蝕刻劑組成物及利用此的透明電極形成方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種蝕刻劑組成物、利用此的透明電極的形成方法及顯示基板制造方 法。尤其，涉及一種可以蝕刻金屬氧化物層的蝕刻劑成分、利用此的透明電極及顯示基板制 造方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 通常，用于顯示裝置的顯示基板包括：作為用于驅(qū)動各個像素區(qū)域的開關(guān)元件的 薄膜晶體管、與所述薄膜晶體管連接的信號配線以及像素電極。所述信號線包括：柵極線， 傳遞柵極的驅(qū)動信號；數(shù)據(jù)配線，與所述柵極線交叉并傳遞數(shù)據(jù)驅(qū)動信號。
[0003] 所述像素電極包含銦錫氧化物、銦鋅氧化物等之類的金屬氧化物，且為了形成所 述像素電極，使用蝕刻劑組成物。為了蝕刻所述金屬氧化物，現(xiàn)有的蝕刻劑組成物包含硫 酸。包含硫酸的蝕刻劑組成物會產(chǎn)生有害物質(zhì)而會引起環(huán)境問題。而且，可能會損傷包括 銅、鋁、鉬或鈦等金屬的其他金屬膜。
[0004] 為了解決上述問題，若從蝕刻劑組成物中去掉硫酸成分，并提高硝酸的含量，則會 因氮總量的增加，導(dǎo)致廢水處理量的增加。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 為了解決上述問題，本發(fā)明的目的在于提供一種減少對環(huán)境有害的物質(zhì)的產(chǎn)生， 且通過選擇性地蝕刻金屬氧化層來防止其他金屬層的損傷的蝕刻劑組成物。
[0006] 本發(fā)明的另一目的在于提供一種利用所述蝕刻劑組成物的透明電極的形成方法。
[0007] 本發(fā)明的另一目的在于提供一種利用所述蝕刻劑組成物的顯示基板的制造方法。
[0008] 為了實現(xiàn)所述的本發(fā)明的目的，根據(jù)一實施例的蝕刻劑組成物包括：硝酸，3重 量％以上且小于10重量％ ;氯化物，0.01重量％以上且5重量％以下；氨化合物，0. 1重 量％以上且5重量％以下；環(huán)狀氨基化合物，0. 1重量％以上且5重量％以下；其余重量％ 的水。
[0009] 一實施例中，所述硝酸可以包括硝酸或者亞硝酸。
[0010] -實施例中，所述氯化物可以包括氯化鈉、氯化鉀或者氯化氨。
[0011] 一實施例中，所述氨化合物可以包括硫酸銨或者硫化銨。
[0012] -實施例中，所述環(huán)狀氨基化合物可以包括R比略（pyrrole)、R比唑（pyrazole)、咪 P坐（imidazole)、三挫（triazole)、四挫（tetrazole)、五挫（pentazole)、惡挫（oxazole)、 異惡挫（isoxazole)、噻唑（thiazole)或者異噻唑（isothiazole)。
[0013] 一實施例中，所述環(huán)狀氨基化合物可以包括苯并三唑、5-氨基四唑、3-氨基四唑、 5-甲基四唑&
[0014] 根據(jù)為了實現(xiàn)所述本發(fā)明的另一目的的一實施例的透明電極的形成方法在基板 上形成包括金屬氧化物的透明電極層。在所述透明電極層上形成光致抗蝕劑圖案。將所述 光致抗蝕劑圖案利用為掩膜，向包括所述金屬氧化物的透明電極層提供蝕刻劑組成物，以 蝕刻所述透明電極層，其中，所述蝕刻劑組成物包括：硝酸，3重量％以上且小于10重量％ ; 氯化物，0.01重量％以上且5重量％以下；氨化合物，0. 1重量％以上且5重量％以下；環(huán)狀 氨基化合物，0. 1重量％以上且5重量％以下；其余重量％的水。
[0015] -實施例中，所述透明電極可以包括銦鋅氧化物或者銦錫氧化物。
[0016] 一實施例中，所述硝酸可以包括硝酸或者亞硝酸。
[0017] 一實施例中，所述氯化物可以包括氯化鈉、氯化鉀或者氯化氨。
[0018] -實施例中，所述氨化合物可以包括硫酸銨或者硫化銨。
[0019] -實施例中，所述環(huán)狀氨基化合物可以包括R比略（pyrrole)、R比唑（pyrazole)、咪 P坐（imidazole)、三挫（triazole)、四挫（tetrazole)、五挫（pentazole)、惡挫（oxazole)、 異惡挫（isoxazole)、噻唑（thiazole)或者異噻唑（isothiazole)。
[0020] -實施例中，所述環(huán)狀氨基化合物可以包括苯并三唑、5-氨基四唑、3-氨基四唑、 5-甲基四唑。
[0021] 根據(jù)為了實現(xiàn)所述本發(fā)明的另一目的的實施例的顯示基板的制造方法在基板上 形成薄膜晶體管，該薄膜晶體管包括：柵電極；半導(dǎo)體層，與所述柵電極重疊；源電極，與所 述半導(dǎo)體層接觸；漏電極，與所述半導(dǎo)體層接觸且與所述源電極分開。形成覆蓋所述薄膜晶 體管的保護(hù)膜。對所述保護(hù)膜進(jìn)行圖案化，以漏出所述漏電極。在所述保護(hù)膜上形成金屬 氧化物層。利用蝕刻劑組成物來蝕刻所述金屬氧化物層，以形成與所述漏電極連接的像素 電極。所述蝕刻劑組成物包括：硝酸，3重量％以上且小于10重量％ ;氯化物，0. 01重量％ 以上且5重量％以下；氨化合物，0. 1重量％以上且5重量％以下；環(huán)狀氨基化合物，0. 1重 量％以上且5重量％以下；其余重量％的水。
[0022] -實施例中，所述透明電極可以包括銦鋅氧化物或者銦錫氧化物。
[0023] -實施例中，所述硝酸可以包括硝酸或者亞硝酸。
[0024] -實施例中，所述氯化物可以包括氯化鈉、氯化鉀或者氯化氨。
[0025] -實施例中，所述氨化合物可以包括硫酸銨或者硫化銨。
[0026] -實施例中，所述環(huán)狀氨基化合物可以包括R比略（pyrrole)、R比唑（pyrazole)、咪 P坐（imidazole)、三挫（triazole)、四挫（tetrazole)、五挫（pentazole)、惡挫（oxazole)、 異惡挫（isoxazole)、噻唑（thiazole)或者異噻唑（isothiazole) 〇
[0027] -實施例中，所述環(huán)狀氨基化合物可以包括苯并三唑、5-氨基四唑、3-氨基四唑、 5-甲基四唑。
[0028] 根據(jù)本發(fā)明的實施例的蝕刻劑組成物可以選擇性地蝕刻金屬氧化層，從而防止對 含銅、鈦、鉬或者鋁的金屬層的蝕刻。
[0029] 而且，因為蝕刻液中不包含硫酸，所以可以通過防止硫酸引起的有害物質(zhì)的產(chǎn)生 來防止環(huán)境污染。
【附圖說明】
[0030] 圖1至圖6是表示顯示基板制造方法的截面圖。
[0031] 符號說明
[0032] GL:柵極線 GE:柵電極
[0033] SE:源電極 DE:漏電極
[0034] AP :有源圖案 0C:歐姆接觸層
[0035] PE:像素電極 110:基板
[0036] 120 :柵絕緣層 140 :鈍化層
[0037] 160 :有機(jī)絕緣層
【具體實施方式】
[0038] 下面，首先對于根據(jù)本發(fā)明第一實施例的蝕刻劑組成物進(jìn)行說明，然后參考附圖 對于利用所述蝕刻劑組成物的透明電極的形成方法以及顯示基板的制造方法進(jìn)行更為詳 細(xì)的說明。
[0039] 蝕刻劑組成物
[0040] 根據(jù)本發(fā)明第一實施例的蝕刻劑組成物包括：硝酸、氯化物、氨化合物、環(huán)狀氨基 化合物及作為其余成分的水。所述的蝕刻劑組成物可以用于選擇性地蝕刻金屬氧化層。 具體來說，所述蝕刻劑組成物可以用于銦錫氧化物（indium tin oxide ;ΙΤ0)、銦鋅氧化物 (indium zinc oxide ;ΙΖ0)、氧化鋅（zinc oxide ;ΖΝ0)等透明導(dǎo)電性氧化物的蝕刻。所述 的銦錫氧化物或者銦鋅氧化物可以是晶體結(jié)構(gòu)也可以是非晶體結(jié)構(gòu)。所述蝕刻劑組成物可 以防止或者最小化對含銅、鋁、鉬或鈦的金屬膜的損傷。下面，對各組成物進(jìn)行具體的說明。
[0041] 硝酸
[0042] 所述蝕刻劑組成物所包含的硝酸可以蝕刻金屬氧化層。比如，硝酸包括硝酸 (HNO3)及亞硝酸（HNO2)。
[0043] 如果硝酸的含量相對于所述蝕刻劑組成物總質(zhì)量小于3重量％，則會減少所述蝕 刻劑組成物對所述金屬氧化層的蝕刻速度，且存在所述金屬氧化層被不均勻地蝕刻的問 題。如果所述金屬氧化層被不均勻地蝕刻，則可能會被視為是斑點。相反，如果硝酸的含量 超過約10重量％的話，則導(dǎo)致蝕刻速度過快，使蝕刻工藝的調(diào)整變得困難。而且，因為氮總 量增加，導(dǎo)致廢水處理量的增加。所以，硝酸的含量優(yōu)選為總重量的約3重量％以上且小于 約10重量％，更優(yōu)選為5重量％以上且約8重量％以下。
[0044] 本發(fā)明的蝕刻劑組成物優(yōu)選為不包括磷酸、鹽酸或者硫酸。如果蝕刻劑組成物中 包含有磷酸、鹽酸或者硫酸，則會導(dǎo)致蝕刻劑的PH值降低，進(jìn)而可能在蝕刻金屬氧化層時， 對銅、鈦、鉬或鋁等的金屬層造成損傷。
[0045] 氯化物
[0046] 所