次氧化，得到一次氧化過(guò)程模板；

（2）去氧化層過(guò)程：用質(zhì)量分?jǐn)?shù)1.75%鉻酸和質(zhì)量分?jǐn)?shù)7.5%磷酸的混合酸液，在70℃下對(duì)步驟（1）中一次氧化過(guò)程模板進(jìn)行化學(xué)腐蝕脫洗2h，其中鉻酸和磷酸的體積比為=1:2，得到排布為正六邊形且陣列有序的凹坑過(guò)程模板；

（3）二次氧化過(guò)程：以步驟（2）凹坑過(guò)程模板作陽(yáng)極，鉑電極作為陰極，在0.3mol/l草酸電解質(zhì)中，100v直流電壓下，進(jìn)行1.5h二次氧化，得到二次氧化過(guò)程模板；

（4）降壓減薄過(guò)程：在0.3mol/l草酸電解質(zhì)從100v上限電壓降壓至20v階段，降壓幅度為2.5v，間隔頻率為50s；從20v的階段電壓降壓至10v，降壓幅度為1.75v，間隔頻率為90s；從10v的階段電壓降壓至5v，降壓幅度為1.25v，間隔頻率為150s；從5v的階段電壓降壓至3v，降壓幅度為0.75v，間隔頻率為210s；在3v的終點(diǎn)電壓進(jìn)行4min的恒壓氧化，得到間距分布為70~75nm的陽(yáng)極氧化鋁模板；

（5）清洗干燥過(guò)程：用二次蒸餾水對(duì)步驟（4）中所得間距分布為70~75nm的陽(yáng)極氧化鋁模板進(jìn)行浸泡清洗18h，后在23℃低常溫環(huán)境下干燥陽(yáng)極氧化鋁模板；

（6）配置及成膠過(guò)程：在400ml二次蒸餾水中加入硝酸鑭4g、硝酸鈣1.08、硝酸錳4g、乙二醇12ml和檸檬酸12.8，攪拌溶解后在88℃下進(jìn)行蒸發(fā)成膠至150ml，得到成膠溶液；

（7）浸潤(rùn)過(guò)程：將步驟（5）中所得間距分布為70~75nm的陽(yáng)極氧化鋁模板浸泡至步驟（6）的成膠溶液20min，通過(guò)毛細(xì)管吸力作用得到具有一定浸潤(rùn)填充程度的模板；

（8）低壓直流擇優(yōu)電沉積生長(zhǎng)過(guò)程：以步驟（7）中得到具有一定浸潤(rùn)填充程度的模板作為陰極，以鉑電極作為陽(yáng)極，施加3.25v低壓直流電進(jìn)行電輸運(yùn)輔助沉積，沉積時(shí)長(zhǎng)為37.5min，形成間距分布為70~75nm鑭鈣錳氧納米線溶膠陣列填充的陽(yáng)極氧化鋁模板；

（9）干燥凝膠過(guò)程：對(duì)步驟（8）中所得間距分布為70~75nm鑭鈣錳氧納米線溶膠填充的陽(yáng)極氧化鋁模板進(jìn)行干燥處理得到間距分布為70~75nm鑭鈣錳氧納米線凝膠陣列填充的陽(yáng)極氧化鋁模板，干燥溫度為105℃，干燥時(shí)間為9h；

（10）燒結(jié)成相過(guò)程：對(duì)步驟（9）中所得間距分布為70~75nm鑭鈣錳氧納米線凝膠填充的陽(yáng)極氧化鋁模板進(jìn)行燒結(jié)成相處理得到間距分布為70~75nm鑭鈣錳氧納米線陣列填充的陽(yáng)極氧化鋁模板，燒結(jié)溫度為575℃，燒結(jié)時(shí)間為6.5h。

對(duì)該實(shí)施例制備所得間距分布70~75nm鑭鈣錳氧納米線陣列填充的陽(yáng)極氧化鋁模板正面進(jìn)行sem掃描可得圖6，可見(jiàn)納米陣列呈現(xiàn)間距分布可控結(jié)構(gòu)。

實(shí)施例3：本制備鑭鈣錳氧納米線陣列的方法包括如下步驟：

（1）一次氧化過(guò)程：對(duì)鋁箔原材料進(jìn)行規(guī)格裁剪、高溫退火、丙酮酒精去脂和高氯酸混合液電化學(xué)拋光可得表面預(yù)處理的鋁箔片，以表面預(yù)處理后高光潔鏡面鋁箔片作陽(yáng)極，鉑電極作為陰極，在0.4mol/l草酸電解質(zhì)中，50v直流電壓下，進(jìn)行3h一次氧化，得到一次氧化過(guò)程模板；

（2）去氧化層過(guò)程：用質(zhì)量分?jǐn)?shù)2%鉻酸和質(zhì)量分?jǐn)?shù)10%磷酸的混合酸液，在80℃下對(duì)上述步驟（1）中所得一次氧化過(guò)程模板進(jìn)行化學(xué)腐蝕脫洗3h，其中鉻酸和磷酸的體積比為=1:3，得到排布為正六邊形且陣列有序的凹坑過(guò)程模板；

（3）二次氧化過(guò)程：以步驟（2）中所得陣列有序的凹坑過(guò)程模板作陽(yáng)極，鉑電極作為陰極，在0.4mol/l草酸電解質(zhì)中，120v直流電壓下，進(jìn)行2h二次氧化，得到二次氧化過(guò)程模板；

（4）降壓減薄過(guò)程：在0.4mol/l草酸電解質(zhì)中，從120v上限電壓降壓至20v階段，采用降壓幅度為3v，間隔頻率為60s；從20v的階段電壓降壓至10v階段，采用降壓幅度為2v，間隔頻率為120s；從10v的階段電壓降壓至5v階段，采用降壓幅度為1.5v，間隔頻率為180s；從5v的階段電壓降壓至3v階段，采用降壓幅度為1v，間隔頻率為240s；在3v的終點(diǎn)電壓進(jìn)行5min的恒壓氧化，得到間距分布為80~85nm的陽(yáng)極氧化鋁模板；

（5）清洗干燥過(guò)程：用二次蒸餾水對(duì)步驟（4）中所得間距分布為80~85nm的陽(yáng)極氧化鋁模板進(jìn)行浸泡清洗24h，后在25℃低常溫環(huán)境下干燥陽(yáng)極氧化鋁模板；

（6）配置及成膠過(guò)程：在500ml二次蒸餾水中加入硝酸鑭4.75g、硝酸鈣1.4、硝酸錳4.8g、乙二醇15ml和檸檬酸15.75，攪拌溶解后在90℃下進(jìn)行蒸發(fā)成膠至200ml，得到成膠溶液；

（7）浸潤(rùn)過(guò)程：將步驟（5）中所得間距分布為80~85nm的陽(yáng)極氧化鋁模板浸泡至步驟（6）中所得已完成螯合的成膠溶液30min，通過(guò)毛細(xì)管吸力作用得到具有一定浸潤(rùn)填充程度的模板；

（8）低壓直流擇優(yōu)電沉積生長(zhǎng)過(guò)程：以步驟（7）中得到具有一定浸潤(rùn)填充程度的模板作為陰極，以高純鉑電極作為陽(yáng)極，施加5v低壓直流電進(jìn)行電輸運(yùn)輔助沉積，沉積時(shí)長(zhǎng)為60min，形成間距分布為80~85nm鑭鈣錳氧納米線溶膠陣列填充的陽(yáng)極氧化鋁模板；

（9）干燥凝膠過(guò)程：對(duì)步驟（8）中所得間距分布為80~85nm鑭鈣錳氧納米線溶膠填充的陽(yáng)極氧化鋁模板進(jìn)行干燥處理得到間距分布為80~85nm鑭鈣錳氧納米線凝膠陣列填充的陽(yáng)極氧化鋁模板，干燥溫度為140℃，干燥時(shí)間為12h；

（10）燒結(jié)成相過(guò)程：對(duì)步驟（9）中所得間距分布為80~85nm鑭鈣錳氧納米線凝膠填充的陽(yáng)極氧化鋁模板進(jìn)行燒結(jié)成相處理得到間距分布為80~85nm鑭鈣錳氧納米線陣列填充的陽(yáng)極氧化鋁模板，燒結(jié)溫度為650℃，燒結(jié)時(shí)間為8h。

對(duì)該實(shí)施例制備所得間距分布為80~85nm鑭鈣錳氧納米線陣列填充的陽(yáng)極氧化鋁模板正面進(jìn)行sem掃描可得圖7，可見(jiàn)納米陣列呈現(xiàn)間距分布可控結(jié)構(gòu)。圖2為配套降壓工藝所制得的純陽(yáng)極氧化鋁模板正面sem圖，其間距分布尺寸和所得納米陣列間距分布尺寸重合，其中灰色襯度孔洞區(qū)域?yàn)殚]合孔洞而黑色襯度區(qū)域?yàn)橥?。納米陣列是在通孔上進(jìn)行擇優(yōu)生長(zhǎng)的。圖3則為該純模板的橫截面sem圖，其分布結(jié)構(gòu)和間距尺寸也重合于上述陣列。