本發(fā)明涉及電子元器件傳送裝置。

背景技術(shù)：

已知有層疊陶瓷電容器作為一種電子元器件。在層疊陶瓷電容器中，層疊有多個(gè)內(nèi)部電極和陶瓷電介質(zhì)層。

一般而言，將層疊陶瓷電容器安裝于基板來(lái)使用。在將層疊陶瓷電容器安裝于基板時(shí)，內(nèi)部電極的層疊方向與基板的表面平行的情況、和內(nèi)部電極的層疊方向與基板的表面垂直的情況存在機(jī)械強(qiáng)度差，有時(shí)寄生電容值不同。

此外，內(nèi)部電極的層疊方向與基板的表面平行的情況、和內(nèi)部電極的層疊方向與基板的表面垂直的情況下，有時(shí)噪聲(acoustic noise)的大小不同。這里，“噪聲”是指因所施加的電壓變動(dòng)而產(chǎn)生的層疊陶瓷電容器的失真導(dǎo)致基板發(fā)生振動(dòng)，從而發(fā)出的聲音。

因此，要求在將內(nèi)部電極的層疊方向排列在規(guī)定的方向的狀態(tài)下，將層疊陶瓷電容器安裝于基板。

專利文獻(xiàn)1中記載有將層疊陶瓷電容器排列在規(guī)定的方向上的電子元器件傳送裝置的一個(gè)示例。專利文獻(xiàn)1所記載的傳送裝置具有第1傳送路徑、旋轉(zhuǎn)路徑及第2傳送路徑。旋轉(zhuǎn)路徑中設(shè)有第1磁體，以向電子元器件施加磁力，使得電子元器件的內(nèi)部電極朝向規(guī)定的方向。旋轉(zhuǎn)路徑具有引導(dǎo)壁的間隔隨著朝向與第2傳送路徑相連接的端部而逐漸變窄的過(guò)渡引導(dǎo)壁。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：日本專利特開(kāi)2011-018698號(hào)公報(bào)

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題

專利文獻(xiàn)1所記載的電子元器件傳送裝置中具有如下問(wèn)題：通過(guò)旋轉(zhuǎn)路徑的電子元器件的姿勢(shì)發(fā)生傾斜，電子元器件易于堵塞。

本發(fā)明的主要目的在于，提供一種電子元器件難以堵塞于傳送路徑的電子元器件傳送裝置。

解決技術(shù)問(wèn)題的技術(shù)方案

本發(fā)明所涉及的電子元器件傳送裝置包括傳送路徑及第1磁力發(fā)生部。傳送路徑包含上游部、與上游部相連接的中游部及與中游部相連接的下游部。傳送路徑包含通過(guò)上游部、中游部、下游部的底面、第1側(cè)壁、第2側(cè)壁。第1側(cè)壁和第2側(cè)壁隔著間隔相對(duì)。第1磁力發(fā)生部設(shè)置于中游部的第1側(cè)壁的側(cè)方。中游部的第1側(cè)壁和第2側(cè)壁之間的間隔比上游部的第1側(cè)壁和第2側(cè)壁的間隔、及下游部的第1側(cè)壁和第2側(cè)壁的間隔要大。第1側(cè)壁平坦地通過(guò)上游部、中游部、下游部。該情況下，電子元器件以與第1側(cè)壁相接觸的狀態(tài)進(jìn)行旋轉(zhuǎn)，因此電子元器件的長(zhǎng)度方向難以相對(duì)于傳送方向傾斜。因此，電子元器件難以在中游部堵塞。

本發(fā)明所涉及的電子元器件傳送裝置優(yōu)選為，中游部包含與下游部相連接的過(guò)渡部，過(guò)渡部中，第2側(cè)壁相對(duì)于傳送方向傾斜，第1側(cè)壁和第2側(cè)壁之間的間隔隨著接近下游部而變窄。該情況下，能更有效地抑制電子元器件堵塞于中游部。

本發(fā)明所涉及的電子元器件傳送裝置優(yōu)選為，還包括位于中游部的第2側(cè)壁的側(cè)方，且配置在比第1磁力發(fā)生部更靠近下游側(cè)的第2磁力發(fā)生部，由第2磁力發(fā)生部發(fā)生的磁力比第1磁力發(fā)生部發(fā)生的磁力要弱。

本發(fā)明所涉及的電子元器件傳送裝置優(yōu)選為，在與傳送方向正交的寬度方向上，第1磁力發(fā)生部不與包含第2磁力發(fā)生部的其他磁力發(fā)生部重疊，第2磁力發(fā)生部不與包含第1磁力發(fā)生部的其他磁力發(fā)生部重疊。該情況下，電子元器件變得易于旋轉(zhuǎn)。

本發(fā)明所涉及的電子元器件傳送裝置中，第1磁力發(fā)生部可以包含永磁體或電磁體。

本發(fā)明所涉及的電子元器件傳送裝置中，傳送路徑可以是沿著長(zhǎng)度方向?qū)Π瑢盈B的多個(gè)內(nèi)部導(dǎo)體的長(zhǎng)方體狀的電子元器件進(jìn)行傳送的路徑。

發(fā)明效果

根據(jù)本發(fā)明，能提供一種電子元器件難以堵塞于傳送路徑的電子元器件傳送裝置。

附圖說(shuō)明

圖1是表示本發(fā)明的一實(shí)施方式所涉及的電子元器件傳送裝置的主要部分的示意性立體圖。

圖2是表示本發(fā)明的一實(shí)施方式所涉及的電子元器件傳送裝置的主要部分的示意性俯視圖。

圖3是本發(fā)明的一實(shí)施方式中傳送的電子元器件的示意性立體圖。

圖4是圖3的線IV-IV處的示意性剖視圖。

圖5是本發(fā)明的一實(shí)施方式中制造的編帶電子元器件串列的示意性剖視圖。

具體實(shí)施方式

下面，對(duì)實(shí)施本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式的一個(gè)示例進(jìn)行說(shuō)明。但是，下述實(shí)施方式僅僅是一個(gè)示例。本發(fā)明并不限于下述任一實(shí)施方式。

此外，在實(shí)施方式等所參照的各附圖中，以相同的標(biāo)號(hào)來(lái)參照實(shí)質(zhì)上具有相同功能的構(gòu)件。另外，實(shí)施方式等所參照的附圖是示意性的記載。附圖中繪制的物體的尺寸比例等有時(shí)與現(xiàn)實(shí)物體的尺寸比例等不同。附圖相互間的物體的尺寸比例等也可能不同。具體的物體的尺寸比例等應(yīng)當(dāng)參考以下的說(shuō)明來(lái)判斷。

圖1是表示本實(shí)施方式所涉及的電子元器件傳送裝置的主要部分的示意性立體圖。圖2是表示本實(shí)施方式所涉及的電子元器件傳送裝置的主要部分的示意性俯視圖。圖1及圖2所示的電子元器件傳送裝置2是對(duì)電子元器件1進(jìn)行傳送的裝置。所傳送的電子元器件1是長(zhǎng)方體狀的即可，并無(wú)特別限定。

具體而言，本實(shí)施方式中，對(duì)利用電子元器件傳送裝置2來(lái)傳送圖3及圖4所示的電子元器件1的示例進(jìn)行說(shuō)明。

圖3是本實(shí)施方式中傳送的電子元器件1的示意性立體圖。圖4是圖3的線IV-IV處的示意性剖視圖。

圖3及圖4所示的電子元器件1是長(zhǎng)方體狀的電容器。具體而言，電子元器件1是長(zhǎng)方體狀的層疊陶瓷電容器。本發(fā)明適用于易于發(fā)生噪聲且具有較大的靜電電容的電子元器件1，尤其適用于靜電電容為1μF以上或10μF以上的電子元器件1。

但是，本發(fā)明的電子元器件并不限于電容器。本發(fā)明的電子元器件也可以是熱敏電阻、電感器等。

電子元器件1包括電子元器件主體10。電子元器件主體10呈近似長(zhǎng)方體狀。另外，近似長(zhǎng)方體除了長(zhǎng)方體以外還包含長(zhǎng)方體的角部、棱線部為圓形的情況。

電子元器件主體10具有第1及第2主面10a、10b、第1及第2側(cè)面10c、10d、第1及第2端面10e、10f(參照?qǐng)D4。)。第1及第2主面10a、10b分別沿著長(zhǎng)度方向L及寬度方向W延伸。長(zhǎng)度方向L和寬度方向W正交。第1及第2側(cè)面10c、10d分別沿著長(zhǎng)度方向L及厚度方向T延伸。厚度方向T分別與長(zhǎng)度方向L及寬度方向W正交。第1及第2端面10e、10f分別沿著寬度方向W及厚度方向T延伸。

沿著電子元器件主體10的長(zhǎng)度方向L的尺寸比沿著寬度方向W及厚度方向T的尺寸要大。沿著電子元器件主體10的寬度方向W的尺寸與沿著電子元器件主體10的厚度方向T的尺寸實(shí)質(zhì)相等。具體而言，沿著電子元器件主體10的寬度方向W的尺寸是沿著電子元器件主體10的厚度方向T的尺寸的0.8倍以上1.2倍以下。

具體而言，作為易于利用磁力使電子元器件1旋轉(zhuǎn)的尺寸，本實(shí)施方式中，電子元器件主體10的沿著長(zhǎng)度方向L的尺寸優(yōu)選為0.6mm以上2.0mm以下。電子元器件主體10的沿著寬度方向W的尺寸優(yōu)選為0.3mm以上1.0mm以下。電子元器件主體10的沿著厚度方向T的尺寸優(yōu)選為0.3mm以上1.0mm以下。

為了獲得較大的靜電電容，電子元器件主體10由強(qiáng)電介質(zhì)陶瓷構(gòu)成。作為電介質(zhì)陶瓷的具體例，例舉出例如BaTiO₃、CaTiO₃、SrTiO₃等?？梢愿鶕?jù)電子元器件1所要求的特性，在電子元器件主體10中適當(dāng)添加例如Mn化合物、Mg化合物、Si化合物、Fe化合物、Cr化合物、Co化合物、Ni化合物、稀土類化合物等副成分。強(qiáng)電介質(zhì)陶瓷的相對(duì)介電常數(shù)優(yōu)選為2000以上，進(jìn)一步優(yōu)選為3000以上。該情況下，能在上述電子元器件主體10的尺寸范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)1μF以上或10μF以上的靜電電容。上述電子元器件1易于產(chǎn)生噪聲，能適用于本發(fā)明。

如圖4所示，在電子元器件主體10的內(nèi)部作為內(nèi)部導(dǎo)體設(shè)有多個(gè)第1內(nèi)部電極11和多個(gè)第2內(nèi)部電極12。

第1內(nèi)部電極11和第2內(nèi)部電極12沿著厚度方向T交替層疊，在厚度方向T上隔著陶瓷部10g相對(duì)。從增多內(nèi)部電極11、12的片數(shù)的觀點(diǎn)出發(fā)，陶瓷部10g的厚度優(yōu)選為1μm以下。然而，若陶瓷部10g過(guò)薄，則有時(shí)耐電壓性會(huì)變低。因此，陶瓷部10g的厚度優(yōu)選為0.3μm以上。內(nèi)部電極11、12的合計(jì)片數(shù)優(yōu)選為350片以上。

第1內(nèi)部電極11沿著長(zhǎng)度方向L及寬度方向W而設(shè)置。第1內(nèi)部電極11被引出至第1端面10e。第1內(nèi)部電極11未被引出至第1及第2主面10a、10b、第1及第2側(cè)面10c、10d、以及第2端面10f。

第2內(nèi)部電極12沿著長(zhǎng)度方向L及寬度方向W而設(shè)置。第2內(nèi)部電極12被引出至第2端面10f。第2內(nèi)部電極12未被引出至第1及第2主面10a、10b、第1及第2側(cè)面10c、10d、以及第1端面10e。

第1及第2內(nèi)部電極11、12分別含有金屬，特別是強(qiáng)磁性金屬。作為優(yōu)選使用的強(qiáng)磁性金屬的具體例，例舉出例如包含Ni、Fe、包含Ni及Fe中的至少一種的合金等。

第1端面10e設(shè)有第1外部電極13。第1外部電極13從第1端面10e起到達(dá)第1及第2主面10a、10b和第1及第2側(cè)面10c、10d的一部分。第1外部電極13在第1端面10e上與第1內(nèi)部電極11相連接。

第2端面10f設(shè)有第2外部電極14。第2外部電極14從第2端面10f起到達(dá)第1及第2主面10a、10b和第1及第2側(cè)面10c、10d的一部分。第2外部電極14在第2端面10f上與第2內(nèi)部電極12相連接。

第1及第2外部電極13、14分別含有例如Pt、Au、Ag、Cu、Ni、Cr等的至少一種。

接著，參照?qǐng)D1及圖2對(duì)電子元器件傳送裝置2進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。

電子元器件傳送裝置2包括傳送路徑20。傳送路徑20與收容多個(gè)電子元器件1的收容部(未圖示)相連接。從該收容部向傳送路徑20提供電子元器件1。在傳送路徑20內(nèi)傳送的電子元器件1通過(guò)未圖示的插入部分別被插入到圖5所示的互相隔著間隔設(shè)置于細(xì)長(zhǎng)狀的載帶31的多個(gè)凹部31a中。之后，在載帶31上配置蓋帶32。由此來(lái)制造具有載帶31和蓋帶32的編帶30、和具備收容于凹部31a的電子元器件1的編帶電子元器件串列3。

如圖1及圖2所示，電子元器件1在傳送路徑20內(nèi)沿著長(zhǎng)度方向L傳送。

傳送路徑20具有底面21、第1側(cè)壁22a、第2側(cè)壁22b。底面21水平設(shè)置。第1側(cè)壁22a在底面21的寬度方向上從一個(gè)側(cè)端朝著上方延伸。第1側(cè)壁22a垂直于底面21。第2側(cè)壁22b在底面21的寬度方向上從另一個(gè)側(cè)端部朝著上方延伸。第2側(cè)壁22b垂直于底面21。

傳送路徑20具有上游部23a、中游部23b、下游部23c。上游部23a、中游部23b、下游部23c從收容部側(cè)(上游)起朝著插入部側(cè)(下游)按該此順序依次設(shè)置。底面21、第1側(cè)壁22a、第2側(cè)壁22b通過(guò)上游部23a、中游部23b及下游部23c。

在上游部23a及下游部23c，以各個(gè)電子元器件1無(wú)法以長(zhǎng)度方向L為軸進(jìn)行旋轉(zhuǎn)的間隔來(lái)設(shè)置第1側(cè)壁22a和第2側(cè)壁22b。換言之，在上游部23a及下游部23c中，若將電子元器件1的沿著寬度方向W的尺寸設(shè)為W1、沿著厚度方向的尺寸設(shè)為T1，則第1側(cè)壁22a和第2側(cè)壁22b之間的間隔P1、P3比W1及T1要大，比{(W1)²+(T1)²}^1/2要小。

另一方面，中游部23b的第1側(cè)壁22a和第2側(cè)壁22b之間的間隔P2比上游部23a及下游部23c的第1側(cè)壁22a和第2側(cè)壁22b之間的間隔P1、P3要大。詳細(xì)而言，在中游部23b，以電子元器件1能以長(zhǎng)度方向L為軸進(jìn)行旋轉(zhuǎn)的間隔來(lái)設(shè)置第1側(cè)壁22a和第2側(cè)壁22b。換言之，在中游部23b中，第1側(cè)壁22a和第2側(cè)壁22b之間的間隔P2比{(W1)²+(T1)²}^1/2要大。

中游部23b包含與上游部23a相連接的第1過(guò)渡部23b1。第1過(guò)渡部23b1中，第2側(cè)壁22b相對(duì)于傳送方向D傾斜。另一方面，第1側(cè)壁22a平行于傳送方向D，從上游部23a到中游部23b是平坦的(平面狀)。因此，第1過(guò)渡部23b1中，第1側(cè)壁22a和第2側(cè)壁22b之間的間隔隨著遠(yuǎn)離上游部23a而逐漸變寬。

中游部23b包含與下游部23a相連接的第2過(guò)渡部23b2。第2過(guò)渡部23b2中，第2側(cè)壁22b相對(duì)于傳送方向D傾斜。另一方面，第1側(cè)壁22a平行于傳送方向D，從中游部23b到下游部23c是平坦的(平面狀)。因此，第2過(guò)渡部23b2中，第1側(cè)壁22a和第2側(cè)壁22b之間的間隔隨著接近下游部23c而逐漸變窄。

電子元器件傳送裝置2具有第1磁力發(fā)生部24a、第2磁力發(fā)生部24b。但本發(fā)明中，電子元器件傳送裝置也可以僅有第1磁力發(fā)生部。

第1磁力發(fā)生部24a和第2磁力發(fā)生部24b分別發(fā)生磁力。第1磁力發(fā)生部24a和第2磁力發(fā)生部24b可分別由例如永磁體、電磁體構(gòu)成。

第1磁力發(fā)生部24a設(shè)置于第1側(cè)壁22a的側(cè)方。第1磁力發(fā)生部24a對(duì)電子元器件1施加磁力，使得在中游部23b中電子元器件1的多個(gè)內(nèi)部電極(內(nèi)部導(dǎo)體)11、12的層疊方向(下面有時(shí)簡(jiǎn)稱為“電子元器件1中的層疊方向”。)朝向規(guī)定方向(預(yù)先設(shè)定的固定的所期望的方向、水平方向或鉛直方向)。具體而言，在電子元器件1的層疊方向朝向規(guī)定方向的電子元器件1從上游部23a傳送而來(lái)的情況下，即使對(duì)電子元器件1施加第1磁力發(fā)生部24a的磁力，電子元器件1的層疊方向也不發(fā)生變化(不旋轉(zhuǎn))。另一方面，在電子元器件1的層疊方向與規(guī)定方向正交的電子元器件1從上游部23a傳送而來(lái)的情況下，第1磁力發(fā)生部24a的磁力施加于電子元器件1，電子元器件1以沿著長(zhǎng)度方向L延伸的軸為中心進(jìn)行旋轉(zhuǎn)。其結(jié)果是，電子元器件1的層疊方向朝著規(guī)定的方向。因此，在下游部23c，以層疊方向朝著規(guī)定方向的狀態(tài)來(lái)傳送電子元器件1。即，在中游部23b進(jìn)行使電子元器件1的層疊方向統(tǒng)一的工序。層疊方向經(jīng)統(tǒng)一后的電子元器件1被傳送至下游部23c。

第2磁力發(fā)生部24b配置在構(gòu)成第2側(cè)壁22b的中游部23b的部分的側(cè)方，且配置在比第1磁力發(fā)生部24a更靠近下游側(cè)。由第2磁力發(fā)生部24b發(fā)生的磁力比由第1磁力發(fā)生部24a發(fā)生的磁力要弱。通過(guò)設(shè)置該第2磁力發(fā)生部24b，通過(guò)了第1磁力發(fā)生部24a的橫向的電子元器件1因第2磁力發(fā)生部24b的引力而易于遠(yuǎn)離第1側(cè)壁22a，從而電子元器件1易于旋轉(zhuǎn)。為了如上所述那樣使電子元器件1易于旋轉(zhuǎn)，優(yōu)選為第1磁力發(fā)生部24a和第2磁力發(fā)生部24b彼此不相對(duì)，即、在與傳送方向D正交的寬度方向上不重疊。具體而言，優(yōu)選為第1磁力發(fā)生部24a不與包含第2磁力發(fā)生部24b在內(nèi)的其他磁力發(fā)生部重疊，優(yōu)選為第2磁力發(fā)生部24b不與包含第1磁力發(fā)生部24a在內(nèi)的其他磁力發(fā)生部重疊。

然而，如專利文獻(xiàn)1所記載的那樣，在第1側(cè)壁和第2側(cè)壁雙方相對(duì)于傳送方向D傾斜的情況下，電子元器件有時(shí)會(huì)堵塞于中游部。本發(fā)明人通過(guò)潛心研究想到其原因在于，被磁力發(fā)生部所吸引而處于與側(cè)壁相接狀態(tài)的電子元器件1通過(guò)傾斜的側(cè)壁時(shí)，電子元器件1的長(zhǎng)度方向與傳送方向D發(fā)生偏離，并且會(huì)旋轉(zhuǎn)。

電子元器件傳送裝置2中，電子元器件1被第1磁力發(fā)生部24a吸引至第1側(cè)壁22a側(cè)。本實(shí)施方式中，該第1側(cè)壁22a為平面狀(平坦)。詳細(xì)而言，從上游部23a到下游部23c的第1側(cè)壁22a為平面狀。位于第1側(cè)壁22a的上游部23a和下游部23c之間的部分沒(méi)有階差部及傾斜部。因此，電子元器件1在第1及第2主面10a、10b、第1及第2側(cè)面10c、10d與相對(duì)于傳送方向D平行的平面狀的第1側(cè)壁22a相接觸的狀態(tài)下，以長(zhǎng)度方向L為軸進(jìn)行旋轉(zhuǎn)。此外，在電子元器件1進(jìn)行旋轉(zhuǎn)時(shí)，電子元器件1的長(zhǎng)度方向L難以相對(duì)于傳送方向D傾斜。因此，旋轉(zhuǎn)后的電子元器件1難以堵塞在中游部23b。

從更有效地抑制旋轉(zhuǎn)后的電子元器件1在中游部23b發(fā)生堵塞的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選為在第1過(guò)渡部23b1中第2側(cè)壁22b相對(duì)于傳送方向D傾斜，使得第1側(cè)壁22a和第2側(cè)壁22b之間的間隔逐漸變窄。

進(jìn)行了實(shí)際實(shí)驗(yàn)后，發(fā)現(xiàn)以8000個(gè)/分以下的速度用電子元器件傳送裝置2來(lái)傳送尺寸為1.0mm×0.5mm×0.5mm、電容為2.2μF的電子元器件時(shí)，沒(méi)有發(fā)生電子元器件的堵塞。另一方面，在將第1側(cè)壁和第2側(cè)壁雙方配置于中游部的外側(cè)以加寬中游部的情況下，發(fā)生了電子元器件的堵塞。

標(biāo)號(hào)說(shuō)明

1電子元器件

2電子元器件傳送裝置

3編帶電子元器件串列

10電子元器件主體

10a第1主面

10b第2主面

10c第1側(cè)面

10d第2側(cè)面

10e第1端面

10f第2端面

10g陶瓷部

11第1內(nèi)部電極

12第2內(nèi)部電極

13第1外部電極

14第2外部電極

20傳送路徑

21底面

22a第1側(cè)壁

22b第2側(cè)壁

23a上游部

23b中游部

23c下游部

23b1第1過(guò)渡部

23b2第2過(guò)渡部

24a第1磁力發(fā)生部

24b第2磁力發(fā)生部

30編帶

31載帶

31a凹部

32蓋帶

D傳送方向