離心，沉淀，提純，重復(fù)此步驟3-4次，得到的沉淀物即為Cu、Mn:ZnInS/ZnS
量子點(diǎn)。
[0040]圖1為實(shí)施例1步驟二得到的銅、錳摻鋅銦硫晶核的TEM照片，從圖1可以看出，粒子為單分散，其形狀為類球形，粒徑為2.8nm。
[0041]圖2為實(shí)施例1得到的Cu、Mn:ZnInS/ZnS量子點(diǎn)的TEM照片，從圖2可看出，粒子為單分散，其形狀為類球形，粒徑為7.2nm，說明ZnS成功包覆在銅、錳摻鋅銦硫晶核表面，厚度為7.1個單層。
[0042]實(shí)施例2
[0043]步驟一:在室溫下將0.02mmol醋酸銅、0.008mmol醋酸猛、0.2mmol醋酸鋅、0.2mmol醋酸銦、0.8mmol的硫粉、1mL十八稀胺加入到50mL的三頸瓶中，得到混合溶液；
[0044]步驟二:多次抽真空，通入惰性氣體，以除去瓦斯，在氬氣的保護(hù)下，將步驟一得到的混合溶液以10°c /min的速度加熱到200°C，并保持此溫度20min，形成銅、錳摻鋅銦硫晶核；
[0045]步驟三:將反應(yīng)溫度降至120°C，將0.4mmol醋酸鋅在0.1mL油胺和0.9mL十八烯中配成鋅前驅(qū)體溶液，然后將鋅前驅(qū)體溶液加入到步驟二得到的銅、錳摻鋅銦硫晶核中，并以10°C /min的速度加熱到220°C，保持此溫度lOmin，形成硫化鋅外殼混合液；
[0046]步驟四:將混合反應(yīng)液降溫到80°C時加入1mL甲苯，待溶液自然冷卻到室溫，加入有機(jī)溶劑乙醇離心，沉淀，提純，重復(fù)此步驟3-4次，得到的沉淀物即為Cu、Mn:ZnInS/ZnS量子點(diǎn)。
[0047]實(shí)施例3
[0048]步驟一:在室溫下將0.02mmol醋酸銅、0.008mmol醋酸猛、0.2mmol醋酸鋅、0.2mmol醋酸銦、0.8mmol的硫粉、1mL十八稀加入到50mL的三頸瓶中，得到混合溶液；
[0049]步驟二:多次抽真空，通入惰性氣體，以除去瓦斯，在氬氣的保護(hù)下，將步驟一得到的混合溶液以30°C /min的速度加熱到260°C，并保持此溫度120min，形成銅、錳摻鋅銦硫晶核；
[0050]步驟三:將反應(yīng)溫度降至150°C，將0.4mmol醋酸鋅在ImL十八烯胺中配成鋅前驅(qū)體溶液，然后將鋅前驅(qū)體溶液加入到步驟二得到的銅、錳摻鋅銦硫晶核中，并以30°C /min的速度加熱到280°C，保持此溫度120min，形成硫化鋅外殼混合液；
[0051 ] 步驟四:將混合反應(yīng)液降溫到100°C時加入1mL甲苯，待溶液自然冷卻到室溫，加入有機(jī)溶劑乙醇離心，沉淀，提純，重復(fù)此步驟3-4次，得到的沉淀物即為Cu、Mn:ZnInS/ZnS量子點(diǎn)。
[0052]實(shí)施例4
[0053]反應(yīng)條件和步驟同實(shí)施例1，不同之處在于步驟一中醋酸猛為0.004mmol。
[0054]實(shí)施例5
[0055]反應(yīng)條件和步驟同實(shí)施例1，不同之處在于步驟一中醋酸猛為0.012mmol。
[0056]實(shí)施例6
[0057]反應(yīng)條件和步驟同實(shí)施例1，不同之處在于步驟一中醋酸猛為0.02mmol。
[0058]圖3為實(shí)施例1、4、5、6制備的Cu、Mn:ZnInS/ZnS量子點(diǎn)中錳濃度不同下樣品(Mn濃度為Mn/(Zn+In)的摩爾比；Cu濃度為Cu/(Zn+In)的摩爾比)的XRD譜圖，從圖3可以看出，樣品為閃鋅礦結(jié)構(gòu)純相。
[0059]圖4為實(shí)施例1、4、5、6制備的Cu、Mn:ZnInS/ZnS量子點(diǎn)的吸收譜及光致發(fā)光光譜，從圖中可以看出量子點(diǎn)可以吸收LED芯片的藍(lán)光，被激發(fā)，并發(fā)射紅綠兩色光。
[0060]實(shí)施例7
[0061]反應(yīng)條件和步驟同實(shí)施例1，不同之處在于步驟一中醋酸銦為0.lmmol，醋酸鋅為0.3mmol ο
[0062]實(shí)施例8
[0063]反應(yīng)條件和步驟同實(shí)施例1，不同之處在于步驟一中醋酸銦為0.15mmol，醋酸鋅為 0.25mmolο
[0064]實(shí)施例9
[0065]反應(yīng)條件和步驟同實(shí)施例1，不同之處在于步驟一中醋酸銦為0.3mmol，醋酸鋅為0.1mmol ο
[0066]實(shí)施例10
[0067]反應(yīng)條件和步驟同實(shí)施例1，不同之處在于步驟一中醋酸銦為0.36mmol，醋酸鋅為 0.04mmolο
[0068]實(shí)施例11
[0069]反應(yīng)條件和步驟同實(shí)施例1，不同之處在于步驟一中醋酸銦為0.38mmol，醋酸鋅為 0.02mmolο
[0070]實(shí)施例12
[0071]反應(yīng)條件和步驟同實(shí)施例1，不同之處在于步驟一中醋酸銦為0.4mmol，醋酸鋅為Ommol ο
[0072]實(shí)施例13
[0073]反應(yīng)條件和步驟同實(shí)施例1，不同之處在于步驟一中醋酸銦為Ommol，醋酸鋅為0.4mmol0
[0074]實(shí)施例14
[0075]反應(yīng)條件和步驟同實(shí)施例1，不同之處在于步驟一中硫粉為1.6mmol。
[0076]實(shí)施例15
[0077]反應(yīng)條件和步驟同實(shí)施例1，不同之處在于所用原料用量擴(kuò)大I倍。
[0078]實(shí)施例16
[0079]反應(yīng)條件和步驟同實(shí)施例1，不同之處在于所用原料用量擴(kuò)大2倍。
[0080]實(shí)施例17
[0081]反應(yīng)條件和步驟同實(shí)施例1，不同之處在于所用原料用量擴(kuò)大5倍，使用10mL三頸瓶。
[0082]實(shí)施例18
[0083]反應(yīng)條件和步驟同實(shí)施例1，不同之處在于所用原料用量擴(kuò)大10倍，使用500mL三頸瓶。
[0084]實(shí)施例19
[0085]將0.1g實(shí)施例1得到的Cu、Mn:ZnInS/ZnS量子點(diǎn)溶解于3mL的氯仿溶液中，再加入0.3g的硅樹脂混合，并劇烈攪拌，置于50°C的加熱板上I小時，以蒸發(fā)氯仿，得到量子點(diǎn)-硅樹脂混合液，將0.15g的固化劑加入到上述量子點(diǎn)-硅樹脂混合液中，攪拌均勻，并將其放入50°C真空烘箱中，保持30min，以消除混合液中氣泡，將量子點(diǎn)漿涂覆在藍(lán)光LED (沒有封裝的藍(lán)光GaN基LED)模具中，然后放置在100°C的真空干燥箱中，保持30min，隨后將溫度升高到120°C，保持I小時，得到白光LED，制作成白光LED的顯色指數(shù)能達(dá)到95，流明效率為701m/W。
[0086]圖5是實(shí)施例lCu、Mn:ZnInS/ZnS量子點(diǎn)白光LED照片，圖5說明基于銅、錳摻鋅銦硫量子點(diǎn)的LED可實(shí)現(xiàn)白光發(fā)射。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種雙光發(fā)射過渡金屬離子摻雜半導(dǎo)體量子點(diǎn)的制備方法，其特征在于，該方法包括: 步驟一:將醋酸鹽、硫粉和油相溶劑混合，得到混合溶液； 步驟二:在惰性氛圍下，將步驟一得到的混合溶液以10?30°C /min的速度加熱到200?260°C，并保持此溫度10?120min，形成混合液晶核； 步驟三:將反應(yīng)溫度降至100-150°C，然后將鋅前驅(qū)體溶液加入到步驟二得到的混合液晶核中，并以10?30°C /min的速度加熱到220?280°C，保持此溫度10?120min，形成硫化鋅外殼混合液； 步驟四:將反應(yīng)溫度降至60-100°C，然后將溶劑加入到步驟三得到的硫化鋅外殼混合液中，得到雙光發(fā)射過渡金屬離子摻雜半導(dǎo)體量子點(diǎn)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種雙光發(fā)射過渡金屬離子摻雜半導(dǎo)體量子點(diǎn)的制備方法，其特征在于，所述的步驟一的醋酸鹽選自醋酸銅、醋酸銦、醋酸錳或醋酸鋅中的兩種或多種。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種雙光發(fā)射過渡金屬離子摻雜半導(dǎo)體量子點(diǎn)的制備方法，其特征在于，所述的醋酸鹽為醋酸錳、醋酸銅、醋酸鋅和醋酸銦的混合物。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種雙光發(fā)射過渡金屬離子摻雜半導(dǎo)體量子點(diǎn)的制備方法，其特征在于，所述的醋酸錳、醋酸銅、醋酸鋅和醋酸銦的摩爾比為4:10:100:100。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種雙光發(fā)射過渡金屬離子摻雜半導(dǎo)體量子點(diǎn)的制備方法，其特征在于，所述的步驟一油相溶劑為正十二硫醇、十八烯胺、十八烯、油胺或油酸中的一種或幾種。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種雙光發(fā)射過渡金屬離子摻雜半導(dǎo)體量子點(diǎn)的制備方法，其特征在于，所述的步驟一醋酸鹽和硫粉的摩爾比為(0.424?0.44): (0.8?1.6)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種雙光發(fā)射過渡金屬離子摻雜半導(dǎo)體量子點(diǎn)的制備方法，其特征在于，所述的步驟三的鋅前驅(qū)體溶液為醋酸鋅溶液或硬脂酸鋅溶液。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種雙光發(fā)射過渡金屬離子摻雜半導(dǎo)體量子點(diǎn)的制備方法，其特征在于，所述的步驟四的溶劑為甲苯、正己烷或氯仿。
【專利摘要】本發(fā)明提供一種雙光發(fā)射過渡金屬離子摻雜半導(dǎo)體量子點(diǎn)的制備方法，屬于化工技術(shù)領(lǐng)域。該方法將醋酸鹽、硫粉和油相溶劑混合，得到混合溶液；將得到的混合溶液以10～30℃/min的速度加熱到200～260℃，并保持此溫度10～120min，形成混合液晶核；然后將鋅前驅(qū)體溶液加入到得到的混合液晶核中，并以10～30℃/min的速度加熱到220～280℃，保持此溫度10～120min，形成硫化鋅外殼混合液；再將溶劑加入到得到的硫化鋅外殼混合液中，得到雙光發(fā)射過渡金屬離子摻雜半導(dǎo)體量子點(diǎn)。該制備方法簡單，實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明：制作成白光LED的顯色指數(shù)能達(dá)到95，流明效率為70lm/W。
【IPC分類】C09K11-62
【公開號】CN104830324
【申請?zhí)枴緾N201510131080
【發(fā)明人】趙家龍, 馬瑞新, 袁曦, 李海波
【申請人】吉林師范大學(xué)
【公開日】2015年8月12日
【申請日】2015年3月24日