技術(shù)總結(jié)
包含復(fù)合顆粒如二氧化鈰涂布的二氧化硅顆粒的化學(xué)機(jī)械平面化(CMP)拋光組合物提供了在不同膜之間可調(diào)整的拋光去除選擇性值。組合物能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)互聯(lián)金屬和二氧化硅介電質(zhì)的高去除速率而同時(shí)提供對(duì)低K介電質(zhì)、a?Si和鎢膜的拋光停止?；瘜W(xué)機(jī)械平面化(CMP)拋光組合物已經(jīng)使用軟拋光墊顯示了優(yōu)異性能。

技術(shù)研發(fā)人員：史曉波;J·A·施呂特;M·L·奧尼爾;D·C·坦姆伯利
受保護(hù)的技術(shù)使用者：氣體產(chǎn)品與化學(xué)公司
文檔號(hào)碼：201610394296
技術(shù)研發(fā)日：2016.06.06
技術(shù)公布日：2016.12.21