1.一種電子元器件傳送裝置，其特征在于，包括：
傳送路徑；以及
第1磁力發(fā)生部，
所述傳送路徑包含上游部、與所述上游部相連接的中游部及與所述中游部相連接的下游部，
所述傳送路徑包含通過所述上游部、所述中游部、所述下游部的底面、第1側(cè)壁、及第2側(cè)壁，所述第1側(cè)壁和所述第2側(cè)壁隔著間隔相對，
所述第1磁力發(fā)生部設(shè)置于所述中游部的所述第1側(cè)壁的側(cè)方，
所述中游部的所述第1側(cè)壁和所述第2側(cè)壁的間隔比所述上游部的所述第1側(cè)壁和所述第2側(cè)壁的間隔、及所述下游部的所述第1側(cè)壁和所述第2側(cè)壁的間隔要大，
所述第1側(cè)壁平坦地通過所述上游部、所述中游部、所述下游部。
2.如權(quán)利要求1所述的電子元器件傳送裝置，其特征在于，
所述中游部包含與所述下游部相連接的過渡部，
所述過渡部中，所述第2側(cè)壁相對于傳送方向傾斜，所述第1側(cè)壁和所述第2側(cè)壁之間的間隔隨著接近所述下游部而變窄。
3.如權(quán)利要求1或2所述的電子元器件傳送裝置，其特征在于，
還包括位于所述中游部的所述第2側(cè)壁的側(cè)方，且配置在比所述第1磁力發(fā)生部更靠近下游側(cè)的第2磁力發(fā)生部，
由所述第2磁力發(fā)生部發(fā)生的磁力比由所述第1磁力發(fā)生部發(fā)生的磁力要弱。
4.如權(quán)利要求1至3的任一項(xiàng)所述的電子元器件傳送裝置，其特征在于，
在與傳送方向正交的寬度方向上，所述第1磁力發(fā)生部不與包含所述第2磁力發(fā)生部的其他磁力發(fā)生部重疊，所述第2磁力發(fā)生部不與包含所述第1磁力發(fā)生部的其他磁力發(fā)生部重疊。
5.如權(quán)利要求1至4的任一項(xiàng)所述的電子元器件傳送裝置，其特征在于，
所述第1磁力發(fā)生部包含永磁體或電磁體。
6.如權(quán)利要求1至5的任一項(xiàng)所述的電子元器件傳送裝置，其特征在于，
所述傳送路徑沿著長度方向?qū)Π瑢盈B的多個內(nèi)部導(dǎo)體的長方體狀的電子元器件進(jìn)行傳送。