1.一種在鋯基非晶合金表面制備氧化物納米管陣列層的方法，其特征在于：所述鋯基非晶合金的成分由以下公式表示：ZraAlbCocNd，其中N表示Ag或Nb元素，a+b+c+d＝100，在含有氟離子的電解液中，利用陽極氧化技術(shù)在鋯基非晶合金表面制備氧化物納米管陣列層，所述納米管陣列層在非晶合金表面原位生成，完整覆蓋處理過的表面，納米管的管徑與納米管層的厚度受陽極氧化電壓的控制，所述制備方法具體如下：
將鋯基非晶合金接入電解池中作為陽極并通以電壓，通過調(diào)節(jié)電解液、電解液中氟離子的濃度以及電解液中水的含量，采用最優(yōu)組合，制備出氧化物納米管陣列層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的在鋯基非晶合金表面制備氧化物納米管陣列層的方法，其特征在于：所述陽極氧化電壓的控制是，當(dāng)電壓在10V～60V時，直徑范圍為10nm～50nm，厚度在400nm～1μm之間調(diào)節(jié)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的在鋯基非晶合金表面制備氧化物納米管陣列層的方法，其特征在于：當(dāng)電壓優(yōu)選在10V～30V之間時，可以制備高度有序的納米管陣列，即納米管的管徑分布均勻，納米管在大范圍內(nèi)無結(jié)構(gòu)缺陷。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的在鋯基非晶合金表面制備氧化物納米管陣列層的方法，其特征在于：所述55≤a≤60，85≤a+b+c≤100，0≤d≤10，在以上成分范圍內(nèi)，均可以利用陽極氧化制備高度有序的納米管陣列。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的在鋯基非晶合金表面制備氧化物納米管陣列層的方法，其特征在于：所述優(yōu)選a＝56，b＝16，c＝28，或者a＝53，b＝16，c＝23.25，d＝7.75，N為Ag元素時非晶合金的形成能力最大，即可以制備臨界尺寸最大的非晶態(tài)合金。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的在鋯基非晶合金表面制備氧化物納米管陣列層的方法，其特征在于：所述優(yōu)選a＝56，b＝16.5，c＝25，d＝2.5，N為Nb元素時，非晶合金的形成能力最大，即可以制備臨界尺寸最大的非晶態(tài)合金。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的在鋯基非晶合金表面制備氧化物納米管陣列層的方法，其特征在于：電解質(zhì)的優(yōu)化條件為：電解質(zhì)采用丙三醇，氟離子摩爾濃度為0.5M～1M，電解液中水的體積含量為10％～15％，優(yōu)選氟離子摩爾濃度為0.5M，電解液中的水的體積含量為10％。
8.一種提高鋯基非晶合金生物活性的方法，其特征在于：首先采用陽極氧化處理鋯基非晶合金表面，在其表面制備一層納米管陣列層，再采用預(yù)沉積方法處理。