及控制微型換能元發(fā)生電熱效應(yīng)，溫度升高；
[0020]6)當(dāng)微型換能元的溫度升高到封裝外殼中的含能藥劑的著火點時，含能藥劑發(fā)生燃燒甚至產(chǎn)生爆轟，反應(yīng)過程中釋放大量的熱，使存儲芯片發(fā)生不可修復(fù)的物理損傷，實現(xiàn)存儲芯片中信息的不可恢復(fù)地銷毀。
[0021]本發(fā)明的自毀微系統(tǒng)，當(dāng)自毀決策芯片判斷存儲芯片處于正常狀態(tài)時，微型發(fā)火芯片中的微型安全解保單元將微型換能元短路，確保微型換能元保持安全狀態(tài)而不發(fā)火，因而可以保證存儲芯片正常的存儲和讀出功能；當(dāng)自毀決策芯片判斷存儲芯片處于非正常狀態(tài)，系統(tǒng)需要存儲芯片自毀時，通過解?？刂贫讼蛭⑿桶踩獗卧l(fā)出解保指令，將與微型換能元的一對發(fā)火電極并聯(lián)的微型安全解保單元斷開解除保險，之后，發(fā)火控制端向微型換能元發(fā)出發(fā)火信號，微型換能元發(fā)生電熱效應(yīng)，溫度升高，當(dāng)溫度升高到封裝外殼中的含能藥劑的著火點時，含能藥劑發(fā)生燃燒甚至產(chǎn)生爆轟，反應(yīng)過程中釋放大量的熱，使存儲芯片發(fā)生不可修復(fù)的物理損傷，實現(xiàn)存儲芯片中信息的不可恢復(fù)地銷毀。
[0022]本發(fā)明的優(yōu)點:
[0023]本發(fā)明采用在存儲芯片處于正常狀態(tài)時，微型安全解保單元將微型換能元短路，保證微型換能元不發(fā)火；當(dāng)自毀決策芯片判斷系統(tǒng)需要存儲芯片自毀時，通過解?？刂贫讼蛭⑿桶踩獗卧l(fā)出解保指令，將與微型換能元的一對發(fā)火電極并聯(lián)的微型安全解保單元斷開解除保險，之后，發(fā)火控制端向微型換能元發(fā)出發(fā)火信號，微型換能元發(fā)熱引起封裝外殼中的含能藥劑發(fā)生燃燒甚至產(chǎn)生爆轟，反應(yīng)過程中釋放大量的熱，使存儲芯片發(fā)生不可修復(fù)的物理損傷，實現(xiàn)存儲芯片中信息的不可恢復(fù)地銷毀。
【附圖說明】
[0024]圖1為本發(fā)明的非易失性存儲芯片自毀微系統(tǒng)的實施例一的原理框圖；
[0025]圖2為本發(fā)明的非易失性存儲芯片自毀微系統(tǒng)的實施例二的原理框圖；
[0026]圖3為本發(fā)明的非易失性存儲芯片自毀微系統(tǒng)的實施例二中存儲芯片和微型發(fā)火芯片的連接關(guān)系的示意圖；
[0027]圖4為本發(fā)明的非易失性存儲芯片自毀微系統(tǒng)的微型安全解保單元的一個實施例的爆炸圖；
[0028]圖5為本發(fā)明的非易失性存儲芯片自毀微系統(tǒng)的自毀決策芯片的連接框圖?！揪唧w實施方式】
[0029]下面結(jié)合附圖，通過實施例對本發(fā)明做進(jìn)一步說明。
[0030]實施例一
[0031]如圖1所示，本實施例的非易失性存儲芯片自毀微系統(tǒng)包括:封裝體、微型發(fā)火芯片、存儲芯片和自毀決策芯片；其中，封裝體包括封裝外殼和引腳框架；微型發(fā)火芯片貼裝在引腳框架的上表面；微型發(fā)火芯片包括微型換能元和微型安全解保單元，微型換能元的一對發(fā)火電極與微型安全解保單元的一對安全控制電極并聯(lián)，并通過引腳框架的兩個發(fā)火引腳分別連接至自毀決策芯片的發(fā)火控制端和地端，在存儲芯片處于正常狀態(tài)時，微型安全解保單元將微型換能元短路；微型安全解保單元的一對解保控制電極通過引腳框架的兩個解?？刂埔_分別連接至自毀決策芯片的解保控制端和地端；封裝外殼將貼裝在引腳框架上表面的微型發(fā)火芯片封裝，并露出引腳。自毀決策芯片包括:數(shù)據(jù)通信單元、邏輯判斷單元、存儲單元、電源和輸出控制單元；其中，數(shù)據(jù)通信單元、邏輯判斷單元、存儲單元和輸出控制單元分別連接至電源；上位機(jī)或傳感器通過數(shù)據(jù)總線經(jīng)引腳框架的引腳連接至數(shù)據(jù)通信單元；數(shù)據(jù)通信單元接收來自上位機(jī)或傳感器的信息，并將這些信息發(fā)送至邏輯判斷單元；邏輯判斷單元接收信息，并根據(jù)存儲在存儲單元中的指令判斷當(dāng)前時刻是否需要執(zhí)行自毀，若不需要，則無動作，若需要則邏輯判斷單元向輸出控制單元先后發(fā)送解除保險指令和自毀指令；輸出控制單元接收來自邏輯判斷單元的解除保險指令和自毀指令，并分別通過解?？刂贫撕桶l(fā)火控制端，控制微型發(fā)火芯片的微型安全解保單元斷開解除保險，以及控制微型換能元發(fā)熱以執(zhí)行自毀。電源與所有自毀決策芯片內(nèi)的單元連接，用于向其提供能量，電源與封裝體的引腳框架連接用于接收來自微系統(tǒng)外部的能量。輸出控制單元與微型發(fā)火芯片的連接端包括發(fā)火控制端、解?？刂贫撕偷囟耍晃⑿桶踩獗卧囊粚獗？刂齐姌O分別連接輸出控制單元的解保控制端和地端；微型換能元的一對發(fā)火電極分別連接輸出控制單元的發(fā)火控制端和地端。
[0032]在本實施例中，封裝體內(nèi)封裝有微型發(fā)火芯片和自毀決策芯片；封裝體設(shè)置有通孔，通孔中填充有含能藥劑；存儲芯片單獨封裝后，安裝在封裝體的外部并且被含能藥劑覆蓋，實現(xiàn)板級集成。
[0033]實施例二
[0034]如圖2所示，在本實施例中，封裝體內(nèi)封裝有存儲芯片、微型發(fā)火芯片和自毀決策芯片；封裝體設(shè)置有通孔，通孔中設(shè)置有含能藥劑，含能藥劑覆蓋存儲芯片、微型發(fā)火芯片，實現(xiàn)封裝級集成。存儲芯片上的各個焊盤分別連接至引腳框架上相對應(yīng)的存儲引腳。其他同實施例一。
[0035]如圖3所示，存儲芯片200、微型發(fā)火芯片貼300裝在引腳框架100的上表面；微型發(fā)火芯片300包括微型換能元310和微型安全解保單元320，微型換能元310的一對發(fā)火電極311與微型安全解保單元的一對安全控制電極263并聯(lián)，并通過引腳框架的兩個發(fā)火引腳102分別連接至自毀決策芯片的發(fā)火控制端和地端；微型安全解保單元的一對解?？刂齐姌O264通過引腳框架的兩個解?？刂埔_103分別連接至自毀決策芯片的解保控制端和地端；存儲芯片200的各個焊盤201逐一連接到引腳框架100的各個存儲引腳101上。微型換能元310可采用電火工品。電火工品包括兩個發(fā)火電極311和作用區(qū)域，兩個發(fā)火電極311分別位于作用區(qū)域的兩端。微型安全解保單元320采用固態(tài)電子開關(guān)。
[0036]固態(tài)電子開關(guān)的電極引出的一個【具體實施方式】如圖4所不，固態(tài)電子開關(guān)包括:電子開關(guān)襯底21、控制橋22、絕緣層23、導(dǎo)線橋24、鈍化層25、金屬互聯(lián)27、一對控制橋電極焊盤264和一對導(dǎo)線橋電極焊盤263 ;其中，控制橋22形成在襯底21上，包括一對控制橋電極221，以及連接二者的作用區(qū)222 ;絕緣層23覆蓋在控制橋22上；絕緣層23上與控制橋22的一對控制橋電極221正對的位置設(shè)置有多個通孔231，形成通孔陣列；導(dǎo)線橋24形成在絕緣層23上，包括一對導(dǎo)線橋電極241，以及連接二者的作用區(qū)242 ;控制橋22和導(dǎo)線橋24的形狀均為對稱圖形，二者的對稱軸互相垂直，相交于中心，一對導(dǎo)線橋電極241與一對控制橋電極221不重疊，導(dǎo)線橋的作用區(qū)242覆蓋控制橋的作用區(qū)222的作用區(qū)；鈍化層25形成在導(dǎo)線橋24上；在鈍化層25中，分別與一對控制橋電極和一對導(dǎo)線橋電極相對的地方設(shè)置有焊盤通孔，一對控制橋電極焊盤和一對導(dǎo)線橋電極焊盤分別通過焊盤通孔嵌入鈍化層25 ;金屬互聯(lián)27通過絕緣層上的通孔陣列，將一對控制橋電極221分別與一對控制橋電極焊盤264電學(xué)互聯(lián)，并作為一對解?？刂齐姌O264引出；一對導(dǎo)線橋電極241分別與一對導(dǎo)線橋電極焊盤263相接觸形成電學(xué)互聯(lián)，并作為一對安全控制電極263引出。由于一對安全控制電極并聯(lián)在微型換能元的一對發(fā)火電極上，因此在安全狀態(tài)下，連通的導(dǎo)線橋24將微型換能元310短路；在不安全狀態(tài)下需要解除保險時，控制橋22發(fā)生電爆，引起覆蓋在其上的導(dǎo)線橋24斷開，微型換能元310接入發(fā)火控制端。本實施