專利名稱：集成電路黑陶瓷低溫玻璃外殼引線連接框架的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種集成電路黑陶瓷低溫玻璃外殼引線連接框架。
技術(shù)背景目前，由于電子工業(yè)的發(fā)展及軍工生產(chǎn)的需要，集成電路黑陶瓷低溫玻璃外殼引線連接框架(俗稱引線框架)的需要量成倍增長(zhǎng)。過(guò)去，引線框架的加工國(guó)內(nèi)大都采用機(jī)械壓延的辦法(如圖1)，先在鐵鎳合金片上復(fù)合一層薄鋁層，然后再?zèng)_制成具有引線的成品，以便于內(nèi)引線超聲壓焊之用，其存在的主要缺點(diǎn)一是浪費(fèi)材料，生產(chǎn)成本高；二是薄鋁層容易脫落，從而影響產(chǎn)品的質(zhì)量；三是如果全部依賴進(jìn)口，因其價(jià)格成十倍上漲而增加成本；四是有的品種根本沒(méi)有。

發(fā)明內(nèi)容
本實(shí)用新型的目的在于提供一種集成電路黑陶瓷低溫玻璃外殼引線連接框架，不僅有利于集成電路元器件的焊接，而且生產(chǎn)成本低，有利于提高產(chǎn)品的質(zhì)量。
本實(shí)用新型的集成電路黑陶瓷低溫玻璃外殼引線連接框架，包括沖制成型的鐵鎳合金片，其特征在于該鐵鎳合金片中間部位具有凸起平面，所述的凸起平面上設(shè)有真空鍍鋁層以利其與集成芯片超聲壓焊。
本實(shí)用新型的集成電路黑陶瓷低溫玻璃外殼引線連接框架是采用高壓轟擊和真空鍍膜相結(jié)合的辦法，在鐵鎳合金片凸起的平面上真空鍍上一層鋁膜，同時(shí)利用增加蒸鋁量解決鍍層厚度問(wèn)題。
較之已有的技術(shù)，本實(shí)用新型具有以下顯著的優(yōu)點(diǎn)一是通過(guò)真空鍍鋁的方法，節(jié)省了材料，降低了生產(chǎn)成本；二是利用增加蒸鋁量解決鍍層厚度問(wèn)題，利用高壓轟擊的辦法解決鍍層結(jié)合性的問(wèn)題，并通過(guò)改進(jìn)工模夾具的辦法，提高了產(chǎn)品尺寸的質(zhì)量精度及其工作效率；三是采用真空鍍鋁的方法，使得鋁層結(jié)合牢固，不易氧化，從而保證了產(chǎn)品的質(zhì)量，增強(qiáng)產(chǎn)品的使用壽命。


圖1是傳統(tǒng)方法機(jī)械復(fù)鋁的工藝示意圖。
圖2是本實(shí)用新型真空鍍鋁工藝示意圖。
圖3是本實(shí)用新型實(shí)施例的構(gòu)造示意圖。
圖4是圖3的A-A剖面示意圖。
其中，1是軋輥、2是0.02mm的鋁膜、3是0.25mm鐵鎳合金帶、4是純鋁絲、5是真空鍍鋁、6是上為遮擋的夾具、7是無(wú)遮擋處引線表面真空鍍上鋁層、8是下為已沖好的引線框架。
具體實(shí)施方式
本實(shí)施例是這樣實(shí)現(xiàn)的集成電路黑陶瓷低溫玻璃外殼引線連接框架9，包括沖制成型的鐵鎳合金片11，其特征在于該鐵鎳合金片中部具有凸起平面10，所述的凸起平面10上設(shè)有真空鍍鋁層12以利其與集成芯片超聲壓焊。其中，所述的鍍鋁層12為0.01～0.05mm。
本實(shí)用新型構(gòu)造簡(jiǎn)單、使用方便，采用鍍鋁的方法，使得鋁層結(jié)合牢固，不易脫落，且降低了生產(chǎn)成本，具有較大的應(yīng)用推廣價(jià)值。
權(quán)利要求1.一種集成電路黑陶瓷低溫玻璃外殼引線連接框架，包括沖制成型的鐵鎳合金片，其特征在于該鐵鎳合金片中間部位具有凸起平面，所述的凸起平面上設(shè)有真空鍍鋁層以利其與集成芯片超聲壓焊。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路黑陶瓷低溫玻璃外殼引線連接框架，其特征在于所述的鍍鋁層為0.01～0.05mm。
專利摘要本實(shí)用新型涉及的一種集成電路黑陶瓷低溫玻璃外殼引線連接框架，包括沖制成型的鐵鎳合金片，其特征在于該鐵鎳合金片中間部位具有凸起平面，所述的凸起平面上設(shè)有真空鍍鋁層以利其與集成芯片壓焊。本實(shí)用新型構(gòu)造簡(jiǎn)單、使用方便，采用鍍鋁的方法，使得鋁層結(jié)合牢固，不易脫落，且降低了生產(chǎn)成本。
文檔編號(hào)H01L23/495GK2838045SQ200520086380
公開(kāi)日2006年11月15日 申請(qǐng)日期2005年8月17日 優(yōu)先權(quán)日2005年8月17日
發(fā)明者寧利華 申請(qǐng)人:寧利華