技術(shù)編號：5290544
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導體，尤其涉及一種。背景技術(shù)在制造集成電路(IC)半導體器件中，基板表面的平勻度相當關(guān)鍵，特別是元件的密度增加且尺寸縮小至次微米等級后。一般使用金屬層作為IC中個別元件的連線，以介電層或絕緣層隔開金屬線，并于介電層間形成溝槽、接觸孔、接點等互連結(jié)構(gòu)，以提供導電金屬層間的電路通道?，F(xiàn)有技術(shù)中互連結(jié)構(gòu)以采用銅或銅合金為主要材料，具體可采用下述方法沉積銅或銅合金的金屬層或薄膜物理氣相沉積(PVD)方法、化學氣相沉積(CVD)方法以及電鍍法。其中，電鍍...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。