本發(fā)明涉及一種粘著片，其為對板狀構件照射激光形成改性部，將該板狀構件片化，得到芯片狀加工物的粘著片，此外，本發(fā)明涉及一種利用所述粘著片，制造芯片等加工物的方法。
背景技術：
半導體晶圓在表面形成電路后，在晶圓的背面實施研磨加工，進行調節(jié)晶圓厚度的背面研磨工序以及將晶圓片化為所需芯片大小的切割工序。
近年來隨著電子儀器外殼尺寸的縮小或利用多疊層芯片的半導體裝置的需求增加，作為其構成構件的半導體芯片正持續(xù)薄型化中。因此，對于通常厚度為350μm左右的晶圓，要求需薄化至50～100μm或此厚度以下。
作為質地脆弱的構件的晶圓，隨著其變薄，加工以及搬運時破損的危險性變高。這種極薄的晶圓若通過高速旋轉的切割刀進行裁切，尤其在半導體晶圓的背面，會發(fā)生芯片崩裂等，使芯片的抗折強度明顯下降。
因此，提出了一種將激光照射于半導體晶圓的內部，選擇性地形成改性部的同時形成切割線，以改性部為起點裁切半導體晶圓，即所謂的隱形切割(stealth dicing)法(專利文獻1)。根據(jù)隱形切割法，以激光照射半導體晶圓內部形成改性部后，將薄的半導體晶圓粘貼于由基材和粘著劑層組成的粘著片(切割片)，通過拉伸切割片，沿著切割線分割(切割)半導體晶圓后，即可以良好的成品率生產半導體芯片。此外，還提出了在將半導體晶圓粘貼于切割片后，通過激光的照射形成改性部。由于通過采用這樣的工序形成改性部，不需將切割膠帶粘貼在變得脆弱的晶圓上的工序，因此可降低已變得脆弱的晶圓受到破損風險。在這樣的情況下，由于激光通常從晶圓未形成電路的面進行照射，因此需要通過切割片來照射激光。
若存在如上所述的、在切割工序中，作為加工方法而使用激光的情況，則還存在一種在切割工序時，作為準確地校準半導體晶圓等板狀構件的工具而使用激光的情況。像這些情況的、在切割工序中使用激光時所使用的粘著片(本說明書中，也將此粘著片稱為“激光切割片”)在其使用過程中，激光透過此激光切割片時，對激光必須具有優(yōu)異的透過性才行。
為了滿足這樣的要求，例如，專利文獻2中公開了一種激光切割片，其由基材和形成于其一個面上的粘著劑層形成，其為在300～400nm的波長范圍的全光線透過率為60％以上、霧度為20％以下、光梳的幅寬為0.25mm的透過清晰度為30以上的激光切割片。
現(xiàn)有技術文獻
專利文獻
專利文獻1：日本專利公開第2005-229040號公報
專利文獻2：專利第5124778號公報
技術實現(xiàn)要素：
本發(fā)明要解決的技術問題
專利文獻2中，公開了一種激光切割片，作為所述激光切割片，該基材的單面的中心線平均粗糙度Ra比另一個面的中心線平均粗糙度Ra大，以于中心線平均粗糙度Ra較大的面形成粘著劑層而組成，將中心線平均粗糙度Ra為0.3～0.7μm的面作為粘著劑層形成面，基材的該面的相反側的面的中心線平均粗糙度Ra為0.14μm(專利文獻2實施例)。
由于這種激光切割片的作為激光入射側的面的、基材的粘著劑層形成面的相反側的面為平滑面，可防止基材表面的激光散射，以實現(xiàn)激光的有效利用。
但利用激光切割片，由半導體晶圓等板狀構件而制造的半導體芯片等的加工物的厚度有變得更薄的傾向。此外，近年來，安裝的高密度化持續(xù)進行中，有時會以硅片取代基板，在其上方利用硅(Si)貫通電極(TSV、Through-Silicon Via)層疊芯片。像這樣，在加工物很薄或加工物具有基于TSV的構造的情況下，優(yōu)選激光切割片的粘著劑層可從附著于該粘著劑層的加工物輕松地剝離(拾取(pick up)性優(yōu)異)。
另一方面，專利文獻2中所記載的激光切割片上，有時會產生粘著劑層無法適當?shù)匦纬捎诨纳系牟糠帧＿@種部分在激光切割片的平面圖被視為缺陷，有導致為了加工板狀構件而入射的激光到達板狀構件的光不均勻性的疑慮。
本發(fā)明的目的在于，提供一種在切割工序中利用激光時所使用的粘著片，其難以產生缺陷且具有優(yōu)異的拾取性，以及提供一種利用這種粘著片由板狀構件制造加工物的方法。
解決技術問題的技術手段
為了達成上述目的，經本發(fā)明的發(fā)明者們深入鉆研，得到了新的見解，其具體為：通過將粘著劑層的厚度設為2μm以上、12μm以下，基材的兩個面的算術平均粗糙度Ra設為0.2μm以下，可得到穩(wěn)定地降低缺陷發(fā)生的可能性的、同時具有優(yōu)異的拾取性的粘著片。
本發(fā)明以所述新的見解為基礎而完成，內容如下。
(1)一種粘著片，其特征在于，其為用于對板狀構件照射激光形成改性部，將所述板狀構件分割后芯片化的粘著片，具有基材和設置于所述基材的一個面上的粘著劑層；所述基材對于所述一個面以及所述一個面的相反側的一面這兩個面，于JIS B0601:2013(ISO 4287:1997)所規(guī)定的算術平均粗糙度Ra為0.01μm以上、0.2μm以下；所述粘著劑層的厚度為2μm以上、12μm以下。
(2)根據(jù)所述(1)中所述的粘著片，所述粘著片于JIS K7136:2000(ISO14782:1999)所規(guī)定的霧度，在將基材側作為入射側時，為0.01％以上、10％以下。
(3)根據(jù)所述(1)或(2)中所述的粘著片，所述粘著劑層含有丙烯酸類聚合物，所述丙烯酸類聚合物的玻璃化轉變溫度Tg為-40℃以上、-10℃以下。
(4)根據(jù)所述(3)中所述的粘著片，所述丙烯酸類聚合物包含源自甲基丙烯酸甲酯的結構單元，相對于提供所述丙烯酸類聚合物的單體整體的甲基丙烯酸甲酯的質量比為5質量％以上、20質量％以下。
(5)根據(jù)所述(3)或(4)中所述的粘著片，所述丙烯酸類聚合物具有能量線聚合性基團。
(6)根據(jù)所述(1)～(5)中任一項所述的粘著片，所述基材含有聚烯烴類材料。
(7)根據(jù)所述(1)～(6)中任一項所述的粘著片，所述基材的所述算術平均粗糙度Ra以包含對所述基材進行輥加壓的方式而設定。
(8)根據(jù)所述(7)中所述的粘著片，所述輥加壓中所使用的輥具有由金屬材料形成的表面。
(9)一種加工物的制造方法，其特征在于，具備以下工序：將所述(1)～(8)中任一項中所述的粘著片的比起所述基材，更鄰近所述粘著劑層的面粘貼于包含板狀構件的被粘物的一個面，得到具有所述粘著片以及所述板狀構件的第一層疊體的粘貼工序；通過將所述第一層疊體所具有的所述基材伸長，分割所述粘著片上的所述板狀構件，得到將具有所述板狀構件的分割體的多個芯片配置于所述粘著片上而成的第二層疊體的分割工序；以及將所述第二層疊體所具有的所述多個芯片分別從所述粘著片分離，將所述芯片作為加工物而得到的拾取工序，且在所述分割工序開始前，以使激光聚焦于所述板狀構件的內部所設定的焦點的方式照射激光，進行在所述板狀構件的內部形成改性部的改性部形成工序。
(10)根據(jù)所述(9)中所述的加工物的制造方法，供應于所述分割工序的所述第一層疊體，在所述粘著劑層和所述板狀構件之間具有附加層，通過所述分割工序所述附加層也被分割，通過所述拾取工序，從所述粘著片上分離的芯片具有所述板狀構件的分割體、以及在該板狀構件的分割體的鄰近所述粘著片的面上形成的所述附加層的分割體。
(11)根據(jù)所述(10)中所述的加工物的制造方法，所述附加層具有保護層。
(12)根據(jù)所述(11)中所述的加工物的制造方法，其在所述分割工序開始前，具備由保護膜形成薄膜形成所述第一層疊體所具有的所述保護層的保護膜形成工序。
(13)根據(jù)所述(10)中所述的加工物的制造方法，所述附加層具有管芯鍵合(die bonding)層。
發(fā)明效果
根據(jù)本發(fā)明，能夠提供一種難以產生缺陷且具有優(yōu)異的拾取性的粘著片。此外，通過利用這種粘著片，可由板狀構件穩(wěn)定地制造加工物。
具體實施方式
以下對本發(fā)明的實施方式進行詳細說明。
1.粘著片
本發(fā)明的一個實施方式的粘著片具有基材以及粘著劑層。
(1)基材
本發(fā)明的一個實施方式的粘著片的基材，對于粘著劑層相對側的面(本說明書中還稱為“粘著劑加工面”)以及粘著劑加工面的相反側的面(本說明書中還稱為“激光入射面”)這兩個面，于IS B0601:2013(ISO4287:1997)所規(guī)定的算術平均粗糙度Ra(以下未特別注明的“算術平均粗糙度Ra”皆為此含意)為0.2μm以下。通過使這些面的算術平均粗糙度Ra為0.2μm以下，難以觀測到在粘著片的平面圖上的缺陷，因此，從粘著片的基材側入射的激光很容易均勻地到達粘貼有粘著片的板狀構件，這種激光在不均勻地到達板狀構件時，例如，板狀構件內產生沒有適當?shù)匦纬筛男圆康牟糠?，增高了在這部分發(fā)生板狀構件的片化無法適當?shù)剡M行等問題的可能性。從提高所述入射激光的均勻性的角度出發(fā)，對于粘著劑加工面以及激光入射面這兩個面，算術平均粗糙度Ra優(yōu)選為0.18μm以下，更優(yōu)選為0.16μm以下，進一步優(yōu)選為0.14μm以下，特別優(yōu)選為0.12μm以下。從得到難以在平面圖產生缺陷的粘著片的角度出發(fā)，對于粘著劑加工面，算術平均粗糙度Ra的下限并無限制。從維持制造穩(wěn)定性等的角度等出發(fā)，對于粘著劑加工面以及激光入射面這兩面，算術平均粗糙度Ra優(yōu)選為0.01μm以上。
本發(fā)明的一個實施方式的基材的構成材料，只要滿足以下要求則并無特別限制，能夠滿足對于所述算術平均粗糙度Ra的相關條件，可用來作為激光切割片的基材，即，只要可以以實用的范圍的透過率透過所需波長的激光，即使在在面內方向伸長或在厚度方向局部性地突出的情況下，也難以斷裂。本發(fā)明的一個實施方式的基材，通常由以樹脂類材料為主要材料的薄膜構成。此薄膜可為單層，也可為層疊體。
作為包含于這種薄膜的樹脂類材料的具體例子，可列舉：無規(guī)共聚聚丙烯、嵌段共聚聚丙烯等聚丙烯；低密度聚乙烯(LDPE)、直鏈低密度聚乙烯(LLDPE)、高密度聚乙烯(HDPE)等聚乙烯；乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物、乙烯-降冰片烯共聚物等乙烯類共聚物；降冰片烯樹脂等環(huán)烯烴聚合物(COP)聚丁烯、聚丁二烯、聚甲基戊烯等聚烯烴類材料；聚氯乙烯、氯乙烯共聚物等聚氯乙烯類材料；聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯等聚酯類材料；氨基甲酸酯類材料；聚酰亞胺類材料；離子聚合物樹脂類材料；(甲基)丙烯酸烷基酯的均聚物、(甲基)丙烯酸烷基酯的共聚物等聚丙烯酸類材料；聚苯乙烯類材料；聚碳酸酯類材料；氟樹脂類材料；以及將這些樹脂類材料的氫化物以及改性物作為主要材料的樹脂類材料等。樹脂類材料也可為上述材料和交聯(lián)劑的交聯(lián)物，另外，本說明書中的“(甲基)丙烯酸”，是指丙烯酸以及甲基丙烯酸這兩種，其他類似用語也與此相同。提供上述基材的樹脂類材料可為單獨1種，也可為混合2種以上的混合物。從高激光透過性、面內方向的伸長以及厚度方向的局部變形的容易性、低環(huán)境負荷等角度出發(fā)，本發(fā)明的一個實施方式中的基材優(yōu)選含有聚烯烴類材料，聚烯烴類材料中，又優(yōu)選含有無規(guī)共聚聚丙烯等聚丙烯。
在包含于基材的樹脂類材料為聚烯烴類材料的情況下，一般而言，基材的兩個面的算術表面粗糙度Ra的控制，可通過利用2個輥根據(jù)將基材夾入的輥加壓而進行。通過調節(jié)構成這些輥的表面材料以及該表面的粗糙度，設定基材的兩個面的算術表面粗糙度Ra。以往以來，這些輥的表面，一般一個由金屬形成、另一個由如橡膠一樣的彈性材料形成，因此，雖然與由金屬面形成的輥接觸的基材的面的算術表面粗糙度Ra可相對容易設為低數(shù)值，但與由彈性材料形成的輥接觸的基材的面的算術表面粗糙度Ra難以設為低數(shù)值。對此，在如同本實施方式的基材，欲降低基材的兩個面的算術表面粗糙度Ra的情況下，將對于輥加壓中所要求的輥的兩個面，優(yōu)選設為由金屬形成的面。但在此時，比起一個輥的表面為由彈性材料形成時，需更嚴密地控制兩個面的輥以及基材的相對配置。包含于基材的樹脂類材料為聚氯乙烯類材料時，由于可以通過吹脹成型(inflation molding)制造基材，可容易地將基材的兩個面的算術表面粗糙度Ra設為低數(shù)值。但是，由于聚氯乙烯類材料包含鹵元素，在要求減輕環(huán)境負荷時，優(yōu)選不使用其作為基材材料。
基材在以上述的樹脂類材料作為主要材料的薄膜內，也可包含著色劑、阻燃劑、塑化劑、抗靜電劑、潤滑劑、填充劑等各種添加劑。作為著色劑，可列舉：二氧化鈦、碳黑等顏料或各種染料。此外，作為填充劑，可列舉：如三聚氰胺樹脂的有機類材料、如氣相二氧化硅的無機類材料，以及如鎳顆粒的金屬類材料。這樣的添加劑的含量雖無特別限制，但需固定于可發(fā)揮基材所需的功能、尤其是透過激光的功能，并不失去所需的平滑性以及柔軟性的范圍內。
在利用紫外線作為用于固化粘著劑層的照射能量線的情況下，優(yōu)選基材對紫外線具有透過性。此外，在利用電子束作為能量線的情況下，優(yōu)選基材具有電子束的透過性。
只要粘著片在上述的各工序中，可適當?shù)匕l(fā)揮功能，基材的厚度并無特別限制，優(yōu)選為20～450μm的范圍，更優(yōu)選為25～200μm的范圍，特別優(yōu)選為50～150μm的范圍。
基材的楊氏模量優(yōu)選為50～500MPa。通過使楊氏模量在此范圍內，可維持良好的拉伸性，同時提高基材的機械強度，使形成粘著劑層時的工序適應性良好。例如，將作為基材的含聚烯烴類樹脂的薄膜置于涂布機時，可防止在施以張力時的基材的意圖之外的伸長。
從難以發(fā)生粘連(blocking)，以及提升機械強度的同時，使拉伸性更加良好的角度出發(fā)，所述楊氏模量優(yōu)選為60～450MPa，更優(yōu)選為100～420MPa，特別優(yōu)選為150～300MPa。
(2)粘著劑層
本實施方式的粘著片所具有的粘著劑層的厚度為2μm以上、12μm以下。通過使粘著劑層的厚度在上述范圍內，基材的兩個面的算術平均粗糙度Ra在上述的范圍內，可得到在平面圖難以產生缺陷，且具有優(yōu)異拾取性的粘著片。從使產生上述缺陷的可能性相對較穩(wěn)定地降低的角度出發(fā)，粘著劑層的厚度優(yōu)選為3μm以上，更優(yōu)選為4μm以上。從可更為穩(wěn)定地實現(xiàn)得到具有優(yōu)異拾取性的粘著片的角度出發(fā)，粘著劑層的厚度優(yōu)選為10μm以下，更優(yōu)選為8μm以下，特別優(yōu)選為6μm以下。
用于形成本實施方式的粘著片所具有的粘著劑層的粘著劑組合物并無限制，作為包含于這種粘著劑組合物中的粘著劑，可列舉：橡膠類、丙烯酸類、硅氧烷(silicone)類、聚乙烯醚等粘著劑。以下，以用于形成粘著劑層的粘著劑組合物含有丙烯酸類粘著劑的情況為例進行說明。由于丙烯酸類的粘著劑的透明性優(yōu)異，容易透過激光線。
丙烯酸類的粘著劑含有丙烯酸類聚合物。丙烯酸類聚合物包含基于丙烯酸類化合物的結構單元，作為構成該骨架的單元。丙烯酸類聚合物可為1種單體聚合而形成的均聚物，也可為多種單體聚合而形成的共聚物。從容易控制聚合物物理特性以及化學特性的角度出發(fā)，丙烯酸類聚合物優(yōu)選為共聚物。
丙烯酸類聚合物的玻璃化轉變溫度Tg優(yōu)選為-40℃以上、-10℃以下。通過使玻璃化轉變溫度Tg為-40℃以上的丙烯酸類聚合物包含于粘著劑組合物中，可以降低粘著劑層的粘著性，并進一步提高拾取性。從更為穩(wěn)定地得到這種提高拾取性的效果的角度出發(fā)，丙烯酸類聚合物的玻璃化轉變溫度Tg更優(yōu)選為-35℃以上。將晶圓分割為芯片后，從易于維持保持芯片的性能的角度出發(fā)，丙烯酸類聚合物的玻璃化轉變溫度Tg優(yōu)選為-20℃以下。
丙烯酸類聚合物的重均分子量(Mw)并無限制，通常優(yōu)選為10萬～200萬，更優(yōu)選為30萬～150萬。此外，分子量分布(Mw/Mn、Mn為數(shù)均分子量)也無限制，通常優(yōu)選為1.0～10，更優(yōu)選為1.0～3.0。
提供丙烯酸類聚合物的單體的具體種類并無限制，作為這種單體，可列舉：(甲基)丙烯酸、(甲基)丙烯酸酯、丙烯腈等。作為(甲基)丙烯酸酯的具體例子，可列舉：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸-2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸十二酯、(甲基)丙烯酸十五酯、(甲基)丙烯酸十八酯等烷基的碳原子數(shù)為1～18的(甲基)丙烯酸烷基酯；(甲基)丙烯酸環(huán)烷基酯、(甲基)丙烯酸芐基酯、丙烯酸異冰片酯、丙烯酸二環(huán)戊基酯、丙烯酸二環(huán)戊烯基酯、丙烯酸二環(huán)戊烯基乙氧基酯、丙烯酸亞氨基酯(imido methacrylate)等具有環(huán)狀骨架的(甲基)丙烯酸酯；(甲基)丙烯酸-2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羥基丙酯等具有羥基的(甲基)丙烯酸酯；甲基丙烯酸縮水甘油酯、丙烯酸縮水甘油酯等具有環(huán)氧基的(甲基)丙烯酸酯等。
從使該玻璃化轉變溫度Tg上升的角度出發(fā)，丙烯酸類聚合物優(yōu)選含有甲基丙烯酸甲酯。從更為穩(wěn)定地享有通過使丙烯酸類聚合物含有甲基丙烯酸甲酯而帶來的效果的角度出發(fā)，相對于提供丙烯酸類聚合物的單體整體的甲基丙烯酸甲酯的質量比優(yōu)選為5質量％以上、20質量％以下，更優(yōu)選為7質量％以上、15質量％以下。
丙烯酸類聚合物也可含有乙酸乙烯酯、苯乙烯、乙烯基乙酸酯等作為單體。
丙烯酸類聚合物可具有能量線聚合性基團和可與交聯(lián)劑反應的反應性官能基團(以下簡稱為“反應性官能基”)的至少一者。
在丙烯酸類聚合物含有能量線聚合性基團的情況下，通過對粘著劑層照射能量線，可使對被粘物的粘著性降低，容易得到具有優(yōu)異拾取性的粘著片。作為能量線聚合性基團，可列舉具有聚合性雙鍵的基團。具有能量線聚合性基團的丙烯酸類聚合物的配制方法并無限制。作為這種配制方法的一個例子，可列舉：對于具有羥基、羧酸基、氨基等具有活性氫的官能基的丙烯酸類聚合物，使具有異氰酸酯基等能與上述官能基進行反應的官能基以及能量線聚合性基團的物質(作為具體例子，可列舉(甲基)丙烯酰氧基乙基異氰酸酯)與其進行反應的方法。此外，丙烯酸類的粘著劑通過這種調節(jié)方法，而含有含能量線聚合性基團的丙烯酸類聚合物時，所述丙烯酸類聚合物的玻璃化轉變溫度Tg，指的是使具有可與上述官能基反應的官能基以及能量線聚合性基團的物質進行反應之前的Tg。
在丙烯酸類聚合物具有反應性官能基的情況下，通過使此反應性官能基和交聯(lián)劑反應，可使調節(jié)粘著劑層的粘結性，抑制剝離粘著片后在被粘物上產生殘渣，或使粘著劑層的粘著性降低，提高拾取性等變得更容易。反應性官能基和交聯(lián)劑的組合并無限制，作為反應性官能基，可列舉：羥基、羧酸基、氨基等具有活性氫的基。作為交聯(lián)劑，可列舉：異氰酸酯類交聯(lián)劑、環(huán)氧類交聯(lián)劑、氮雜環(huán)丙烷類交聯(lián)劑、金屬螯合物類交聯(lián)劑等。
異氰酸酯類交聯(lián)劑至少含有含多個異氰酸酯基的聚異氰酸酯化合物。作為聚異氰酸酯化合物的具體例子，可列舉：甲苯二異氰酸酯、二苯甲烷二異氰酸酯、苯二亞甲基二異氰酸酯等芳香族聚異氰酸酯；二環(huán)己基甲烷-4,4’-二異氰酸酯、二環(huán)庚烷三異氰酸酯、亞環(huán)戊基二異氰酸酯(cyclopentylene diisocyanate)、亞環(huán)己基二異氰酸酯(cycloxylene diisocyanate)、甲基亞環(huán)己基二異氰酸酯、氫化苯二亞甲基二異氰酸酯等脂環(huán)式異氰酸酯化合物；六亞甲基二異氰酸酯、三甲基六亞甲基二異氰酸酯、賴氨酸二異氰酸酯等非環(huán)式脂肪族異氰酸酯以及其縮二脲體和異氰脲酸酯體、作為具有異氰酸酯基的化合物與乙烯乙二醇、三羥甲基丙烷、蓖麻油等含非芳香族性低分子活性氫的化合物的反應物的加成物等改性體。
作為環(huán)氧類交聯(lián)劑，可列舉例如：1,3-雙(N,N-二縮水甘油氨甲基)環(huán)己烷、N,N,N’,N’-四縮水甘油基-m-苯二甲胺、乙二醇二縮水甘油醚、1,6-己二醇二縮水甘油醚、三羥甲基丙烷二縮水甘油醚、二縮水甘油基苯胺(diglycidyl aniline)、二縮水甘油胺(diglycidyl amine)等。
作為氮雜環(huán)丙烷類交聯(lián)劑，可列舉例如：二苯甲烷-4,4’-雙(1-氮丙啶酰胺)、三羥甲基丙烷三-β-氮丙啶丙酸、四羥甲基甲烷三-β-氮丙啶丙酸、甲苯-2,4-雙(1-氮丙啶酰胺)、三亞乙基三聚氰胺、雙間苯二酰-1-(2-甲基氮丙啶)、三-1-(2-甲基氮丙啶)膦、三羥甲基丙烷三-β-(2-甲基氮丙啶基)丙酸酯等。
金屬螯合物類交聯(lián)劑中，金屬原子有鋁、鋯、鈦、鋅、鐵、錫等的螯合物，其中，由于鋁螯合物的性能優(yōu)異，因此優(yōu)選。作為鋁螯合物，可列舉例如：單乙酰乙酸油基酯二異丙氧基鋁酸酯、雙乙酰乙酸油基酯單異丙氧基鋁酸酯、單油基酯單乙酰乙酸乙酯單異丙氧基鋁酸酯(diisopropoxy aluminum monooleate monoethylacetoacetate)、單乙酰乙酸月桂基酯二異丙氧基鋁酸酯、單乙酰乙酸硬脂基酯二異丙氧基鋁酸酯、單乙酰乙酸異硬脂基酯二異丙氧基鋁酸酯等。
在粘著劑組合物含有丙烯酸類聚合物的情況下，粘著劑組合物還可含有丙烯酸類聚合物以外的成分。作為這種材料，可列舉能量線聚合性化合物。能量線聚合性化合物為一旦受紫外線、電子束等能量線照射就進行聚合的化合物，作為此能量線聚合性化合物，可列舉具有能量線聚合性基團的低分子量化合物(單官能、多官能的單體以及寡聚物)，具體使用有：三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、四羥甲基甲烷四丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基戊基丙烯酸酯、季戊四醇己基丙烯酸酯或1,4-丁二醇二丙烯酸酯、1,6-己二醇二丙烯酸酯、二環(huán)戊二烯二甲氧基二丙烯酸酯(dicyclopenta diene dimethoxy diacrylate)、丙烯酸異冰片酯等含有環(huán)狀脂肪族骨架的丙烯酸酯；聚乙烯乙二醇二丙烯酸酯、低聚酯丙烯酸酯、氨基甲酸酯丙烯酸酯寡聚物、環(huán)氧改性丙烯酸酯、聚醚丙烯酸酯等丙烯酸酯類化合物。這種化合物的分子內具有至少1個聚合性雙鍵，通常分子量為100～30000，優(yōu)選為300～10000左右。粘著劑組合物為丙烯酸類的粘著劑，且在含有含能量線聚合性基團的丙烯酸類聚合物的情況下，即使粘著劑組合物不含具有能量線聚合性基團的低分子量化合物，或僅含有少量，通過對粘著劑層照射能量線，仍可使對被粘物的粘著性降低。粘著劑組合物中的具有能量線聚合性基團的低分子量化合物的含量較多的情況下，會有拾取性降低的傾向，因此，通過使粘著劑組合物為丙烯酸類粘著劑，且含有含能量線聚合性基團的丙烯酸類聚合物，可減少具有能量線聚合性基團的低分子量化合物的使用量，由此進一步提高拾取性。粘著劑組合物為丙烯酸類的粘著劑的情況下，粘著劑組合物相對于丙烯酸類聚合物100質量份，優(yōu)選含有能量線聚合性化合物0～30質量份，更優(yōu)選含有0～15質量份，特別優(yōu)選含有0～10質量份。
在粘著劑組合物含有含能量線聚合性基團的丙烯酸類聚合物，或含能量線聚合性化合物的情況下，優(yōu)選還含有光聚合引發(fā)劑，作為光聚合引發(fā)劑，可列舉：安息香化合物、苯乙酮化合物、?；⒀趸衔铩⒍伝衔?、噻噸酮化合物、過氧化物化合物等光引發(fā)劑；胺或醌等光敏劑，具體而言，可列舉：1-羥基環(huán)己基苯基甲酮、安息香、安息香甲醚、安息香乙醚、安息香異丙醚、芐基二苯硫醚、四甲基秋蘭姆單硫化物、偶氮二異丁腈、二芐基、二乙酰、β-氯蒽醌、2,4,6-三甲基苯甲?；?二苯-膦氧化物等。通過使其含有光聚合引發(fā)劑，利用紫外線作為能量線的情況下，可以減少照射時間、照射量。
作為用于使能量線聚合性基團以及能量線聚合性化合物反應的能量線，可列舉：電離輻射、即X射線、紫外線、電子束等。其中，優(yōu)選相對來說較容易導入照射設備的紫外線。
利用紫外線作為電離輻射的情況下，從處理容易性方面來說，利用包含波長200～380nm左右的紫外線的近紫外線即可。作為紫外線的光量，根據(jù)包含于粘著劑層的能量線聚合性基團、能量線聚合性化合物的種類，以及粘著劑層的厚度適當?shù)剡x擇即可，通常為50～500mJ/cm2左右，優(yōu)選為100～450mJ/cm2，更優(yōu)選為150～400mJ/cm2。此外，紫外線的照度通常為50～500mW/cm2左右，優(yōu)選為100～450mW/cm2，更優(yōu)選為150～400mW/cm2。作為紫外線源并無特別限制，例如可利用高壓汞燈、金屬鹵素燈等。
在利用電子束作為電離輻射的情況下，對于其加速電壓，根據(jù)包含于粘著劑層的能量線聚合性基團、能量線聚合性化合物的種類，以及粘著劑層厚度適當?shù)剡x擇即可，通常加速電壓優(yōu)選為10～1000kV左右。此外，照射線量只要設定在包含于粘著劑層的能量線聚合性基團以及能量線聚合性化合物的反應可適當?shù)剡M行的范圍內即可，通常選定在10～1000krad的范圍。作為電子束源并無特別限制，可使用科克羅夫-瓦耳頓加速器(Cockcroft-Walton accelerator)、范德格拉夫加速器(Van de Graaff accelerator)、共振變壓器加速器、絕緣芯變壓器加速器(insulated core transformer accelerator)，或直線加速器、地那米加速器(Dynamitron accelerator)、高頻加速器等(high frequency accelerator)各種電子束加速器。
(3)光學特性
本發(fā)明的一個實施方式的粘著片于JIS K7136:2000(ISO 14782:1999)所規(guī)定的霧度，在比起粘著劑層，將鄰近基材的面作為入射面時，為0.01％以上、10％以下為佳。通過使該霧度為10％以下，可有效地活用入射于粘著片的激光。從可更為穩(wěn)定地有效活用入射于粘著片的激光的角度出發(fā)，所述霧度優(yōu)選為5％以下，更優(yōu)選為2.5％以下；從有效地活用入射于粘著片的激光的角度出發(fā)，所述霧度不設下限；而從提高制造穩(wěn)定性的角度等出發(fā)，所述霧度優(yōu)選為0.01％以上左右。
本發(fā)明的一個實施方式的粘著片于JIS K7375:2000所規(guī)定的全光線透過率，在將比起粘著劑層，鄰近基材的面作為入射面時，優(yōu)選為85％以上。通過使該全光線透過率為85％以上，可有效地活用入射于粘著片的激光。從有效地活用入射于粘著片的激光的角度出發(fā)，所述全光線透過率優(yōu)選為90％以上；從有效第活用入射于粘著片的激光的角度出發(fā)，所述全光線透過率不設上限；從提高制造穩(wěn)定性的角度等出發(fā)，所述全光線透過率優(yōu)選為99.99％以下左右。
(4)附加層
本發(fā)明的一個實施方式的粘著片，在粘著劑層側的面上設置有附加層，使用粘著片時，也可在作為粘著片的被粘物的板狀構件上粘貼所述的附加層。附加層的構成并無限制，作為附加層的具體例子可列舉附加層具有保護膜形成薄膜的情況，或附加層具有管芯鍵合層的情況。
保護膜形成薄膜通過熱等外部能量而固化，并由可形成保護膜的材料構成。保護膜形成薄膜或保護膜以其分割體附著于板狀構件片化而形成的芯片狀構件上的狀態(tài)從粘著劑層上分離。因此，在附加層為保護膜形成薄膜的情況下，可得到在芯片狀構件的一個面上層疊保護膜形成薄膜或保護膜的分割體而形成的加工物。
在附加層為管芯鍵合層的情況下，也以在板狀構件片化而形成的芯片狀構件上附著管芯鍵合層的分割體的狀態(tài)從粘著劑層上分離。因此，在附加層為管芯鍵合層的情況下，可得到在芯片狀構件的一個面上層疊管芯鍵合層的分割體而形成的加工物。
(5)剝離片
直至將粘著劑層或附加層粘貼在作為被粘物的板狀構件上為止的這段時間之內，以保護粘著劑層或附加層為目的，本發(fā)明的一個實施方式的粘著片，也可在粘著片的比基材更鄰近粘著劑層的面，具體而言，在粘著劑層的面或者附加層的面上貼合剝離片的剝離面。剝離片的構成為任意，列舉有在塑料薄膜上涂布剝離劑的剝離片。作為塑料薄膜的具體例子，可列舉：聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚萘二甲酸乙二酯等聚酯薄膜，以及聚丙烯或聚乙烯等聚烯烴薄膜。作為剝離劑，雖可使用硅氧烷類、氟類、長鏈烷基類等，其中，優(yōu)選價格低廉且可得到穩(wěn)定性能的硅氧烷類。所述剝離片也可不使用塑料薄膜，改用玻璃紙、涂布紙、高級紙等紙基材，或使用在紙基材上層疊聚乙烯等熱塑性樹脂的層疊紙。對于該剝離片的厚度雖無特別限制，通常為20μm以上、250μm以下左右。
2.加工物的制造方法
通過利用上述本發(fā)明的一個實施方式的粘著片，可如以下說明的內容一樣由板狀構件制造加工物。
(1)粘貼工序
首先，將上述本發(fā)明的一個實施方式的粘著片的比起基材更鄰近粘著劑層的面，具體而言，將粘著劑層的面或附加層的面，粘貼于包含板狀構件的被粘物的一個面上，得到具有粘著片以及板狀構件的第一層疊體。板狀構件并無限制，例示有：硅片等半導體晶圓、具有基于TSV的構造的層疊體等。板狀構件的厚度也無限制，可例示：數(shù)十μm～數(shù)百μm的范圍。
第一層疊體也可具有附加層。作為附加層，可列舉：由保護膜形成薄膜、由保護膜形成薄膜而形成的保護膜、管芯鍵合層等。附加層可作為粘著片的一部份而粘貼在板狀構件上，也可在板狀構件的一個面上事先層疊附加層。在后者的情況下，附加層的與面對板狀構件的面相反側的面，作為包含板狀構件的被粘物的一個面，成為粘貼粘著片的面。
(2)分割工序
通過伸長第一層疊體所具有的基材，分割粘著片上的板狀構件，得到將具有板狀構件的分割體的多個芯片配置于粘著片上而形成的第二層疊體。在第一層疊體具有附加層的情況下，通過伸長基材附加層也被分割。完成分割工序后，也可對于基材的伸長程度較大的部分，通過加熱等方法使其收縮，消除粘著片上的過度松弛的發(fā)生。
(3)改性部形成工序
在所述分割工序開始前，以使激光聚焦于板狀構件的內部所設定的焦點的方式照射激光，在板狀構件的內部形成改性部。該激光的波長以及照射方法，可根據(jù)板狀構件的組成、厚度等構造等適當?shù)卦O定。在完成所述粘貼工序后，進行改性部形成工序的情況下，激光的對板狀構件的照射也可經由粘著片而進行。即使在那樣的情況下，由于本發(fā)明的一個實施方式的粘著片在平面圖仍很難產生缺陷，因此難以發(fā)生以下問題：在缺陷以及其鄰近之處，激光的照射的程度產生變動，其結果導致板狀構件內的改性部的形成變得局部性不適當。像這樣，若在板狀構件內改性物局部性不適當?shù)匦纬?，則在所述分割工序中，有板狀構件的分割無法適當進行的疑慮。若板狀構件的分割無法適當?shù)剡M行，則降低加工物品質的可能性會升高。
(4)拾取工序
通過將第二層疊體所具有的多個芯片各自從粘著片上分離，可得到作為加工物的芯片。分離方法并無限制，通常通過從粘著片中的與芯片相對一側的相反側的面上，以針(pin)等向上頂，使粘著片局部地變形，使對欲分離的芯片的粘著劑層的粘著性降低。接著，通過使用真空夾頭(vacuum collet)等，將欲分離的芯片從粘著片上剝離，以此將芯片從粘著片上分離。此時，向上頂針時或使用真空夾頭往上拉取芯片時，會施加從芯片上欲剝離粘著劑層的力。在芯片很薄或具有基于TSV的構造的情況下，進行此剝離時，芯片上會有產生破裂的疑慮。但由于本發(fā)明的一個實施方式的粘著片已適當?shù)乜刂普持鴦拥暮穸?，因此進行此剝離時，適當?shù)亟档土诵酒屏训目赡苄?，即，本發(fā)明的一個實施方式的粘著片的拾取性優(yōu)異。
在第一層疊體具有附加層的情況下，通過此拾取工序而從粘著片上分離的芯片具有板狀構件的分割體以及在此板狀構件的分割體的鄰近粘著片的面上形成的附加層的分割體。即，在拾取工序中，粘著劑層和附加層的分割體之間產生剝離，加工物從粘著片上分離。
在提供附加層的分割體的附加層為保護膜的情況下，保護膜由保護膜形成薄膜形成的時間點并無限制。在第一層疊體所具備的附加層為保護膜形成薄膜時，可在分離工序開始前，進行由保護膜形成薄膜形成保護膜的作業(yè)。在提供附加層的分割體的附加層為保護膜形成薄膜時，可由加工物所具有的保護膜形成薄膜的分割體形成保護膜。
為了便于理解本發(fā)明而記載以上說明的實施方式，但不能以此限定本發(fā)明實施的范圍。因此，上述實施方式中公開的各元素包含屬于本發(fā)明的技術性范圍內的所有設計變更或等同物。
實施例
以下，通過實施例等進一步對本發(fā)明進行具體說明，但本發(fā)明的范圍并不受這些實施例等限制。
[實施例1]
(1)基材的制作
使用小型T模擠出機(Toyo Seiki Seisaku-sho,Ltd.制，“Laboplastomill”)，利用由無規(guī)共聚聚丙烯樹脂形成的樹脂組合物進行擠出成型，制作一個面(相當于粘著劑加工面)的算術表面粗糙度Ra為0.03μm、另一個面(相當于激光入射面)的算術表面粗糙度Ra為0.03μm的薄膜，以此作為基材。此外，基材的表面粗糙度利用表面粗糙度測量儀(Mitutoyo Corporation制，“SV-3000”)而測量。
(2)粘著劑組合物的配制
將62質量份的丙烯酸丁酯和10質量份的甲基丙烯酸甲酯、以及28質量份的丙烯酸羥基乙酯(HEA)共聚而得到共聚物(玻璃化轉變溫度Tg-34℃)，使甲基丙烯酰氧乙基異氰酸酯(MOI)與該共聚物，以相對于共聚物的HEA，反應80mol％，得到具有能量線聚合性基團的丙烯酸類聚合物(重均分子量50萬)。
相對于所述丙烯酸類聚合物100質量份，添加光聚合引發(fā)劑(BASF公司制，“Iragacure 184”、濃度：100％)3.0質量份、異氰酸酯化合物(Toyo Ink Co.,Ltd.制，“BHS‐8515”)1.0質量份，得到以溶劑稀釋而成的粘著劑組合物。
(3)粘著片的制作
在剝離片的剝離面上涂布所述粘著劑組合物。通過將得到的涂膜使每個剝離片在80℃的環(huán)境中經過1分鐘，得到由剝離片和粘著劑層(測量的厚度為10μm)所形成的層疊體。
在所述基材的粘著劑加工面上粘貼所述層疊體的粘著劑層側的面，以在粘著劑層側的面上進一步層疊有剝離片的狀態(tài)，得到由基材和粘著劑層形成的粘著片。
[實施例2]
除了將粘著劑層的厚度設為5μm以外，以與實施例1相同的方式，以在粘著劑層側的面上層疊有剝離片的狀態(tài)得到粘著片。
[實施例3]
除了下列的變更內容以外，以與實施例1相同的方式，以在粘著劑層側的面上層疊有剝離片的狀態(tài)得到粘著片。
(變更內容)：變更基材的成型條件，將基材的粘著劑加工面的算術表面粗糙度Ra設為0.16μm、激光入射面的算術表面粗糙度Ra設為0.03μm。
[比較例1]
除了將粘著劑層的厚度設為15μm以外，以與實施例3相同的方式，以在粘著劑層面上層疊有剝離片的狀態(tài)得到粘著片。
[比較例2]
除了以下變更內容1與2以外，以與實施例1相同的方式，以在粘著劑層側的面上層疊有剝離片的狀態(tài)得到粘著片。
(變更內容1)：變更基材的成型條件，將基材的粘著劑加工面的算術表面粗糙度Ra設為1.3μm、激光入射面的算術表面粗糙度Ra設為0.04μm。
(變更內容2)：將粘著劑層的厚度設為15μm。
[比較例3]
除了將粘著劑層的厚度設為10μm以外，以與比較例2相同的方式，以在粘著劑層側的面上層疊有剝離片的狀態(tài)得到粘著片。
[比較例4]
除了以下變更內容以外，以與實施例1相同的方式，以在粘著劑層側的面上層疊有剝離片的狀態(tài)得到粘著片。
(變更內容)：變更基材的成型條件，將基材的粘著劑加工面的算術表面粗糙度Ra設為0.04μm，激光入射面的算術表面粗糙度Ra設為1.3μm。
[試驗例1]<霧度的測量>
從通過實施例以及比較例所制造的粘著片上剝離剝離片并裁切為適當?shù)拇笮?，由此所得到的試驗片的霧度以JIS K7136:2000為基準，利用霧度儀(HAZE METER)(Nippon Denshoku Industries Co.,Ltd.制，“NDH-5000”)進行測量，測量光從粘著片的基材側的面進行入射，結果如表1所示。
[試驗例2]<缺陷的觀察>
從通過實施例以及比較例所制造的粘著片上剝離剝離片，將各粘著片的粘著劑層側的面的任意的100mm×100mm的范圍作為觀察范圍，對于這些觀察范圍，分別利用光學顯微鏡進行觀察，根據(jù)缺陷的存在程度，以下列基準進行評價，結果如表1所示。
A：觀察范圍內沒有發(fā)現(xiàn)缺陷。
B：觀察范圍內發(fā)現(xiàn)5個以下的缺陷。
C：觀察范圍內發(fā)現(xiàn)6個以下的缺陷。
[試驗例3]<拾取性評價>
將通過實施例以及比較例所制造的粘著片，于平面圖裁切成圓形，剝離剝離片，在硅片(厚度：100μm)以及環(huán)狀框架(ring frame)上粘貼粘著片的粘著劑層面。
利用激光照射儀器，從硅片的與粘著劑層相對的面上，經過粘著片，將在晶圓內部集中的激光，沿著以形成8mm×8mm的芯片的方式而設定的裁切預定線進行掃描并照射。對所有裁切預定線照射激光后，利用拉伸儀器，以速度10mm/秒鐘拉拔10mm粘著片，使粘著片的粘著劑層側的面上的粘貼有硅片的區(qū)域向主面內外方向伸長。
在此狀態(tài)下，根據(jù)以下條件對粘著片照射紫外線。
照度：220mW/cm2
光量：190mJ/cm2
接著使用Aikoh Engineeering Co.,Ltd.制，向上頂?shù)膴A具(Push Pull Guage：1根針(pin))測量拾取時的荷重。測量向上頂時所需荷重，根據(jù)此測量值，按以下基準評價拾取性，結果如表1所示。
A：1.7N以下
B：比1.7N大
[表1]
從表1可得知，滿足本發(fā)明的條件的實施例的粘著片，霧度低、難以產生缺陷、且拾取性優(yōu)異，為理想的激光切割片。
工業(yè)實用性
本發(fā)明的粘著片適合作為激光切割片而使用。