顯示基板及其制造方法、顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種顯示基板及其制造方法、顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著TFT-LCD(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display,薄膜晶體管液晶顯示器)顯示技術(shù)的不斷發(fā)展，越來越多的新技術(shù)不斷地被提出和應(yīng)用。基于ADS (Advanced Super Dimens1n Switch，AD-SDS，簡稱 ADS，高級超維場轉(zhuǎn)換技術(shù))模式的TFT-LCD憑借其低功耗、寬視角等特點，得到了越來越多人們的關(guān)注。
[0003]ADS技術(shù)主要是通過同一平面內(nèi)狹縫電極邊緣所產(chǎn)生的電場以及狹縫電極層與板狀電極層間產(chǎn)生的電場形成多維電場，使液晶盒內(nèi)狹縫電極間、電極正上方所有取向液晶分子都能夠產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)，從而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。采用ADS技術(shù)的TFT-LCD產(chǎn)品不僅在畫面品質(zhì)上有所提高，且具有高分辨率、高透過率、寬視角、高開口率、低色差、無擠壓水波紋等優(yōu)點。
[0004]金屬氧化物為有源層的薄膜晶體管較現(xiàn)有技術(shù)中的a-Si (非晶硅)為有源層薄膜晶體管相比，具有迀移率高、制備溫度低、均一性好、對可見光透明和閾值電壓低等特點，可實現(xiàn)高開口率和低功耗，未來應(yīng)用前景廣闊。
[0005]因此，集合ADS技術(shù)和金屬氧化物薄膜晶體管優(yōu)點的顯示基板具有更廣闊的應(yīng)用前景。但是，金屬氧化物易受H2, H2O等影響，為防止在后續(xù)濕法刻蝕工藝中刻蝕液對金屬氧化物的影響，需要在金屬氧化物表面另加刻蝕阻擋層進行保護。通?？涛g阻擋層需要單獨進行一次掩膜曝光工藝形成刻蝕阻擋層過孔，薄膜晶體管源漏極通過刻蝕阻擋層過孔與金屬氧化物連接。這種結(jié)構(gòu)，增加了掩膜板的成本和工藝的復(fù)雜性。
[0006]對于金屬氧化物作為有源層的ADS型TFT-1XD而言，現(xiàn)有技術(shù)中通常需要通過7次構(gòu)圖工藝制造完成，而每一次構(gòu)圖工藝中又分別包括成膜、曝光、顯影、刻蝕和剝離等工藝。構(gòu)圖工藝的次數(shù)過多將直接導(dǎo)致顯示裝置產(chǎn)品的成本上升，因此如何能夠進一步減少構(gòu)圖工藝的次數(shù)也就成為了人們?nèi)找骊P(guān)注的問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明的實施例提供一種顯示基板及其制造方法、顯示裝置，可以減少在顯示基板制造過程中構(gòu)圖工藝的次數(shù)，有效降低產(chǎn)品的生產(chǎn)成本。
[0008]為達到上述目的，本發(fā)明的實施例采用如下技術(shù)方案:
[0009]本發(fā)明實施例的一方面，提供一種顯示基板制造方法，步驟包括:
[0010]提供一基板，在所述基板上柵絕緣層、有源層的圖形；
[0011]依次形成刻蝕阻擋層薄膜和第一電極薄膜；
[0012]通過一次構(gòu)圖工藝形成刻蝕阻擋層圖形和第一電極圖形。
[0013]本發(fā)明實施例的另一方面，提供一種顯示基板，所述顯示基板采用前述實施例提供的制造方法制造而成，所述顯示基板至少包含柵絕緣層、有源層、刻蝕阻擋層和第一電極的圖形，其中:
[0014]所述刻蝕阻擋層圖形位于所述柵絕緣層與所述有源層之上且包括第一過孔區(qū)域、第一厚度區(qū)域和第二厚度區(qū)域；
[0015]所述刻蝕阻擋層圖形的第一過孔區(qū)域具有貫穿整個刻蝕阻擋層以部分露出所述有源層的第一過孔圖形；
[0016]所述刻蝕阻擋層圖形的第一厚度區(qū)域位于所述柵絕緣層之上，對應(yīng)于所述顯示基板的第一電極；
[0017]所述刻蝕阻擋層圖形的第二厚度區(qū)域位于除所述第一過孔區(qū)域與第一厚度區(qū)域之外的區(qū)域，第二厚度區(qū)域?qū)?yīng)的刻蝕阻擋層厚度小于第一厚度區(qū)域的刻蝕阻擋層厚度；
[0018]所述第一電極圖形位于所述刻蝕阻擋層的第一厚度區(qū)域之上且擁有與第一厚度區(qū)域相同的邊界。
[0019]本發(fā)明實施例的又一方面，提供一種顯示裝置，所述顯示裝置包括如上所述的顯不基板。
[0020]本發(fā)明實施例提供的顯示基板以及制造方法、顯示裝置。本發(fā)明采用一次構(gòu)圖工藝同時形成刻蝕阻擋層與第一電極的圖形。這樣一來，與現(xiàn)有技術(shù)相比，省去了形成刻蝕阻擋層圖形單獨的構(gòu)圖工藝，可以將金屬氧化物為有源層的ADS型顯示基板制作過程中的構(gòu)圖工藝使用次數(shù)從7次減少到6次，從而簡化了產(chǎn)品的生產(chǎn)步驟，顯著降低了產(chǎn)品的生產(chǎn)成本。
【附圖說明】
[0021]圖1為本發(fā)明實施例提供的一種顯示基板制造方法的流程示意圖；
[0022]圖2為本發(fā)明實施例提供的通過一次構(gòu)圖工藝形成刻蝕阻擋層圖形和第一電極圖形的流程示意圖；
[0023]圖3為本發(fā)明實施例提供的另一種顯示基板制造方法的流程示意圖；
[0024]圖4為基板上形成柵極和公共電極線的結(jié)構(gòu)示意圖
[0025]圖5為圖4所示的基板形成柵絕緣層的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0026]圖6為圖5所示的基板形成有源層的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0027]圖7為圖6所示的基板沉積刻蝕阻擋層薄膜、第一電極薄膜并涂覆正性光刻膠后的結(jié)構(gòu)不意圖；
[0028]圖8為圖7所示的基板進行曝光顯影后的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0029]圖9為圖8所示的基板進行第一次刻蝕工藝后的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0030]圖10為圖9所示的基板進行第二次刻蝕工藝后的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0031]圖11為圖10所示的基板中的光刻膠進行灰化后的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0032]圖12為圖11所示的基板進行第三次刻蝕工藝后的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0033]圖13為圖12所示的基板進行第四次刻蝕工藝后形成的第一過孔圖形的一種結(jié)構(gòu)示意圖；
[0034]圖14為圖12所示的基板進行第四次刻蝕后形成的第一過孔圖形的另一種結(jié)構(gòu)示意圖
[0035]圖15為圖13所示的基板進行光刻膠剝離、形成數(shù)據(jù)線、薄膜晶體管源極、薄膜晶體管漏極、導(dǎo)電溝道區(qū)域的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0036]圖16為圖15所示的基板上形成帶有第二過孔的鈍化層圖形的結(jié)構(gòu)示意圖
[0037]圖17為本發(fā)明實施例提供的一種顯示基板的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0038]附圖標記說明:
[0039]I一基板；2—柵電極；3—公共電極線；4一柵絕緣層；
[0040]5—有源層；6—刻蝕阻擋層；7—第一電極薄膜；8—正性光刻膠；
[0041]9—第一電極；10—第一過孔；11—薄膜晶體管源極；
[0042]12—薄膜晶體管溝道區(qū)域；13—薄膜晶體管漏極；14一鈍化層；
[0043]15一第二過孔；16—第二電極。
【具體實施方式】
[0044]需要說明的是:
[0045]1、本發(fā)明中所述的例如“X設(shè)置于Y上”或“X上設(shè)置有Y”中的“上”包含了 X與Y接觸，并且X位于Y的上方的意思，本發(fā)明中如附圖所示，將基板定義為設(shè)置于最下方；
[0046]2、本發(fā)明所稱的構(gòu)圖工藝包括光刻膠涂覆、掩模、曝光、顯影、刻蝕、光刻膠剝離等工藝，光刻膠以正性光刻膠為例；
[0047]3、本發(fā)明中所述的“某某區(qū)域”是某某圖形在基板上映射的區(qū)域，即該區(qū)域與某某圖形具有相同的形狀，例如柵線區(qū)域，即為柵線的圖形在基板上的映射的區(qū)域，也可以理解為基板上將要設(shè)置柵