專利名稱：電鍍方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種電鍍方法。
背景技術(shù)：
在制造集成電路(IC)半導(dǎo)體器件中，基板表面的平勻度相當(dāng)關(guān)鍵，特別是元件的密度增加且尺寸縮小至次微米等級后。一般使用金屬層作為IC中個別元件的連線，以介電層或絕緣層隔開金屬線，并于介電層間形成溝槽、接觸孔、接點等互連結(jié)構(gòu)，以提供導(dǎo)電金屬層間的電路通道?，F(xiàn)有技術(shù)中互連結(jié)構(gòu)以采用銅或銅合金為主要材料，具體可采用下述方法沉積銅或銅合金的金屬層或薄膜物理氣相沉積(PVD)方法、化學(xué)氣相沉積(CVD)方法以及電鍍法。其中，電鍍法能夠容易獲得高純度的金屬層或薄膜，不僅金屬層或薄膜的形成速度快，而且還能夠比較容易地控制金屬層或薄膜的厚度，因此電鍍法已成為主流方法。一般銅電鍍制程是將晶圓接觸電鍍液，并于正負(fù)電極間提供電位差以沉積金屬至半導(dǎo)體基板表面。電鍍工藝需要采用電鍍裝置實現(xiàn)。根據(jù)電鍍裝置結(jié)構(gòu)的不同，可以分為垂直式電鍍裝置和水平式電鍍裝置。以下以垂直式電鍍裝置為例進(jìn)行說明。圖1為現(xiàn)有技術(shù)中一垂直式電鍍裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。所述垂直式電鍍裝置100包括旋轉(zhuǎn)軸5和固定于旋轉(zhuǎn)軸5上的襯底固定裝置4。在電鍍過程中，晶圓2固定在襯底基座3上，進(jìn)而將襯底基座3固定在襯底固定裝置4上，然后浸入包括電鍍液的電鍍池22中。整個電鍍液的循環(huán)方向如箭頭符號13所示，通過泵40提供連續(xù)性的循環(huán)電鍍液，電鍍液向上流向晶圓2，然后向外擴(kuò)張橫向流過晶圓2，如箭頭符號14所示。電鍍液的循環(huán)方向是自電鍍池22溢流至電鍍液儲存槽20，如箭頭符號10和11所示。電鍍液流出儲存槽20后，流經(jīng)過濾器(圖中未示出)后流回泵40，完成整個循環(huán)步驟，如箭頭符號12所示。直流電源供應(yīng)器(DC power supply) 50提供負(fù)極輸出以及正極輸出，其中的負(fù)極電性連接至晶圓2，正極電性連接至電鍍池22中的陽極1。在電鍍過程中，電源供應(yīng)器50將偏壓施加到晶圓2，從而產(chǎn)生相對于陽極1為負(fù)的電壓降，使得電荷流動自陽極1流向晶圓2。圖2為電鍍裝置的陽極與陰極間的電力線分布關(guān)系示意圖。結(jié)合參考圖2，半導(dǎo)體晶圓2通過襯底基座3固定于襯底固定裝置(圖2中未示出)上。電極接觸環(huán)25通過多個接觸引腳(contact pin) 2 與半導(dǎo)體晶圓2電性接觸。當(dāng)施加偏壓至陽極1與半導(dǎo)體晶圓(陰極)2之間時，陽極和陰極間的電壓降形成多條電力線Fc與狗。？(3與狗分別表示處于半導(dǎo)體晶圓(陰極)2的中央?yún)^(qū)域中的電力線與周圍區(qū)域中的電力線。由于電極接觸環(huán)25通過多個接觸引腳2 與半導(dǎo)體晶圓2電性接觸，在半導(dǎo)體晶圓2的周圍區(qū)域靠近接觸引腳2 處造成急劇的電壓降，使得靠近接觸引腳2 的電力線!^e的密度遠(yuǎn)比半導(dǎo)體晶圓(陰極)2中央?yún)^(qū)域的電力線Fc的密度高。然而，靠近接觸引腳25a電力線!^e密度愈高，就導(dǎo)致電流密度愈高，并使得半導(dǎo)體晶圓2的周圍區(qū)域的沉積厚度愈厚，進(jìn)而導(dǎo)致在后續(xù)工藝中，誘發(fā)剝離與顆粒殘留。在半導(dǎo)體晶圓上的導(dǎo)電層厚度不均勻，也容易使工藝進(jìn)一步惡化，并且使電阻偏離量更高。
類似地，在現(xiàn)有技術(shù)的其他電鍍裝置中，也存在晶圓的中央?yún)^(qū)域電鍍層沉積厚度薄，周圍區(qū)域電鍍層沉積厚度厚的缺陷。尤其是當(dāng)半導(dǎo)體晶圓的尺寸大于8寸之后，上述缺陷更加明顯。因此，如何保證電鍍過程中沉積在半導(dǎo)體晶圓表面的金屬厚度均勻性就成為本領(lǐng)域技術(shù)人員亟待解決的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的問題是提供一種電鍍方法，在電鍍的過程中，可以在半導(dǎo)體晶圓的中央?yún)^(qū)域及周圍區(qū)域形成均勻的金屬層或薄膜，最終改善電鍍的質(zhì)量。為解決上述問題，本發(fā)明提供了一種電鍍方法，包括提供化學(xué)電鍍槽，所述化學(xué)電鍍槽包括電鍍池，所述電鍍池中設(shè)置有陽極；將半導(dǎo)體晶圓通過襯底固定裝置進(jìn)行固定，所述半導(dǎo)體晶圓待電鍍面與所述陽極相對設(shè)置；為所述陽極提供正極電壓，為所述半導(dǎo)體晶圓提供負(fù)極電壓；其特征在于，在電鍍過程中，使所述陽極與所述半導(dǎo)體晶圓之間的距離沿中間區(qū)域向邊緣區(qū)域依次增大。可選地，所述電鍍方法還包括在所述陽極的邊緣區(qū)域設(shè)置擋板?？蛇x地，所述陽極為多層同心圓結(jié)構(gòu)；為所述陽極提供正極電壓包括為陽極的每層提供不同的正極電壓?？蛇x地，所述正極電壓從所述同心圓結(jié)構(gòu)的圓心向外依次減小?？蛇x地，所述陽極為惰性陽極?？蛇x地，所述陽極為網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)?？蛇x地，在電鍍前，將所述陽極豎直設(shè)置在所述電鍍池中。可選地，在電鍍前，將所述陽極水平設(shè)置在所述電鍍池中?？蛇x地，使所述陽極與所述半導(dǎo)體晶圓之間的距離沿中間區(qū)域向邊緣區(qū)域依次增大包括通過陽極夾持件使所述陽極與所述半導(dǎo)體晶圓待電鍍面相對的面為弧面?？蛇x地，使所述陽極與所述半導(dǎo)體晶圓之間的距離沿中間區(qū)域向邊緣區(qū)域依次增大包括通過所述襯底固定裝置使所述半導(dǎo)體晶圓待電鍍面為弧面。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點在電鍍過程中，使陽極與半導(dǎo)體晶圓之間的距離沿中間區(qū)域向邊緣區(qū)域依次增大，進(jìn)而使陽極與半導(dǎo)體晶圓中間區(qū)域之間的電場強(qiáng)于陽極與半導(dǎo)體晶圓邊緣區(qū)域之間的電場，以彌補(bǔ)邊緣區(qū)域的電力線密度大于中央?yún)^(qū)域的電力線密度的缺陷，從而減小邊緣區(qū)域和中央?yún)^(qū)域的沉積厚度差，保證了半導(dǎo)體晶圓沉積的金屬層或薄膜的均勻性，最終提高了電鍍的質(zhì)量。


圖1為現(xiàn)有技術(shù)中一垂直式電鍍裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為現(xiàn)有技術(shù)中電鍍裝置的陽極與陰極間的電力線分布關(guān)系示意圖；圖3為本發(fā)明實施例一中電鍍方法的流程示意圖；圖4為本發(fā)明實施例一中電鍍裝置的結(jié)構(gòu)示意圖5和圖6為本發(fā)明實施例一中陽極的結(jié)構(gòu)示意圖；圖7為本發(fā)明實施例二中電鍍裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；圖8為本發(fā)明實施例三中陽極的結(jié)構(gòu)示意圖；圖9為本發(fā)明實施例五中陽極和半導(dǎo)體晶圓的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施例方式為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的具體實施方式
做詳細(xì)的說明。在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明，但是本發(fā)明還可以采用其他不同于在此描述的其它方式來實施，因此本發(fā)明不受下面公開的具體實施例的限制。正如背景技術(shù)部分所述，現(xiàn)有技術(shù)中在半導(dǎo)體晶圓上電鍍金屬層或薄膜時，由于陽極與陰極(即半導(dǎo)體晶圓)間的電力線分布不均勻，因此導(dǎo)致晶圓的中央?yún)^(qū)域電鍍層沉積厚度薄，周圍區(qū)域電鍍層沉積厚度厚的缺陷。針對上述缺陷，本發(fā)明提供了一種電鍍方法，包括提供化學(xué)電鍍槽，所述化學(xué)電鍍槽包括電鍍池，所述電鍍池中設(shè)置有陽極；將半導(dǎo)體晶圓通過襯底固定裝置進(jìn)行固定，所述半導(dǎo)體晶圓待電鍍面與所述陽極相對設(shè)置；為所述陽極提供正極電壓，為所述半導(dǎo)體晶圓提供負(fù)極電壓；在電鍍過程中，使所述陽極與所述半導(dǎo)體晶圓之間的距離沿中間區(qū)域向邊緣區(qū)域依次增大。本發(fā)明在電鍍過程中，使陽極與半導(dǎo)體晶圓之間的距離沿中間區(qū)域向邊緣區(qū)域依次增大，進(jìn)而使陽極與半導(dǎo)體晶圓中間區(qū)域之間的電場強(qiáng)于陽極與半導(dǎo)體晶圓邊緣區(qū)域之間的電場，以彌補(bǔ)邊緣區(qū)域的電力線密度大于中央?yún)^(qū)域的電力線密度的缺陷，從而減小邊緣區(qū)域和中央?yún)^(qū)域的電鍍層沉積厚度差，保證了半導(dǎo)體晶圓沉積的金屬層或薄膜的均勻性，最終提高了電鍍的質(zhì)量。下面結(jié)合附圖進(jìn)行詳細(xì)說明。實施例一參考圖3所示，本實施例提供了一種電鍍方法，包括步驟Sl 1，提供化學(xué)電鍍槽，所述化學(xué)電鍍槽包括電鍍池，所述電鍍池中設(shè)置有陽極；步驟S12，將半導(dǎo)體晶圓通過襯底固定裝置進(jìn)行固定，所述半導(dǎo)體晶圓待電鍍面與所述陽極相對設(shè)置；步驟S13，為所述陽極提供正極電壓，為所述半導(dǎo)體晶圓提供負(fù)極電壓；步驟S14，在電鍍過程中，使所述陽極與所述半導(dǎo)體晶圓之間的距離沿中間區(qū)域向邊緣區(qū)域依次增大。參考圖4所示，上述方法可以在圖4所示的電鍍裝置中進(jìn)行，所述電鍍裝置可以包括化學(xué)電鍍槽，包括電鍍池110 ；
陽極120，設(shè)置在所述電鍍池110中；襯底固定裝置130，用于固定半導(dǎo)體晶圓140，所述半導(dǎo)體晶圓140待電鍍面與所述陽極120相對設(shè)置，所述陽極120與所述半導(dǎo)體晶圓140之間的距離沿中間區(qū)域向邊緣區(qū)域依次增大；電源供應(yīng)器150，用于提供負(fù)極輸出以及正極輸出，所述負(fù)極輸出連接半導(dǎo)體晶圓 140，所述正極輸出連接陽極120。在電鍍前，可以將所述陽極120豎直設(shè)置在所述電鍍池110中，從而通過電鍍液的水平運(yùn)動完成電鍍過程，即電鍍裝置可以為水平式。在電鍍前，也可以將所述陽極120水平設(shè)置在所述電鍍池110中，從而通過電鍍液的垂直運(yùn)動完成電鍍過程，即所述電鍍裝置可以為垂直式。圖4以水平式電鍍裝置為例進(jìn)行說明，但其不限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。其中，所述襯底固定裝置130和電源供應(yīng)器150的結(jié)構(gòu)與作用均與現(xiàn)有技術(shù)相同， 在此不再贅述。其中，所述襯底固定裝置130和陽極120可以分別通過電鍍池110上方的掛鉤(圖中未示出)進(jìn)行懸掛固定，也可以采用其他方式進(jìn)行固定，其不限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。所述陽極120可以為非惰性陽極。此時，當(dāng)在半導(dǎo)體晶圓140上電鍍銅時，則陽極 120可以為銅板。此種情況下，陽極120參與氧化還原反應(yīng)，通過陽極120的自身損耗以在半導(dǎo)體晶圓140上形成銅層。所述陽極120還可以為惰性電極。此時，當(dāng)在半導(dǎo)體晶圓140上電鍍銅時，則陽極 120的材料可以為石墨或鉬，從而陽極只起傳遞電子的作用，不參與氧化還原反應(yīng)，最終可以減少對陽極120的損耗。本實施例中所述陽極120可以為網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，即所述陽極120上設(shè)置有多個通孔，所述通孔的形狀可以為圓形或多邊形等，從而使得電鍍液能在半導(dǎo)體晶圓140(即陰極)和陽極120之間充分對流和擴(kuò)散，可以避免濃差極化，有利于氣體的逃逸，最終可以提高金屬沉積的均勻性。需要說明的是，在本發(fā)明的其他實施例中，所述陽極120上也可以不設(shè)置通孔，此時所述陽極120為厚度均勻的電極板。為了實現(xiàn)陽極120與所述半導(dǎo)體晶圓140之間的距離沿中間區(qū)域向邊緣區(qū)域依次增大，本實施例中所述陽極120與所述半導(dǎo)體晶圓140待電鍍面相對的面可以為弧面。此時，雖然在電鍍過程中，半導(dǎo)體晶圓140與陽極120之間的電力線密度沿中間區(qū)域向邊緣區(qū)域依次增大，但是由于半導(dǎo)體晶圓140中間區(qū)域與陽極120中間區(qū)域之間的距離dl小于半導(dǎo)體晶圓140邊緣區(qū)域與陽極120邊緣區(qū)域之間的距離d2，因此可以使陽極120與半導(dǎo)體晶圓140中間區(qū)域的電場強(qiáng)于陽極120與半導(dǎo)體晶圓140邊緣區(qū)域的電場，進(jìn)而可以減小邊緣區(qū)域和中間區(qū)域的電鍍層沉積厚度差，保證了半導(dǎo)體晶圓沉積的金屬層或薄膜的均勻性，最終提高了電鍍的質(zhì)量。其中，所述陽極的彎曲程度與半導(dǎo)體晶圓140的尺寸、待沉積金屬層或薄膜的厚度、電源供應(yīng)器150提供的電壓大小、陽極120的尺寸、半導(dǎo)體晶圓140與陽極120之間的
距離等因素有關(guān)。在第一個具體例子中，參考圖4所示，可以直接將陽極120制作成剖面為弧面的結(jié)構(gòu)。此時所述陽極120可以為彎曲圓形或彎曲多邊形，其比較適合陽極120可塑性比較好且硬度比較大的情況，從而通過僅改變陽極120形狀的方式來提高電鍍均勻性，使得電鍍裝置的結(jié)構(gòu)比較簡單。在第二個具體例子中，參考圖5和圖6所示，所述電鍍裝置還可以包括陽極夾持件，用于使陽極120在電鍍液中處于彎曲狀態(tài)。即通過陽極夾持件使所述陽極120與所述半導(dǎo)體晶圓140待電鍍面相對的面為弧面。所述陽極夾持件可以包括多個支撐線160和一個支撐桿170，所述支撐線160的第一端固定在陽極120的邊緣區(qū)域，第二端固定在支撐桿170上，所述支撐桿170的一端固定在所述陽極120的中心區(qū)域。各個支撐線160的第二端可以交匯于支撐桿170的同一位置，也可以交匯于支撐桿170的不同位置。所述陽極120可以為圓板形。為了使得陽極120 處于彎曲狀態(tài)，既可以通過調(diào)節(jié)支撐線160的長度實現(xiàn)，也可以通過調(diào)節(jié)支撐線160在支撐桿170上的固定位置實現(xiàn)，還可以同時調(diào)節(jié)支撐線160的長度和調(diào)節(jié)支撐線160在支撐桿 170上的固定位置實現(xiàn)。所述支撐線160可以為導(dǎo)電線。需要說明的是，本實施例還可以采用其他陽極夾持件以使陽極120在電鍍液中處于剖面為弧面的狀態(tài)，其不限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。實施例二與實施例一相比，參考圖7所示，本實施例中電鍍方法還可以包括在陽極120的邊緣區(qū)域設(shè)置有擋板220，其余與實施例一相同，在此不再贅述。所述擋板220的材料可以為任意一種絕緣材料，從而所述擋板220可以減少陽極120與半導(dǎo)體晶圓140邊緣區(qū)域之間的電力線，此時，所述陽極120的彎曲角度可以減小。本實施例中所述擋板220為長方體，具體可以通過懸掛的方式進(jìn)行固定。需要說明的是，在本發(fā)明的其他實施例中所述擋板220還可以為彎曲的弧狀結(jié)構(gòu)，其也可以采用粘貼在陽極120上的方式進(jìn)行固定或者是其他方式進(jìn)行固定。本實施例在電鍍過程中，不但使陽極與半導(dǎo)體晶圓之間的距離沿中間區(qū)域向邊緣區(qū)域依次增大，以彌補(bǔ)邊緣區(qū)域的電力線密度大于中央?yún)^(qū)域的電力線密度的缺陷，而且還可以通過擋板220減小邊緣區(qū)域的電力線，從而可以進(jìn)一步提高電鍍沉積的均勻性。實施例三與實施例一相比，結(jié)合參考圖8所示，本實施例在保持陽極120彎曲的前提下，所述陽極120可以為多層同心圓結(jié)構(gòu)，此時，所述電源供應(yīng)器150需要提供多個不同的正極輸出，每個圓環(huán)連接不同的正極輸出。優(yōu)選地，所述正極輸出對應(yīng)的正極電壓從所述同心圓結(jié)構(gòu)的圓心向外依次減小。此時，所述陽極120的彎曲角度可以減小。作為一個具體例子，結(jié)合參考圖7所示，陽極120包括三個同心圓121、122和123， 每個同心圓分別與電源供應(yīng)器150的不同正極輸出相連，同心圓121接收到的正極電壓為 VI，同心圓122接收到的正極電壓為V2，同心圓123接收到的正極電壓為V3，其中，Vl >V2 > V3。本實施例在電鍍過程中，不但使陽極120與半導(dǎo)體晶圓140之間的距離沿中間區(qū)域向邊緣區(qū)域依次增大，以彌補(bǔ)邊緣區(qū)域的電力線密度大于中央?yún)^(qū)域的電力線密度的缺陷；還為陽極120不同區(qū)域提供不同的正極電壓，且中心區(qū)域的正極電壓最大，邊緣區(qū)域的正極電壓最小，從而可以進(jìn)一步提高電鍍沉積的均勻性。需要說明的是，本實施例還可以在陽極120的邊緣區(qū)域設(shè)置有擋板(圖中未示出)。
實施例四為了實現(xiàn)陽極與所述半導(dǎo)體晶圓之間的距離沿中間區(qū)域向邊緣區(qū)域依次增大，本實施例中可以通過襯底固定裝置夾持半導(dǎo)體晶圓，使半導(dǎo)體晶圓處于彎曲狀態(tài)，進(jìn)而使所述半導(dǎo)體晶圓待電鍍面為弧面，而陽極相對于半導(dǎo)體晶圓待電鍍面保持為直面，從而達(dá)到與實施例一相同的效果。此時，所述襯底固定裝置的結(jié)構(gòu)可以參考實施例一中的陽極夾持件，也可以采用其他結(jié)構(gòu)，在此不再贅述。需要說明的是，本實施例還可以在陽極的邊緣區(qū)域設(shè)置擋板(參考實施例二)，或者是將陽極設(shè)置為同心圓結(jié)構(gòu)(參考實施例三)。實施例五參考圖9所示，本實施例可以結(jié)合實施例一和實施例四的方法，同時使陽極120相對于半導(dǎo)體晶圓140待電鍍面為弧面且半導(dǎo)體晶圓140待電鍍面為弧面，其中，半導(dǎo)體晶圓 140與陽極120相互背對彎曲，以使半導(dǎo)體晶圓140與陽極120中間區(qū)域的距離dl小于半導(dǎo)體晶圓140與陽極邊緣區(qū)域的距離d2。此外，本實施例還可以在陽極的邊緣區(qū)域設(shè)置擋板(參考實施例二)，或者是將陽極設(shè)置在同心圓結(jié)構(gòu)(參考實施例三)，在此均不再贅述。需要說明的是，以上實施例都是以水平式電鍍裝置為例，在本發(fā)明的其他實施例中，所述電鍍裝置還可以為垂直式，其不限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。此外，電鍍裝置中其他部件(如泵、儲存槽、旋轉(zhuǎn)軸等)對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員是熟知的，在此不再贅述。雖然本發(fā)明已以較佳實施例披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動與修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以權(quán)利要求所限定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種電鍍方法，包括提供化學(xué)電鍍槽，所述化學(xué)電鍍槽包括電鍍池，所述電鍍池中設(shè)置有陽極； 將半導(dǎo)體晶圓通過襯底固定裝置進(jìn)行固定，所述半導(dǎo)體晶圓待電鍍面與所述陽極相對設(shè)置；為所述陽極提供正極電壓，為所述半導(dǎo)體晶圓提供負(fù)極電壓； 其特征在于，在電鍍過程中，使所述陽極與所述半導(dǎo)體晶圓之間的距離沿中間區(qū)域向邊緣區(qū)域依次增大。
2.如權(quán)利要求1所述的電鍍方法，其特征在于，還包括在所述陽極的邊緣區(qū)域設(shè)置擋板。
3.如權(quán)利要求1所述的電鍍方法，其特征在于，所述陽極為多層同心圓結(jié)構(gòu)；為所述陽極提供正極電壓包括為陽極的每層提供不同的正極電壓。
4.如權(quán)利要求3所述的電鍍方法，其特征在于，所述正極電壓從所述同心圓結(jié)構(gòu)的圓心向外依次減小。
5.如權(quán)利要求1所述的電鍍方法，其特征在于，所述陽極為惰性陽極。
6.如權(quán)利要求1所述的電鍍方法，其特征在于，所述陽極為網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。
7.如權(quán)利要求1所述的電鍍方法，其特征在于，在電鍍前，將所述陽極豎直設(shè)置在所述電鍍池中。
8.如權(quán)利要求1所述的電鍍方法，其特征在于，在電鍍前，將所述陽極水平設(shè)置在所述電鍍池中。
9.如權(quán)利要求1所述的電鍍方法，其特征在于，使所述陽極與所述半導(dǎo)體晶圓之間的距離沿中間區(qū)域向邊緣區(qū)域依次增大包括通過陽極夾持件使所述陽極與所述半導(dǎo)體晶圓待電鍍面相對的面為弧面。
10.如權(quán)利要求1所述的電鍍方法，其特征在于，使所述陽極與所述半導(dǎo)體晶圓之間的距離沿中間區(qū)域向邊緣區(qū)域依次增大包括通過所述襯底固定裝置使所述半導(dǎo)體晶圓待電鍍面為弧面。
全文摘要
一種電鍍方法，包括提供化學(xué)電鍍槽，所述化學(xué)電鍍槽包括電鍍池，所述電鍍池中設(shè)置有陽極；將半導(dǎo)體晶圓通過襯底固定裝置進(jìn)行固定，所述半導(dǎo)體晶圓待電鍍面與所述陽極相對設(shè)置；為所述陽極提供正極電壓，為所述半導(dǎo)體晶圓提供負(fù)極電壓；在電鍍過程中，使所述陽極與所述半導(dǎo)體晶圓之間的距離沿中間區(qū)域向邊緣區(qū)域依次增大。本發(fā)明可以在半導(dǎo)體晶圓的中央?yún)^(qū)域及周圍區(qū)域形成均勻的金屬層或薄膜，最終改善電鍍的質(zhì)量。
文檔編號C25D17/00GK102560586SQ20121002758
公開日2012年7月11日 申請日期2012年2月8日 優(yōu)先權(quán)日2012年2月8日
發(fā)明者丁萬春 申請人:南通富士通微電子股份有限公司