專利名稱：微流控芯片表面處理結(jié)合熱壓的封裝方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于微機(jī)電系統(tǒng)及分析檢測(cè)領(lǐng)域，尤其涉及微流控芯片表面處理結(jié)合熱壓 的封裝方法，利用對(duì)封裝材料的封裝表面進(jìn)行特定的工藝處理，使得表面物質(zhì)活化或使表 面附著一層微米級(jí)薄膠層，而完成芯片的封裝。
背景技術(shù)：
微流控技術(shù)是目前迅速發(fā)展的高新技術(shù)和多學(xué)科交叉科技前沿領(lǐng)域之一，是生化 檢測(cè)、化學(xué)科學(xué)與信息科學(xué)信號(hào)檢測(cè)和處理方法研究的重要技術(shù)平臺(tái)。本發(fā)明涉及的微流 控芯片是基于MEMS加工技術(shù)；研究微流控通道表面性能、微流控系統(tǒng)內(nèi)的驅(qū)動(dòng)和控制規(guī) 律；建立樣品預(yù)處理、混合、反應(yīng)、分離、檢測(cè)等功能單元為一體的微流控芯片集成技術(shù)。以 該技術(shù)為應(yīng)用基礎(chǔ)的研究平臺(tái)，充分發(fā)揮其對(duì)納升級(jí)或皮升級(jí)流體的可操縱性，以及易于 高通量化和功能化的特點(diǎn)，研究微通道的基本規(guī)律與特性，并與特異性免疫反應(yīng)結(jié)合起來(lái)， 用以監(jiān)測(cè)抗原-抗體反應(yīng)。近年來(lái)，微機(jī)電系統(tǒng)(MEMQ、集成電路(IC)技術(shù)、納米技術(shù)、分子生物學(xué)、材料學(xué) 等領(lǐng)域取得了無(wú)可爭(zhēng)議的進(jìn)步和突破，將這些技術(shù)結(jié)合起來(lái)形成功能強(qiáng)大的片上系統(tǒng)，為 生化免疫分析開(kāi)創(chuàng)了新的突破口，集成微流控芯片正符合這種系統(tǒng)化的特點(diǎn)。集成微流控 芯片是近年來(lái)在生命科學(xué)研究領(lǐng)域中嶄露頭角的一項(xiàng)新技術(shù)，它能制作成具有不同用途的 全功能縮微芯片實(shí)驗(yàn)室。目前，芯片實(shí)驗(yàn)室分析已成為一個(gè)非常熱門(mén)的研究領(lǐng)域。它之所 以倍受人們關(guān)注是由其特點(diǎn)所決定的(一)集成性集成的單元部件越來(lái)越多，集成的規(guī) 模也越來(lái)越大，功能也越來(lái)越強(qiáng)；(二)分析速度極快；(三)高通量；(四)微型化可攜帶， 適于即時(shí)，在線與現(xiàn)場(chǎng)分析；(五)能耗低，物耗少，污染小，因而非常廉價(jià)，安全，被認(rèn)為是 一種環(huán)境友好的分析方法與“綠色”技術(shù)。因此，芯片實(shí)驗(yàn)室研究顯得非常重要。例如，在 生物醫(yī)學(xué)領(lǐng)域，它可以使珍貴的生物樣品和試劑消耗降低到微升甚至納升級(jí)，而且分析速 度成倍提高，成本成倍下降；在化學(xué)領(lǐng)域它可以使以前需要在一個(gè)實(shí)驗(yàn)室花大量樣品、試劑 和很多時(shí)間才能完成的分析和合成，在一塊小的芯片上花很少量樣品和試劑以很短的時(shí)間 同時(shí)完成；在分析化學(xué)領(lǐng)域，它可以使以前大的分析儀器變成平方厘米尺寸規(guī)模的分析儀， 將大大節(jié)約人力與物力資源和能源；在環(huán)境領(lǐng)域，它使現(xiàn)場(chǎng)分析及遙控環(huán)境分析成為可能。微流控芯片研究技術(shù)是目前迅速發(fā)展的高新技術(shù)和多學(xué)科交叉科技前沿領(lǐng)域之 一，是生命科學(xué)、化學(xué)科學(xué)與信息科學(xué)信號(hào)檢測(cè)和處理方法研究的重要技術(shù)平臺(tái)。微流控分 析系統(tǒng)在微型化、集成化和便攜化方面的優(yōu)勢(shì)為其在生物醫(yī)學(xué)、藥物合成篩選、環(huán)境監(jiān)測(cè)與 保護(hù)、衛(wèi)生檢疫、司法鑒定、生物戰(zhàn)劑的偵檢等眾多領(lǐng)域的應(yīng)用提供了極為廣闊的前景。圍繞微流控芯片系統(tǒng)研究中的重要科學(xué)問(wèn)題，以微流控技術(shù)為應(yīng)用基礎(chǔ)的研究平 臺(tái)，充分發(fā)揮其對(duì)納升級(jí)或皮升級(jí)流體的可操縱性，以及易于高通量化和功能化的特點(diǎn)，建 立微流控芯片加工技術(shù)；研究微流控通道表面性能、基本規(guī)律與特性、微流控系統(tǒng)內(nèi)的驅(qū)動(dòng) 和控制規(guī)律；研究微-納米通道的，通過(guò)多學(xué)科交叉研究，探索微球在微-納系統(tǒng)中的精確 定位操縱，建立樣品預(yù)處理、混合、反應(yīng)、分離、檢測(cè)等功能單元為一體的微流控芯片集成系統(tǒng)，增強(qiáng)我國(guó)微流控生化分析集成系統(tǒng)研究的源頭創(chuàng)新能力。當(dāng)前，芯片實(shí)驗(yàn)室本身的一些 理論和應(yīng)用基礎(chǔ)研究，制作工藝研究，適用新型材料開(kāi)發(fā)等也在發(fā)展之中。例如，以芯片制 作工藝而言，芯片制造已由手工為主的微機(jī)電(MEMS)技術(shù)生產(chǎn)逐漸朝自動(dòng)化、數(shù)控化的亞 紫外激光直接刻蝕微通道方向發(fā)展，同時(shí)其他技術(shù)如，壓印技術(shù)(Imprint Lithography)等 也廣泛應(yīng)用起來(lái)；芯片實(shí)驗(yàn)室的驅(qū)動(dòng)源從以電滲流發(fā)展到流體動(dòng)力、氣壓、重力、離心力、剪 切力等多種手段?，F(xiàn)有微流控芯片的加工方法主要有用微加工工藝，在硬質(zhì)材料(如硅、玻璃、金 屬等)上加工凸起的圖形陽(yáng)模，再以硅橡膠PDMS澆鑄復(fù)制出凹下的微通道圖形；或以該硬 模具為壓模，直接在熱塑性材料上加熱加壓，實(shí)現(xiàn)圖形轉(zhuǎn)移；還可以，以微束準(zhǔn)分子激光加 工機(jī)直接在諸如聚二甲基硅氧烷(PDMS)、聚甲基丙烯酸甲脂(PMMA)、聚碳酸酯(PC)及其他 各種塑料、玻璃、金屬、硅片上加工出微流控芯片圖形。芯片實(shí)驗(yàn)室所用材料由最初的價(jià)格較為昂貴的玻璃和硅片，發(fā)展成以便宜的聚合 物為材料，如聚二甲基硅氧烷(PDMS)、聚甲基丙烯酸甲脂(PMMA)、聚碳酸酯(PC)及其他各 種塑料等。無(wú)論采用何種加工成形方法和材料，微流控芯片的封裝過(guò)程都是必不可少的。特 別是大批量生產(chǎn)，要充分考慮成品率和生產(chǎn)效率。所以針對(duì)不同的方法和不同材料組合制 成的微流控芯片，發(fā)明一種經(jīng)濟(jì)高效統(tǒng)一的封裝方法就成為必要的了。由于微流控芯片的通道微小，通常寬度和深度僅幾十微米，甚至更小，采用普通的 涂膠工藝或熱壓封接工藝，很容易使通道變形和堵塞，工藝條件也難以掌握。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種微流控芯片表面處理結(jié)合熱壓的封裝方法，適用于各 種加工工藝制造的芯片和各種材料組合，在防止微通道變形和堵塞的同時(shí)，提高生產(chǎn)的效 率和成品率。一種微流控芯片表面處理結(jié)合熱壓的封裝方法，其特征在于它由以下步驟構(gòu)成(1)制備微流控圖形芯片基片；(2)對(duì)封裝材料的封裝表面即蓋片和基片表面進(jìn)行處理；(3)采用熱壓的方法完成芯片封裝。上述所說(shuō)的步驟(1)中微流控圖形芯片基片包括熱塑性塑料微流控圖形芯片基 片、聚二甲基硅氧烷微流控圖形芯片基片和玻璃、金屬、硅片為基底的微流控芯片基片。上述所說(shuō)的熱塑性塑料微流控圖形芯片基片的制備方法，包括以下步驟①微流控芯片模具的制作用MEMS仿真設(shè)計(jì)出微流控芯片圖形，并制成金屬掩模 板，用光刻法將圖形轉(zhuǎn)移至旋涂有PMMA的硅片上；采用干法刻蝕法制成陽(yáng)模，突起圖形高 度大于15微米；②溶融的熱塑性塑料于步驟①制作的凸起的微流控芯片模具處原位聚合固化；或者于平整的厚度大于0. 2mm的熱塑性塑料薄板上放置步驟①制作的凸起的微 流控芯片模具加熱> 100°C，加壓20bar以上，然后冷卻至室溫固化，脫模。上述所說(shuō)的熱塑性塑料微流控圖形芯片基片的制備方法為經(jīng)MEMS仿真軟件設(shè) 計(jì)圖形轉(zhuǎn)化為自動(dòng)加工程序，用準(zhǔn)分子激光加工機(jī)，直接在平整的厚度大于0. 2mm的熱塑性塑料薄板上加工出微流控通道。上述所說(shuō)的熱塑性塑料為聚甲基丙烯酸甲酯即PMMA Polymethylenemethacrylate> 聚 ￥ 乙；！；希艮PS :Polystyrene> 聚 it 乙；I；希艮PVC Polyvinylenechloride 或聚碳酸月旨 PC :Polycarbonate。上述所說(shuō)的聚二甲基硅氧烷微流控圖形芯片基片的制備方法，包括以下步驟①微流控芯片模具的制作用MEMS仿真設(shè)計(jì)出微流控芯片圖形，并制成金屬掩模 板，用光刻法將圖形轉(zhuǎn)移至旋涂有PMMA的硅片上；采用干法刻蝕法制成陽(yáng)模，突起圖形高 度大于15微米；②溶融的聚二甲基硅氧烷于步驟①制作的凸起的微流控芯片模具處原位聚合固 化。上述所說(shuō)的聚二甲基硅氧烷微流控圖形芯片基片的制備方法為經(jīng)MEMS仿真軟 件設(shè)計(jì)圖形轉(zhuǎn)化為自動(dòng)加工程序，用準(zhǔn)分子激光加工機(jī)，直接在平整的厚度為0. 2mm的聚 二甲基硅氧烷薄板上加工出微流控通道。上述所說(shuō)的玻璃、金屬、硅片為基底的微流控芯片基片的制備方法為經(jīng)MEMS仿 真軟件設(shè)計(jì)圖形轉(zhuǎn)化為自動(dòng)加工程序，用準(zhǔn)分子激光加工機(jī)，直接在平整的玻璃、金屬、硅 片上加工出微流控通道；經(jīng)干法刻蝕制成的玻璃、金屬、硅片微流控芯片基片。上述所說(shuō)的步驟O)中蓋片和基片表面處理的方法為蓋片上旋涂聚二甲基硅氧 烷或聚甲基丙烯酸甲酯薄層，薄層小于5微米；旋涂前加入稀釋劑，以降低黏度；所說(shuō)的稀 釋劑為苯甲醚或二甲基硅油。上述所說(shuō)的步驟O)中蓋片和基片表面處理的方法為當(dāng)蓋片或基片為有機(jī)材質(zhì) 時(shí)，在有機(jī)材質(zhì)的蓋片或基片上涂有機(jī)溶劑使表層微溶，晾干；所說(shuō)的有機(jī)溶劑為氯仿、二 氯乙烷、環(huán)己烷、正己烷或乙酸乙酯。上述所說(shuō)的步驟(3)中芯片封裝的方法為采用普通氣動(dòng)熱壓機(jī)加熱加壓，壓力 小于7bar，溫度100 170度，時(shí)間Γ Ο分鐘。上述所說(shuō)的步驟(3)中芯片封裝的方法為采用納米壓印機(jī)，氣體驅(qū)動(dòng)軟囊加壓， 底部加熱，壓力20bar，溫度100 180度，時(shí)間Γ Ο分鐘。上述所說(shuō)的蓋片/基片的材質(zhì)為玻璃/硅、玻璃/玻璃、聚二甲基硅氧烷/硅、聚 二甲基硅氧烷/玻璃、聚二甲基硅氧烷/聚二甲基硅氧烷、聚二甲基硅氧烷/聚甲基丙烯酸 甲酯、聚甲基丙烯酸甲酯/硅、聚甲基丙烯酸甲酯/玻璃或聚甲基丙烯酸甲酯/聚甲基丙烯 酸甲酯。本發(fā)明的優(yōu)越性本發(fā)明適用于各種加工工藝制造的芯片和各種材料組合，在防 止微通道變形和堵塞的同時(shí)，提高生產(chǎn)的效率和成品率。
具體實(shí)施例方式實(shí)例1 聚二甲基硅氧烷PDMS芯片與玻璃蓋片封接用htellisute MEMS仿真設(shè)計(jì)出微流控芯片圖形，并制成玻璃為基板的鎳Ni金 屬掩模板，用光刻機(jī)將圖形轉(zhuǎn)移至旋涂有光刻膠(實(shí)驗(yàn)所用為正膠)的硅片上。膠厚為1 微米，將懸涂好光刻膠的硅片放置在真空干燥箱中前烘10分鐘，溫度為90°C。極紫外線 光進(jìn)行光刻，曝光時(shí)間為8s，然后，在濃度為0. 6%的NaOH溶液中顯影40s，將顯影好的硅片進(jìn)行后烘前烘15分鐘，溫度為120°C。將顯影后干燥過(guò)的硅片，置于Oxford Plasmalab 80PlusRIE刻蝕機(jī)中，02流量為50sccm，氣壓為40mbar，forword power為50w，轟擊2分鐘， 去除圖形凹底部殘膠。然后，將其放入真空鍍膜機(jī)，蒸鍍250nm厚的金屬鎳M ；丙酮超聲清 洗，去除光刻膠及光刻膠上的金屬層，附著在硅片上的金屬層得以保留。再放入Plasmalab 80Plus RIE刻蝕機(jī)中，刻蝕氣體SF6流量為40sccm，02流量為lsccm，氣壓為40mbar， forword power為100w，刻蝕8分鐘。取出，用稀硫酸洗去殘余的金屬掩模，得到凸起高度 為25微米圖形橫向結(jié)構(gòu)寬度20微米的陽(yáng)模。實(shí)驗(yàn)采用Sylgard 184型PDMS (推薦的最佳配比為10 1，固化溫度為 50-1000C )，將PDMS預(yù)聚體/固化劑配比(體積比)為10 1的液體混合物充分?jǐn)嚢韬?放入真空箱內(nèi)，常溫脫氣；待液體混合物無(wú)氣泡后(大約15min)，澆注于硅陽(yáng)膜上形成1 3mm覆蓋層，再進(jìn)行常溫脫氣，直至硅陽(yáng)模邊緣圍堰無(wú)氣泡或氣泡明顯減少(大約15min)； 在75°C下加熱固化35min，然后從硅陽(yáng)膜上取下蓋片，并用打孔器打出基片通道的末端孔， 即制成聚二甲基硅氧烷PDMS微流控芯片基片。取二甲基硅油(Dow corning 200 Fluid)與加了固化劑的聚二甲基硅氧烷預(yù)聚體 PDMS按13 10的比例混合，使PDMS的黏度降低，用CooksonSpincoater旋轉(zhuǎn)涂敷機(jī)，轉(zhuǎn)速 1500^4000rpm,即可將PDMS用旋涂的方法均勻地涂在干凈的玻璃片上，厚度控制在在2飛 微米。再將其放入真空烘箱烘至半干，取出，與制成的聚二甲基硅氧烷PDMS微流控芯片基 片緊密貼合，消除氣泡。放于氣動(dòng)熱壓機(jī)上，壓力6bar，溫度170度，10分鐘，即實(shí)現(xiàn)封接。 此方法周期短，連續(xù)工作效率高。實(shí)例2 熱塑性塑料微流控芯片基片與同種材質(zhì)蓋片的封接以實(shí)例1中的硅陽(yáng)模為壓印模具。Imm厚度的平整聚氯乙烯PVC板置于模具上， 模具下面墊兩層0. Imm的純鋁箔，PVC板上面覆蓋三層純鋁箔，一起放入Obducat納米壓印 機(jī)，升溫到180度，加壓40bar，保持3分鐘，降溫至80度，卸壓脫模，冷卻至室溫，制成PVC 微流控芯片基片。截取同樣大小的干凈平整的PVC薄板，其表面用少量氯仿均勻涂布，晾干后，覆蓋 在制成的PVC微流控芯片基片上。再于上下用玻璃片(載玻片)夾持，放于普通氣動(dòng)熱壓 機(jī)上，加熱溫度為120度，壓力2. ^ar,保持5分鐘，即完成封接。實(shí)例3 用htellisuite MEMS仿真軟件設(shè)計(jì)圖形，并將其轉(zhuǎn)化為準(zhǔn)分子激光加工 機(jī)的自動(dòng)加工程序，加工氣體是KrF，氣體壓力是6500mbar激光能量為15mJ，直接在平整的 熱塑性塑料薄板(> 0. 2mm)上加工出微流控通道。截取同樣大小的干凈平整的同種材質(zhì)薄板，其表面用少量氯仿均勻涂布，晾干后， 覆蓋在激光加工的微流控芯片基片上。再于上下用玻璃片(載玻片)夾持，放于普通氣動(dòng) 熱壓機(jī)上，加熱溫度為120度，壓力2. ^ar,保持5分鐘，降溫即完成封接。
權(quán)利要求
1.一種微流控芯片表面處理結(jié)合熱壓的封裝方法，其特征在于它由以下步驟構(gòu)成(1)制備微流控圖形芯片基片；(2)對(duì)封裝材料的封裝表面即蓋片和基片表面進(jìn)行處理；(3)采用熱壓的方法完成芯片封裝。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所說(shuō)的一種微流控芯片表面處理結(jié)合熱壓的封裝方法，其特征在于 所說(shuō)的步驟(1)中微流控圖形芯片基片包括熱塑性塑料微流控圖形芯片基片、聚二甲基硅 氧烷微流控圖形芯片基片和玻璃、金屬、硅片為基底的微流控芯片基片。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所說(shuō)的一種微流控芯片表面處理結(jié)合熱壓的封裝方法，其特征在于 所說(shuō)的熱塑性塑料微流控圖形芯片基片的制備方法為三種第一種包括以下步驟①微流控芯片模具的制作用MEMS仿真設(shè)計(jì)出微流控芯片圖形，并制成金屬掩模板， 用光刻法將圖形轉(zhuǎn)移至旋涂有PMMA的硅片上；采用干法刻蝕法制成陽(yáng)模，突起圖形高度大 于15微米；②溶融的熱塑性塑料于步驟①制作的凸起的微流控芯片模具處原位聚合固化；第二種包括以下步驟①微流控芯片模具的制作用MEMS仿真設(shè)計(jì)出微流控芯片圖形，并制成金屬掩模板， 用光刻法將圖形轉(zhuǎn)移至旋涂有PMMA的硅片上；采用干法刻蝕法制成陽(yáng)模，突起圖形高度大 于15微米；②或者于平整的厚度大于0.2mm的熱塑性塑料薄板上放置步驟①制作的凸起的微流 控芯片模具加熱彡100°C，加壓20bar以上，然后冷卻至室溫固化，脫模；第三種經(jīng)MEMS仿真軟件設(shè)計(jì)圖形轉(zhuǎn)化為自動(dòng)加工程序，用準(zhǔn)分子激光加工機(jī)，直接 在平整的厚度大于0. 2mm的熱塑性塑料薄板上加工出微流控通道。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所說(shuō)的一種微流控芯片表面處理結(jié)合熱壓的封裝方法，其特征 在于所說(shuō)的熱塑性塑料為聚甲基丙烯酸甲酯即PMMA =Polymethylene methacrylate、聚 苯乙烯即PS :Polystyrene、聚氯乙烯即PVC =Polyvinylene chloride或聚碳酸脂PC Polycarbonate。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所說(shuō)的一種微流控芯片表面處理結(jié)合熱壓的封裝方法，其特征在于 所說(shuō)的聚二甲基硅氧烷微流控圖形芯片基片的制備方法為兩種第一種包括以下步驟①微流控芯片模具的制作用MEMS仿真設(shè)計(jì)出微流控芯片圖形，并制成金屬掩模板， 用光刻法將圖形轉(zhuǎn)移至旋涂有PMMA的硅片上；采用干法刻蝕法制成陽(yáng)模，突起圖形高度大 于15微米；②溶融的聚二甲基硅氧烷于步驟①制作的凸起的微流控芯片模具處原位聚合固化；第二種經(jīng)MEMS仿真軟件設(shè)計(jì)圖形轉(zhuǎn)化為自動(dòng)加工程序，用準(zhǔn)分子激光加工機(jī)，直接在平整的厚度為0. 2mm的聚二甲基硅氧烷薄板上加工出微流控通道。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所說(shuō)的一種微流控芯片表面處理結(jié)合熱壓的封裝方法，其特征在于 所說(shuō)的玻璃、金屬、硅片為基底的微流控芯片基片的制備方法為經(jīng)MEMS仿真軟件設(shè)計(jì)圖 形轉(zhuǎn)化為自動(dòng)加工程序，用準(zhǔn)分子激光加工機(jī)，直接在平整的玻璃、金屬、硅片上加工出微 流控通道；經(jīng)干法刻蝕制成的玻璃、金屬、硅片微流控芯片基片。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所說(shuō)的一種微流控芯片表面處理結(jié)合熱壓的封裝方法，其特征在于 所說(shuō)的步驟O)中蓋片和基片表面處理的方法為蓋片上旋涂聚二甲基硅氧烷或聚甲基丙烯酸甲酯薄層，薄層小于5微米；旋涂前加入 稀釋劑，以降低黏度；所說(shuō)的稀釋劑為苯甲醚或二甲基硅油；或者，當(dāng)蓋片或基片為有機(jī)材質(zhì)時(shí)，在有機(jī)材質(zhì)的蓋片或基片上涂有機(jī)溶劑使表層微 溶，晾干；所說(shuō)的有機(jī)溶劑為氯仿、二氯乙烷、環(huán)己烷、正己烷或乙酸乙酯。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所說(shuō)的一種微流控芯片表面處理結(jié)合熱壓的封裝方法，其特征在于 所說(shuō)的步驟(3)中芯片封裝的方法為采用普通氣動(dòng)熱壓機(jī)加熱加壓，壓力小于7bar，溫度10(Γ170度，時(shí)間廣10分鐘； 或者，采用納米壓印機(jī)，氣體驅(qū)動(dòng)軟囊加壓，底部加熱，壓力20bar，溫度10(Γ180度，時(shí) 間廣10分鐘。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所說(shuō)的一種微流控芯片表面處理結(jié)合熱壓的封裝方法，其特征在于所說(shuō)的蓋片/基片的材質(zhì)為玻璃/硅、玻璃/玻璃、聚二甲基硅氧烷/硅、聚二甲基硅氧烷/ 玻璃、聚二甲基硅氧烷/聚二甲基硅氧烷、聚二甲基硅氧烷/聚甲基丙烯酸甲酯、聚甲基丙 烯酸甲酯/硅、聚甲基丙烯酸甲酯/玻璃或聚甲基丙烯酸甲酯/聚甲基丙烯酸甲酯。
全文摘要
一種微流控芯片表面處理結(jié)合熱壓的封裝方法，其特征在于它由以下步驟構(gòu)成(1)制備微流控圖形芯片基片；(2)對(duì)封裝材料的封裝表面即蓋片和基片表面進(jìn)行處理；(3)采用熱壓的方法完成芯片封裝。本發(fā)明的優(yōu)越性本發(fā)明適用于各種加工工藝制造的芯片和各種材料組合，在防止微通道變形和堵塞的同時(shí)，提高生產(chǎn)的效率和成品率。
文檔編號(hào)B81C1/00GK102092669SQ20091022915
公開(kāi)日2011年6月15日 申請(qǐng)日期2009年12月11日 優(yōu)先權(quán)日2009年12月11日
發(fā)明者吳磊, 屈懷泊, 牟詩(shī)城, 高玉翔, 高鵬 申請(qǐng)人:國(guó)家納米技術(shù)與工程研究院