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設(shè)置加氫芳烴淺度飽和反應過程的劣質(zhì)烴加氫熱裂化方法與流程

文檔序號:11935623閱讀:來源:國知局
技術(shù)總結(jié)
設(shè)置加氫芳烴淺度飽和反應過程的劣質(zhì)烴加氫熱裂化方法,在劣質(zhì)烴HDS如金屬、多環(huán)芳烴、膠質(zhì)、瀝青質(zhì)含量高的煤焦油重油的加氫芳烴淺度飽和反應過程R10,基于多環(huán)芳烴中間芳環(huán)π鍵的超離域能大于外側(cè)芳環(huán)π鍵的超離域能的規(guī)律,在液相反應為主的條件下進行多環(huán)芳烴的加氫芳烴淺度飽和反應使其中間芳環(huán)被飽和,HDS進行脫殘?zhí)糠磻耐瑫r制造出位于多環(huán)結(jié)構(gòu)芳烴的中間位置的離解能低的亞甲基橋鍵,為加氫熱裂化反應過程R20提供富含宜裂解鍵的熱裂化料,也利于提高六元環(huán)烴系物的產(chǎn)率;R10低氫油比操作可提高反應空間液相反應效率,R10和R20之間可設(shè)立加熱器,R10使用供氫烴物流聯(lián)合加工效果更佳。

技術(shù)研發(fā)人員:何巨堂
受保護的技術(shù)使用者:何巨堂
文檔號碼:201610542919
技術(shù)研發(fā)日:2016.07.04
技術(shù)公布日:2016.12.07

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