電子元器件的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及電子元器件，更為特定地涉及具備電感器和電容器的電子元器件。
【背景技術(shù)】
[0002]作為現(xiàn)有的電子元器件的相關(guān)發(fā)明，例如，已知有專利文獻(xiàn)I記載的LC復(fù)合元器件。該LC復(fù)合元器件具備電感器和電容器。電感器形成為具備在上下方向上延伸的中心軸的螺旋狀，具有線路電極與過孔電極相連接的結(jié)構(gòu)。電容器設(shè)置于電感器的下側(cè)，由均形成為矩形的接地電極與電容器電極相對而構(gòu)成。
[0003]然而，在專利文獻(xiàn)I所記載的LC復(fù)合元器件中，存在電感器的電感值下降的問題。更詳細(xì)而言，在LC復(fù)合元器件中，電感器和電容器上下重疊。因此，電感器產(chǎn)生的磁通會(huì)通過接地電極和電容器電極。由此，在接地電極及電容器電極中產(chǎn)生渦流，進(jìn)而產(chǎn)生渦流損耗。其結(jié)果導(dǎo)致電感器的Q值下降。
現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)
[0004]專利文獻(xiàn)1:日本專利特開2010 - 21321號(hào)公報(bào)

【發(fā)明內(nèi)容】

發(fā)明所要解決的技術(shù)問題
[0005]因此，本發(fā)明的目的在于提供一種能夠抑制電感器的Q值下降的電子元器件。
解決技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案
[0006]本發(fā)明的一實(shí)施方式所涉及的電子元器件的特征在于，包括:層疊體，該層疊體由多個(gè)絕緣體層沿層疊方向?qū)盈B而成；第I電感器，該第I電感器形成為從層疊方向俯視時(shí)邊繞環(huán)狀的軌道環(huán)繞邊沿層疊方向前進(jìn)的螺旋狀，由設(shè)置于多個(gè)所述絕緣體層上的多個(gè)第I電感器導(dǎo)體、與在層疊方向上貫穿至少一個(gè)以上的所述絕緣體層的第I層間連接導(dǎo)體相連接而成；第2層間連接導(dǎo)體，該第2層間連接導(dǎo)體在層疊方向上貫穿所述絕緣體層，且彼此串聯(lián)連接，在從層疊方向俯視時(shí)位于所述環(huán)狀的軌道內(nèi)；以及第I電容器導(dǎo)體，該第I電容器導(dǎo)體設(shè)置于比所述第I電感器更靠層疊方向的一側(cè)，從層疊方向俯視時(shí)，通過與所述環(huán)狀的軌道的至少一部分相重疊而在與該第I電感器之間形成第I電容器，并且通過與該環(huán)狀的軌道所包圍的區(qū)域的一部分相重疊而與所述第2層間連接導(dǎo)體相連接。
發(fā)明效果
[0007]根據(jù)本發(fā)明，能夠抑制電感器的Q值的下降。
【附圖說明】
[0008]圖1是實(shí)施方式I所涉及的電子元器件1a的等效電路圖。
圖2是表示電子元器件1a的通過特性及反射特性的曲線圖。
圖3是電子元器件1a的分解立體圖。 圖4是實(shí)施方式2所涉及的電子元器件1b的等效電路圖。
圖5是表示電子元器件1b的通過特性及反射特性的曲線圖。
圖6是電子元器件1b的分解立體圖。
圖7是實(shí)施方式3所涉及的電子元器件1c的等效電路圖。
圖8是表示電子元器件1c的通過特性及反射特性的曲線圖。
圖9是電子元器件1c的分解立體圖。
【具體實(shí)施方式】
[0009](實(shí)施方式I)
下面，參照【附圖說明】本發(fā)明的實(shí)施方式I所涉及的電子元器件。圖1是實(shí)施方式I所涉及的電子元器件1a的等效電路圖。圖2是表示電子元器件1a的通過特性及反射特性的曲線圖。圖2的縱軸表示I Sll 1、I S211，圖2的橫軸表示頻率。S21是從外部電極14b輸出的信號(hào)的強(qiáng)度與從外部電極14a輸入的信號(hào)的強(qiáng)度的比值。Sll是從外部電極14a輸出的信號(hào)的強(qiáng)度與從外部電極14a輸入的信號(hào)的強(qiáng)度的比值。
[0010]首先，參照附圖對電子元器件1a的等效電路進(jìn)行說明。電子元器件1a如圖1所示，等效電路的結(jié)構(gòu)中包括電感器LI?L4、電容器C1、C2及外部電極14a?14c，是使頻帶高于截止頻率的高頻信號(hào)通過的高通濾波器。
[0011]外部電極14a是輸入高頻信號(hào)的輸入端子。外部電極14b是輸出高頻信號(hào)的輸出端子。外部電極14c是接地的接地端子。
[0012]電感器L1、電容器C2及電感器L3依次串聯(lián)電連接在外部電極14a與外部電極14b之間。電感器L3和電容器C2構(gòu)成LC串聯(lián)諧振器LC3。LC串聯(lián)諧振器LC3的諧振頻率為頻率f3。LC串聯(lián)諧振器LC3起到阻抗匹配電路的作用，抑制f3下的高頻信號(hào)反射。
[0013]電感器L2和電容器Cl串聯(lián)電連接，構(gòu)成LC串聯(lián)諧振器LC2。LC串聯(lián)諧振器LC2的諧振頻率為頻率f2。并且，電感器L2和電容器Cl并聯(lián)電連接于電感器LI。由此，電感器L1、L2及電容器Cl構(gòu)成LC并聯(lián)諧振器LCl。LC并聯(lián)諧振器LCl的諧振頻率為頻率fl。f2比f I稍高，與f3實(shí)質(zhì)上相等。
[0014]電感器L4連接在電感器LI和電容器C2間的節(jié)點(diǎn)與外部電極14c之間。電感器L4具有將外部電極14a與外部電極14b之間流動(dòng)的高頻信號(hào)內(nèi)的頻率低于fl的信號(hào)引導(dǎo)向外部電極14c的低通濾波器的功能。
[0015]具有上述結(jié)構(gòu)的電子元器件1a具有圖2所示的通過特性和反射特性。通過特性是指從外部電極14b輸出的高頻信號(hào)的強(qiáng)度與從外部電極14a輸入的高頻信號(hào)的強(qiáng)度的比值。反射特性是指從外部電極14a輸出的高頻信號(hào)的強(qiáng)度與從外部電極14a輸入的高頻信號(hào)的強(qiáng)度的比值。
[0016]LC并聯(lián)諧振器LCl的阻抗在fl時(shí)變?yōu)樽畲?。因此，在通過特性中，衰減極形成于flo LC串聯(lián)諧振器LC2的阻抗在f2時(shí)變?yōu)樽钚?。因此，在通過特性中，f2的衰減量變小。fl設(shè)定為稍稍低于f2。由此可知，如圖2所示，通過特性從f2開始到fl急劇地發(fā)生變化。SP，可知電子元器件1a具有優(yōu)異的衰減特性。
[0017]并且，LC串聯(lián)諧振器LC3的阻抗在頻率f3時(shí)變?yōu)樽钚?。因此，在反射特性中，頻率f3附加的反射損耗變小。這是因?yàn)長C串聯(lián)諧振器LC3起到阻抗匹配電路的作用，從而使得f3處的高頻信號(hào)向外部電極14b通過。
[0018]接著，參照附圖對電子元器件1a的具體結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。圖3是電子元器件1a的分解立體圖。下面，將電子元器件1a的層疊方向定義為上下方向，將從上側(cè)俯視電子元器件1a時(shí)電子元器件1a的長邊延伸的方向定義為前后方向，電子元器件1a的短邊延伸的方向定義為左右方向。
[0019]電子兀器件1a包括層疊體12、外部電極14a?14f、電感器導(dǎo)體18a?18e、22a?22d、電容器導(dǎo)體20、24以及過孔導(dǎo)體vl?vl4 (層間連接導(dǎo)體的一個(gè)示例)、v20?v23、v40 ?v460
[0020]層疊體12形成為長方體形狀，通過從上側(cè)向下側(cè)依次層疊絕緣體層16a?16ο來構(gòu)成。絕緣體層16a?16ο由陶瓷等絕緣性材料制作而成，從上側(cè)俯視時(shí)形成為長方形狀。下面，將絕緣體層16a?16ο的上側(cè)的面稱為表面，絕緣體層16a?16ο的下側(cè)的面稱為背面。
[0021]外部電極14a?14f是設(shè)置于絕緣體層16ο的背面的長方形狀的導(dǎo)體層。外部電極14c、14d、14f沿著絕緣體層16ο的右側(cè)的長邊從前側(cè)向后側(cè)依次進(jìn)行排列。外部電極14b、14a、14e沿著絕緣體層16ο的左側(cè)的長邊從前側(cè)向后側(cè)依次進(jìn)行排列。
[0022]電感器導(dǎo)體18a?18e分別是設(shè)置于絕緣體層16b?16f的表面的前半部分區(qū)域的線狀的導(dǎo)體層。電感器導(dǎo)體18a?ISe在從上側(cè)進(jìn)行俯視時(shí)，通過相互重疊形成正方形狀的環(huán)狀的軌道。于是，電感器導(dǎo)體18a?ISe形成為環(huán)狀的軌道的一部分被切除而得到的形狀。其中，電感器導(dǎo)體18a的一端引出至正方形狀的環(huán)狀的軌道的中央。下面，在電感器導(dǎo)體18a?ISe中，將順時(shí)針方向的上游側(cè)的端部稱為上游端，順時(shí)針方向的下游側(cè)的端部稱為下游端。
[0023]過孔導(dǎo)體Vl在上下方向貫穿絕緣體層16b，從而使電感器導(dǎo)體18a的下游端與電感器導(dǎo)體18b的上游端相連接。過孔導(dǎo)體v2在上下方向貫穿絕緣體層16c，從而使電感器導(dǎo)體18b的下游端與電感器導(dǎo)體18c的上游端相連接。過孔導(dǎo)體v3在上下方向貫穿絕緣體層16d，從而使電感器導(dǎo)體18c的下游端與電感器導(dǎo)體18d的上游端相連接。過孔導(dǎo)體v4在上下方向貫穿絕緣體層16e，從而使電感器導(dǎo)體18d的下游端與電感器導(dǎo)體ISe的上游端相連接。
[0024]上述電感器導(dǎo)體18a?18e及過孔導(dǎo)體vl?v4構(gòu)成電感器LI。由此，電感器LI在從上側(cè)進(jìn)行俯視時(shí)，形成為邊繞環(huán)狀的軌道進(jìn)行環(huán)繞，邊從上側(cè)向下側(cè)前進(jìn)的螺旋狀。
[0025]過孔導(dǎo)體v20?v24在上下方向貫穿絕緣體層16b?16f，通過彼此串聯(lián)連接而構(gòu)成一根過孔導(dǎo)體。過孔導(dǎo)體v20?v24在從上側(cè)進(jìn)行俯視時(shí)，位于電感器導(dǎo)體18a?18e所形成的環(huán)狀的軌道的中央。由此，過孔導(dǎo)體v20?v24在電感器LI內(nèi)沿上下方向延伸。過孔導(dǎo)體v20的上端與電感器導(dǎo)體18a的上游端相連接。
[0026]電容器導(dǎo)體20設(shè)置于電感器LI的下側(cè)，從上側(cè)俯視時(shí)，通過與電感器導(dǎo)體18a?ISe形成的環(huán)狀的軌道的至少一部分重疊而在與電感器LI之間形成電容器Cl，并且通過與環(huán)狀的軌道所包圍的區(qū)域的一部分重疊而與過孔導(dǎo)體v24相連接。更詳細(xì)而言，電容器導(dǎo)體20是設(shè)置于絕緣體層16g的表面的前半部分區(qū)域的線狀的導(dǎo)體層。電容器導(dǎo)體20與環(huán)狀的軌道的左側(cè)的邊以及前側(cè)的邊的左半部分重疊。電容器導(dǎo)體20從環(huán)狀的軌道的前側(cè)的邊的中央引出至環(huán)狀的軌道的中央。因此，電容器導(dǎo)體20與環(huán)狀的軌道所包圍的區(qū)域不完全重疊。下面，將電容器導(dǎo)體20的順時(shí)針方向的上游側(cè)的端部稱為上游端，電容器導(dǎo)體20的順時(shí)針方向的下游側(cè)的端部稱為下游端。
[0027]并且，由于電容器導(dǎo)體20是線狀的導(dǎo)體層，因此，也起到電感器L2的作用。即，電容器Cl與電感器L2串聯(lián)電連接。電容器導(dǎo)體20經(jīng)由過孔導(dǎo)體V20?V24與電感器導(dǎo)體18a相連接。由此，電容器Cl及電感器L2