示于圖5和圖6中。
[0177] 〈實施例 22>
[0178] 合成 GaAe2
[0179] 在氮氣氛下，將31. 2mmol NaBH4溶解在80ml蒸餾水中，然后向其中添加15mmol Se 粉。攪拌該混合物直至形成清澈溶液，然后向其中緩慢添加溶解在60ml蒸餾水中的IOmmol GaI3。將所得溶液攪拌過夜，然后使用離心法進行純化，得到具有IOnm至20nm顆粒的Ga 2Se3 組合物。對該Ga2Se3組合物進行熱處理，得到Ga2Se^sB體結構。所形成顆粒的SEM-EDX圖 像和XRD圖示于圖7和圖8中。
[0180] 〈實施例 23>
[0181] 合成InGaS2顆粒
[0182] 在氮氣氛下，將30mmol Na2S * 9H20溶解在100mL蒸餾水中，然后向其中緩慢添加 其中IOmmol InCljP IOmmol GaI3溶解在100mL蒸餾水中的混合物。將所得溶液攪拌過 夜，然后進行離心和真空干燥，得到尺寸為IOnm至20nm的InGaS 3顆粒。在這里，使用ICP 分析InGaS3顆粒。所形成顆粒的電子顯微鏡（SEM-EDX)圖像示于圖9中。
[0183] 〈實施例 24>
[0184] 合成 InGaSez
[0185] 在氮氣氛下，將60mmol NaBH4溶解在100mL蒸餾水中，然后向其中逐滴添加30mmol H2SeO 3溶解在60ml蒸餾水中的溶液。在形成無色且透明溶液后，向該溶液中緩慢添加其中 IOmmol InClJP IOmmol GaI3溶解在100mL蒸餾水中的混合物。將所得溶液攪拌過夜，然 后進行離心和真空干燥，得到尺寸為IOnm至20nm的InGaSe 3顆粒。所形成顆粒的電子顯 微鏡（SEM-EDX)圖像示于圖10中。
[0186] 〈實施例 25>
[0187] 合成 InSe
[0188] 將20mmol H2SeO3溶解在300ml乙二醇中的溶液放入燒瓶中，然后向其中添加 20mll. OM硝酸銦水溶液。在150°C下使該所得混合物反應6小時。使用其中采用乙醇的離 心法純化通過反應形成的顆粒，得到InSe顆粒。
[0189] 〈實施例 26>
[0190] 合成 InyGaySe
[0191] 將溶解在300ml乙二醇中的20mmol H2SeO3放入燒瓶中，然后向其中添加14ml 1.0 M硝酸銦水溶液和6ml 1.0 M硝酸鎵水溶液。在150°C下使該所得混合物反應6小時，然 后使用其中采用乙醇的離心法純化所得顆粒，產生Ina7Ga a3Se顆粒。
[0192] 〈實施例 27>
[0193] 合成 In"Ga^Se
[0194] 將溶解在300ml乙二醇中的20mmol H2SeO3放入燒瓶中，然后向其中添加 IOml 1.0 M硝酸銦水溶液和IOml 1.0 M硝酸鎵水溶液。在150°C下使該所得混合物反應6小時， 然后使用其中采用乙醇的離心法純化所得顆粒，產生Ina5Ga a5Se顆粒。
[0195] 〈比較例1>
[0196] 將30mmol NaBH4溶解在100mL三甘醇中的溶液緩慢添加到IOmmol InCljP IOmmol PVP溶解在150ml異丙醇中的溶液，然后攪拌10分鐘。向該混合物中一起逐滴添加 IOmmol CuCl2溶解在50ml異丙醇中的溶液和20mmol NaBH4溶解在50ml三甘醇中的溶液，然后再 攪拌10分鐘。使用離心法純化所得溶液，得到具有Culn、Cu 2In和CuIn2結構的納米顆粒。 分析所形成顆粒的XRD圖示于圖11中。
[0197] 〈比較例2>
[0198] 將 20mmol 檸檬酸三鈉鹽、IOmmol CuCl2* 2H20 和 IOmmol InCl3相繼溶解在 180ml 蒸餾水中以制備混合物。在氮氣氛下，將eOOmmol NaBH4溶解在360ml蒸餾水中，然后向其 中逐滴添加上述混合物。將所得溶液攪拌1天，然后使用真空過濾進行過濾并用蒸餾水進 行純化、結果，獲得了 Cu與In之比為I : 1的CuIn納米顆粒，產率為98%。
[0199] 〈比較例3>
[0200] 將IOmmol CuCldP IOmmol InCl 3溶解在100mL蒸餾水中。將該溶液逐滴添加到 溶解在200ml蒸餾水中的60mmol NaBH^溶液中，然后攪拌1小時，得到具有Culn、Cu 2In 和CuIn2結構的納米顆粒。
[0201] 〈比較例4>
[0202] 將溶解在30ml蒸餾水中的20mmo 1酒石酸鈉的溶液與溶解在70ml蒸餾水中 的150mmol NaBH4的溶液混合，然后在3小時中向其中逐滴添加溶解在50ml蒸餾水中的 IOmmol CuCl2* 2H20和IOmmol InCl3。經反應的溶液使用離心法純化，然后進行真空干燥， 得到具有Culn、Cu2Iru CuIn2結構的納米顆粒。
[0203] 〈實施例 28>
[0204] 為了制造墨，將根據(jù)實施例17的Cu2In納米顆粒和根據(jù)實施例20的In 2Se3納米顆 粒以24%的濃度分散在由醇基溶劑的混合物組成的溶劑中，使得Cu/In比為0. 97。在高達 180°C下將所得溶液干燥，然后使用XRD進行分析。結果，沒有觀察到圖12中確認的In2O 3 結構。
[0205] 〈比較例5>
[0206] 將根據(jù)比較例2合成的其中Cu/In比為I. 0的CuIn納米顆粒以25%的濃度分散 在由醇基溶劑的混合物組成的溶劑中。將這樣制造的墨涂布在通過使Mo沉積在玻璃基底 上而獲得的基底上，得到用于制造 Cl (G) S薄膜的涂層。在高達180°C下將所得涂層干燥，然 后使用XRD進行分析。分析結果示于圖13中。結果，確認當CuIn變?yōu)楦籆u的Cu nIn9g 構時，釋放出In離子并且所釋放的In離子被氧化，導致產生了 In2O3晶體結構。
[0207] 〈實施例 29>
[0208] 制誥薄臘
[0209] 為了制造墨，將根據(jù)實施例17的Cu2In納米顆粒與根據(jù)實施例19的In 2S3納米顆 粒以24%的濃度在由醇基溶劑的混合物組成的溶劑中混合，使得Cu/In比為0. 97。將這樣 制造的墨涂布在通過使Mo沉積在玻璃基底上而獲得的基底上，得到用于制造 Cl (G) S薄膜 的涂層。在高達180°C下將所得涂層干燥，然后在Se氣氛下在250°C下熱處理5分鐘并在 530 °C下熱處理5分鐘，得到Cl (G)S薄膜。
[0210] 〈實施例 30>
[0211] 制誥薄臘
[0212] 為了制造墨，將根據(jù)實施例13的Cu2In納米顆粒、根據(jù)實施例19的In 2S3納米顆 粒與根據(jù)實施例22的Ga2Se3納米顆粒以19%的濃度在由醇基溶劑的混合物組成的溶劑中 混合，使得CuAln+Ga)比為0. 96并且Ga/In比為0. 19。將這樣制造的墨涂布在通過使Mo 沉積在玻璃基底上而獲得的基底上，得到用于制造 Cl (G) S薄膜的涂層。在高達180°C下將 所得涂層干燥，然后在Se氣氛下在530°C下熱處理5分鐘，進行兩次，得到Cl (G)S薄膜。
[0213] 〈實施例 31>
[0214] 制誥薄臘
[0215] 為了制造墨，將根據(jù)實施例17的Cu2In納米顆粒與根據(jù)實施例23的InGaS 3納米 顆粒以21 %的濃度在由醇基溶劑的混合物組成的溶劑中混合，使得CuAln+Ga)比為0. 96 并且Ga/In比為0. 25。將這樣制造的墨涂布在通過使Mo沉積在玻璃基底上而獲得的基底 上，得到用于制造 Cl (G)S薄膜的涂層。在高達180°C下將所得涂層干燥，然后在Se氣氛下 依次在530°C下熱處理5分鐘并在575°C下熱處理5分鐘，得到Cl (G)S薄膜。這樣獲得的 薄膜的截面圖和XRD圖示于圖14和圖15中。
[0216] 〈實施例 32>
[0217] 制誥薄臘
[0218] 為了制造墨，將根據(jù)實施例17的Cu2In納米顆粒與根據(jù)實施例20的In 2Se3納米 顆粒以25%的濃度在由醇基溶劑的混合物組成的溶劑中混合，使得Cu/In比為0. 95。將這 樣制造的墨涂布在通過使Mo沉積在玻璃基底上而獲得的基底上，得到用于制造 Cl (G) S薄 膜的涂層。在高達180°C下將所得涂層干燥，然后在Se氣氛下在530°C下熱處理5分鐘，得 到Cl (G) S薄膜。
[0219] 〈實施例 33>
[0220] 制誥薄臘
[0221] 為了制造墨，將根據(jù)實施例4的Cu2In納米顆粒與根據(jù)實施例20的In 2Se3納米顆 粒以25%的濃度在由醇基溶劑的混合物組成的溶劑中混合，使得Cu/In比為0. 95。將這樣 制造的墨涂布在通過使Mo沉積在玻璃基底上而獲得的基底上，得到用于制造 Cl (G) S薄膜 的涂層。在高達180°C下將所得涂層干燥，然后在Se氣氛下在550°C下熱處理，得到Cl (G) S薄膜。
[0222] 〈實施例 34>
[0223] 制誥薄臘
[0224] 為了制造墨，將根據(jù)實施例17的Cu2In納米顆粒與根據(jù)實施例19的In 2S3納米顆 粒以24%的濃度在由醇基溶劑的混合物組成的溶劑中混合，使得Cu/In比為0. 97。將這樣 制造的墨涂布在通過使Mo沉積在玻璃基底上而獲得的基底上，得到用于制造 Cl (G) S薄膜 的涂層。在高達180°C下將所得涂層干燥，然后在Se氣氛下在530°C下熱處理5分鐘，進行 兩次，得到Cl (G) S薄膜。
[0225] 〈比較例6>
[0226] 制誥薄臘
[0227] 為了制造墨，將根據(jù)比較例2合成的其中Cu/In比為I. 0的CuIn納米顆粒以25% 的濃度分散在由醇基溶劑的混合物組成的溶劑中。將這樣制造的墨涂布在通過使Mo沉積 在玻璃基底上而獲得的基底上，得到用于制造 Cl (G)S薄膜的涂層。在高達180°C下將所得 涂層干燥，然后在Se氣氛下在530°C下熱處理兩次，得到造 Cl (G) S薄膜。這樣獲得的薄膜 的截面圖和XRD圖示于圖16和圖17中。
[0228] 〈實施例 35>
[0229] 制誥薄臘太陽能電池
[0230] 使CdS緩沖層沉積在根據(jù)實施例29獲得的Cl (G) S薄膜上，然后使ZnO和AlZnO 相繼沉積在其上。之后，使用電子束將Al電極布置在沉積膜上，得到電池。所得電池的V。。 為0.47￥，上。為25.1411^/〇11 2，填充因子為46.44%并且效率為5.49%。
[0231] 〈實施例 36>
[0232] 制誥薄臘太陽能電池
[0233] 使CdS緩沖層沉積在根據(jù)實施例30獲得的Cl (G) S薄膜上，然后使ZnO和AlZnO 相繼沉積在其上。之后，使用電子束將Al電極布置在沉積膜上，得到