1.一種金剛線切割的晶體硅的清洗方法，其特征在于，所述方法包括如下步驟：
(1)預(yù)清洗：將所述晶體硅片進(jìn)行至少一次預(yù)清洗工藝單元；
(2)試劑清洗：將步驟(1)得到的晶體硅片進(jìn)行至少一次試劑清洗單元；
(3)漂洗：將步驟(2)得到的晶體硅片進(jìn)行至少一次漂洗工藝單元；
(4)烘干：將步驟(3)的晶體硅片烘干；
沿工序步驟，所述方法的處理溫度逐步升高；
步驟(4)的烘干溫度≤65℃；
每個(gè)工藝單元均各包括一個(gè)清洗槽；
步驟(1)的第一次預(yù)清洗工藝單元的清洗槽溫度較烘干溫度低30～35℃；
所述相鄰兩個(gè)清洗槽的溫度差值≤10℃；
所述晶體硅片在每個(gè)清洗槽中的浸泡時(shí)間≤210s。
2.如權(quán)利要求1所述的清洗方法，其特征在于，在步驟(1)之前進(jìn)行步驟(1’)
將脫膠后的晶體硅片插片在花籃中，形成工裝件，以工裝件的形式進(jìn)行后續(xù)清洗；
優(yōu)選地，所述鑄錠切片插片過(guò)程中，采用平行于所述晶體硅片切割線紋方向的力進(jìn)行剝離；
優(yōu)選地，所述鑄錠切片的剝離過(guò)程包括：將鑄錠切片置于裝有純凈水的剝離槽中，所述剝離槽相對(duì)的兩壁分別設(shè)置有第一出氣管和第二出氣管，用于給予鑄錠切片平行于切割線紋方向的力，使晶體硅片剝離；所述剝離槽頂部設(shè)有吸水管，用于對(duì)水流造成擾動(dòng)，并抬起硅片。
3.如權(quán)利要求1或2所述的清洗方法，其特征在于，步驟(2)試劑清洗包括至少一個(gè)堿試劑清洗工藝單元；
優(yōu)選地，步驟(2)試劑清洗時(shí)，在進(jìn)行堿試劑清洗之前先進(jìn)行酸試劑清洗；
優(yōu)選地，步驟(2)試劑清洗時(shí)，在酸試劑清洗后，進(jìn)行水清洗，之后再進(jìn)行堿試劑清洗；
優(yōu)選地，步驟(2)試劑清洗包括順次連接的一個(gè)酸試劑清洗工藝單元、一個(gè)水清洗工藝單元、兩個(gè)堿試劑清洗工藝單元。
4.如權(quán)利要求3所述的清洗方法，其特征在于，所述酸試劑清洗工藝單元的清洗槽中添加有酸清洗劑；
優(yōu)選地，所述酸清洗劑包括檸檬酸；
優(yōu)選地，所述酸試劑清洗工藝單元的清洗槽中添加有4.5～5.5wt％的檸檬酸。
5.如權(quán)利要求3所述的清洗方法，其特征在于，所述堿試劑清洗工藝單元的清洗槽中添加有堿清洗劑；
優(yōu)選地，所述堿清洗劑包括堿性硅片清洗劑；
優(yōu)選地，所述堿試劑清洗工藝單元的清洗槽中添加有4.5～5.5wt％的堿性硅片清洗劑。
6.如權(quán)利要求1～5之一所述的清洗方法，其特征在于，所述方法的工藝單元中均使用電阻率＞12Ω·m的水；
優(yōu)選地，步驟(3)所述漂洗包括4個(gè)漂洗單元；
所述相鄰兩個(gè)清洗槽的溫度差值≤5℃。
7.如權(quán)利要求1～6之一所述的清洗方法，其特征在于，所述方法包括如下步驟：
(1’)將鑄錠切片以水平力剝離晶體硅片，并進(jìn)行插片，得到包括晶體硅片的工裝件；
(1)將步驟(1’)的包括晶體硅片的工裝件置于裝有純凈水的第一洗槽中，在35℃下，進(jìn)行第一次預(yù)清洗；
(2a)將步驟(1)的包括晶體硅片的工裝件置于裝有酸清洗劑的第二洗槽中，在35℃下，進(jìn)行酸清洗；
(2b)將步驟(2a)的包括晶體硅片的工裝件置于裝有純凈水的第三洗槽中，在40℃下，進(jìn)行水清洗；
(2c)將步驟(2b)的包括晶體硅片的工裝件置于裝有清洗劑的第四洗槽中，在50℃下，進(jìn)行第一次堿清洗；
(2d)將步驟(2c)的包括晶體硅片的工裝件置于裝有清洗劑的第五洗槽中，在50℃下，進(jìn)行第二次堿清洗；
(3a)將步驟(2b)的包括晶體硅片的工裝件置于裝有純凈水的第六洗槽中，在55℃下，進(jìn)行第一次漂洗；
(3b)將步驟(3a)的包括晶體硅片的工裝件置于裝有純凈水的第六洗槽中，在60℃下，進(jìn)行第二次漂洗；
(3c)將步驟(3b)的包括晶體硅片的工裝件置于裝有純凈水的第六洗槽中，在65℃下，進(jìn)行第三次漂洗；
(3d)將步驟(3c)的包括晶體硅片的工裝件置于裝有純凈水的第六洗槽中，在65℃下，進(jìn)行第四次漂洗；
(4)將步驟(3d)的包括晶體硅片的工裝件置在65℃下烘干。
8.如權(quán)利要求1～7之一所述的清洗方法，其特征在于，所述切割晶體硅的金剛線包括母線和固定在所述母線上的金剛石顆粒；
優(yōu)選地，所述每個(gè)所述預(yù)清洗工藝單元、清洗劑清洗單元和漂洗工藝單元中的清洗槽均為鼓泡輔助清洗，優(yōu)選采用超聲輔助清洗，進(jìn)一步優(yōu)選超聲功率4000kW的超聲輔助清洗；
優(yōu)選地，當(dāng)所述清洗槽采用超聲輔助清洗時(shí)，震板位于清洗槽底部。
9.如權(quán)利要求1～8之一所述的清洗方法，其特征在于，步驟(1)所用水采用步驟(3)的溢流水。
10.如權(quán)利要求1～8之一所述的清洗方法，其特征在于，所述工裝件在清洗槽清洗完畢后，提拉所在的清洗槽，并轉(zhuǎn)移至下一工藝單元的清洗槽。