技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及一種金剛線切割的晶體硅的清洗方法，所述方法包括如下步驟：(1)預(yù)清洗；(2)試劑清洗；(3)漂洗；(4)烘干；沿工序步驟，所述方法的處理溫度逐步升高；步驟(4)的烘干溫度≤65℃；每個工藝單元均各包括一個清洗槽；步驟(1)的第一次預(yù)清洗工藝單元的清洗槽溫度較烘干溫度低30～35℃；所述相鄰兩個清洗槽的溫度差值≤10℃；所述晶體硅片在每個清洗槽中的浸泡時間≤210s。本發(fā)明選用合適的清洗工藝、清洗槽溫度和浸泡時間，獲得了適合于金剛石線切割的晶體硅片的清洗方法，所述方法能夠有效清洗晶體硅片，同時降低崩邊率，降低破片率，降低制程損耗，還能夠縮短工藝時間。

技術(shù)研發(fā)人員：王珊珊;李飛龍;邢國強
受保護的技術(shù)使用者：蘇州阿特斯陽光電力科技有限公司;阿特斯光伏電力（洛陽）有限公司
文檔號碼：201611206206
技術(shù)研發(fā)日：2016.12.23
技術(shù)公布日：2017.05.31