專(zhuān)利名稱(chēng)：激光加工方法和激光加工裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及對(duì)例如半導(dǎo)體晶片等工件照射激光光線(xiàn)來(lái)實(shí)施槽加工或切斷加工等
的激光加工技術(shù)，特別是涉及在保持于旋轉(zhuǎn)工作臺(tái)的工件的加工面上涂布水溶性樹(shù)脂、并 且將涂布的樹(shù)脂除去的技術(shù)。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體器件的制造工序中，在大致圓板狀的半導(dǎo)體晶片的表面上，由呈 格子狀地排列的分割預(yù)定線(xiàn)劃分出大量的矩形的芯片區(qū)域，在這些芯片區(qū)域內(nèi)形成 IC(integrated circuit :集成電路)或LSI (large-scaleintegration :大規(guī)模集成電路) 等電路，然后，在對(duì)晶片進(jìn)行背面磨削等必要的處理之后，將晶片沿著分割預(yù)定線(xiàn)切斷來(lái)進(jìn) 行分割、即進(jìn)行切割，從而使各芯片區(qū)域作為半導(dǎo)體芯片而獲得。這樣得到的半導(dǎo)體芯片被 樹(shù)脂封閉件封裝起來(lái)，從而廣泛應(yīng)用于移動(dòng)電話(huà)或PC(個(gè)人計(jì)算機(jī))等各種電氣和電子設(shè) 備。 作為將晶片切割成半導(dǎo)體芯片的方法，一般有使高速旋轉(zhuǎn)的薄的圓板狀切削刀具 切入晶片內(nèi)的刀具切割。另一方面，近年來(lái)，也嘗試了如下所述的激光切割沿分割預(yù)定線(xiàn) 照射具有透射性的激光光線(xiàn)，在使晶片熔融的同時(shí)實(shí)施槽加工或切斷加工來(lái)進(jìn)行切割(參 照專(zhuān)利文獻(xiàn)1)。但是在激光切割的情況下，會(huì)產(chǎn)生如下問(wèn)題在激光光線(xiàn)照射時(shí)，被稱(chēng)為碎 屑(debris)的作為蒸發(fā)成分的飛沫附著在晶片的加工面上，從而使品質(zhì)降低。因此，本申 請(qǐng)人提出了如下技術(shù)在利用水溶性樹(shù)脂在晶片的加工面上形成了保護(hù)膜的狀態(tài)下對(duì)該加 工面照射激光光線(xiàn)，由此碎屑附著在樹(shù)脂上而不會(huì)直接附著在晶片表面，從而能夠確保品 質(zhì)(參照專(zhuān)利文獻(xiàn)2)。 專(zhuān)利文獻(xiàn)1 :日本特開(kāi)平10-305420號(hào)公報(bào)
專(zhuān)利文獻(xiàn)2 :日本特開(kāi)2004-188475號(hào)公報(bào) 在上述專(zhuān)利文獻(xiàn)2所記載的技術(shù)中，有效地防止了碎屑在激光加工時(shí)附著在晶片 上，但是需要在激光加工前后附加通過(guò)樹(shù)脂涂布來(lái)形成保護(hù)膜、和除去保護(hù)膜這兩個(gè)新的 工序。然而，在如今的半導(dǎo)體器件制造領(lǐng)域中，為了滿(mǎn)足大批量生產(chǎn)的要求，制造速度的進(jìn) 一步高速化與品質(zhì)都被認(rèn)為是很重要的。因此，由于激光加工前后的這兩個(gè)工序的附加不 利于提高制造速度，所以要謀求改良對(duì)策。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于上述情況而完成的，其目的在于提供一種激光加工方法和激光加工 裝置，該激光加工方法和激光加工裝置能夠縮短用于防止上述碎屑造成的不良影響的激光 加工前的保護(hù)膜形成工序以及激光加工后的保護(hù)膜除去工序所需的時(shí)間，從而在確保品質(zhì) 的同時(shí)也實(shí)現(xiàn)制造速度的高速化。 本發(fā)明的激光加工方法包括以下工序樹(shù)脂涂布工序，在該樹(shù)脂涂布工序中，在工 件的加工面上涂布液態(tài)的水溶性樹(shù)脂；激光加工工序，在該激光加工工序中，對(duì)工件的加工面照射激光光線(xiàn)來(lái)實(shí)施激光加工；以及清洗工序，在該清洗工序中，對(duì)實(shí)施過(guò)激光加工的工 件進(jìn)行清洗，上述激光加工方法的特征在于，樹(shù)脂涂布工序包括旋轉(zhuǎn)涂布工序，在該旋轉(zhuǎn) 涂布工序中，利用旋轉(zhuǎn)涂布法在工件的加工面上涂布水溶性樹(shù)脂；和樹(shù)脂干燥工序，在該樹(shù) 脂干燥工序中，向涂布好的上述水溶性樹(shù)脂供給暖風(fēng)以使該水溶性樹(shù)脂干燥，清洗工序包 括樹(shù)脂除去工序，向涂布在工件上的水溶性樹(shù)脂供給溫水來(lái)除去該水溶性樹(shù)脂；和工件 干燥工序，向除去了水溶性樹(shù)脂的工件供給暖風(fēng)以使該工件干燥。 根據(jù)本發(fā)明的激光加工方法，在激光加工工序前的樹(shù)脂涂布工序中，通過(guò)向利用
旋轉(zhuǎn)涂布法涂布在工件的加工面上的水溶性樹(shù)脂供給暖風(fēng)，與放置于常溫下進(jìn)行自然硬化
的情況相比，促進(jìn)了該水溶性樹(shù)脂的硬化，能夠使該水溶性樹(shù)脂更快地硬化。硬化后的水溶
性樹(shù)脂作為保護(hù)膜形成在工件的加工面上，在激光加工工序中，即使產(chǎn)生了上述碎屑，該碎
屑也是附著在該保護(hù)膜上而不會(huì)直接附著在工件的加工面上，從而確保了品質(zhì)。 另外，在激光加工工序后的清洗工序中，通過(guò)向水溶性樹(shù)脂(保護(hù)膜)供給溫水來(lái)
將該水溶性樹(shù)脂沖走進(jìn)行除去，而通過(guò)使用溫水，與使用常溫的水的情況相比促進(jìn)了該水
溶性樹(shù)脂的融解，從而能夠更快地將該水溶性樹(shù)脂沖走。另外，在此后的干燥工序中，由于
供給暖風(fēng)以使工件干燥，所以能夠使工件更快地干燥。這樣，在本發(fā)明中，由于涂布在工件
上的水溶性樹(shù)脂的干燥、和將該樹(shù)脂從工件上除去后的工件的干燥都利用暖風(fēng)來(lái)進(jìn)行，并
且，使用溫水作為將該樹(shù)脂從工件上除去時(shí)的清洗液，所以與使用常溫的水和空氣的情況
相比，能夠使各個(gè)工序所需的時(shí)間縮短，有利于制造速度的高速化。 接下來(lái)，本發(fā)明的激光加工裝置是正好能夠?qū)嵤┥鲜黾す饧庸し椒ǖ募す饧庸ぱb 置，其包括保持工件的保持單元；激光加工單元，其對(duì)保持于該保持單元的工件照射激光 光線(xiàn)來(lái)實(shí)施激光加工；以及旋轉(zhuǎn)裝置，其具有旋轉(zhuǎn)工作臺(tái)、樹(shù)脂供給單元、清洗液供給單元 和空氣供給單元，上述旋轉(zhuǎn)工作臺(tái)保持工件并進(jìn)行旋轉(zhuǎn)，上述樹(shù)脂供給單元向保持在該旋 轉(zhuǎn)工作臺(tái)上的激光加工前的工件的加工面供給液態(tài)的水溶性樹(shù)脂，上述清洗液供給單元向 保持在旋轉(zhuǎn)工作臺(tái)上的激光加工后的工件的加工面供給清洗液，上述空氣供給單元向保持 在旋轉(zhuǎn)工作臺(tái)上的工件的加工面供給空氣，上述激光加工裝置的特征在于，樹(shù)脂供給單元 具有樹(shù)脂源，其用于供給水溶性樹(shù)脂；和第一噴嘴，其向保持在旋轉(zhuǎn)工作臺(tái)上的工件的加 工面供給從樹(shù)脂源輸送來(lái)的水溶性樹(shù)脂，清洗液供給單元具有水源，其用于供給清洗液； 第一熱源，其對(duì)從該水源輸送來(lái)的清洗液進(jìn)行加熱使其成為溫水；以及第二噴嘴，其向保 持在旋轉(zhuǎn)工作臺(tái)上的工件供給溫水，空氣供給單元具有空氣源，其用于供給空氣；第二熱 源，其對(duì)從該空氣源輸送來(lái)的空氣進(jìn)行加熱使其成為暖風(fēng)；以及第三噴嘴，其向保持在旋轉(zhuǎn) 工作臺(tái)上的工件供給暖風(fēng)。 在本發(fā)明的激光加工裝置中，包括上述第一熱源和第二熱源為統(tǒng)同一熱源的形 態(tài)。根據(jù)該形態(tài)，通過(guò)共享熱源，能夠節(jié)省空間和降低成本。 此外，本發(fā)明的激光加工裝置包括如下形態(tài)上述第二噴嘴具有使被上述第一熱 源加熱而形成的溫水與氣體混合的混合機(jī)構(gòu)。在該形態(tài)中，能夠噴出由溫水和氣體混合而 成的霧來(lái)除去供給至工件的加工面上的水溶性樹(shù)脂，從而利用該霧促進(jìn)了清洗效果。此外， 作為該情況下與溫水混合的氣體，如果使用被上述第二熱源加熱而形成的暖風(fēng)，則能夠使 結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)化，因而是優(yōu)選的。 另外，在本發(fā)明的激光加工裝置中，在上述第一熱源和第二熱源被隔熱件覆蓋的形態(tài)中，能夠抑制熱向裝置周?chē)尫?，并且能夠防止熱?duì)該裝置的其它部分產(chǎn)生影響。此 外，還具有以下優(yōu)點(diǎn)抑制了第一熱源和第二熱源的熱損失從而實(shí)現(xiàn)了節(jié)能化，并且不易受 到來(lái)自外部的溫度變化的影響從而確保了溫度設(shè)定的精度。 另外，本發(fā)明所說(shuō)的工件并沒(méi)有特別進(jìn)行限定，例如可列舉出硅晶片等半導(dǎo)體晶 片、為了芯片安裝用而設(shè)置在晶片背面的DAF(Die AttachFilm:芯片貼膜)等粘接部件、或
者半導(dǎo)體產(chǎn)品的封裝體、陶瓷、玻璃、藍(lán)寶石或硅類(lèi)的基板、各種電子部件、對(duì)液晶顯示裝置 進(jìn)行控制驅(qū)動(dòng)的LCD (Liquid Crystal Display :液晶顯示器)驅(qū)動(dòng)器等各種驅(qū)動(dòng)器、以及
要求精密級(jí)精度的各種加工材料等。 根據(jù)本發(fā)明，當(dāng)在激光加工前在工件的加工面上涂布水溶性樹(shù)脂來(lái)形成保護(hù)膜 時(shí)，向該樹(shù)脂供給暖風(fēng)以使其硬化，當(dāng)在激光加工后清洗樹(shù)脂時(shí)，利用溫水使該樹(shù)脂融解， 然后利用暖風(fēng)使工件干燥，因此，能夠縮短這些工序所需的時(shí)間，其結(jié)果為具有如下效果 在防止上述碎屑的附著從而確保品質(zhì)的同時(shí)，能夠?qū)崿F(xiàn)制造速度的高速化。


圖1是本發(fā)明的實(shí)施方式所述的激光加工裝置的整體立體圖。
圖2是激光加工裝置的背面?zhèn)鹊恼w立體圖。 圖3是表示在實(shí)施方式中實(shí)施激光加工的半導(dǎo)體晶片經(jīng)粘接帶保持在框架上的 狀態(tài)的立體圖。 圖4是表示激光加工裝置所具有的第一實(shí)施方式的旋轉(zhuǎn)裝置的立體圖。 圖5是表示利用激光加工裝置實(shí)施的激光加工的動(dòng)作過(guò)程的流程圖。 圖6是按照(a) (c)的順序表示在晶片表面上旋轉(zhuǎn)涂布樹(shù)脂的動(dòng)作的側(cè)視圖。 圖7是表示第二實(shí)施方式的旋轉(zhuǎn)裝置的立體圖。 圖8是表示第三實(shí)施方式的旋轉(zhuǎn)裝置的立體圖。 標(biāo)號(hào)說(shuō)明 l:晶片(工件)；10:激光加工裝置；19:激光加工單元；20:卡盤(pán)工作臺(tái)(保持 單元)；60A、60B、60C :旋轉(zhuǎn)裝置；70 :旋轉(zhuǎn)工作臺(tái)；81 :第一噴嘴；82 :第二噴嘴；83 :第三噴 嘴；84 :樹(shù)脂源；85 :水源；86 :空氣源；87 :樹(shù)脂供給單元；88 :清洗液供給單元；89 :空氣供 給單元；91 :第一熱源；91A :同一熱源92 :第二熱源95 :殼體(隔熱件)；P :水溶性樹(shù)脂。
具體實(shí)施例方式
下面，參照附圖對(duì)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。 圖1表示一個(gè)實(shí)施方式的激光加工裝置10的整體，圖2表示背面?zhèn)?。該裝置10 是以圖3所示的半導(dǎo)體晶片(以下，簡(jiǎn)稱(chēng)為晶片)1作為工件、通過(guò)自動(dòng)控制來(lái)對(duì)晶片1進(jìn)
行切割的激光切割裝置。
(1)晶片 利用圖3先對(duì)晶片l進(jìn)行說(shuō)明，該晶片l是由硅等單晶材料構(gòu)成的圓板狀的晶片， 在晶片l外周部的一部分上，作為表示結(jié)晶方位的標(biāo)記形成有定向平坦部(orientation flat)la。在晶片1的表面(加工面)上，利用呈格子狀地形成的分割預(yù)定線(xiàn)2劃分出大量 的矩形的芯片3。在各芯片3的表面上，形成有未圖示的IC或LSI等電路。關(guān)于晶片l，利
5用激光加工裝置10對(duì)所有的分割預(yù)定線(xiàn)2進(jìn)行激光加工，從而晶片1被切割成一個(gè)個(gè)芯片 3。另外，該情況下的切割除了在厚度方向上完全貫穿地進(jìn)行切斷的完全切削之外，還包括 形成到達(dá)厚度中途的預(yù)定深度的槽的槽加工。關(guān)于進(jìn)行了槽加工的情況下的晶片，通過(guò)在 后續(xù)工序中進(jìn)一步對(duì)槽的剩余厚度部分進(jìn)行完全切削、或者附加應(yīng)力進(jìn)行斷裂，而被切割 成大量的芯片3。 在將晶片1供給到激光加工裝置10時(shí)，如圖3所示，晶片1處于經(jīng)粘接帶5支撐 在環(huán)狀的框架4內(nèi)側(cè)的狀態(tài)?？蚣?是由金屬等的板材構(gòu)成的具有剛性的框架。粘接帶5 是單面形成為粘接面的粘接帶，在該粘接面上粘貼有框架4和晶片1。經(jīng)粘接帶5支撐有晶 片1的框架4(以下，稱(chēng)為帶晶片框架6)在晶片l朝向上側(cè)的狀態(tài)下收納在圖l所示的晶 片收納用的盒9內(nèi)。在盒9中，水平地且在上下方向?qū)盈B起來(lái)地收納有大量的帶晶片框架 6。 (2)激光加工裝置
(2-1)整體結(jié)構(gòu) 圖1和圖2中的標(biāo)號(hào)11是機(jī)殼。在該機(jī)殼11的內(nèi)部配設(shè)有激光加工單元19。作 為激光加工單元19，采用具有如下結(jié)構(gòu)的激光加工單元等利用透鏡使由YAG激光振蕩器 或YV04激光振蕩器等激光振蕩器振蕩出的激光會(huì)聚并進(jìn)行照射。另外，在圖l和圖2中， 圖示出作為激光加工單元19的一部分的、向下方照射激光光線(xiàn)的激光頭。
在機(jī)殼11的Y方向的一端側(cè)(圖1中的近前側(cè))設(shè)置有觸摸屏式的操作顯示盤(pán) 12，利用該操作顯示盤(pán)12來(lái)進(jìn)行與激光加工的自動(dòng)運(yùn)轉(zhuǎn)有關(guān)的各種設(shè)定等。此外，在操作 顯示盤(pán)12上，還附加有顯示內(nèi)部的運(yùn)轉(zhuǎn)狀況的功能等。在機(jī)殼11的位于操作顯示盤(pán)12上 方的頂板上，安裝有顯示運(yùn)轉(zhuǎn)狀態(tài)或發(fā)出警告的顯示燈13。 在機(jī)殼11的側(cè)面lla側(cè)并列設(shè)置有基座14。該基座14上的中央設(shè)定在相對(duì)于圓 板狀的卡盤(pán)工作臺(tái)(保持單元)20對(duì)晶片1進(jìn)行裝卸的晶片裝卸位置。卡盤(pán)工作臺(tái)20沿X 方向在基座14上的晶片裝卸位置與機(jī)殼11內(nèi)的利用激光加工單元19進(jìn)行加工的加工位 置之間往復(fù)移動(dòng)。圖2所示的卡盤(pán)工作臺(tái)20定位在加工位置。在晶片裝卸位置的圖l中 的Y方向近前側(cè)配設(shè)有盒支座15，在作為相反側(cè)的Y方向深處側(cè)配設(shè)有本發(fā)明所涉及的旋 轉(zhuǎn)裝置60A。 收納有大量的帶晶片框架6的上述盒9放置在盒支座15上。盒支座15是能夠 升降的升降機(jī)式盒支座，盒內(nèi)的一個(gè)帶晶片框架6通過(guò)升降而被定位在固定高度的拉出位置。 將放置在盒支座15上的盒9內(nèi)的帶晶片框架6從上述拉出位置移至卡盤(pán)工作臺(tái) 20上進(jìn)行保持?？ūP(pán)工作臺(tái)20是一般公知的真空卡盤(pán)式的工作臺(tái)，該卡盤(pán)工作臺(tái)20以能 夠以Z方向(上下方向)為旋轉(zhuǎn)軸自由旋轉(zhuǎn)的方式支撐在矩形的基座工作臺(tái)21上，并通過(guò) 配設(shè)在基座工作臺(tái)21內(nèi)的未圖示的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)而向一個(gè)方向或兩個(gè)方向旋轉(zhuǎn)。
從基座14上的晶片裝卸位置直到機(jī)殼11內(nèi)的利用激光加工單元19進(jìn)行加工的 加工位置，設(shè)置有沿X方向延伸的矩形的凹部16來(lái)作為基座工作臺(tái)21的移動(dòng)空間?；?工作臺(tái)21通過(guò)設(shè)置于凹部16底面的未圖示的往復(fù)移動(dòng)單元而在X方向上往復(fù)移動(dòng)，于是 卡盤(pán)工作臺(tái)20與基座工作臺(tái)21 —起在X方向上往復(fù)移動(dòng)。在基座工作臺(tái)21的X方向的 兩端部分別安裝有波紋狀的罩17。這些罩17是用于防止塵埃等落入到凹部16內(nèi)的部件，它們跟隨基座工作臺(tái)21的移動(dòng)而伸縮。 在卡盤(pán)工作臺(tái)20上連接有未圖示的真空裝置，當(dāng)該真空裝置運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)，卡盤(pán)工作臺(tái) 20上方的空氣被抽吸，通過(guò)該空氣抽吸作用，晶片1被吸附到卡盤(pán)工作臺(tái)20的上表面上進(jìn) 行保持。卡盤(pán)工作臺(tái)20的外徑與晶片1大致相等，晶片1整體與卡盤(pán)工作臺(tái)20的上表面 緊密接觸并保持為同心狀。此外，利用安裝在卡盤(pán)工作臺(tái)20的外周面上的多個(gè)夾緊器22 把持晶片1周?chē)目蚣?來(lái)保持框架4。這些夾緊器22以使框架4能夠裝卸的方式把持該 框架4，在沿著X方向和Y方向的位置總共配設(shè)有四個(gè)夾緊器22。 上述旋轉(zhuǎn)裝置60A具有保持帶晶片框架6的旋轉(zhuǎn)工作臺(tái)70。旋轉(zhuǎn)工作臺(tái)70是與
上述卡盤(pán)工作臺(tái)20—樣的真空卡盤(pán)式的工作臺(tái)，其利用空氣抽吸作用將帶晶片框架6吸附
在上表面上進(jìn)行保持。在旋轉(zhuǎn)裝置60A中進(jìn)行以下工序在激光加工前在晶片1的作為加
工面的表面上涂布水溶性樹(shù)脂的樹(shù)脂涂布工序；以及對(duì)激光加工后的晶片1進(jìn)行清洗的清
洗工序。關(guān)于該旋轉(zhuǎn)裝置60A，將在后面進(jìn)行詳細(xì)敘述。 接下來(lái)，利用圖1對(duì)搬送帶晶片框架6的搬送系統(tǒng)進(jìn)行說(shuō)明。 關(guān)于收納在上述盒9內(nèi)、并通過(guò)盒支座15的升降動(dòng)作而定位在上述拉出位置的一 個(gè)帶晶片框架6，利用把持機(jī)構(gòu)30將該帶晶片框架6向Y方向深處側(cè)水平地拉出，并利用配 設(shè)在晶片裝卸位置上方的沿Y方向延伸的一對(duì)定位桿35支承該帶晶片框架6。把持機(jī)構(gòu) 30中，臂32通過(guò)設(shè)置于殼體11的側(cè)面lla上的線(xiàn)性引導(dǎo)件31而在Y方向上往復(fù)移動(dòng)，在 該臂32的前端，設(shè)置有把持框架4的夾緊部33。 一對(duì)定位桿35在X方向上分離。并且，一 對(duì)定位桿35以在X方向上同步地相互接近或分離的方式工作，兩者的中間位置總是與卡盤(pán) 工作臺(tái)20的中心一致。 帶晶片框架6被把持機(jī)構(gòu)30的夾緊部33把持，并通過(guò)臂32的移動(dòng)而載置成架設(shè) 在兩個(gè)定位桿35之間的狀態(tài)。然后，通過(guò)定位桿35相互接近并與框架4的外周緣接觸，來(lái) 完成帶晶片框架6在X方向的定位。另外，Y方向的定位通過(guò)臂32的移動(dòng)來(lái)完成。由此， 晶片1被定心(在X和Y方向上定位)成與卡盤(pán)工作臺(tái)20同心的狀態(tài)。
接下來(lái)，由定位桿35進(jìn)行支撐的框架4被上方的第一搬送機(jī)構(gòu)40吸附并保持，然 后，定位桿35分離，僅利用第一搬送機(jī)構(gòu)40對(duì)帶晶片框架6進(jìn)行保持。關(guān)于第一搬送機(jī)構(gòu) 40，其伸縮臂42沿著設(shè)置于機(jī)殼11的側(cè)面lla的線(xiàn)性引導(dǎo)件41而在Y方向上往復(fù)移動(dòng)， 在該伸縮臂42的前端設(shè)置有吸附在框架4的上表面上從而保持該框架4的多個(gè)真空吸盤(pán) 43。 第一搬送機(jī)構(gòu)40的伸縮臂42以在Z方向上伸縮的方式工作，當(dāng)伸縮臂42向下方 伸長(zhǎng)、并且真空吸盤(pán)43的真空吸附被解除時(shí)，晶片1被載置到定位于晶片裝卸位置的卡盤(pán) 工作臺(tái)20上。此外，根據(jù)第一搬送機(jī)構(gòu)40，在伸縮臂42向下方伸長(zhǎng)了的狀態(tài)下利用真空 吸盤(pán)43吸附并保持卡盤(pán)工作臺(tái)20上的帶晶片框架6，伸縮臂42在向上方縮短從而使晶片 1上升后向Y方向深處側(cè)移動(dòng)，接著，該伸縮臂42向下方伸長(zhǎng)并解除真空吸盤(pán)43的真空吸 附，由此，帶晶片框架6呈同心狀地被載置到旋轉(zhuǎn)裝置60A的旋轉(zhuǎn)工作臺(tái)70上。
利用第二搬送機(jī)構(gòu)50使旋轉(zhuǎn)工作臺(tái)70上的帶晶片框架6返回至上述定位桿35。 第二搬送機(jī)構(gòu)50具有與第一搬送機(jī)構(gòu)40相同的結(jié)構(gòu)，其伸縮臂52沿著在機(jī)殼11的側(cè)面 lla的線(xiàn)性引導(dǎo)件41的下側(cè)設(shè)置的線(xiàn)性引導(dǎo)件51在Y方向上往復(fù)移動(dòng)，在該伸縮臂52的 前端設(shè)置有吸附在框架4的上表面上從而保持該框架4的多個(gè)真空吸盤(pán)53。
根據(jù)第二搬送機(jī)構(gòu)50，伸縮臂52伸長(zhǎng)、并利用真空吸盤(pán)53吸附并保持帶晶片框架 6的框架4，接著，伸縮臂52在縮短后向Y方向近前側(cè)移動(dòng)，然后伸縮臂52再次伸長(zhǎng)并解除 真空吸盤(pán)53的真空吸附，由此，帶晶片框架6被載置到定位桿35上。關(guān)于載置在定位桿35 上的帶晶片框架6，利用上述把持機(jī)構(gòu)30來(lái)把持框架4，使臂32向Y方向近前側(cè)移動(dòng)，由此 該帶晶片框架6再次被收納到盒9內(nèi)。 另外，如圖2所示，上述搬送系統(tǒng)、晶片裝卸位置以及旋轉(zhuǎn)裝置60A的上方空間被 罩部件11b、llc覆蓋。在圖1中，為了表示罩部件11b、llc的內(nèi)部，未示出這些罩部件llb、 llc。 (2-2)第一實(shí)施方式所涉及的旋轉(zhuǎn)裝置的結(jié)構(gòu) 以上是激光加工裝置10的整體結(jié)構(gòu)，接下來(lái)參照?qǐng)D4對(duì)第一實(shí)施方式所涉及的旋 轉(zhuǎn)裝置60A進(jìn)行說(shuō)明。該旋轉(zhuǎn)裝置60A包括圓筒狀的殼體61和支撐殼體61的支撐座62。 支撐座62具有水平設(shè)置的板狀的底座63 ;豎立設(shè)置在該底座63上的多個(gè)支腳部64 ;以 及固定在這些支腳部64上端的支承部65。支承部65形成為圓形的盤(pán)狀，在該支承部65上 從上側(cè)嵌入地支撐有殼體61。 支撐在支承部65上的殼體61成為軸向沿著大致鉛直方向的狀態(tài)，在該殼體61的 內(nèi)部，與殼體61呈同心狀地配設(shè)有上述旋轉(zhuǎn)工作臺(tái)70。旋轉(zhuǎn)工作臺(tái)70是在圓板狀的框體 71的上表面上嵌合由多孔質(zhì)體形成的圓板狀吸附部72而構(gòu)成的工作臺(tái)。吸附部72呈與框 體71同心的狀態(tài)，并占據(jù)旋轉(zhuǎn)工作臺(tái)70的上表面的大部分，吸附部72的上表面與吸附部 72周?chē)沫h(huán)狀的框體71的上表面為同一平面。 在旋轉(zhuǎn)工作臺(tái)70上連接有未圖示的真空裝置，當(dāng)該真空裝置運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)，旋轉(zhuǎn)工作臺(tái) 70上方的空氣被抽吸，通過(guò)該空氣抽吸作用，呈同心狀地載置在旋轉(zhuǎn)工作臺(tái)70上的帶晶片 框架6被吸附到吸附部72上進(jìn)行保持。 旋轉(zhuǎn)工作臺(tái)70的框體71的外徑與框架4的外徑大致相等，并且，吸附部72的外徑 與晶片1的外徑大致相等。因此，當(dāng)帶晶片框架6呈同心狀地載置在旋轉(zhuǎn)工作臺(tái)70上時(shí)， 框架4與框體71的外周緣大致一致，并且，晶片1整體被緊密接觸地保持在吸附部72上。
此外，關(guān)于帶晶片框架6的框架4，通過(guò)利用安裝在旋轉(zhuǎn)工作臺(tái)70的外周面上的多 個(gè)夾緊器73進(jìn)行把持來(lái)保持該帶晶片框架6的框架4。這些夾緊器73以使框架4能夠裝 卸的方式把持該框架4，這些夾緊器73具有從上方覆蓋框架4的蓋部73a。夾緊器73配設(shè) 在與上述第二搬送機(jī)構(gòu)50的真空吸盤(pán)53對(duì)應(yīng)的位置，各真空吸盤(pán)53能夠在框架4被蓋部 73a覆蓋的部位進(jìn)行吸附。 在支撐座62的底座63上，固定有使旋轉(zhuǎn)工作臺(tái)70旋轉(zhuǎn)的電動(dòng)機(jī)74。該電動(dòng)機(jī) 74的驅(qū)動(dòng)軸74a(如圖6所示)向上方延伸，并貫穿支承部65插入到殼體61內(nèi)。另外，驅(qū) 動(dòng)軸74a的前端與旋轉(zhuǎn)工作臺(tái)70的框體71的中心連接，當(dāng)電動(dòng)機(jī)74工作時(shí)，旋轉(zhuǎn)工作臺(tái) 70向一個(gè)方向旋轉(zhuǎn)。 此外，旋轉(zhuǎn)工作臺(tái)70通過(guò)未圖示的升降機(jī)構(gòu)而升降，利用該升降機(jī)構(gòu)將旋轉(zhuǎn)工作 臺(tái)70定位在從殼體61向上方凸出的晶片交接位置、和從晶片交接位置下降至殼體61內(nèi)的 處理位置。另外，電動(dòng)機(jī)74的驅(qū)動(dòng)軸74a以能夠跟隨旋轉(zhuǎn)工作臺(tái)70的升降的方式構(gòu)成為 例如能夠伸縮的結(jié)構(gòu)。旋轉(zhuǎn)裝置60A收納在上述基座14的內(nèi)部，圖1所示的旋轉(zhuǎn)裝置60A 表示旋轉(zhuǎn)工作臺(tái)70上升到了晶片交接位置的狀態(tài)。上升到了晶片交接位置的旋轉(zhuǎn)工作臺(tái)70變成與基座14的上表面大致相同的高度。 在殼體61內(nèi)，設(shè)置有沿水平方向延伸的三個(gè)噴嘴(第一噴嘴81、第二噴嘴82、第 三噴嘴83)，這三個(gè)噴嘴的前端朝向下方彎曲。該情況下，第一噴嘴81是單獨(dú)的，其以能夠 水平回轉(zhuǎn)的方式支撐于第一配管基部81A。此外，第二噴嘴82和第三噴嘴83上下并列地形 成為一組，它們以能夠水平回轉(zhuǎn)的方式支撐于第二配管基部82A，旋轉(zhuǎn)工作臺(tái)70的中心夾 在該第二配管基部82A的配置位置與第一配管基部81A之間。第一噴嘴81從配管基部伸 出的方向與第二和第三噴嘴82、83從配管基部伸出的方向是交錯(cuò)的方向。
各配管基部81A、82A配設(shè)在殼體61的內(nèi)壁附近。另外，各噴嘴81、82、83在接近 殼體61的內(nèi)壁的通常位置比旋轉(zhuǎn)工作臺(tái)70更靠外周側(cè)，在旋轉(zhuǎn)工作臺(tái)70升降時(shí)，各噴嘴 81、82、83退避至不與保持在旋轉(zhuǎn)工作臺(tái)70上的帶晶片框架6的框架4發(fā)生干涉的位置。 另外，在旋轉(zhuǎn)工作臺(tái)70定位在處理位置時(shí)(圖4表示該狀態(tài))，各噴嘴81、82、83以從退避 位置在旋工作臺(tái)70的上方水平回轉(zhuǎn)的方式工作。 在第一噴嘴81上連接有配管84A，該配管84A與供給液態(tài)的水溶性樹(shù)脂的樹(shù)脂源 84連接。液態(tài)的水溶性樹(shù)脂從樹(shù)脂源84經(jīng)配管84A被輸送至第一噴嘴81，并從第一噴嘴 81的前端滴下該樹(shù)脂。作為使用的水溶性樹(shù)脂，優(yōu)選使用聚乙烯醇(PVA)、聚乙二醇(PEG)、 聚氧化乙烯(PEO)等水溶性樹(shù)脂。 此外，在第二噴嘴82上連接有配管85A，該配管85A與供給清洗液的水源85連接。 清洗液從水源85經(jīng)配管85A被輸送至第二噴嘴82，并從第二噴嘴82的前端輸出該清洗液。 作為使用的清洗液，優(yōu)選使用純水、或者為了防止靜電而混入了 C02的純水。從第二噴嘴82 的前端輸出的清洗液的輸出壓力調(diào)節(jié)成例如0. 4MPa左右。 另外，在第三噴嘴83上連接有配管86A，該配管86A與供給空氣的空氣源86連接。 空氣從空氣源86經(jīng)配管86A被輸送至第三噴嘴83，并從第三噴嘴83的前端噴出該空氣。從 第三噴嘴83的前端噴出的空氣優(yōu)選為干燥狀態(tài)，此外，噴出壓力調(diào)節(jié)成例如0. 4MPa左右。
向第二噴嘴82輸送清洗液的配管85A穿過(guò)第一熱源91，向第三噴嘴83輸送空氣 的配管86A穿過(guò)第二熱源92。各熱源91、92雖為不同個(gè)體但相互接近地進(jìn)行配設(shè)，這些熱 源91、92收納在具有隔熱性的一個(gè)外殼95內(nèi)。 利用第一熱源91對(duì)從水源85輸送向第二噴嘴82的清洗液進(jìn)行加熱，從而成為了 溫水的清洗液從第二噴嘴82的前端輸出。此外，利用第二熱源92對(duì)從空氣源86輸送向第 三噴嘴83的空氣進(jìn)行加熱，從而被加熱后的空氣成為暖風(fēng)從第三噴嘴83的前端噴出。清 洗液優(yōu)選加熱至比常溫(例如25t:左右)高的溫度到8(TC左右的范圍內(nèi)，此外，空氣優(yōu)選 加熱至比常溫高的溫度到12(TC左右的范圍內(nèi)。關(guān)于清洗液和空氣的溫度，由于每個(gè)器件受 到熱影響的容易程度不同、每個(gè)器件的表面形狀不同，所以水溶性樹(shù)脂的涂布狀態(tài)也隨之 變化，因此要考慮這些因素根據(jù)加工的器件來(lái)設(shè)定溫度條件。關(guān)于各熱源91、92，雖然適當(dāng) 地選擇了例如工業(yè)用的電加熱器等，但是只要是能夠適當(dāng)?shù)丶訜崆逑匆汉涂諝獾募訜崞鳎?對(duì)種類(lèi)沒(méi)有限定。 在該第一實(shí)施方式中，由上述樹(shù)脂源84和第一噴嘴81構(gòu)成樹(shù)脂供給單元87。此 外，由水源85、第一熱源91和第二噴嘴82構(gòu)成清洗液供給單元88。此外，由空氣源86、第 二熱源92和第三噴嘴83構(gòu)成空氣供給單元89。另外，雖然未圖示，但是在支承部65上設(shè) 置有用于將清洗液和樹(shù)脂向預(yù)定的處理設(shè)備排出的排液口，并且在該排液口上連接有排液
9管。
(2-3)激光加工裝置的動(dòng)作 接下來(lái)，對(duì)利用上述激光加工裝置10對(duì)晶片1的分割預(yù)定線(xiàn)2實(shí)施激光加工的動(dòng) 作進(jìn)行說(shuō)明。另外，圖5表示該動(dòng)作的過(guò)程。在圖5中，C/T是指卡盤(pán)工作臺(tái)20。
(2-3-1)樹(shù)脂涂布工序 關(guān)于收納在盒9內(nèi)、并通過(guò)盒支座15的升降動(dòng)作而定位在拉出位置的一個(gè)帶晶片 框架6，利用把持機(jī)構(gòu)30將該帶晶片框架6拉出，并載置到定位桿35上，完成X和Y方向的 定位。接著，將定位桿35上的帶晶片框架6的框架4利用第一搬送機(jī)構(gòu)40搬送到旋轉(zhuǎn)裝 置60A的上方。然后，在預(yù)先使真空裝置運(yùn)轉(zhuǎn)、且上升至晶片交接位置進(jìn)行待機(jī)的旋轉(zhuǎn)工作 臺(tái)70上，呈同心狀地吸附并保持帶晶片框架6。此外，與此同時(shí)，利用夾緊器73保持框架 4。 當(dāng)帶晶片框架6從第一搬送機(jī)構(gòu)40的真空吸盤(pán)43被交接至旋轉(zhuǎn)工作臺(tái)70上后， 旋轉(zhuǎn)工作臺(tái)70下降至處理位置，并在晶片1的整個(gè)表面上如下所述地涂布水溶性的液態(tài)樹(shù) 脂(旋轉(zhuǎn)涂布工序)。 首先，第一噴嘴81向殼體61的內(nèi)側(cè)回轉(zhuǎn)，使其前端如圖6的(a)所示地定位在晶 片1的中心附近的正上方，將液態(tài)的水溶性樹(shù)脂P從第一噴嘴81的前端滴到晶片1的表面 的中心附近。在開(kāi)始滴樹(shù)脂P后，緊接著使電動(dòng)機(jī)74工作，從而使旋轉(zhuǎn)工作臺(tái)70向一個(gè)方 向旋轉(zhuǎn)，在經(jīng)過(guò)預(yù)定的滴落時(shí)間后停止旋轉(zhuǎn)。如圖6的(b) (c)所示，滴到晶片1上的樹(shù) 脂P在由旋轉(zhuǎn)工作臺(tái)70的旋轉(zhuǎn)所產(chǎn)生的離心力的作用下向外周側(cè)展開(kāi)，從而遍及晶片1的 整個(gè)表面地被旋轉(zhuǎn)涂布。 另外，旋轉(zhuǎn)涂布時(shí)的旋轉(zhuǎn)工作臺(tái)70的旋轉(zhuǎn)速度和旋轉(zhuǎn)時(shí)間設(shè)定成樹(shù)脂P充分覆蓋 晶片1的表面的程度，例如，旋轉(zhuǎn)速度大約為500 3000rpm，旋轉(zhuǎn)時(shí)間大約為30 120秒。 此外，樹(shù)脂P的膜厚例如大約為0. 1 10 ii m。 當(dāng)樹(shù)脂P的旋轉(zhuǎn)涂布完成后，在使旋轉(zhuǎn)工作臺(tái)70繼續(xù)進(jìn)行旋轉(zhuǎn)的狀態(tài)下，使第一 噴嘴81退避，并且使形成為一體的第二噴嘴82和第三噴嘴83回轉(zhuǎn)到殼體61的內(nèi)側(cè)。然 后，從第三噴嘴83的前端噴出暖風(fēng)，使暖風(fēng)吹向涂布在晶片1表面的樹(shù)脂P從而使樹(shù)脂P 干燥(樹(shù)脂干燥工序)。使第三噴嘴83反復(fù)進(jìn)行幾次往復(fù)回轉(zhuǎn)，使暖風(fēng)無(wú)遺漏地地吹向晶 片1的整個(gè)表面。樹(shù)脂P由于暖風(fēng)的吹出而迅速干燥從而硬化，從而形成為保護(hù)膜P1。
通過(guò)以上工序，水溶性樹(shù)脂在晶片1上的涂布以及通過(guò)干燥而實(shí)現(xiàn)的保護(hù)膜P1的 形成結(jié)束，使旋轉(zhuǎn)工作臺(tái)70的旋轉(zhuǎn)停止，并使旋轉(zhuǎn)工作臺(tái)70上升至晶片交接位置。接著， 將旋轉(zhuǎn)工作臺(tái)70上的帶晶片框架6的框架4吸附并保持到第二搬送機(jī)構(gòu)50的真空吸盤(pán)53 上，利用第二搬送機(jī)構(gòu)50將帶晶片框架6搬送至卡盤(pán)工作臺(tái)20，并保持在卡盤(pán)工作臺(tái)20 上。另外，框架4的被真空吸盤(pán)53吸附的部位是被夾緊器73的蓋部73a覆蓋的部位。即 使樹(shù)脂P在上述旋轉(zhuǎn)涂布時(shí)飛濺，該飛濺的樹(shù)脂也會(huì)被蓋部73a擋住，所以樹(shù)脂不會(huì)附著在 被蓋部73a覆蓋的部位，因此，真空吸盤(pán)53直接吸附在框架4的表面上，對(duì)框架4可靠地進(jìn) 行保持。 (2-3-2)激光加工工序 接下來(lái)，轉(zhuǎn)移至對(duì)晶片1的激光加工。為此，首先通過(guò)基座工作臺(tái)21的移動(dòng)，使吸 附并保持有帶晶片框架6的卡盤(pán)工作臺(tái)20移動(dòng)至機(jī)殼11內(nèi)的加工位置。然后，在該加工位置，利用激光加工單元19向晶片1的分割預(yù)定線(xiàn)2照射激光光線(xiàn)來(lái)實(shí)施激光加工，從而 晶片l被切割。 此處，在對(duì)晶片1照射激光光線(xiàn)時(shí)，有時(shí)會(huì)產(chǎn)生上述的碎屑，然而碎屑附著在保護(hù)
膜P1的表面，而不會(huì)直接附著在晶片1的表面，由此確保了芯片3的品質(zhì)。 切割例如通過(guò)交替地重復(fù)如下兩個(gè)步驟的動(dòng)作來(lái)進(jìn)行一邊對(duì)卡盤(pán)工作臺(tái)20在X
方向上進(jìn)行加工進(jìn)給一邊向分割預(yù)定線(xiàn)2照射激光光線(xiàn)的步驟；和使激光加工單元19在Y
方向上移動(dòng)從而使激光光線(xiàn)照射位置對(duì)準(zhǔn)分割預(yù)定線(xiàn)2的分度進(jìn)給步驟。在利用激光加工
對(duì)晶片1進(jìn)行完全切削的情況下，雖然晶片1被分割成大量的芯片3，但是芯片3還保持粘
貼在粘接帶5上的狀態(tài)，從而保持了作為晶片1的形態(tài)。當(dāng)對(duì)所有的分割預(yù)定線(xiàn)2實(shí)施激
光加工從而完成晶片1的切割后，卡盤(pán)工作臺(tái)20返回晶片裝卸位置。接著，將帶晶片框架
6輸送至清洗工序。 (2-3-3)清洗工序 關(guān)于晶片1被切割開(kāi)的帶晶片框架6，利用第一搬送機(jī)構(gòu)40將該帶晶片框架6從 位于晶片裝卸位置的卡盤(pán)工作臺(tái)20再次搬送至旋轉(zhuǎn)裝置60A，并將該帶晶片框架6吸附并 保持到在晶片交接位置待機(jī)的旋轉(zhuǎn)工作臺(tái)70上。 接著，使旋轉(zhuǎn)工作臺(tái)70下降至處理位置，并開(kāi)始旋轉(zhuǎn)。然后，從第二噴嘴82的前 端輸出溫水，并同時(shí)使第二和第三噴嘴82、83往復(fù)回轉(zhuǎn)，使溫水無(wú)遺漏地作用于保護(hù)膜Pl 的整個(gè)面上。由此，由水溶性的樹(shù)脂構(gòu)成的保護(hù)膜P1迅速融解，從而樹(shù)脂P從晶片1的表 面被沖走而被除去(樹(shù)脂除去工序)。 在晶片1的表面的保護(hù)膜P1被完全除去后，使溫水停止從第二噴嘴82輸出，接 著，在使旋轉(zhuǎn)工作臺(tái)70的旋轉(zhuǎn)、以及第二和第三噴嘴82、83的往復(fù)回轉(zhuǎn)繼續(xù)進(jìn)行的狀態(tài)下， 從第三噴嘴83的前端噴出暖風(fēng)。使暖風(fēng)無(wú)遺漏地吹向露出的晶片1的整個(gè)表面，并與利用 離心力將水分甩飛的作用相配合，晶片1被迅速地進(jìn)行干燥處理(晶片干燥工序)。此后， 使旋轉(zhuǎn)工作臺(tái)70上升至晶片交接位置。
(2-3-4)向盒內(nèi)的存儲(chǔ) 關(guān)于如上所述地經(jīng)過(guò)了在晶片1表面上形成保護(hù)膜Pl、利用激光加工對(duì)晶片1進(jìn) 行切割、以及除去保護(hù)膜P1來(lái)對(duì)晶片1進(jìn)行清洗的各工序的帶晶片框架6，利用第二搬送機(jī) 構(gòu)50將該帶晶片框架6從旋轉(zhuǎn)工作臺(tái)70移至定位桿35，接著利用把持機(jī)構(gòu)30使該帶晶片 框架6返回到盒9內(nèi)。 對(duì)盒9內(nèi)的所有的晶片l執(zhí)行以上的一連串的動(dòng)作。然后，在盒9內(nèi)的晶片l全 部都成為切割過(guò)的晶片后，將盒9搬送至接下來(lái)的芯片拾取工序，從粘接帶5上對(duì)各芯片3 進(jìn)行拾取從而獲得一個(gè)個(gè)的芯片3。
(2-4)激光加工裝置的作用效果 根據(jù)上述實(shí)施方式的激光加工裝置IO，在激光加工前的樹(shù)脂涂布工序中，在利用 旋轉(zhuǎn)涂布法在晶片1的表面上涂布了水溶性樹(shù)脂P之后，從第三噴嘴83向涂布好的樹(shù)脂P 吹暖風(fēng)以使樹(shù)脂P硬化，從而形成了保護(hù)膜Pl。與將樹(shù)脂P放置在常溫下使其自然硬化的 情況相比，通過(guò)這樣吹暖風(fēng)，大幅度地促進(jìn)了從干燥到硬化的反應(yīng)，因此，能夠使樹(shù)脂P更 快地硬化。S卩，大幅度地縮短了樹(shù)脂涂布工序所需的時(shí)間。 此外，在激光加工后的清洗工序中，通過(guò)向保護(hù)膜Pl供給溫水來(lái)將樹(shù)脂P沖走進(jìn)行除去，而通過(guò)使用溫水，與使用常溫的水的情況相比大幅度地促進(jìn)了樹(shù)脂P的融解作用， 從而能夠更快地將樹(shù)脂P沖走。另外，在此后的干燥工序中，由于吹出暖風(fēng)來(lái)使晶片1干燥， 所以能夠使晶片1更快地干燥。 這樣，在本實(shí)施方式中，涂布在晶片1上的樹(shù)脂P的干燥、和將樹(shù)脂P從晶片1上 除去后的晶片1的干燥都利用暖風(fēng)來(lái)進(jìn)行，并且，在清洗工序中使用了溫水作為將樹(shù)脂從 晶片l上除去時(shí)的清洗液。因此，與使用常溫的水和空氣的情況相比，能夠使這些工序所需 的時(shí)間大幅度地縮短，其結(jié)果為，雖然具有在晶片1的表面涂布樹(shù)脂的工序，但是能夠盡可 能地提高從晶片1獲得芯片3的整體的制造速度。 此外，由于上述第一熱源91和第二熱源92被具有隔熱性的外殼95覆蓋，所以能 夠抑制各熱源91、92向周?chē)尫艧崃?，并且能夠防止熱?duì)激光加工裝置10的除熱源91、92 以外的其它部分產(chǎn)生影響。此外，利用外殼95抑制了各熱源91、92的熱損失，從而實(shí)現(xiàn)了 節(jié)能化。另外，各熱源91、92由于外殼95的存在而不易受到來(lái)自外部的溫度變化的影響， 因此還具有確保了溫度設(shè)定精度的優(yōu)點(diǎn)。
(3)第二實(shí)施方式所涉及的旋轉(zhuǎn)裝置 接下來(lái)，參照?qǐng)D7對(duì)第二實(shí)施方式所涉及的旋轉(zhuǎn)裝置60B進(jìn)行說(shuō)明。
在該旋轉(zhuǎn)裝置60B中，熱源為一個(gè)。水源85側(cè)的配管85A和空氣源86側(cè)的配管 86A穿過(guò)該熱源91A，從而清洗液和空氣一起被一個(gè)熱源91A加熱。換言之，上述實(shí)施方式 的加熱清洗液的第一熱源91和加熱空氣的第二熱源92作為同一個(gè)熱源91A而構(gòu)成。通過(guò) 這樣共享一個(gè)熱源，能夠?qū)崿F(xiàn)節(jié)省空間和降低成本。 此外，在第二實(shí)施方式的旋轉(zhuǎn)裝置60B中，在輸出清洗液的第二噴嘴82中經(jīng)配管 85a混合有供給向第三噴嘴83的暖風(fēng)，暖風(fēng)高速地與作為加熱后的清洗液的溫水碰撞而霧 化形成霧，該霧從第二噴嘴82的前端噴出。第二噴嘴82是噴出由溫水和暖風(fēng)混合而成的 霧的雙流體噴嘴，在上述清洗工序的樹(shù)脂除去工序中，從第二噴嘴82中噴射高溫的霧來(lái)除 去保護(hù)膜P1。在這樣噴出霧來(lái)進(jìn)行清洗的情況下，所使用的水的量比較少、例如200ml/min 左右即可，具有能夠以更少量的水獲得高清洗效果的優(yōu)點(diǎn)。另外，在樹(shù)脂涂布工序的樹(shù)脂干 燥工序、和清洗工序的晶片干燥工序中，與上述實(shí)施方式一樣從第三噴嘴83中噴出暖風(fēng)使 晶片1干燥。 在這樣從第二噴嘴82中噴出高溫的霧來(lái)除去樹(shù)脂P的形態(tài)中，與單純地輸出溫水 的情況相比，除去樹(shù)脂P的效果格外優(yōu)秀，能夠使清洗時(shí)間進(jìn)一步縮短。此外，由于向第二 噴嘴82混合的暖風(fēng)挪用了從空氣源86供給、并利用第二熱源92進(jìn)行加熱的輸送向第三噴 嘴83的暖風(fēng)，所以不會(huì)使結(jié)構(gòu)變復(fù)雜。
(4)第三實(shí)施方式所涉及的旋轉(zhuǎn)裝置 接下來(lái)，參照?qǐng)D8對(duì)第三實(shí)施方式所涉及的旋轉(zhuǎn)裝置60C進(jìn)行說(shuō)明。 在該旋轉(zhuǎn)裝置60C中，噴出暖風(fēng)的第三噴嘴83與上述實(shí)施方式的第三噴嘴83不
同。即，第三實(shí)施方式中的第三噴嘴83固定在殼體61的靠近開(kāi)口的上部?jī)?nèi)壁上。該第三
噴嘴83為圓筒狀，其與配管86A連接，該配管86A與空氣源86連接。另外，在配管86A中，
從上游側(cè)起，空氣干燥器98和過(guò)濾器99依次介于第二熱源92與殼體61之間。空氣干燥
器98對(duì)配管86A中流動(dòng)的空氣中的水分進(jìn)行去除以使空氣干燥，過(guò)濾器99對(duì)在配管86A
中流動(dòng)的空氣中存在的塵埃等異物進(jìn)行捕捉來(lái)使空氣凈化。
在該旋轉(zhuǎn)裝置60C中，在上述樹(shù)脂涂布工序的樹(shù)脂干燥工序、和清洗工序的晶片 干燥工序中，從第三噴嘴83中噴出暖風(fēng)，使殼體61的內(nèi)部整體成為高溫且干燥的狀態(tài)，從 而實(shí)現(xiàn)使樹(shù)脂P和晶片1干燥的運(yùn)轉(zhuǎn)。
權(quán)利要求
一種激光加工方法，其包括以下工序樹(shù)脂涂布工序，在該樹(shù)脂涂布工序中，在工件的加工面上涂布液態(tài)的水溶性樹(shù)脂；激光加工工序，在該激光加工工序中，對(duì)上述工件的上述加工面照射激光光線(xiàn)來(lái)實(shí)施激光加工；以及清洗工序，在該清洗工序中，對(duì)實(shí)施過(guò)上述激光加工的上述工件進(jìn)行清洗，上述激光加工方法的特征在于，上述樹(shù)脂涂布工序包括旋轉(zhuǎn)涂布工序，在該旋轉(zhuǎn)涂布工序中，利用旋轉(zhuǎn)涂布法在上述工件的加工面上涂布上述水溶性樹(shù)脂；和樹(shù)脂干燥工序，在該樹(shù)脂干燥工序中，向涂布好的上述水溶性樹(shù)脂供給暖風(fēng)以使該水溶性樹(shù)脂干燥，上述清洗工序包括樹(shù)脂除去工序，在該樹(shù)脂除去工序中，向涂布在上述工件上的上述水溶性樹(shù)脂供給溫水來(lái)除去該水溶性樹(shù)脂；和工件干燥工序，在該工件干燥工序中，向除去了上述水溶性樹(shù)脂的上述工件供給暖風(fēng)以使該工件干燥。
2. —種激光加工裝置，其包括 保持工件的保持單元；激光加工單元，其對(duì)保持于上述保持單元的上述工件照射激光光線(xiàn)來(lái)實(shí)施激光加工；以及旋轉(zhuǎn)裝置，其具有旋轉(zhuǎn)工作臺(tái)、樹(shù)脂供給單元、清洗液供給單元和空氣供給單元，上述 旋轉(zhuǎn)工作臺(tái)保持上述工件并進(jìn)行旋轉(zhuǎn)，上述樹(shù)脂供給單元向保持在上述旋轉(zhuǎn)工作臺(tái)上的激 光加工前的上述工件的加工面供給液態(tài)的水溶性樹(shù)脂，上述清洗液供給單元向保持在上述 旋轉(zhuǎn)工作臺(tái)上的激光加工后的上述工件的加工面供給清洗液，上述空氣供給單元向保持在 上述旋轉(zhuǎn)工作臺(tái)上的上述工件的加工面供給空氣，上述激光加工裝置的特征在于，上述樹(shù)脂供給單元具有樹(shù)脂源，其用于供給上述水溶性樹(shù)脂；和第一噴嘴，其向保持 在上述旋轉(zhuǎn)工作臺(tái)上的上述工件的加工面供給從上述樹(shù)脂源輸送來(lái)的上述水溶性樹(shù)脂，上述清洗液供給單元具有水源，其用于供給上述清洗液；第一熱源，其對(duì)從上述水源 輸送來(lái)的上述清洗液進(jìn)行加熱使其成為溫水；以及第二噴嘴，其向保持在上述旋轉(zhuǎn)工作臺(tái) 上的上述工件供給上述溫水，上述空氣供給單元具有空氣源，其用于供給空氣；第二熱源，其對(duì)從上述空氣源輸送 來(lái)的上述空氣進(jìn)行加熱使其成為暖風(fēng)；以及第三噴嘴，其向保持在上述旋轉(zhuǎn)工作臺(tái)上的上 述工件供給上述暖風(fēng)。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的激光加工裝置，其特征在于，上述第一熱源和上述第二熱源是同一熱源。
4. 根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的激光加工裝置，其特征在于， 上述第二噴嘴具有使上述溫水與氣體混合的混合機(jī)構(gòu)。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的激光加工裝置，其特征在于， 上述氣體是利用上述第二熱源進(jìn)行加熱而形成的上述暖風(fēng)。
6. 根據(jù)權(quán)利要求2至5中的任一項(xiàng)所述的激光加工裝置，其特征在于， 上述第一熱源和上述第二熱源被隔熱件覆蓋。
全文摘要
本發(fā)明供給激光加工方法和激光加工裝置，縮短了用于防止激光加工時(shí)的碎屑造成的不良影響的激光加工前的保護(hù)膜形成工序以及激光加工后的保護(hù)膜除去工序所需的時(shí)間，從而在確保品質(zhì)的同時(shí)實(shí)現(xiàn)了制造速度的高速化。當(dāng)在激光加工前在晶片(1)的表面涂布水溶性樹(shù)脂(P)來(lái)形成保護(hù)膜(P1)時(shí)，向涂布好的樹(shù)脂(P)吹出暖風(fēng)使樹(shù)脂(P)加快硬化。此外，當(dāng)在激光加工后除去保護(hù)膜(P1)進(jìn)行清洗時(shí)，將清洗液加熱成溫水后提供給保護(hù)膜(P1)以促進(jìn)除去作用，在除去保護(hù)膜(P1)后，向晶片(1)吹出暖風(fēng)來(lái)加快干燥。
文檔編號(hào)F26B3/06GK101712099SQ20091017553
公開(kāi)日2010年5月26日 申請(qǐng)日期2009年9月22日 優(yōu)先權(quán)日2008年10月7日
發(fā)明者大宮直樹(shù) 申請(qǐng)人:株式會(huì)社迪思科