專利名稱：電鍍方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及通過在半導體片上進行電鍍而形成重新布線圖案的方法。
背景技術(shù)：
在半導體產(chǎn)品中，例如，超級芯片-大小封裝(Super CSP)產(chǎn)品中，通過在從半導體片中切下的半導體芯片的表面上進行電鍍來形成導電柱(例如，銅柱)或重新布線圖案。此外，在形成具有凸起的半導體產(chǎn)品的過程中，形成導電柱或重新布線圖案。在進行電鍍處理之前，在半導體片上形成電鍍電極(電源饋送層)。
例如，日本公開專利申請No.2003-031768(第5頁，圖1)說明了此技術(shù)的背景技術(shù)。
圖1到圖6顯示了相關(guān)技術(shù)中的形成重新布線圖案的過程。
圖1是半導體襯底的頂視圖。
圖2是圖1中的半導體襯底沿著線AA′的剖面圖。
在步驟1中，形成導電層。具體來說，如圖1和圖2所示，通過噴射在半導體片600上形成導電層610?；蛘?，在半導體片600上可以提供由聚酰亞胺或環(huán)氧樹脂形成的絕緣層，在絕緣層上可以沉積導電層610。
圖3是用于說明形成從圖1繼續(xù)的重新布線圖案的過程的半導體襯底的頂視圖。
圖4是圖3中的半導體襯底沿著線AA′的剖面圖。
在步驟2中，形成抗蝕層。具體來說，如圖3和圖4所示，在導電層610上形成負抗蝕層620。然后，在步驟2之后并在隨后的步驟3(如下所述)之前，在抗蝕層620上提供保護膜(未顯示)，以保護抗蝕層620。這里，抗蝕層620可以是負的，也可以是正的。下面，假設抗蝕層620是負抗蝕層。
圖5是用于說明形成從圖3繼續(xù)的重新布線圖案的過程的半導體襯底的頂視圖。
在步驟3中，進行曝光。具體來說，如圖5所示，在負抗蝕層620的上方的指定位置形成十字線圖(未顯示)，投射光刻分檔器(未顯示)通過十字線圖向負抗蝕層620發(fā)出紫外線，以使負抗蝕層620曝光。然后，除去負抗蝕層620上的保護膜。
在圖5所示的網(wǎng)格區(qū)，每一個單元700都表示由投射光刻分檔器一次曝光的區(qū)域(下面簡稱為“單位曝光區(qū)域”)。投射光刻分檔器通過使用具有對應于要形成的電鍍電極的形狀的十字線圖(電鍍圖)的十字線，一個接一個地使單元700曝光。
圖6是用于說明形成從圖5繼續(xù)的重新布線圖案的過程的半導體襯底的放大透視圖。在圖6中，在如圖5所示的曝光步驟之后，在半導體襯底上進行顯影。
如圖6所示，在半導體片600上形成導電層610，并在導電層610上形成抗蝕層620(虛線部分)。
由于曝光步驟和顯影步驟，在抗蝕層620中形成電鍍圖案(重新布線圖案)。在此示例中，因為抗蝕層620是負抗蝕層，因此，抗蝕層620的曝光部分變得在顯影液中不可溶或幾乎不可溶，通過顯影除去未曝光的部分，從而產(chǎn)生電鍍圖案650。在形成電鍍圖案650的位置，導電層610被曝光。
在具有電鍍圖案650的半導體片600安裝在電鍍夾具上之后，如日本公開專利申請No.8-170198(圖1和圖2)和日本公開專利申請No.11-204459(圖1)所說明的，將半導體片600浸入裝滿電鍍液的電鍍槽中，并進行電鍍(例如，鍍銅)。在此過程中，在電鍍夾具中提供了密封橡膠，密封橡膠位于半導體片600的周邊，以便防止液體滲透。如此，電鍍液只接觸半導體片600的電鍍位置，不會滲漏到半導體片600的背面。
在上述電鍍過程中，在電鍍圖案650中鍍上了指定的導電金屬材料(例如，銅)；因此，在電鍍圖案650中形成重新布線圖案。接下來，除去負抗蝕層620，在半導體片600上形成對應于電鍍圖案650的重新布線圖案。
近來，為了改善重新布線圖案的電特性，有人建議增大在半導體片600上形成的重新布線圖案的厚度。在相關(guān)技術(shù)中，通過向正性液體抗蝕層中噴涂負性液體抗蝕層來形成抗蝕層。然而，利用此方法，只能形成小于10μm的薄的抗蝕層，難以增大重新布線圖案的厚度。因此，近來，有人建議使用干膜抗蝕劑(DFR)來增大重新布線圖案的厚度。
然而，當在上述電鍍過程中使用厚度超過10μm的干膜抗蝕層時，即使使用了密封橡膠，也難以防止電鍍液的滲漏，電鍍液會滲漏到半導體片600和周邊和背面。
圖7是在電鍍夾具上安裝的半導體襯底的放大透視圖。為了說明方便，在圖7中只顯示了電鍍夾具的密封橡膠635。在圖7中，電鍍液與密封橡膠635的內(nèi)側(cè)接觸，密封橡膠635的位置是這樣的，以便電鍍液不會滲漏到密封橡膠635的外面。
盡管如此，如參考圖5所描述的，在曝光步驟中，半導體片600的單元700也是使用十字線一個接一個地進行曝光。在該過程中，在半導體片600的邊緣，單元700延伸到半導體片600外面；結(jié)果，十字線的這些圖案不能被曝光。
請看圖7中的半導體片600的邊緣，半導體片600的邊緣處的類似于凹槽的電鍍圖案650通過連通部分651與外面進行連通，換句話說，在負性或正性抗蝕層620的側(cè)表面存在一個孔。因此，在電鍍步驟中，電鍍液從電鍍圖案650的內(nèi)側(cè)652流入連通部分651，因此，盡管提供了密封橡膠635，電鍍液也會滲漏到密封橡膠635的外面。
同時，對于薄的負或正抗蝕層620(例如，小于2.0μm)，當在抗蝕層620上按下密封橡膠635時，抗蝕層620彎曲，因為抗蝕層620由軟樹脂制成。此外，當密封橡膠635對抗蝕層620進行密封時，會發(fā)生毛細現(xiàn)象，當進入電鍍圖案650時，密封橡膠635會發(fā)生彈性變形。由于這些事實，當抗蝕層620比較薄時，不會發(fā)生電鍍液滲漏現(xiàn)象。

發(fā)明內(nèi)容
相應地，本發(fā)明的一般目的是解決相關(guān)技術(shù)的一個或多個問題。
本發(fā)明的比較具體的目的是提供能夠可靠地防止電鍍液滲漏的電鍍方法。
本發(fā)明提供了包括下列步驟的電鍍方法在半導體片上形成導電層；在導電層上形成負抗蝕層；將負抗蝕層的中心部分曝光；在將負抗蝕層的中心部分曝光的步驟之后將負抗蝕層的周圍區(qū)域曝光；將曝光的負抗蝕層顯影以形成預先確定的電鍍圖案；以及在電鍍圖案上進行電鍍。
根據(jù)本發(fā)明，在負抗蝕層的中心部分被曝光之后，將負抗蝕層的周圍區(qū)域曝光。因此，在顯影步驟之后，負抗蝕層仍處于周圍區(qū)域中。結(jié)果，在負抗蝕層上形成的電鍍圖案不在周圍區(qū)域中，負抗蝕層仍處于周圍區(qū)域中，作為一個擋板，以防止電鍍液在電鍍步驟中滲漏。
在實施例中，負抗蝕層的厚度大于10μm。
根據(jù)本發(fā)明，即使負抗蝕層的厚度大于10μm，并且所獲得的電鍍圖案比較厚，也可以防止電鍍液在電鍍步驟中滲漏。
在實施例中，負抗蝕層由干膜抗蝕劑形成。
根據(jù)本發(fā)明，當負抗蝕層由干膜抗蝕劑形成時，可以輕松地在半導體片上沉積厚度大于10μm的負抗蝕層。
在實施例中，在進行電鍍的步驟中，使用了密封電鍍夾具。
根據(jù)本發(fā)明，由于在進行電鍍的步驟中使用了密封電鍍夾具，因此，可以在電鍍步驟中更加有效地防止電鍍液滲漏。
在實施例中，在將負抗蝕層的中心部分曝光的步驟中，使用了投射光刻分檔器，以一次一個單位區(qū)域地將負抗蝕層曝光。
通過下面的參考附圖對優(yōu)選實施例進行的詳細描述，本發(fā)明的這些目標及其他目標、特點、方面和優(yōu)點將變得顯而易見。


圖1是顯示相關(guān)技術(shù)中的形成重新布線圖案的過程的半導體襯底的頂視圖；圖2是圖1中的半導體襯底沿著線AA′的剖面圖；圖3是用于說明形成從圖1繼續(xù)的重新布線圖案的過程的半導體襯底的頂視圖；圖4是圖3中的半導體襯底沿著線AA′的剖面圖；圖5是用于說明形成從圖3繼續(xù)的重新布線圖案的過程的半導體襯底的頂視圖；圖6是用于說明形成從圖5繼續(xù)的重新布線圖案的過程的半導體襯底的放大透視圖；圖7是在電鍍夾具上安裝的半導體襯底的放大透視圖；圖8是用于說明根據(jù)本發(fā)明的實施例的電鍍方法的半導體襯底的頂視圖；圖9是圖8中的半導體襯底沿著線AA′的剖面圖；圖10是用于說明根據(jù)本發(fā)明的實施例的形成從圖1繼續(xù)的重新布線圖案的電鍍方法的半導體襯底的頂視圖；圖11是圖3中的半導體襯底沿著線AA′的剖面圖；圖12是用于說明根據(jù)本發(fā)明的實施例的形成從圖11繼續(xù)的重新布線圖案的電鍍方法的半導體襯底的頂視圖；圖13是用于說明根據(jù)本發(fā)明的實施例的形成從圖12繼續(xù)的布線圖案的電鍍方法的半導體襯底的頂視圖；圖14是圖13中的半導體襯底沿著線AA′的剖面圖；圖15是根據(jù)本發(fā)明的實施例的在步驟5完成之后半導體襯底的外圍部分的放大透視圖；圖16A和圖16B分別是在根據(jù)本發(fā)明的實施例的電鍍方法中使用的電鍍夾具160中的屏蔽夾具161的平面圖和截面?zhèn)纫晥D；圖17A和圖17B分別是在根據(jù)本發(fā)明的實施例的電鍍方法中使用的電鍍夾具160中的后蓋夾具162的平面圖和截面?zhèn)纫晥D；圖18是顯示根據(jù)本發(fā)明的實施例的電鍍方法中使用的組裝電鍍夾具160的方法的截面?zhèn)纫晥D；圖19是顯示其中安裝了半導體片100的電鍍夾具160的截面?zhèn)纫晥D；圖20是顯示根據(jù)本發(fā)明的實施例的電鍍設備和電鍍方法的簡要視圖；以及圖21是在電鍍夾具160上安裝的半導體片100的放大透視圖。
具體實施例方式
下面將參考

本發(fā)明的優(yōu)選實施例。
具體來說，將就在超級芯片大小封裝(超級CSP)半導體產(chǎn)品中的半導體片上形成重新布線圖案的電鍍方法進行描述。
圖8是用于說明根據(jù)本發(fā)明的實施例的電鍍方法的半導體襯底的頂視圖。
圖9是圖8中的半導體襯底沿著線AA′的剖面圖。
在步驟1中，如圖8和圖9所示，形成導電層。具體來說，在半導體片100上，例如，直徑為8英寸(20.32cm)的硅片上，沉積用于形成重新布線圖案的導電層110(例如，銅)。
可以通過噴射形成導電層110，在噴射過程中，在氬氣或其他排氣的環(huán)境中，通過使用輝光放電，將離子噴射到充當目標的半導體片100的表面上。
或者，在半導體片100上可以提供由聚酰亞胺或環(huán)氧樹脂形成的絕緣層，在絕緣層上可以沉積導電層110。
圖10是用于說明根據(jù)本發(fā)明的實施例的形成從圖8繼續(xù)的重新布線圖案的電鍍方法的半導體襯底的頂視圖。
圖11是圖10中的半導體襯底沿著線AA′的剖面圖。
在步驟2中，形成抗蝕層。具體來說，如圖10和圖11所示，在導電層110上形成負抗蝕層120。
這里，抗蝕層120可以是負的，也可以是正的。在本實施例中，假設抗蝕層120是負抗蝕層。
負抗蝕層120具有這樣的特征負抗蝕層120的被紫外線照射的部分變得在顯影液中不可溶或幾乎不可溶，在顯影之后仍會停留在導電層110的表面上。
通過在導電層110上粘貼干膜抗蝕劑(DFR)形成負抗蝕層120。在此情況下，很容易形成厚度大于10μm的負抗蝕層120。此外，在進行電鍍處理之后還容易除去負抗蝕層120。
在本實施例中，使用厚度為30μm的干膜抗蝕劑(DFR)作為負抗蝕層120。利用這樣的厚的負抗蝕層120，可以形成具有低電阻和良好的電特性的重新布線圖案。
圖12是用于說明根據(jù)本發(fā)明的實施例的形成從圖11繼續(xù)的重新布線圖案的電鍍方法的半導體襯底的頂視圖。
在步驟3中，如圖12所示，進行第一次曝光。具體來說，在負抗蝕層120噴涂保護膜130，以保護負抗蝕層120，該保護膜允許光透射，以便進行曝光。例如，用PET(多對苯二甲酸乙二酯)來形成保護膜130。
接下來，在保護膜130上打印墨水，該保護膜130高于導電層110上的電源饋送電極，以形成光屏蔽層145。
然后，在負抗蝕層120的上方指定位置形成十字線圖(未顯示)，投射光刻分檔器(未顯示)向負抗蝕層120發(fā)出紫外線，以使負抗蝕層120曝光。
在圖12所示的網(wǎng)格區(qū)，每一個單元200都表示由投射光刻分檔器一次曝光的區(qū)域(下面簡稱為“單位曝光區(qū)域”)。投射光刻分檔器一個接一個地對單元200進行曝光。如參考圖5所描述的，在半導體片100的邊緣，單元200延伸到半導體片100的外面，如此，十字線的這些圖案不會被曝光。
通過用投射光刻分檔器將光照射到負抗蝕層120上，負抗蝕層120通過十字線被曝光，負抗蝕層120的通過十字線被紫外線照射的部分變得在顯影液中不可溶或幾乎不可溶。但是，負抗蝕層120的被十字線屏蔽的部分不會曝光，并仍可溶于顯影液，即，負抗蝕層120的對應于將要形成電鍍圖案150的位置的那些部分，以及負抗蝕層120的對應于在進行電鍍期間用于提供電源的電源饋送電極115的位置和目前形成了光屏蔽層145的位置的那些部分仍可溶于顯影液。
圖13是用于說明根據(jù)本發(fā)明的實施例的形成從圖12繼續(xù)的布線圖案的電鍍方法的半導體襯底的頂視圖。
圖14是圖13中的半導體襯底沿著線AA′的剖面圖。
在步驟4中，如圖13和圖14所示，進行第二次曝光。具體來說，在第二次曝光中，將諸如紫外線之類的用于曝光的光照射到負抗蝕層120的外圍部分。在此過程中，進行第二次曝光時，要有光屏蔽層145存在。
此外，利用激光二極管發(fā)出的聚焦光進行第二次曝光。
在步驟4中，被曝光的區(qū)域通過圖13中的網(wǎng)格來表示，此區(qū)域被稱為“外圍曝光區(qū)域140”。外圍曝光區(qū)域140對應于半導體片100上的負抗蝕層120邊緣處的環(huán)狀部分。
如上所述，負抗蝕層120的被紫外線照射的部分變得在顯影液中不可溶或幾乎不可溶。即，通過步驟4，負抗蝕層120的外圍部分(外圍曝光區(qū)域140)變得在顯影液中不可溶或幾乎不可溶，形成了環(huán)狀部分。但是，負抗蝕層120的對應于光屏蔽層145的部分仍可溶于顯影液。
例如，外圍曝光區(qū)域140的沿著半導體片100的徑向的寬度可以設置為3mm到4mm。
在步驟4完成之后，執(zhí)行根據(jù)本實施例的電鍍方法的步驟5，以進行顯影。
在步驟5中，除去粘貼在負抗蝕層120上的保護膜130。然后，將半導體片100浸入到顯影液中進行顯影。
如上所述，步驟3(第一次曝光)和步驟4(第二次曝光)中的負抗蝕層120的曝光部分在顯影液中不可溶或幾乎不可溶，甚至在顯影之后仍保留在導電層110上。同時，步驟3和步驟4中的負抗蝕層120的未曝光部分可溶于顯影液，并在顯影步驟中除去。
這些未曝光的部分包括負抗蝕120的對應于將要形成電鍍圖案150的位置的那些部分，以及負抗蝕層120的對應于電源饋送電極115的位置的那些部分。
圖15是根據(jù)本發(fā)明的實施例的在步驟5完成之后半導體襯底的外圍部分的放大透視圖。
如圖15所示，通過顯影處理，在負抗蝕層120中形成了多個電鍍圖案150。此外，形成外圍曝光區(qū)域140，以在負抗蝕層120的邊緣具有環(huán)的形狀。此外，還在指定位置形成電源饋送電極115。在外圍曝光區(qū)域140的外邊緣形成電源饋送電極115，其寬度小于外圍曝光區(qū)域140的寬度。
由于外圍曝光區(qū)域140的存在，甚至位于半導體片100邊緣的類似于凹槽電鍍圖案150A也不會與外部進行連通。即，否則在相關(guān)技術(shù)中形成連通部分651的部分，包括本實施例中的外圍曝光區(qū)域140中，此部分不會被顯影，不會并除去。即，外圍曝光區(qū)域140作為一個擋板，防止電鍍圖案150A與外部進行連通。
在步驟5完成之后，執(zhí)行根據(jù)本實施例的電鍍方法的步驟6，以進行電鍍。在步驟6中，首先，將具有電鍍圖案150的半導體片100安裝在電鍍夾具160中。電鍍夾具160大致包括屏蔽夾具161和后蓋夾具162。
圖16A和圖16B分別是在根據(jù)本發(fā)明的實施例的電鍍方法中使用的電鍍夾具160中的屏蔽夾具161的平面圖和截面?zhèn)纫晥D。
如圖16A和圖16B所示，屏蔽夾具161具有屏蔽體163，其中，在比中心稍低的位置形成了一個孔164。例如，屏蔽體163由樹脂形成。在屏蔽體163的上方提供了外部連接端子165，在孔164的周圍提供了密封橡膠167和電源饋送端子166，密封橡膠167和電源饋送端子166形成環(huán)形。
外部連接端子165和電源饋送端子166之間能夠通電。此外，電源饋送端子166位于密封橡膠167的外側(cè)。
此外，在孔164的外側(cè)的位置形成了多個螺絲孔168。在固定后蓋夾具162之后，將螺栓(未顯示)擰進這些螺絲孔168中。
圖17A和圖17B分別是在根據(jù)本發(fā)明的實施例的電鍍方法中使用的電鍍夾具160中的后蓋夾具162的平面圖和截面?zhèn)纫晥D。
如圖17A和圖17B所示，后蓋夾具162包括蓋子體170和固定框架171。蓋子體170是圓盤形的，其大小被設置為大于半導體片100的直徑。此外，在蓋子體170的背面提供了后密封橡膠172。
后密封橡膠172具有足夠大的面積，以便在以如下所述的方式安裝半導體片100時它能夠接觸到半導體片100的整個背面。此外，在多個固定框架171的末端形成了穿透孔173(在本實施例中，有兩個固定框架171)。
接下來，參考圖18和圖19就在電鍍夾具160上安裝半導體片100的過程進行描述。
圖18是顯示根據(jù)本發(fā)明的實施例的電鍍方法中使用的組裝電鍍夾具160的方法的截面?zhèn)纫晥D。
圖19是顯示其中安裝了半導體片100的電鍍夾具160的截面?zhèn)纫晥D。
為了在電鍍夾具160上安裝半導體片100，首先，應該將半導體片100安裝在屏蔽夾具161上。
當在屏蔽夾具161上安裝半導體片100時，具有負抗蝕層120的半導體片100的表面面向密封橡膠167。此外，在此過程中，密封橡膠167的位置是這樣的，以便整個密封橡膠167可以接觸到半導體片100，在半導體片100上形成的電源饋送電極115的位置是這樣的，以便與電源饋送端子166連接。
接下來，使用未顯示的螺栓來將后蓋夾具162固定，以便面向在其上面安裝了半導體片100的屏蔽夾具161。在此步驟中，蓋子體170的背面的后密封橡膠172與半導體片100的整個背面接觸。
如此，如圖19所示，在電鍍夾具160上安裝半導體片100。
當在如上所示的電鍍夾具160上安裝半導體片100時，在半導體片100上執(zhí)行電鍍處理。
圖20是顯示根據(jù)本發(fā)明的實施例的電鍍設備和電鍍方法的簡要視圖。
在圖20中，用于對半導體片100進行電鍍的電鍍設備180包括電鍍槽181、電源、陰極184和陽極185。這里，作為示例，描述了鍍銅的過程。因此，電鍍液182包括銅離子，陽極185由銅形成。
陰極184連接到電鍍夾具160的外部連接端子165。因此，陰極184通過外部連接端子165、電源饋送端子166，以及電源饋送電極115(作為導電層110的一部分)與導電層110進行通電。此外，導電層110在形成了負抗蝕層120的電鍍圖案150的位置曝光。因此，在具有負極性的導電層110上沉積銅離子，在電鍍圖案150中形成重新布線圖案。
圖21是在電鍍夾具160上安裝的半導體片100的放大透視圖。
圖21顯示在電鍍夾具160上安裝的半導體片100的放大外圍部分。為了說明方便，在圖21中只顯示了電鍍夾具的密封橡膠167。
在本實施例中，如上所述，在步驟4中(第二次曝光步驟)，將負抗蝕層120的外圍部分曝光，因此，在半導體片100上的負抗蝕層120的邊緣形成環(huán)形的外圍曝光區(qū)域140。外圍曝光區(qū)域140作為一個擋板，半導體片100邊緣處的電鍍圖案150A的外側(cè)被外圍曝光區(qū)域140阻斷，半導體片100邊緣處的電鍍圖案150A的內(nèi)側(cè)152被外圍曝光區(qū)域140阻斷。
此外，半導體片上的密封橡膠167的接觸位置在外圍曝光區(qū)域140的內(nèi)側(cè)不是固定的。具體來說，密封橡膠167位于外圍曝光區(qū)域140上，位于電源饋送電極115的內(nèi)側(cè)。
由于這樣的配置，如圖21所示，即使將安裝了半導體片100的電鍍夾具160浸入到電鍍液182中，電鍍液182也不會通過電鍍圖案150A滲漏到密封橡膠167的外面。
因此，可以防止電鍍液182腐蝕構(gòu)成了電鍍夾具160的電源饋送端子166，此外，還可以防止電鍍液182附著到半導體片100的背面。此外，即使負抗蝕層120是厚度大于10μm的DFR，由于存在外圍曝光區(qū)域140，也可以可靠地防止電鍍液182在電鍍步驟中滲漏。
例如，在本實施例中，負抗蝕層120的厚度被設置為30μm。可以發(fā)現(xiàn)，即使負抗蝕層120的厚度從35μm到40μm，也可以可靠地防止電鍍液182在電鍍步驟中滲漏。
在完成步驟6(電鍍)之后，除去負抗蝕層120和外圍曝光區(qū)域140。如此，半導體片100包括具有對應于電鍍圖案150的形狀的布線圖案。
盡管是參考為插圖的目的選擇的特定實施例對本發(fā)明進行描述的，顯然，本發(fā)明不僅限于這些實施例，在不偏離本發(fā)明的基本概念和范圍的情況下，那些精通本技術(shù)的人可以進行許多修改。
例如，在上文中，是采用重新布線圖案的形成作為示例來對本發(fā)明進行描述的。
然而，本發(fā)明不僅限于重新布線圖案；它還適用于通過電解電鍍形成導電柱、凸起等等的情況。
根據(jù)本發(fā)明，可以通過電鍍步驟中的電鍍圖案可靠地防止電鍍液的滲漏。
本專利申請基于2004年3月11日提出的日本優(yōu)先權(quán)專利申請No.2004-069421，在此引用了該申請的全部內(nèi)容作為參考。
權(quán)利要求
1.一種電鍍方法，包括下列步驟在半導體片上形成導電層；在導電層上形成負抗蝕層；將負抗蝕層的中心部分曝光；在將負抗蝕層的中心部分曝光的步驟之后將負抗蝕層的周圍區(qū)域曝光；將曝光的負抗蝕層顯影以形成預先確定的電鍍圖案；以及在電鍍圖案上進行電鍍。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，負抗蝕層的厚度大于10μm。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，負抗蝕層由干膜抗蝕劑形成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，在進行電鍍的步驟中，使用了密封電鍍夾具。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，在將負抗蝕層的中心部分曝光的步驟中，使用了投射光刻分檔器，以一次一個單位區(qū)域地將負抗蝕層曝光。
全文摘要
說明了通過電鍍在半導體片上形成電極的方法，該方法能夠在電鍍過程中可靠地防止電鍍液滲漏。電鍍方法包括下列步驟在半導體片上形成導電層；在導電層上形成負抗蝕層；將負抗蝕層的中心部分曝光；在將負抗蝕層的中心部分曝光的步驟之后將負抗蝕層的周圍區(qū)域曝光；將曝光的負抗蝕層顯影以形成預先確定的電鍍圖案；以及在電鍍圖案上進行電鍍。
文檔編號C25D7/12GK1667802SQ20051005456
公開日2005年9月14日 申請日期2005年3月11日 優(yōu)先權(quán)日2004年3月11日
發(fā)明者山野孝治 申請人:新光電氣工業(yè)株式會社