技術總結
本發(fā)明涉及一種在鋯基非晶合金表面制備氧化物納米管陣列層的方法，具體為采用陽極氧化技術，在鋯基非晶合金表面制備一層高度有序的氧化物納米管陣列層。本發(fā)明制備的氧化物納米管陣列層具有結構可控性，納米管的直徑和納米管陣列層的厚度分別可以在10nm～50nm,400nm～1μm之間調控。制備方法和檢測方法簡單，可應用于鋯基生物醫(yī)用非晶合金的表面改性和電化學催化、光催化降解等領域。

技術研發(fā)人員：張濤;李學杰;徐洪杰;靳宇
受保護的技術使用者：北京航空航天大學
文檔號碼：201710177883
技術研發(fā)日：2017.03.23
技術公布日：2017.06.27