專利名稱：反透過型陣列基板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種陣列基板及其制造方法，特別涉及一種反透過型陣列基 板及其制造方法。
背景技術(shù)：
液晶顯示裝置是現(xiàn)在使用最多的平板顯示裝置中的一種，其主要由兩個(gè) 基板結(jié)構(gòu)和基板結(jié)構(gòu)之間注入的液晶層組成，兩個(gè)基板結(jié)構(gòu)上設(shè)有可產(chǎn)生電 場(chǎng)的電極，電極產(chǎn)生電壓后液晶層的液晶分子隨電場(chǎng)移動(dòng)，液晶分子在電場(chǎng) 的作用下按照一定方向旋轉(zhuǎn)，使光線按照一定折射率穿過液晶層。液晶顯示裝置根據(jù)其顯示模式可分為透過型，反透過型和反射型。所謂 透過型是利用背光源顯示畫面的顯示模式，反射型是利用從外部射入的光線 顯示畫面的顯示模式，反透過型是介于透過型和反透過型之間的顯示模式， 即反透過型既可以利用背光源也可以利用從外部射入的光線。液晶顯示裝置根據(jù)其驅(qū)動(dòng)液晶的電場(chǎng)方向分為垂直電場(chǎng)型液晶顯示裝 置和橫向電場(chǎng)型液晶顯示裝置，其中垂直電場(chǎng)型液晶顯示裝置中包括扭曲 向列型(Twist Nematic，以下簡(jiǎn)稱為"TN，,)結(jié)構(gòu)和垂直取向型(Vertical Align,以下簡(jiǎn)稱為"VA")結(jié)構(gòu)等；橫向電場(chǎng)型液晶顯示裝置中包括邊緣 場(chǎng)切換型(Fringe Field Switch,以下簡(jiǎn)稱為"FFS")結(jié)構(gòu)和面內(nèi)切換型 (InPlane Switch,以下簡(jiǎn)稱為"IPS")結(jié)構(gòu)等。垂直電場(chǎng)型液晶顯示裝置 是通過分別設(shè)置在陣列基板上的像素電極和設(shè)置在彩色濾光片基板上的公共 電極形成垂直電場(chǎng)；橫向電場(chǎng)型液晶顯示裝置是通過在陣列基板上同時(shí)設(shè)置 像素電極和公共電極以形成橫向電場(chǎng)?，F(xiàn)在垂直電場(chǎng)型和橫向電場(chǎng)型液晶顯
示裝置為公知技術(shù)，并且相應(yīng)的產(chǎn)品早已進(jìn)入產(chǎn)品市場(chǎng)，因此在這里對(duì)其具體結(jié)構(gòu)不再進(jìn)一步詳細(xì)介紹。另外，TN型液晶顯示裝置其構(gòu)造簡(jiǎn)單，被廣泛 應(yīng)用于小型平板顯示裝置中；FFS型液晶顯示裝置和IPS型液晶顯示裝置等則 相比其他模式具有更好的視角性能，因此廣泛應(yīng)用于高質(zhì)量平板顯示裝置中。反透過型液晶顯示裝置需要用反射板反射從外部射入的光線，因此在結(jié) 構(gòu)上比透過型液晶顯示裝置增加了用于形成反射板壓花的樹脂層、用于反射 光線的反射板和用于保護(hù)反射板的保護(hù)層結(jié)構(gòu)。 一般的反透過型液晶顯示裝 置在原來的透過型液晶顯示裝置結(jié)構(gòu)中相應(yīng)增加了上述多層結(jié)構(gòu)，因此半透 射型液晶顯示裝置的陣列基板表面呈現(xiàn)出極為不平整的表面，更嚴(yán)格地說 由于在像素區(qū)域內(nèi)的透射區(qū)域和反射區(qū)域結(jié)構(gòu)不同，在像素區(qū)域呈現(xiàn)出不平 整的表面，從而導(dǎo)致了設(shè)計(jì)液晶盒的過程中各項(xiàng)參數(shù)(樹脂層的厚度、鈍化 層的厚度、液晶盒間隙等)的設(shè)定難度增加。圖6為現(xiàn)有反透過型陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖6所示，在軟基板1 表面依次形成了柵線(圖中未畫出)、柵電極2、柵絕緣層3、有源層4、源 漏電極5、數(shù)據(jù)線(圖中未畫出)、樹脂層6、反射板7、鈍化層8和像素電 極9，具體為軟基板1上設(shè)置有柵線和柵電極2以及柵絕緣層3;有源層4 位于柵電極2上方，并且有源層4和柵電極2之間隔有柵絕緣層3;源漏電極 5位于有源層4上，并設(shè)有隔離溝道，源漏電極5—端與數(shù)據(jù)線連接、另一端 與像素電極9連接；樹脂層6位于柵絕緣層3上對(duì)應(yīng)像素區(qū)域的反射區(qū)域， 其表面設(shè)有凹凸不平的壓花；反射板7位于樹脂層6上，其表面同樣形成有 凹凸不平的壓花，以提高反射率；鈍化層8位于源漏電極5和反射板7上； 像素電極9位于鈍化層8表面，通過鈍化層8上的過孔81與源漏電極5的一 端連接。由于現(xiàn)有技術(shù)在像素區(qū)域的反射區(qū)域內(nèi)通過樹脂層形成壓花，并在樹脂 層上設(shè)置反射板，導(dǎo)致原本應(yīng)平整的像素區(qū)域變成了起伏的表面，進(jìn)而還導(dǎo) 致像素區(qū)域內(nèi)注入的液晶量不同，同時(shí)像素區(qū)域內(nèi)的透射區(qū)域和反射區(qū)域具
有不同的光傳播距離，因此設(shè)計(jì)液晶盒的過程中增加了設(shè)定各項(xiàng)參數(shù)(樹脂 的厚度、鈍化層的厚度、液晶盒間隙等)的難度。另外，設(shè)有壓花的樹脂層 和反射板結(jié)構(gòu)給其他各項(xiàng)參數(shù)之間的穩(wěn)定性產(chǎn)生諸多不利影響，因此即使產(chǎn) 品下線之后對(duì)其穩(wěn)定工作產(chǎn)生一些潛在的不利影響。同時(shí)，樹脂的耐高溫性 比較差，因此若使用樹脂形成壓花時(shí)需要在后續(xù)的工程中嚴(yán)格控制溫度，導(dǎo) 致了制造成本上升。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的是提供一種反透過型陣列基板及其制造方法，有效克服現(xiàn) 有技術(shù)中存在的各項(xiàng)參數(shù)設(shè)定難度過大的問題及溫控工程導(dǎo)致的制造成本上 升的問題。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種反透過型陣列基板，包括軟基板 和在軟基板上設(shè)置的陣列主體，軟基板設(shè)有透射區(qū)域和反射區(qū)域，在軟基板 的反射區(qū)域形成有壓花，在壓花上設(shè)有反射板，壓花和反射板與陣列主體位 于軟基板的同一面。其中，陣列主體為扭曲向列型結(jié)構(gòu)主體、垂直取向型結(jié)構(gòu)主體、邊緣場(chǎng) 切換型結(jié)構(gòu)主體或面內(nèi)切換型結(jié)構(gòu)主體。其中，壓花為凸臺(tái)，或者壓花為凹坑。其中，壓花為點(diǎn)陣型壓花。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明還提供了一種反透過型陣列基板的制造方法， 包括在軟基板上形成壓花和在軟基板上形成陣列主體，其中在軟基板上形成壓花具體為步驟101、設(shè)置軟基板和針床，軟基板設(shè)有透射區(qū)域和反射區(qū)域， 加熱針床至150攝氏度~ 200攝氏度；步驟102、將針床印壓在軟基板的反射 區(qū)域形成壓花；步驟103、在壓花上形成反射板。其中，將針床印壓在軟基板的反射區(qū)域形成壓花具體為被壓印的軟基 板向壓印的方向彎曲形成壓花。 其中，用于形成反射板的材料為鋁、鉬、鈦、鋁合金或鈦合金。 為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明還提供了另 一種反透過型陣列基板的制造方 法，包括在軟基板上形成壓花和在軟基板上形成陣列主體，其中在軟基板上形成壓花具體為步驟201、設(shè)置軟基板和針床，軟基板設(shè)有透射區(qū)域和反射 區(qū)域，加熱針床至200攝氏度以上；步驟202、將針床印在軟基板的反射區(qū)域 上形成壓花；步驟203、在壓花上形成反射板。其中，針床印在軟基板的反射區(qū)域上形成壓花具體為被印的軟基板表 面融化形成壓花。其中，用于形成反射板的材料為鋁、鉬、鈦、鋁合金或鈦合金。本發(fā)明提出了一種反透過型陣列基板及其制造方法，通過在軟基板上形 成壓花，并且在壓花上設(shè)置反射板，可以使原本位于陣列主體內(nèi)的反射板與 陣列主體分離，使得像素區(qū)域內(nèi)的液晶盒間隙趨于均勻，同時(shí)使像素電極表 面趨于平整，這樣像素電極就可以產(chǎn)生電場(chǎng)強(qiáng)度均勻的電場(chǎng)，均勻的液晶分 子在均勻電場(chǎng)的作用下整齊地排列，提高液晶顯示裝置的質(zhì)量。另外，把壓 花和反射板設(shè)置在軟基板上的陣列基板結(jié)構(gòu)，可以最小化對(duì)像素區(qū)域表面高 低產(chǎn)生的影響，因此不需要考慮現(xiàn)有技術(shù)中樹脂層和反射板導(dǎo)致的高低問題、 液晶注入量問題和光傳播路徑問題等，進(jìn)一步地還避免了導(dǎo)致上述問題的各 項(xiàng)參數(shù)之間相互影響，不僅提高了液晶顯示裝置的質(zhì)量，而且還簡(jiǎn)化了液晶 顯示裝置的制造工程。同時(shí)，由于本發(fā)明的反透過型陣列基板直接在軟基板 上形成壓花，因此相應(yīng)減少了樹脂工程，同樣在后續(xù)工程中不需要控制工程 溫度，可以大大降低由溫控工程引起的成本上升問題。下面通過附圖和實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案做進(jìn)一步的詳細(xì)描述。


圖1為本發(fā)明反透過型陣列基板的第一實(shí)施例結(jié)構(gòu)示意圖； 圖2為本發(fā)明壓花的示意圖3為本發(fā)明反透過型陣列基板的第二實(shí)施例結(jié)構(gòu)示意圖; 圖4a為本發(fā)明一種反透過型陣列基板的制造方法流程圖； 圖4b為本發(fā)明用針床印壓軟基板的示意圖； 圖5a為本發(fā)明另一種反透過型陣列基板制造方法流程圖； 圖5b為本發(fā)明用針床融化軟基板的示意圖； 圖6為現(xiàn)有反透過型陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。 附圖標(biāo)記說明l一軟基板； 2—柵電極；4—有源層； 5 —源漏電極；7—反射板； 8—鈍化層；10—公共電極； 11—針床；1101—針尖。3—柵絕緣層； 6—樹脂層； 9—像素電極； 81_過孔；具體實(shí)施方式
本發(fā)明反透過型陣列基板，包括軟基板和陣列主體，軟基板設(shè)有透射區(qū) 域和反射區(qū)域，在軟基板的反射區(qū)域形成有壓花，在壓花上設(shè)有反射板，陣 列主體位于設(shè)有反射板的軟基板一面。本發(fā)明反透過型陣列基板的第 一 實(shí)施例圖1為本發(fā)明反透過型陣列基板的第一實(shí)施例結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示， 反透過型陣列基板包括軟基板l和陣列主體，其中軟基板l設(shè)有透射區(qū)域 和反射區(qū)域，在對(duì)應(yīng)反射區(qū)域的軟基板l上形成有壓花，形成的壓花由凹坑 構(gòu)成，在壓花上設(shè)置厚度均勻的反射板7，陣列主體位于設(shè)有反射板7的軟基 板1 一面，其中陣列主體包括了柵線(圖中未畫出)、柵電極2、柵絕緣層3、 有源層4、源漏電極5、數(shù)據(jù)線(圖中未畫出)、鈍化層8和像素電極9;陣 列主體結(jié)構(gòu)具體為在設(shè)有反射板7的軟基板1上設(shè)置柵線和柵電極2;在柵 線和柵電極2上方覆蓋有柵絕緣層3，使柵線和柵電極2與其他層相互絕緣；
在柵絕緣層3的表面，位于柵電極2的正上方設(shè)置有源層4;在有源層4上設(shè) 置源漏電極5和數(shù)據(jù)線，并且源漏電極5設(shè)有隔離溝道，使源漏電極5的一 端與數(shù)據(jù)線連接、另一端與像素電極9連接，因此柵電極2提供電平信號(hào)時(shí) 源漏電極5的兩端通過有源層4相互電連接；在源漏電極5表面設(shè)置鈍化層8, 使鈍化層8可以起到保護(hù)源漏電極5的作用；在鈍化層8表面對(duì)應(yīng)像素區(qū)域 設(shè)置像素電極9，并且通過鈍化層8上的過孔81與源漏電極5的一端電連接， 使得像素電極9接收從源漏電極5的另一端發(fā)送的數(shù)據(jù)信號(hào)。上述實(shí)施例提出的反透過型陣列基板，通過在軟基板上形成壓花，并且 在壓花上設(shè)置反射板，可以使原本位于陣列主體內(nèi)的反射板與陣列主體分離， 使得像素區(qū)域內(nèi)的液晶盒間隙趨于均勻，同時(shí)使像素電極表面趨于平整，這 樣像素電極就可以產(chǎn)生電場(chǎng)強(qiáng)度均勻的電場(chǎng)，均勻的液晶分子在均勻電場(chǎng)的 作用下整齊地排列，提高液晶顯示裝置的質(zhì)量。另外，把壓花和反射板設(shè)置 在軟基板上的陣列基板結(jié)構(gòu)，可以最小化對(duì)像素區(qū)域表面高低產(chǎn)生的影響， 因此不需要考慮現(xiàn)有技術(shù)中樹脂層和反射板導(dǎo)致的高低問題、液晶注入量問 題和光傳播路徑問題等，進(jìn)一步地還避免了導(dǎo)致上述問題的各項(xiàng)參數(shù)之間相 互影響，不利于液晶顯示裝置穩(wěn)定工作的問題，不僅提高了液晶顯示裝置的 質(zhì)量，而且還簡(jiǎn)化了液晶顯示裝置的制造工程。同時(shí)，由于本實(shí)施例提出的 技術(shù)方案直接在軟基板上形成壓花，因此相應(yīng)減少了樹脂工程，同樣在后續(xù) 工程中不需要控制工程溫度，可以大大降低由溫控工程引起的成本上升問題。圖2為本發(fā)明壓花的示意圖。如圖2所示，在像素區(qū)域的反射區(qū)域設(shè)有 由十二個(gè)點(diǎn)構(gòu)成的壓花，即點(diǎn)陣型壓花。點(diǎn)陣型壓花可以最大化反射區(qū)域的反射效率。更進(jìn)一步的，反射板的材料為鋁、鉬、鈦、鋁合金或鈦合金等。 上述實(shí)施例提出了陣列主體為TN型結(jié)構(gòu)的反透過型陣列基板，因此產(chǎn)生 橫向電場(chǎng)的前提下，陣列主體內(nèi)部各個(gè)層間結(jié)構(gòu)和各個(gè)電子元件的圖形可以 任意變化，并且關(guān)于形成橫向電場(chǎng)的TN型陣列主體的技術(shù)內(nèi)容為公知技術(shù)，贅述。本發(fā)明反透過型陣列基板的第二實(shí)施例圖3為本發(fā)明反透過型陣列基板的第二實(shí)施例結(jié)構(gòu)示意圖。如圖2所示， 反透過型陣列基板包括軟基板l和陣列主體，其中軟基板l設(shè)有透射區(qū)域 和反射區(qū)域，在對(duì)應(yīng)反射區(qū)域的軟基板l上形成有壓花，形成的壓花由凸臺(tái) 構(gòu)成，在壓花上設(shè)置反射板，陣列主體位于設(shè)有反射板7的軟基板1 一面， 其中陣列主體包括了柵線(圖中未畫出)、柵電極2、柵絕緣層3、有源層4、 源漏電極5、數(shù)據(jù)線(圖中未畫出)、鈍化層8、像素電極9和公共電極10; 陣列主體結(jié)構(gòu)具體為在設(shè)有反射板7的軟基板1上設(shè)置柵線、柵電極2和 公共電極IO,公共電極IO位于透射區(qū)域和反射區(qū)域內(nèi)，用于提供常值電壓， 并且與柵線和柵電極2相互絕緣設(shè)置；在柵線和柵電極2上方覆蓋有一層?xùn)?絕緣層3，使柵線和柵電極2與其他層相互絕緣；在柵絕緣層3的表面，位于 柵電極2的正上方設(shè)置有源層4;在有源層4上設(shè)置源漏電極5和數(shù)據(jù)線，并 且源漏電極5設(shè)有隔離溝道，使源漏電極5的一端與數(shù)據(jù)線連接、另一端與 像素電極9連接，因此柵電極2提供電平信號(hào)時(shí)源漏電極5的兩端通過有源 層4相互電連接；在源漏電極5表面設(shè)置鈍化層8,使鈍化層8可以起到保護(hù) 源漏電極5的作用；在鈍化層8表面對(duì)應(yīng)像素區(qū)域設(shè)置像素電極9，像素電極 9表面還設(shè)有縫隙用于產(chǎn)生橫向電場(chǎng)，并且通過鈍化層8上的過孔81與源漏 電極5的一端電連接，使得像素電極9接收從源漏電極5的另一端發(fā)送的數(shù) 據(jù)信號(hào)。上述實(shí)施例提出了陣列主體為FFS型結(jié)構(gòu)的反透過型陣列基板，因此產(chǎn) 生橫向電場(chǎng)的前提下，陣列主體內(nèi)部各個(gè)層間結(jié)構(gòu)和各個(gè)電子元件的圖形可 以任意變化，并且關(guān)于形成橫向電場(chǎng)的FFS型陣列主體的技術(shù)內(nèi)容為公知技 術(shù)，因此在這里本發(fā)明結(jié)構(gòu)如何應(yīng)用在各種FFS型陣列主體的實(shí)施例不再一 一進(jìn)行贅述。進(jìn)一步的，在軟基板上形成的壓花為點(diǎn)陣型。這樣可以最大化反射區(qū)域 的反射效率。反透過型陣列基板的第 一實(shí)施例中公開的TN型陣列主體為以垂直電場(chǎng)驅(qū) 動(dòng)液晶的一種方式，另外VA型陣列主體也屬于垂直電場(chǎng)驅(qū)動(dòng)方式，并且VA 型陣列主體的結(jié)構(gòu)對(duì)于所屬技術(shù)領(lǐng)域人員來講是公知技術(shù)，因此本發(fā)明的結(jié) 構(gòu)應(yīng)用于VA型陣列主體的實(shí)施例不再進(jìn)行贅述。同樣，反透過型陣列基板的 第二實(shí)施例中公開的FFS型陣列主體為以橫向電場(chǎng)驅(qū)動(dòng)液晶的一種方式，另 外IPS型陣列主體也屬于橫向電場(chǎng)驅(qū)動(dòng)方式，并且IPS型陣列主體的結(jié)構(gòu)對(duì) 于所屬技術(shù)領(lǐng)域人員來講是公知技術(shù)，因此本發(fā)明的結(jié)構(gòu)應(yīng)用于IPS型陣列 主體的實(shí)施例也不再進(jìn)行贅述。本發(fā)明一種反透過型陣列基板的制造方法，包括在軟基板上形成壓花和 在軟基板上形成陣列主體。本發(fā)明 一種反透過型陣列基板的制造方法的實(shí)施例圖4a為本發(fā)明一種反透過型陣列基板制造方法流程圖，包括在軟基板上 形成壓花和在軟基板上形成陣列主體，其中在軟基板上形成壓花具體為步驟IOI、設(shè)置軟基板和針床，所述軟基板設(shè)有透射區(qū)域和反射區(qū)域，加 熱所述針床至150攝氏度-200攝氏度；步驟102、將所述針床印壓在所述軟基板的反射區(qū)域形成壓花；步驟103、在所述壓花上形成反射板。在軟基板上形成陣列主體包括沉積工藝、涂布工藝、曝光工藝、蝕刻 工藝和去膠工藝等，沉積工藝用于形成薄薄的材料層，涂布工藝用于形成光 刻膠，曝光工藝用于形成圖案，蝕刻工藝用于去掉圖案區(qū)域外的材料層，去 膠工藝用于去掉圖案區(qū)域的剩余光刻膠。通過多次重復(fù)沉積工藝、涂布工藝、 曝光工藝、蝕刻工藝和去膠工藝形成一層一層的薄膜結(jié)構(gòu)，最終形成陣列結(jié) 構(gòu)。上述實(shí)施例提出的反透過型陣列基板的制造方法，通過使用加熱的針床
結(jié)構(gòu)印壓在軟基板，在軟基板上形成壓花，并且在壓花上形成反射板，可以 使原本位于陣列主體內(nèi)的反射板與陣列主體分離，使得像素區(qū)域內(nèi)的液晶盒 間隙趨于均勻，同時(shí)使像素電極表面趨于平整，這樣像素電極就可以產(chǎn)生電 場(chǎng)強(qiáng)度均勻的電場(chǎng)，均勻的液晶分子在均勻電場(chǎng)的作用下整齊地排列，提高 液晶顯示裝置的質(zhì)量。另外，把壓花和反射板形成在軟基板上的制造方法， 可以使對(duì)像素區(qū)域的表面高低產(chǎn)生的影響最小化，因此不需要考慮現(xiàn)有技術(shù) 中樹脂層和反射板導(dǎo)致的高低問題、液晶注入量問題和光傳播路徑問題等， 進(jìn)一步地還避免了導(dǎo)致上述問題的各項(xiàng)參數(shù)之間相互影響，不利于液晶顯示 裝置穩(wěn)定工作的問題，提高了液晶顯示裝置的質(zhì)量。同時(shí)，本發(fā)明方法直接 在軟基板上形成壓花，因此可以有效防止現(xiàn)有技術(shù)通過樹脂形成壓花時(shí)后續(xù) 工程相應(yīng)地控制工程溫度，導(dǎo)致成本上升的缺陷，有效控制了制造半透射型 陣列基板的成本，同時(shí)還有效簡(jiǎn)化了制造半透射型陣列基板的過程。圖4b為本發(fā)明用針床印壓軟基板的示意圖。如圖4b所示，首先加熱針 床11，使針床11的針尖1101的溫度達(dá)到150攝氏度~ 200攝氏度之間任意 溫度，然后用該針床11印壓軟基板1的反射區(qū)域，由于針尖1101的溫度沒 有達(dá)到足以融化軟基板1的溫度，因此軟基板1的反射區(qū)域表面向針床11印 壓的方向彎曲，在^:印壓的一面形成與壓花對(duì)應(yīng)的凹坑，在另一面形成由凸 臺(tái)構(gòu)成的壓花。進(jìn)一步地，針床的每個(gè)針尖要在一個(gè)平面上，這樣可以使壓印形成的壓 花的深度一致。另外，壓花是用針尖印壓軟基板，并在其上印成壓花，因此 針尖的形狀決定了壓花的形狀，即可以通過針尖的大小控制壓花的大小。壓花上形成反射板具體為首先在設(shè)有壓花的表面沉積一層薄薄的反射 材料；在反射材料表面涂布光刻膠；用掩模版曝光光刻膠，使光刻膠殘留在 已形成的壓花上；用化學(xué)腐蝕劑蝕刻未被光刻膠覆蓋的反射材料，并漏出軟 基板表面；最后去掉剩余光刻膠，結(jié)束形成反射板的步驟。進(jìn)一步地，用于形成反射板的材料為鋁、鉬、鈦、鋁合金或鈦合金等。 本發(fā)明另 一種反透過型陣列基板的制造方法的實(shí)施例圖5a為本發(fā)明另一種反透過型陣列基板制造方法流程圖，包括在軟基板 上形成壓花和在軟基板上形成陣列主體，其中在軟基板上形成壓花具體為步驟201、設(shè)置軟基板和針床，軟基板設(shè)有透射區(qū)域和反射區(qū)域，加熱所 述針床至200攝氏度以上；步驟202、將所述針床印在所述軟基板的反射區(qū)域上形成壓花；步驟203、在所述壓花上形成反射板。在軟基板上形成陣列主體包括沉積工藝、涂布工藝、曝光工藝、蝕刻 工藝和去膠工藝等，沉積工藝用于形成薄薄的材料層，涂布工藝用于形成光 刻膠，曝光工藝用于形成圖案，蝕刻工藝用于去掉圖案區(qū)域外的材料層，去 膠工藝用于去掉圖案區(qū)域的剩余光刻膠。通過多次重復(fù)沉積工藝、涂布工藝、 曝光工藝、蝕刻工藝和去膠工藝形成一層一層的薄膜結(jié)構(gòu)，最終形成陣列結(jié) 構(gòu)。圖5b為本發(fā)明用針床融化軟基板的示意圖。如圖5b所示，首先加熱針 床ll，使針床ll的針尖1101的溫度達(dá)到200攝氏度以上，然后用該針床ll 印在軟基板1的反射區(qū)域上，軟基板1被印的一面融化并形成由凹坑構(gòu)成的 壓花，而另一面則沒有變化。進(jìn)一步的，針床的每個(gè)針尖要在一個(gè)平面上，這樣可以使壓印形成的壓 花的深度一致。另外，壓花是用針尖印壓軟基板，并在其上印成壓花，因此 針尖的形狀決定了壓花的形狀，即可以通過針尖的大小控制壓花的大小。壓花上形成反射板具體為首先在設(shè)有壓花的表面沉積一層薄薄的反射 材料；在反射材料表面涂布光刻膠；用掩模版曝光光刻膠，使光刻膠殘留在 已形成的壓花上；用化學(xué)腐蝕劑蝕刻未被光刻膠覆蓋的反射材料，并漏出軟 基板表面；最后去掉剩余光刻膠，結(jié)束形成反射板的步驟。進(jìn)一步地，用于形成反射板的材料為鋁、鉬、鈦、鋁合金或鈦合金等。另外，本發(fā)明中陣列基板上的反射區(qū)域可位于像素區(qū)域的任何部位，不 限于實(shí)施例中給出的部位。最后應(yīng)說明的是以上實(shí)施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對(duì)其 限制；盡管參照前述實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù) 人員應(yīng)當(dāng)理解其依然可以對(duì)前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或 者對(duì)其中部分技術(shù)特征進(jìn)行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技 術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實(shí)施例技術(shù)方案的精神和范圍。
權(quán)利要求
1、一種反透過型陣列基板，包括軟基板和在所述軟基板上設(shè)置的陣列主體，所述軟基板設(shè)有透射區(qū)域和反射區(qū)域，其特征在于，在所述軟基板的反射區(qū)域形成有壓花，在所述壓花上設(shè)有反射板，所述壓花和反射板與陣列主體位于所述軟基板的同一面。
2、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的反透過型陣列基板，其特征在于，所述陣列主 體為扭曲向列型結(jié)構(gòu)主體、垂直取向型結(jié)構(gòu)主體、邊緣場(chǎng)切換型結(jié)構(gòu)主體或 面內(nèi)切換型結(jié)構(gòu)主體。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的反透過型陣列基板，其特征在于，所述壓 花為凸臺(tái)，或者所述壓花為凹坑。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的反透過型陣列基板，其特征在于，所述壓 花為點(diǎn)陣型壓花。
5、 一種反透過型陣列基板的制造方法，包括在軟基板上形成壓花和在軟 基板上形成陣列主體，其特征在于，所述在軟基板上形成壓花具體為步驟IOI、設(shè)置軟基板和針床，所述軟基板設(shè)有透射區(qū)域和反射區(qū)域，加 熱所述針床至150攝氏度~ 200攝氏度；步驟102、將所述針床印壓在所述軟基板的反射區(qū)域形成壓花； 步驟103、在所述壓花上形成反射板。
6、 根據(jù)權(quán)利要求5所述的反透過型陣列基板的制造方法，其特征在于， 將所述針床印壓在所述軟基板的反射區(qū)域形成壓花具體為被壓印的軟基板 向壓印的方向彎曲形成壓花。
7、 根據(jù)權(quán)利要求5所述的反透過型陣列基板的制造方法，其特征在于， 用于形成反射板的材料為鋁、鉬、鈦、鋁合金或鈥合金。
8、 一種反透過型陣列基板的制造方法，包括在軟基板上形成壓花和在軟 基板上形成陣列主體，其特征在于，所述在軟基板上形成壓花具體為步驟201、設(shè)置軟基板和針床，所述軟基板設(shè)有透射區(qū)域和反射區(qū)域，加 熱所述針床至200攝氏度以上；步驟202、將所述針床印在所述軟基板的反射區(qū)域上形成壓花； 步驟203、在所述壓花上形成反射板。
9、 根據(jù)權(quán)利要求8所述的反透過型陣列基板的制造方法，其特征在于， 所述針床印在所述軟基板的反射區(qū)域上形成壓花具體為被印的軟基板表面 融化形成壓花。
10、 根據(jù)權(quán)利要求8所述的反透過型陣列基板的制造方法，其特征在于， 用于形成反射板的材料為鋁、鉬、鈦、鋁合金或鈦合金。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種反透過型陣列基板及其制造方法。反透過型陣列基板包括軟基板和在軟基板上設(shè)置的陣列主體，軟基板設(shè)有透射區(qū)域和反射區(qū)域，在軟基板的反射區(qū)域形成有壓花，在壓花上設(shè)有反射板，壓花和反射板與陣列主體位于軟基板的同一面。反透過型陣列基板的制造方法包括在軟基板上形成壓花和在軟基板上形成陣列主體，其中在軟基板上形成壓花具體為步驟101、設(shè)置軟基板和針床，軟基板設(shè)有透射區(qū)域和反射區(qū)域，加熱針床至150攝氏度～200攝氏度；步驟102、將針床印壓在軟基板的反射區(qū)域形成壓花；步驟103、在壓花上形成反射板。本發(fā)明解決現(xiàn)有技術(shù)反透過型陣列基板的各項(xiàng)參數(shù)設(shè)定難度過大的問題，降低反透過型陣列基板的制造成本。
文檔編號(hào)B29C59/00GK101398558SQ20071017521
公開日2009年4月1日 申請(qǐng)日期2007年9月27日 優(yōu)先權(quán)日2007年9月27日
發(fā)明者劉圣烈, 崔瑩石 申請(qǐng)人:北京京東方光電科技有限公司