1.一種封裝膜,包括:
金屬層和壓敏粘合層,
其中,所述壓敏粘合層包括第一層,該第一層由通式1計算的彈性部分為30至80%,以及第二層,該第二層由通式1計算的彈性部分為8至40%,
[通式1]
Ep(單位:%)=100×σ2/σ1
其中,σ1是在所述壓敏粘合層形成為600μm的厚度時,在高級流變膨脹系統(tǒng)(ARES)的應力松弛試驗模式中,使用直徑為8mm的平行板在85℃下施加200gf的法向力,向所述薄膜施加30%的應變時測得的最大應力值,σ2是向所述薄膜施加上述應變的狀態(tài)下維持180秒之后測得的應力值。
2.根據(jù)權利要求1所述的封裝膜,其中,所述金屬層直接粘附于所述第一層。
3.根據(jù)權利要求1所述的封裝膜,其中,所述第一層根據(jù)ASTM D2979測量的探針粘著力在50至500gf的范圍內(nèi)。
4.根據(jù)權利要求1所述的封裝膜,其中,所述第二層根據(jù)ASTM D2979測量的探針粘著力在3至100gf的范圍內(nèi)。
5.根據(jù)權利要求1所述的封裝膜,其中,所述壓敏粘合層包含衍生自丁烯的聚合物和滿足式1的化合物:
[式1]
其中,T是具有6至30個碳原子的直鏈或支鏈的烷基、烯基或炔基,或者-U-[O-W]n-O-Q,其中,U和W各自獨立地是亞烷基或次烷基,Q是烷基、烯基、炔基或芳基,n是0至10的數(shù)。
6.根據(jù)權利要求5所述的封裝膜,其中,所述衍生自丁烯的聚合物是丁烯單體的均聚物;丁烯單體與可與其聚合的不同的單體進行共聚而形成的共聚物;使用丁烯單體的反應性低聚物;或它們的混合物。
7.根據(jù)權利要求6所述的封裝膜,其中,所述可與丁烯單體聚合的單體是異戊二烯、苯乙烯或丁二烯。
8.根據(jù)權利要求6所述的封裝膜,其中,所述使用丁烯單體的反應性低聚物包括具有反應性官能團的丁烯聚合物,并且該丁烯聚合物與具有反應性官能團的不同的聚合物連接。
9.根據(jù)權利要求5所述的封裝膜,其中,所述衍生自丁烯的聚合物的含量為60至95重量份,所述滿足式1的化合物的含量為5至40重量份。
10.根據(jù)權利要求5所述的封裝膜,其中,所述壓敏粘合層還包含滿足式2的多官能活性能量射線可聚合化合物:
[式2]
其中,R1是氫或具有1至4個碳原子的烷基,n是2以上的整數(shù),X是衍生自具有3至30個碳原子的直鏈、支鏈或環(huán)狀烷基的殘基。
11.根據(jù)權利要求10所述的封裝膜,其中,所述衍生自丁烯的聚合物的含量為50至90重量份,所述滿足式1的化合物的含量為5至35重量份,所述滿足式2的多官能活性能量射線可聚合化合物的含量為5至25重量份。
12.根據(jù)權利要求1所述的封裝膜,其中,所述壓敏粘合層還包含增粘劑。
13.根據(jù)權利要求12所述的封裝膜,其中,所述增粘劑為氫化環(huán)烯烴類聚合物。
14.根據(jù)權利要求12所述的封裝膜,其中,相對于100重量份的所述聚合物,所述增粘劑的含量為5至100重量份。
15.根據(jù)權利要求5所述的封裝膜,其中,所述壓敏粘合層還包含自由基引發(fā)劑。
16.根據(jù)權利要求15所述的封裝膜,其中,所述自由基引發(fā)劑為光引發(fā)劑或熱引發(fā)劑。
17.根據(jù)權利要求5所述的封裝膜,其中,所述壓敏粘合層還包含水分清除劑。
18.根據(jù)權利要求1所述的封裝膜,其中,所述金屬層的熱導率為50W/mK以上。
19.根據(jù)權利要求1所述的封裝膜,其中,當形成為100μm的厚度時,所述壓敏粘合層在厚度方向的水蒸氣透過率(WVTR)為50g/m2·天以下。
20.一種有機電子器件,包括:
基板;
在所述基板上形成的有機電子元件;和
權利要求1所述的封裝膜,該封裝膜封裝所述有機電子元件的整個表面。
21.一種制造有機電子器件的方法,包括:
將權利要求1所述的封裝膜施用于其上形成有有機電子元件的基板上,以覆蓋該有機電子元件的整個表面;以及
固化所述封裝膜。