專利名稱：半穿半反液晶顯示器的陣列基板制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示領(lǐng)域，尤其涉及一種半穿半反液晶顯示器的陣列基板制造方法。
背景技術(shù)：
目前市場上顯示器以光源需求大略分為三類，穿透式液晶顯示器、反射式液晶顯示器及半穿半反液晶顯示器。穿透式液晶顯示器適合使用在弱光源的環(huán)境中，如在室內(nèi)使用，而在室外使用時，當外在光源過于強大時，會使背光源的強度受到外在光的干擾，而使得眼睛看顯示器時會因此而覺得面板過亮而不清楚，影響到影像品質(zhì)。而且長期使用背光源，使電量的消耗非常大，而小尺寸的顯示器通常使用電池供電，所以容易出現(xiàn)很快沒電的情況。反射式液晶顯示器則適合用于外在光源強大的地方，因為結(jié)構(gòu)中有一反射體，可以把強光反射，將外在光源的影響減低，此種結(jié)構(gòu)輕薄且省電，但在光源弱的地方，會出現(xiàn)光強度不足的現(xiàn)象，影響影像品質(zhì)。半穿半反式液晶顯示器具有兩種不同的顯示模式，在光線較暗的環(huán)境下，主要靠透視模式，也就是利用液晶器自身的背光源透光液晶面板顯示圖像， 在陽光下等光線充足的情況下，主要靠反射模式，即利用液晶面板內(nèi)的反光鏡將外部的光線反射出去，依次作為光源顯示圖像，因此半穿半反式液晶顯示器適用于各種光線強度的外部環(huán)境，尤其具有優(yōu)秀的戶外可視性能，并且背光源的亮度不需要很高，具有功耗低的特點ο通常液晶顯示器由一個上基板、一個下基板和夾于兩者之間的液晶所組成。上基板是所謂的彩膜基板，通常包括公共電極和彩色濾光片。下基板是所謂的陣列基板，通常包括薄膜晶體管(TFT)和像素電極。彩膜基板可以通過數(shù)次光罩工藝形成彩色濾光片。陣列基板通常是使用4到6個掩膜(Mask)，經(jīng)過薄膜沉積、Mask曝光和蝕刻等幾步重復(fù)光罩制程工藝，形成矩陣排列的薄膜晶體管和像素電極，陣列基板制造過程中使用的Mask越多， 相應(yīng)工序也越多，進而導致不良率高，成本難以控制。而現(xiàn)有制造半穿半反式陣列基板的制造方法，一般的是在完成薄膜晶體管后再進行另外的制程以形成反射部，使得制程更為復(fù)雜，成本更高。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種半穿半反液晶顯示器的陣列基板制造方法，其簡化了陣列基板的生產(chǎn)制程、縮短了生產(chǎn)時間、降低生產(chǎn)成本。為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種半穿半反液晶顯示器的陣列基板制造方法，包括以下步驟步驟1、提供基板；步驟2、在基板上形成透明電極層、在透明電極層上形成第一金屬層；步驟3、通過第一道光罩制程以形成預(yù)定圖案的柵極、像素電極及反射部，其中，該柵極由透明電極層及第一金屬層形成，該像素電極由透明電極層形成，該反射部由第一金屬層形成；步驟4、在柵極、像素電極及反射部上形成絕緣層；步驟5、通過第二道光罩制程在上述絕緣層上形成預(yù)定圖案的柵極絕緣層；步驟6、在柵極絕緣層上形成半導體層、在半導體層上形成第二金屬層；步驟7、通過第三道光罩制程在半導體層上形成預(yù)定圖案的溝道層及在第二金屬層上形成預(yù)定圖案的漏極與源極，形成薄膜晶體管，其中，所述漏極電性連接于所述像素電極。所述第一道光罩制程利用灰階掩膜或半灰階掩膜對透明電極層及第一金屬層進行曝光、顯影、蝕刻以形成預(yù)定圖案的柵極、像素電極及反射部，所述柵極位于所述基板上， 由部分透明電極層及設(shè)于該部分透明電極層上的部分第一金屬層形成，所述像素電極與所述柵極分離設(shè)置，該像素電極由另一部分透明電極層形成，所述反射部位于所述像素電極上。所述步驟5中，第二道光罩制程利用灰階掩膜或半灰階掩膜對絕緣層進行曝光、 顯影、蝕刻還形成像素電極絕緣層，該像素電極絕緣層位于所述像素電極與反射部上。所述第三道光罩制程利用灰階掩膜或半灰階掩膜對半導體層及第二金屬層進行曝光、顯影、蝕刻以形成預(yù)定圖案的溝道層、漏極與源極，所述溝道層位于所述柵極絕緣層上，并部分延伸于所述像素電極，所述漏極與源極分離設(shè)置于所述溝道層的兩端，該漏極一端沿所述溝道層延伸于所述像素電極上。所述透明電極層為氧化銦錫層。所述步驟7后還包括，步驟8、在薄膜晶體管上形成平坦化層。所述步驟8中的平坦化層為透明絕緣層。所述第一金屬層、第二金屬層、及透明電極層分別通過濺射制程而形成。
所述絕緣層、半導體層、及平坦層通過化學氣相沉積而形成。本發(fā)明的有益效果本發(fā)明半穿半反液晶顯示器的陣列基板制造方法，只需三道光罩制程就完成了半穿半反液晶顯示器的陣列基板制造，簡化了生產(chǎn)制程，縮短了生產(chǎn)時間，降低了生產(chǎn)成本。為了能更進一步了解本發(fā)明的特征以及技術(shù)內(nèi)容，請參閱以下有關(guān)本發(fā)明的詳細說明與附圖，然而附圖僅提供參考與說明用，并非用來對本發(fā)明加以限制。


下面結(jié)合附圖，通過對本發(fā)明的具體實施方式
詳細描述，將使本發(fā)明的技術(shù)方案及其它有益效果顯而易見。附圖中，圖1為本發(fā)明半穿半反液晶顯示器的陣列基板制造方法的流程圖；圖2至圖6為本發(fā)明半穿半反液晶顯示器的陣列基板制造方法一實施例的各制造階段的結(jié)構(gòu)示意圖；圖7為通過本發(fā)明半穿半反液晶顯示器的陣列基板制造方法制成的陣列基板的另一結(jié)構(gòu)示意圖；圖8為通過本發(fā)明半穿半反液晶顯示器的陣列基板制造方法制成的陣列基板的又一結(jié)構(gòu)示意圖；圖9為通過本發(fā)明半穿半反液晶顯示器的陣列基板制造方法制成的陣列基板的
再一結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施例方式為更進一步闡述本發(fā)明所采取的技術(shù)手段及其效果，以下結(jié)合本發(fā)明的優(yōu)選實施例及其附圖進行詳細描述。請參閱圖1至圖6，本發(fā)明半穿半反液晶顯示器的陣列基板制造方法，包括以下步驟步驟1、提供基板100，該基板100由可透光材料構(gòu)成，通常為玻璃基板、石英基板或其他合適的材料的基板。步驟2、在基板100上形成透明電極層200、在透明電極層200上形成第一金屬層 300(如圖2所示)，所述透明電極層200為氧化銦錫(ITO)層，該透明電極層200與第一金屬層300均通過濺射(Sputtering)制程而形成，該第一金屬層300的材料可為鉬、鎢、鉻、 鋁、銅或其疊層或其他適當材料。步驟3、通過第一道光罩制程以形成預(yù)定圖案的柵極20、像素電極30及反射部 40 (如圖3所示)，其中，該柵極20由透明電極層200及第一金屬層300形成，該像素電極 30由透明電極層200形成，該反射部40由第一金屬層300形成。所述第一道光罩制程利用灰階掩膜或半灰階掩膜對透明電極層200及第一金屬層300進行曝光、顯影、蝕刻以形成預(yù)定圖案的柵極20、像素電極30及反射部40，所述柵極 20位于所述基板100上，由部分透明電極層200及設(shè)于該部分透明電極層200上的部分第一金屬層300形成，所述像素電極30與所述柵極20分離設(shè)置，該像素電極30由另一部分透明電極層200形成，所述反射部40位于所述像素電極30上，由第一金屬層300形成。該第一道光罩制程的具體實施方式
可為在第一金屬層300上覆一層感光(photo-sensitive)材料，即光致抗蝕劑層，然后使得光線通過灰階掩膜或半灰階掩膜照射于光致抗蝕劑層上以將該光致抗蝕劑層曝光。由于灰階掩膜或半灰階掩膜上具有有源區(qū)域的圖案，將使部分光線得以穿過灰階掩膜或半灰階掩膜而照射于光致抗蝕劑層上，使得光致抗蝕劑層的曝光具有選擇性，同時借此將灰階掩膜或半灰階掩膜上的圖案完整的復(fù)印至光致抗蝕劑層上。然后，利用合適的顯影液劑(developer)除去部分光致抗蝕劑，使得光致抗蝕劑層顯現(xiàn)所需要的圖案。接著，通過蝕刻工藝將部分第一金屬層300及部分透明電極層200去除，在此的蝕刻工藝可選用濕式蝕刻、干式蝕刻或兩者配合使用。最后，將剩余的圖案化的光致抗蝕劑層全部去除，進而形成預(yù)定圖案的柵極20、像素電極30及反射部40。步驟4、在柵極20、像素電極30及反射部40上形成絕緣層400(如圖4所示)，該絕緣層400通過化學氣相沉積(Chemical vapor deposition, CVD)而形成，所述絕緣層400 通常為氧化層，但也可以為氮化層、其他適宜的絕緣材料層或前述各絕緣層的復(fù)合層。步驟5、通過第二道光罩制程在上述絕緣層400上形成預(yù)定圖案的柵極絕緣層 50(如圖5所示)。步驟6、在柵極絕緣層50上形成半導體層(未圖示)、在半導體層上形成第二金屬層(未圖示)，所述半導體層通過化學氣相沉積而形成，該半導體層一般為多晶硅層，所述第二金屬層通過濺射制程而形成，該第二金屬層的材料可為鉬、鎢、鉻、鋁、銅或其疊層或其他適當材料。步驟7、通過第三道光罩制程在半導體層上形成預(yù)定圖案的溝道層60及在第二金屬層上形成預(yù)定圖案的漏極70與源極80 (如圖6所示)，形成薄膜晶體管，其中，所述漏極 70電性連接于所述像素電極30。所述第三道光罩制程利用灰階掩膜或半灰階掩膜對半導體層及第二金屬層進行曝光、顯影、蝕刻以形成預(yù)定圖案的溝道層60、漏極70與源極80，所述溝道層60位于所述柵極絕緣層50上，并部分延伸于所述像素電極30，所述漏極70與源極80分離設(shè)置于所述溝道層60的兩端，且，該漏極70 —端沿所述溝道層60延伸于所述像素電極30上，進而形成一薄膜晶體管。該第三道光罩制程與上述光罩制程相同，需要特別指出的是，在蝕刻工藝時，所述溝道層60對應(yīng)漏極70部分多蝕刻一部分，使得所述漏極70的一端失去支撐而延伸至所述像素電極30上，進而使得漏極70與像素電極30電性連接。步驟8、在薄膜晶體管上形成平坦化層(未圖示)，該平坦化層為透明絕緣層，通過化學氣相沉積而形成。請參閱圖7，為通過本發(fā)明半穿半反液晶顯示器的陣列基板制造方法制成的陣列基板的另一結(jié)構(gòu)示意圖，形成該種結(jié)構(gòu)的陣列基板，其與上述制程的區(qū)別在于，在上述步驟 5中，第二道光罩制程利用灰階掩膜或半灰階掩膜對絕緣層進行曝光、顯影、蝕刻還可以形成像素電極絕緣層90，該像素電極絕緣層90位于所述像素電極30與反射部40上。請參閱圖8，為通過本發(fā)明半穿半反液晶顯示器的陣列基板制造方法制成的陣列基板的又一結(jié)構(gòu)示意圖，其區(qū)別制程為，在上述步驟7中，第三道光罩制程利用灰階掩膜或半灰階掩膜對絕緣層進行曝光、顯影、蝕刻在半導體層上形成的漏極70’完全設(shè)于溝道層 60上，該漏極70’通過溝道層60電性連接于像素電極30。請參閱圖9，為通過本發(fā)明半穿半反液晶顯示器的陣列基板制造方法制成的陣列基板的再一結(jié)構(gòu)示意圖，其區(qū)別制程為，所述步驟5中，第二道光罩制程利用灰階掩膜或半灰階掩膜對絕緣層進行曝光、顯影、蝕刻還可以形成像素電極絕緣層90，該像素電極絕緣層 90位于所述像素電極30與反射部40上；同時，在上述步驟7中，第三道光罩制程利用灰階掩膜或半灰階掩膜對絕緣層進行曝光、顯影、蝕刻在半導體層上形成的漏極70’完全設(shè)于溝道層60上，該漏極70’通過溝道層60電性連接于像素電極30。綜上所述，本發(fā)明半穿半反液晶顯示器的陣列基板制造方法，只需三道光罩制程就完成了半穿半反液晶顯示器的陣列基板制造，簡化了生產(chǎn)制程，縮短了生產(chǎn)時間，降低了生產(chǎn)成本。以上所述，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，可以根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案和技術(shù)構(gòu)思作出其他各種相應(yīng)的改變和變形，而所有這些改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明權(quán)利要求的保護范圍。
權(quán)利要求
1.一種半穿半反液晶顯示器的陣列基板制造方法，其特征在于，包括以下步驟步驟1、提供基板；步驟2、在基板上形成透明電極層、在透明電極層上形成第一金屬層；步驟3、通過第一道光罩制程以形成預(yù)定圖案的柵極、像素電極及反射部，其中，該柵極由透明電極層及第一金屬層形成，該像素電極由透明電極層形成，該反射部由第一金屬層形成；步驟4、在柵極、像素電極及反射部上形成絕緣層；步驟5、通過第二道光罩制程在上述絕緣層上形成預(yù)定圖案的柵極絕緣層；步驟6、在柵極絕緣層上形成半導體層、在半導體層上形成第二金屬層；步驟7、通過第三道光罩制程在半導體層上形成預(yù)定圖案的溝道層及在第二金屬層上形成預(yù)定圖案的漏極與源極，形成薄膜晶體管，其中，所述漏極電性連接于所述像素電極。
2.如權(quán)利要求1所述的半穿半反液晶顯示器的陣列基板制造方法，其特征在于，所述第一道光罩制程利用灰階掩膜或半灰階掩膜對透明電極層及第一金屬層進行曝光、顯影、 蝕刻以形成預(yù)定圖案的柵極、像素電極及反射部，所述柵極位于所述基板上，由部分透明電極層及設(shè)于該部分透明電極層上的部分第一金屬層形成，所述像素電極與所述柵極分離設(shè)置，該像素電極由另一部分透明電極層形成，所述反射部位于所述像素電極上。
3.如權(quán)利要求1所述的半穿半反液晶顯示器的陣列基板制造方法，其特征在于，所述步驟5中，第二道光罩制程利用灰階掩膜或半灰階掩膜對絕緣層進行曝光、顯影、蝕刻還形成像素電極絕緣層，該像素電極絕緣層位于所述像素電極與反射部上。
4.如權(quán)利要求1所述的半穿半反液晶顯示器的陣列基板制造方法，其特征在于，所述第三道光罩制程利用灰階掩膜或半灰階掩膜對半導體層及第二金屬層進行曝光、顯影、蝕刻以形成預(yù)定圖案的溝道層、漏極與源極，所述溝道層位于所述柵極絕緣層上，并部分延伸于所述像素電極，所述漏極與源極分離設(shè)置于所述溝道層的兩端，該漏極一端沿所述溝道層延伸于所述像素電極上。
5.如權(quán)利要求1所述的半穿半反液晶顯示器的陣列基板制造方法，其特征在于，所述透明電極層為氧化銦錫層。
6.如權(quán)利要求1所述的半穿半反液晶顯示器的陣列基板制造方法，其特征在于，所述步驟7后還包括，步驟8、在薄膜晶體管上形成平坦化層。
7.如權(quán)利要求6所述的半穿半反液晶顯示器的陣列基板制造方法，其特征在于，所述步驟8中的平坦化層為透明絕緣層。
8.如權(quán)利要求1所述的半穿半反液晶顯示器的陣列基板制造方法，其特征在于，所述第一金屬層、第二金屬層、及透明電極層分別通過濺射制程而形成。
9.如權(quán)利要求6所述的半穿半反液晶顯示器的陣列基板制造方法，其特征在于，所述絕緣層、半導體層、及平坦層通過化學氣相沉積而形成。
全文摘要
本發(fā)明提供一種半穿半反液晶顯示器的陣列基板制造方法，包括以下步驟步驟1、提供基板；步驟2、在基板上形成透明電極層、在透明電極層上形成第一金屬層；步驟3、通過第一道光罩制程以形成預(yù)定圖案的柵極、像素電極及反射部；步驟4、在柵極、像素電極及反射部上形成絕緣層；步驟5、通過第二道光罩制程在上述絕緣層上形成預(yù)定圖案的柵極絕緣層；步驟6、在柵極絕緣層上形成半導體層、在半導體層上形成第二金屬層；步驟7、通過第三道光罩制程在半導體層上形成預(yù)定圖案的溝道層及在第二金屬層上形成預(yù)定圖案的漏極與源極，形成薄膜晶體管，其中，所述漏極電性連接于所述像素電極。
文檔編號G02F1/1333GK102569192SQ20121005681
公開日2012年7月11日 申請日期2012年3月6日 優(yōu)先權(quán)日2012年3月6日
發(fā)明者楊流洋, 賈沛 申請人:深圳市華星光電技術(shù)有限公司