對于在器件例如有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)、有機(jī)光響應(yīng)器件(特別是有機(jī)光伏器件和有機(jī)光傳感器)、有機(jī)晶體管和存儲器陣列器件中的應(yīng)用，含有活性有機(jī)材料的電子器件正引起越來越多的關(guān)注。含有活性有機(jī)材料的器件提供諸如低重量、低功率消耗和柔性的益處。此外，可溶有機(jī)材料的使用允許在器件制造中利用溶液加工，例如噴墨印刷或者旋涂。OLED可以包含帶有陽極的基底、陰極以及介于陽極和陰極之間的一個或多個有機(jī)發(fā)光層。在器件工作期間空穴通過陽極被注入器件并且電子通過陰極被注入器件。發(fā)光材料的最高已占分子軌道(HOMO)中的空穴和最低未占分子軌道(LUMO)中的電子結(jié)合從而形成激子，所述激子以光的形式釋放其能量。發(fā)光層可以包含半導(dǎo)電主體材料和發(fā)光摻雜劑，其中能量從主體材料轉(zhuǎn)移至發(fā)光摻雜劑。例如，J.Appl.Phys.65,3610,1989公開了用熒光發(fā)光摻雜劑摻雜的主體材料(即，其中通過單重態(tài)激子的衰變而發(fā)出光的發(fā)光材料)。磷光摻雜劑也是已知的(即，其中通過三重態(tài)激子的衰變而發(fā)出光的發(fā)光摻雜劑)?？稍陉枠O和發(fā)光層之間提供空穴傳輸層。US2012/0256537公開了一種組合物，該組合物包含具有可交聯(lián)基團(tuán)的發(fā)光或電荷傳輸聚合物以及具有可交聯(lián)基團(tuán)的發(fā)光或電荷傳輸?shù)牡头肿恿炕衔?。WO2013/005026公開了具有取代的苯并環(huán)丁烯基團(tuán)的空穴傳輸聚合物。公開了這些聚合物作為OLED的空穴傳輸層的應(yīng)用。使取代的苯并環(huán)丁烯基團(tuán)交聯(lián)以使該層不可溶。苯并環(huán)丁烯基團(tuán)可彼此反應(yīng)或者可與雙鍵基團(tuán)反應(yīng)。本發(fā)明的目的是改善有機(jī)電子器件特別是有機(jī)發(fā)光器件的性能，其中該器件的一個或多個層是通過溶液沉積方法沉積該器件的半導(dǎo)體層形成。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：在第一方面，本發(fā)明提供了取代有式(I)基團(tuán)的材料：其中：Ar1表示芳基或雜芳基，該芳基或雜芳基可以是未取代的或者取代有一個或多個取代基；Sp1表示第一間隔基團(tuán)；n1為0或1；如果n1為0則m1為1，并且如果n1為1則m1為至少1；R1在每次出現(xiàn)時獨(dú)立地為H或取代基，條件是至少一個R1是選自如下的基團(tuán)R11：烷基，其包含直接結(jié)合到式(I)的環(huán)丁烯環(huán)的碳原子上的叔碳原子；支化烷基，其中該支化烷基的仲碳或叔碳原子通過至少一個-CH2-基團(tuán)與式(I)的環(huán)丁烯環(huán)的碳原子間隔開；和包含環(huán)烷基的烷基；或者條件是至少兩個R1基團(tuán)連接形成環(huán)；并且*表示至所述材料的連接點(diǎn)。在第二方面，本發(fā)明提供了包含根據(jù)第一方面的材料和取代有至少一個式(II)基團(tuán)的第二材料的組合物：其中：Sp2表示第二間隔基團(tuán)；n2為0或1；如果n2為0則m2為1，以及如果n2為1則m2為至少1；UG是包含反應(yīng)性不飽和基團(tuán)的基團(tuán)；和*表示與第二材料的連接點(diǎn)。在第三方面，本發(fā)明提供了一種形成有機(jī)電子器件的層的方法，該方法包括使根據(jù)第一方面的材料或者根據(jù)第二方面的組合物反應(yīng)的步驟。附圖說明現(xiàn)在將參照附圖更詳細(xì)地描述本發(fā)明，其中：圖1示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方案的OLED；圖2A示出通過含有未取代BCB的比較化合物的反應(yīng)獲得的產(chǎn)物混合物的HPLC跡線；圖2B示出通過含有甲基取代的BCB的比較化合物的反應(yīng)獲得的產(chǎn)物混合物的HPLC跡線；圖2C示出通過含有新戊基取代的BCB的根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方案的化合物的反應(yīng)獲得的產(chǎn)物混合物的HPLC跡線；圖3是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方案的聚合物和比較聚合物的在加熱之后除去的可溶材料相對于加熱溫度的坐標(biāo)圖；圖4示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方案的器件以及比較器件的電致發(fā)光光譜；圖5示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方案的器件以及比較器件的電流密度相對于電壓的坐標(biāo)圖；圖6示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方案的器件以及比較器件的亮度相對于電壓的坐標(biāo)圖；圖7示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方案的器件以及比較器件的外部量子效率相對于電壓的坐標(biāo)圖；圖8是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方案的噴墨印刷的OLED的亮度相對于時間的坐標(biāo)圖；和圖9是比較性噴墨印刷OLED的亮度相對于時間的坐標(biāo)圖。發(fā)明詳述未按任何比例繪制的圖1說明了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方案的OLED100，其包含陽極103、陰極109、介于陽極和陰極之間的發(fā)光層107以及介于陽極和發(fā)光層之間的空穴傳輸層105。該器件100承載在基底101上，例如玻璃或塑料基底。發(fā)光層107可以是未圖案化的，或者可以是圖案化的以形成離散的像素。每個像素可以進(jìn)一步分為子像素。發(fā)光層可包含單一發(fā)光材料，例如對于單色顯示器或其它單色器件，或者可包含發(fā)出不同顏色的材料，特別地對于全色顯示器而言包含紅色、綠色和藍(lán)色發(fā)光材料。如果使發(fā)光層107圖案化，則空穴傳輸層105可以按與發(fā)光層相同的方式圖案化，或者可以在未圖案化的空穴傳輸層105上形成圖案化的發(fā)光層107?？昭▊鬏攲?05含有空穴傳輸材料。通過使含有式(I)基團(tuán)的第一材料反應(yīng)從而形成該空穴傳輸層。第一材料可以與自身反應(yīng)或者可以與含有式(II)基團(tuán)的第二材料反應(yīng)。優(yōu)選地，第一材料與第二材料反應(yīng)。反應(yīng)性不飽和基團(tuán)UG可以是反應(yīng)性雙鍵或三鍵。優(yōu)選地，UG的反應(yīng)性雙鍵或三鍵不是共軛的。為了形成空穴傳輸層105，在陽極上方沉積第一材料。然后使式(I)基團(tuán)與自身反應(yīng)或者與式(II)基團(tuán)(若存在的話)反應(yīng)。然后在空穴傳輸層105上形成發(fā)光層107。優(yōu)選地，通過如下方式形成發(fā)光層：沉積溶解或分散在溶劑或溶劑混合物中的發(fā)光層的一種或多種材料的配制物，然后蒸發(fā)所述溶劑。優(yōu)選地，通過如下方式使得空穴傳輸層105不溶：使式(I)的基團(tuán)反應(yīng)，使得空穴傳輸層幾乎不被或者不被用于形成發(fā)光層的溶劑溶解，并且使得在空穴傳輸層的材料和發(fā)光層的材料之間幾乎不或者不相混。優(yōu)選地，式(I)的第一基團(tuán)要么與自身反應(yīng)要么與第二材料的式(II)基團(tuán)反應(yīng)從而形成交聯(lián)的空穴傳輸層?？稍陉枠O103和陰極109之間提供一個或多個另外的層。所述另外的層可以選自一個或多個另外的發(fā)光層、空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層、空穴阻擋層和電子阻擋層。優(yōu)選的器件結(jié)構(gòu)包括：陽極/空穴傳輸層/發(fā)光層/陰極陽極/空穴注入層/空穴傳輸層/發(fā)光層/陰極陽極/空穴注入層/空穴傳輸層/發(fā)光層/電子傳輸層/陰極。優(yōu)選地，存在空穴注入層和空穴傳輸層兩者。OLED100的發(fā)光材料可以是熒光材料、磷光材料或者熒光材料與磷光材料的混合物。發(fā)光材料可以選自聚合的發(fā)光材料和非聚合的發(fā)光材料。示例性的發(fā)光聚合物是共軛聚合物，例如聚亞苯基和聚芴，其實(shí)例描述于Bernius,M.T.,Inbasekaran,M.,O'Brien,J.andWu,W.,ProgresswithLight-EmittingPolymers.Adv.Mater.,12:1737–1750,2000，通過引用將其內(nèi)容并入本文。發(fā)光層107可以包含主體材料以及熒光或磷光發(fā)光摻雜劑。示例性的磷光摻雜劑是第2行或第3行過渡金屬絡(luò)合物，例如釕、銠、鈀、錸、鋨、銥、鉑或金的絡(luò)合物。發(fā)光層107可以是器件的唯一發(fā)射層，或者可從器件的一個或多個另外的層發(fā)射光?？梢栽诳昭▊鬏攲?05中提供發(fā)光摻雜劑，使得當(dāng)器件處于使用時空穴傳輸層105發(fā)射光。OLED可以是白色發(fā)光OLED。該發(fā)白光的OLED可包含單一的白光發(fā)光層或者可包含發(fā)射不同顏色的兩個或更多個層，這些不同顏色結(jié)合產(chǎn)生白光。可以由提供在單一發(fā)光層中或者分布在兩個或更多個發(fā)光層內(nèi)的紅色、綠色和藍(lán)色發(fā)光材料的組合產(chǎn)生白光。在優(yōu)選的配置中，器件具有包含紅色發(fā)光材料的發(fā)光層和包含綠色和藍(lán)色發(fā)光材料的發(fā)光層。由白色發(fā)光OLED發(fā)射的光可以具有與黑體在2500-9000K范圍內(nèi)的溫度下發(fā)射的光相當(dāng)?shù)腃IEx坐標(biāo)以及在所述黑體發(fā)射光的CIEy坐標(biāo)的0.05或0.025之內(nèi)的CIEy坐標(biāo)，任選地具有與黑體在2700-4500K范圍內(nèi)的溫度下發(fā)射的光相當(dāng)?shù)腃IEx坐標(biāo)。藍(lán)色發(fā)光材料可具有峰值在420-490nm范圍內(nèi)、更優(yōu)選在420-480nm范圍內(nèi)的光致發(fā)光光譜。綠色發(fā)光材料可具有峰值在大于490nm直至580nm、任選地大于490nm直至540nm的范圍內(nèi)的光致發(fā)光光譜。紅色發(fā)光材料可任選地在其光致發(fā)光光譜中具有大于580nm直至630nm、任選地在585-625nm內(nèi)的峰值。在另一實(shí)施方案(未示出)中，可以通過本文所述的式(I)基團(tuán)的反應(yīng)(要么與自身要么與式(II)基團(tuán))形成發(fā)光層107，在這種情況下空穴傳輸層105可以存在或者可以不存在。該實(shí)施方案的發(fā)光層107可以是陽極和陰極之間的唯一層，或者可以在陽極和陰極之間提供一個或多個另外的層，例如上述的一個或多個另外的層。在另一實(shí)施方案(未示出)中，可以在發(fā)光層107和陰極109之間提供電子傳輸層或電子注入層，其中通過交聯(lián)第一材料形成電子傳輸層或電子注入層。第一材料可以與自身反應(yīng)，或者可以通過使包含第一材料和第二材料的組合物反應(yīng)形成電子傳輸或電子注入層。該實(shí)施方案的器件可以包含僅在陽極和陰極之間的發(fā)光層107和電子傳輸或電子注入層，或者可以在陽極和陽極之間提供一個或多個另外的層，例如上文所述的一個或多個另外的層。式(I)示例性的烷基R11可以選自C4-20烷基。在R11含有直接結(jié)合到式(I)的環(huán)丁烯環(huán)的碳原子上的叔碳原子的情形中，R11可以是含有兩個或更多個叔碳原子的烷基。在R11包含環(huán)狀烷基的情形中，R11可以由環(huán)狀烷基組成或者可以是取代有一個或多個C1-5烷基的環(huán)狀烷基。環(huán)狀烷基可以直接結(jié)合到式(I)的環(huán)丁烯環(huán)，或者可以通過一個或多個-CH2-基團(tuán)(任選一個、兩個或三個-CH2-基團(tuán))與其間隔開。在其中R11包含與式(I)的環(huán)丁烯環(huán)間隔開的仲碳原子或叔碳原子的情形中，該仲碳原子或叔碳原子可以通過至少一個-CH2-基團(tuán)(任選一個、兩個或三個-CH2-基團(tuán))與式(I)的環(huán)丁烯環(huán)間隔開。包含與式(I)的環(huán)丁烯環(huán)間隔開的仲碳原子或叔碳原子的R11可以含有一個、兩個或更多個選自仲碳原子和叔碳原子的碳原子。在兩個R1基團(tuán)連接形成環(huán)的情形中，該環(huán)可以是未取代的或者取代有一個或多個取代基。示例性的取代基是C1-20烷基。該環(huán)可以是單環(huán)或多環(huán)。由兩個R1基團(tuán)連接形成的示例性環(huán)是C1-10環(huán)烷基。示例性基團(tuán)R11包括以下基團(tuán)，其中*為環(huán)狀烷基與式(I)基團(tuán)的環(huán)丁烯環(huán)的連接點(diǎn)：下面說明其中R1基團(tuán)連接形成環(huán)的示例性結(jié)構(gòu)。顯示所述環(huán)稠合到苯并環(huán)丁基(Ar1＝苯)。一個、兩個、三個或所有四個基團(tuán)R1可以是基團(tuán)R11。任選地，僅一個基團(tuán)R1是基團(tuán)R11。其它基團(tuán)R1可以選自：-H-直鏈C1-20烷基；-C1-20烷氧基；-三(烴基)甲硅烷基；-芳基或雜芳基，其可以是未取代的或者取代有一個或多個取代基，任選為苯基，該苯基可以是未取代的或取代有一個或多個C1-10烷基或C1-10烷氧基。優(yōu)選地，3個R1基團(tuán)是H。Sp1可以是式-(R12)t-的基團(tuán)，其中t為至少1，任選地1、2、3、4或5，并且每個R12獨(dú)立地選自如下：-C1-20烷基，其中該烷基的一個或多個非相鄰C原子可以被O、S、SiR142替代，其中R14在每次出現(xiàn)時獨(dú)立地是取代基或芳基或雜芳基，該芳基或雜芳基可以是未取代的或者取代有一個或多個取代基；和-芳基或雜芳基，該芳基或雜芳基可以是未取代的或者取代有一個或多個取代基。Sp1可以取代有一個或多個芳基環(huán)丁烯基團(tuán)。Sp1可以是具有至少兩個支鏈的支化基團(tuán)，其中所述支鏈中的至少兩個取代有芳基環(huán)丁烯基團(tuán)。R14在每次出現(xiàn)時可獨(dú)立地為烴基，任選為選自C1-20烷基和苯基的烴基，所述苯基可以是未取代的或取代有一個或多個C1-10烷基。芳基或雜芳基Sp1或Sp1的構(gòu)成部分優(yōu)選地選自C6-20芳基，其可以是未取代的或取代有一個或多個取代基，優(yōu)選可以為未取代的或取代有一個或多個取代基(任選地為一個或多個C1-10烷基)的苯基。示例性的間隔基團(tuán)Sp1包括：C1-20烷基，C3-20環(huán)烷基，C1-20烷氧基，苯基；苯基-C1-20烷基；苯基-C1-20烷氧基；含聚醚單元的基團(tuán)，例如式-(C2H5O)p-或-苯基-(OC2H5)p-的間隔體，其中p為至少2任選為2-10并且苯基是未取代的或者取代有一個或多個取代基，任選為一個或多個C1-20烷基；-(R10)q-Si(R14)2-(R10)q-，其中R14如上所述，R10在每次出現(xiàn)時為C1-20烴基，并且q在每次出現(xiàn)時為0或1。R10在每次出現(xiàn)時可獨(dú)立地選自選自C1-20烷基和苯基，所述苯基可以是未取代的或取代有一個或多個C1-10烷基。任選地，Ar1為芳基，任選為C6-20芳基，其可以是未取代的或取代有一個或多個取代基。優(yōu)選地，Ar1為苯基，該苯基可以是未取代的或取代有一個或多個取代基，任選一個或多個C1-10烷基。式(II)Sp2在每次出現(xiàn)時可獨(dú)立地選自上述的基團(tuán)Sp1。Sp2可以取代有一個或多個反應(yīng)性不飽和基團(tuán)UG。Sp2可以是具有至少兩個支鏈的支化基團(tuán)，其中所述支鏈中的至少兩個取代有UG基團(tuán)。UG可以是非環(huán)狀、環(huán)狀的或多環(huán)的基團(tuán)。具有非環(huán)狀基團(tuán)UG的式(II)的示例性基團(tuán)具有式(XIa)：其中R2和R3各自獨(dú)立地為H或取代基。取代基R2和R3任選地選自C1-20烴基，更優(yōu)選C1-10烷基。優(yōu)選地，每個R3是H。優(yōu)選地，n2是1并且m2是1。示例性的多環(huán)基團(tuán)UG是降冰片烯，其可以是未取代的或取代的。具有降冰片烯基團(tuán)UG的式(II)示例性基團(tuán)具有式(XIb)，其中所述降冰片烯或每個降冰片烯可以是未取代的或取代有一個或多個取代基：環(huán)狀或多環(huán)基團(tuán)UG(例如降冰片烯)的示例性取代基是C1-20烷基，其中一個或多個不相鄰的C原子可以被O、S、S-O、C＝O或COO代替；芳族基團(tuán)，任選苯基，其可以是未取代的或取代有一個或多個取代基；雜芳族基團(tuán)，其可以是未取代的或取代有一個或多個取代基；腈；和硝基。C1-20烷基可以是直鏈、支化或環(huán)狀的烷基。當(dāng)存在時，芳族或雜芳族基團(tuán)的取代基可以選自C1-20烷基。第一材料和第二材料取代有式(I)基團(tuán)的材料可以是非聚合材料或者是包含取代有式(I)基團(tuán)的重復(fù)單元的聚合物。非聚合材料可具有式(IIIa)：其中Core1是非聚合的第一核心基團(tuán)；Ar1是芳基或雜芳基，該芳基或雜芳基可以是未取代的或取代有一個或多個取代基；Sp1是第一間隔基團(tuán)；n1為0或1；如果n1為0則m1為1；如果n1為1則m1為至少1，任選1、2或3；并且p1為至少1，任選地1,2,3或4。本文所用的“非聚合”是指多分散性為1的材料，并且包括多分散性為1的樹枝狀化合物或低聚化合物。低聚物包括但不限于二聚物、三聚物、四聚物或五聚物。優(yōu)選地，非聚合材料具有小于約5000道爾頓的分子量。取代有式(I)基團(tuán)的聚合物可以是包含式(IIIb)重復(fù)單元的聚合物：其中RU1是第一重復(fù)單元且p1為至少1。式(IIIb)的重復(fù)單元可以形成聚合物重復(fù)單元的0.5-50mol％，任選為聚合物重復(fù)單元的1-20mol％。式(IIIa)或(IIIb)的Ar1可以通過Ar1的任何位置，要么直接地要么或通過Sp1結(jié)合Core1或RU1。優(yōu)選地，Ar1不通過與環(huán)丁烯環(huán)的原子相鄰的Ar1的環(huán)原子結(jié)合。非聚合的第二材料可以具有式(IVa)：其中Core2是非聚合的第二核心基團(tuán)；Sp2是第二間隔基團(tuán)；n2是0或1；UG是反應(yīng)性不飽和基團(tuán)；如果n2為0則m2為1；如果n2為1則m2為至少1，任選1、2或3；并且p2為至少1，任選地1,2,3或4。取代有式(II)基團(tuán)的聚合物可以是包含式(IVb)的重復(fù)單元的聚合物：其中RU2是第二重復(fù)單元。式(IVb)的重復(fù)單元可以形成聚合物重復(fù)單元的0.5-50mol％，任選為聚合物重復(fù)單元的1-20mol％。式(IIIb)的重復(fù)單元和式(IVb)的重復(fù)單元可以是同一聚合物的重復(fù)單元。非聚合化合物可以含有至少一個式(I)的基團(tuán)(p1為至少1)和至少一個式(II)的基團(tuán)(p2為至少1)，例如式(XII)的化合物，其中Core3是非聚合的第三核心基團(tuán)，其可以選自本文關(guān)于Core1或Core2所述的任何核心基團(tuán)：在這種情況下，第一材料和第二材料是式(I)的基團(tuán)和式(II)的基團(tuán)取代至的同一核心材料。本發(fā)明人已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，式(I)的基團(tuán)比其中環(huán)丁烯環(huán)為未取代的(每個R1＝H)的化合物更容易反應(yīng)。這可以允許式(I)的基團(tuán)在較低溫度下反應(yīng)和/或可需要較短的反應(yīng)時間，相比于其中每個R1＝H的情形而言。此外，當(dāng)與第二材料反應(yīng)時，本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)R11基團(tuán)的存在或兩個R1基團(tuán)的連接導(dǎo)致對由式(I)基團(tuán)彼此的反應(yīng)引起的三聚物或更高的低聚物形成產(chǎn)生抑制。第一材料可以通過熱處理和/或通過照射例如紫外線照射與自身反應(yīng)或者與第二材料的反應(yīng)性非飽和基團(tuán)(存在時)反應(yīng)。優(yōu)選地，該組合物通過熱處理反應(yīng)。優(yōu)選地，熱處理在小于180℃、更優(yōu)選小于160℃的溫度下進(jìn)行。熱處理可以在至少130℃、任選至少140℃的溫度下進(jìn)行。優(yōu)選地，第一材料和第二材料反應(yīng)。如果第一材料是僅具有一個式(I)基團(tuán)(m1和p1各自為1)的非聚合材料并且第二材料是僅具有一個式(II)基團(tuán)(m2和p2各自為1)的非聚合材料，那么在UG為降冰片烯的情形中這些材料可如方案1所示那樣反應(yīng)產(chǎn)生狄爾斯-阿爾德(Diels-Alder)加合物。方案1如果第一非聚合材料取代有兩個式(I)基團(tuán)，例如如果m1＝1且p1＝2，并且如果第二非聚合材料取代有兩個式(II)的基團(tuán)，例如如果m2＝1且p2＝2，那么第一材料和第二材料可以反應(yīng)從而形成具有以下重復(fù)結(jié)構(gòu)的線型聚合物：如果第一非聚合材料含有多于兩個(雜)芳基環(huán)丁烯基團(tuán)和/或如果第二非聚合材料取代有多于兩個反應(yīng)性不飽和基團(tuán)，那么第一材料和第二材料可反應(yīng)形成交聯(lián)聚合物。如果第一材料和第二材料中的至少一種是聚合物的重復(fù)單元，則反應(yīng)可以是交聯(lián)反應(yīng)。方案2說明了包含式(IVb)重復(fù)單元(其中UG為降冰片烯)的聚合物的兩個鏈與式(IIIa)的非聚合化合物之間的交聯(lián)反應(yīng)，其中m1為1且p1為2，但是應(yīng)當(dāng)理解，m1可以大于1和/或p1可以大于2，例如3或4：方案2在另一實(shí)施方案中，其中p1為2或更大和/或m1為2或更大的式(IVa)的非聚合化合物與包含式(IIIb)的重復(fù)單元的聚合物反應(yīng)。方案3說明了包含式(IVb)的重復(fù)單元的聚合物與包含式(IIIb)的重復(fù)單元的聚合物之間的交聯(lián)反應(yīng)：方案3使用包含降冰片烯作為反應(yīng)性不飽和基團(tuán)的第二材料說明了方案1、2和3的反應(yīng)，但應(yīng)理解可使用本文所述的任何反應(yīng)性不飽和基團(tuán)。單一聚合物可以含有式(IIIb)重復(fù)單元和式(IVb)重復(fù)單元，在這種情況下第一材料和第二材料是同一聚合物的重復(fù)單元，并且交聯(lián)反應(yīng)可以在該聚合物的鏈之間。因此應(yīng)當(dāng)理解，本文所述的組合物可以是包含式(IIIb)重復(fù)單元和式(IVb)重復(fù)單元的單一聚合物。除該聚合物之外，還可以存在一種或多種另外的交聯(lián)材料，例如帶有選自式(I)和(II)的一個或多個基團(tuán)的一種或多種非聚合或聚合的交聯(lián)材料。核心基團(tuán)非聚合的第一材料的Core1可以僅取代有一個或多個式(I)的基團(tuán)，或者可以取代有一個或多個另外的取代基。非聚合的第二材料的Core2可以僅取代有一個或多個選自式(II)的基團(tuán)，或者可以取代有一個或多個另外的取代基。示例性的另外取代基包括C1-40烴基，例如C1-20烷基，未取代的苯基和取代有一個或多個C1-20烷基的苯基?？梢愿鶕?jù)它們將要存在其中的層的功能來選擇Core1和Core2。任選地，Core1和Core2各自獨(dú)立地選自空穴傳輸基團(tuán)、電子傳輸基團(tuán)和發(fā)光基團(tuán)。示例性的Core1和Core2基團(tuán)包括亞芳基(例如苯和芴)和胺基。第一非聚合化合物或第二非聚合化合物可以具有式(V)：其中Ar2、Ar3和Ar4在每次出現(xiàn)時獨(dú)立地選自取代或未取代的芳基或雜芳基或式(I)的基團(tuán)，其中n1＝0；g為0、1或2，優(yōu)選0或1；并且c、d和e各自獨(dú)立地為1、2或3，其中Ar2、Ar3和Ar4中的至少一個取代有至少一個式(I)或(II)的基團(tuán)和/或Ar2和Ar4中的至少一個是式(I)的基團(tuán)，其中n1＝0。與同一N原子直接結(jié)合的選自Ar2、Ar3、Ar5以及Ar4(如果存在的話)的任何兩個芳族或雜芳族基團(tuán)可通過直接鍵或二價連接原子或基團(tuán)連接。優(yōu)選的二價連接原子和基團(tuán)包括O、S、取代的N、和取代的C。優(yōu)選地，Ar2、Ar3和Ar4各自獨(dú)立地是除式(I)和/或(II)基團(tuán)以外的芳基，該芳基可以是未取代的或取代有一個或多個取代基，任選為一個或多個C1-20烷基或C1-20烷氧基。優(yōu)選地，Ar2和Ar4各自獨(dú)立地為苯基或式(I)的基團(tuán)，其中n1＝0。在g＝1的情形中，Ar3優(yōu)選為C6-20芳基，更優(yōu)選苯基或多環(huán)芳族基團(tuán)，例如萘、苝、蒽或芴。如果Ar3是多環(huán)芳基，則d優(yōu)選為1。示例性的非聚合的第一化合物和第二化合物包括如下所示的化合物，其中R3在每次出現(xiàn)時獨(dú)立地是取代基，任選C1-20烷基，且q是0、1、2、3或4。其中r＝1至10。重復(fù)單元包含重復(fù)單元RU1和/或RU2的聚合物優(yōu)選為包含RU1和/或RU2以及一個或多個共聚重復(fù)單元的共聚物。共聚重復(fù)單元優(yōu)選不包含可交聯(lián)基團(tuán)。優(yōu)選地，RU1和RU2包含至少一個芳族或雜芳族基團(tuán)，更優(yōu)選至少一個芳族基團(tuán)。優(yōu)選地，包含重復(fù)單元RU1和/或RU2的聚合物是共軛聚合物。任選地，RU1和RU2選自空穴傳輸重復(fù)單元、電子傳輸重復(fù)單元和發(fā)光重復(fù)單元?？梢愿鶕?jù)它們將要存在于其中的層的功能來選擇RU1和RU2，或者RU1和RU2可以與提供所需功能性的共聚重復(fù)單元組合使用。例如，用于空穴傳輸層的空穴傳輸聚合物可以含有空穴傳輸重復(fù)單元RU1或RU2，或者可以含有空穴傳輸共聚重復(fù)單元。共軛聚合物的示例性重復(fù)單元是亞芳基重復(fù)單元、亞芳基亞乙烯基重復(fù)單元和芳基胺重復(fù)單元，它們各自可以是式(IIIb)或(IVb)的共聚重復(fù)單元或重復(fù)單元，其中RU1或RU2是亞芳基、亞芳基亞乙烯基或芳基胺。一類優(yōu)選的亞芳基重復(fù)單元是亞苯基重復(fù)單元，例如式(VI)的亞苯基重復(fù)單元：其中w在每次出現(xiàn)時獨(dú)立地為0、1、2、3或4，任選地為1或2；n為1、2或3；并且R7在每次出現(xiàn)時獨(dú)立地為取代基。當(dāng)存在時，各R7可獨(dú)立地選自于由以下構(gòu)成的組:-烷基，任選地C1-20烷基，其中一個或多個非相鄰C原子可被任選取代的芳基或雜芳基、O、S、取代的N、C＝O或-COO-替換，并且一個或多個H原子可被F替換；-芳基和雜芳基基團(tuán)，所述芳基和雜芳基基團(tuán)可以是未取代的或取代有一個或多個取代基，優(yōu)選為取代有一個或多個C1-20烷基的苯基；-芳基或雜芳基基團(tuán)的直鏈或支化鏈，每個所述基團(tuán)可獨(dú)立地被取代，例如式-(Ar7)r的基團(tuán)，其中各Ar7獨(dú)立地為芳基或雜芳基并且r為至少2，優(yōu)選為苯基的支化鏈或直鏈，每個苯基可以是未取代的或取代有一個或多個C1-20烷基；和-式(I)或(II)的基團(tuán)。在R7包含芳基或雜芳基、或者芳基或雜芳基的直鏈或支化鏈的情形中，所述芳基或雜芳基或者每個芳基或雜芳基可取代有一個或多個選自以下的取代基R8:烷基，例如C1-20烷基，其中一個或多個非相鄰C原子可被O、S、取代的N、C＝O和-COO-替換，并且該烷基的一個或多個H原子可被F替換；NR92、OR9、SR9、SiR93，和氟、硝基和氰基；其中各R9獨(dú)立地選自如下：烷基，優(yōu)選C1-20烷基；和芳基或雜芳基，優(yōu)選苯基，任選地取代有一個或多個C1-20烷基。取代的N，當(dāng)存在時，可以為-NR6-，其中R6為取代基并且任選為C1-40烴基，任選為C1-20烷基。優(yōu)選地，各個R7(當(dāng)存在時)獨(dú)立地選自式(I)或(II)的基團(tuán)，以及C1-40烴基。優(yōu)選的C1-40烴基是：C1-20烷基；未取代的苯基；取代有一個或多個C1-20烷基的苯基；苯基的直鏈或支化鏈，其中各個苯基可以是未取代的或取代有一個或多個取代基。如果n為1，那么示例性的式(VI)重復(fù)單元包括如下:特別優(yōu)選的式(VI)重復(fù)單元具有式(VIa):式(VIa)的取代基R7與該重復(fù)單元的連接位置鄰近，這可引起式(VIa)重復(fù)單元與鄰近重復(fù)單元之間的空間位阻，從而導(dǎo)致式(VIa)重復(fù)單元相對于一個或兩個鄰近重復(fù)單元扭曲到平面外。當(dāng)n為2或3時的示例性重復(fù)單元包括以下：優(yōu)選的重復(fù)單元具有式(VIb)：式(VIb)的兩個R7基團(tuán)可以在它們所結(jié)合至的苯基環(huán)之間引起空間位阻，從而導(dǎo)致兩個苯基環(huán)相對于彼此扭曲。另一類亞芳基重復(fù)單元是任選取代的芴重復(fù)單元，例如式(VII)的重復(fù)單元：其中R8在每次出現(xiàn)時是相同的或不同的并且是取代基，其中兩個基團(tuán)R8可以連接形成環(huán)；R7為如上所述的取代基；以及d是0、1、2或3。各R8可獨(dú)立地選自于由以下構(gòu)成的組:-烷基，任選地C1-20烷基，其中一個或多個非相鄰C原子可被任選取代的芳基或雜芳基、O、S、取代的N、C＝O或-COO-替換，并且一個或多個H原子可被F替換；-芳基和雜芳基基團(tuán)，所述芳基和雜芳基基團(tuán)可以是未取代的或取代有一個或多個取代基，優(yōu)選為取代有一個或多個C1-20烷基的苯基；-芳基或雜芳基基團(tuán)的直鏈或支化鏈，每個所述基團(tuán)可獨(dú)立地被取代，例如式-(Ar7)r的基團(tuán)，其中各Ar7獨(dú)立地為芳基或雜芳基并且r為至少2，任選為2或3，優(yōu)選為苯基的支化鏈或直鏈，每個苯基可以是未取代的或取代有一個或多個C1-20烷基；和-式(I)或(II)的基團(tuán)。優(yōu)選地，各個R8獨(dú)立地為式(I)或(II)的基團(tuán)或者C1-40烴基。優(yōu)選的C1-40烴基是：C1-20烷基；未取代的苯基；取代有一個或多個C1-20烷基的苯基；和苯基的直鏈或支化鏈，其中各個苯基可以是未取代的或取代有一個或多個取代基。取代的N(當(dāng)存在時)可以為：-NR6-，其中R6如上所述。芴重復(fù)單元的芳族碳原子可以是未取代的，或者可以取代有一個或多個取代基R7，該取代基R7如關(guān)于式(VI)所述。示例性取代基R7是烷基，例如C1-20烷基，其中一個或多個非相鄰C原子可以被如下替換：O、S、C＝O和-COO-，任選取代的芳基，任選取代的雜芳基，烷氧基，烷硫基(alkylthio)，氟，氰基和芳基烷基。特別優(yōu)選的取代基包括C1-20烷基以及取代或未取代的芳基，例如苯基。芳基的任選取代基包括一個或多個C1-20烷基。可通過以下方式控制式(VII)重復(fù)單元與聚合物骨架中的鄰近重復(fù)單元的芳基或雜芳基的共軛程度：(a)通過3-和/或6-位置連接重復(fù)單元以限制跨該重復(fù)單元的共軛程度，和/或(b)在鄰近于連接位置的一個或多個位置上用一個或多個取代基R7取代所述重復(fù)單元以產(chǎn)生與鄰近的一個或多個重復(fù)單元的扭曲，例如在3-和6-位置之一或兩者上帶有C1-20烷基取代基的2,7-連接的芴。式(VII)重復(fù)單元可以為式(VIIa)的2,7-連接的重復(fù)單元:在如下情形中可以提供跨式(VIIa)重復(fù)單元的相對高的共軛程度：當(dāng)每個d＝0，或者當(dāng)與式(VIIa)的2-或7-連接位置相鄰的位置上不存在任何取代基R7。在如下情形中可以提供跨式(VIIa)重復(fù)單元的相對低的共軛程度：當(dāng)至少一個d為至少1，以及當(dāng)與式(VIIa)的2-或7-連接位置相鄰的位置上存在至少一個取代基R7。任選地，每個d為1，并且用取代基R7取代式(VIIa)重復(fù)單元的3-和/或6-位置，以便提供相對低的跨重復(fù)單元的共軛程度。式(VII)重復(fù)單元可以是式(VIIb)的3,6-連接的重復(fù)單元：與相應(yīng)的式(VIIa)重復(fù)單元相比，跨式(VIIb)重復(fù)單元的共軛程度可以是相對低的。另一種示例性亞芳基重復(fù)單元具有式(VIII)：其中R7、R8和d如關(guān)于上面的式(VI)和(VII)所述。任何R7基團(tuán)可以連接到任一另外R7基團(tuán)以形成環(huán)。如此形成的環(huán)可以是未取代的或者可以取代有一個取代基，任選一個或多個C1-20烷基。式(VIII)的重復(fù)單元可以具有式(VIIIa)或(VIIIb)：所述一個或多個共聚重復(fù)單元可以包括共軛中斷重復(fù)單元，該共軛中斷重復(fù)單元是在鄰近于該共軛中斷重復(fù)單元的重復(fù)單元之間不提供任何共軛路徑的重復(fù)單元。示例性的共軛中斷共聚重復(fù)單元包括式(IX)的共聚重復(fù)單元：其中：Ar4在每次出現(xiàn)時獨(dú)立地表示芳基或雜芳基，該芳基或雜芳基可以是未取代的或取代有一個或多個取代基；和Sp表示包含至少一個碳或硅原子的間隔基團(tuán)。優(yōu)選地，間隔基團(tuán)Sp包括分隔Ar4基團(tuán)的至少一個sp3雜化碳原子。優(yōu)選地，Ar4是芳基，并且Ar4基團(tuán)可以相同或不同。更優(yōu)選每個Ar4是苯基。每個Ar4可以獨(dú)立地是未取代的或者可以取代有1、2、3或4個取代基。所述一個或多個取代基可以選自：-C1-20烷基，其中該烷基的一個或多個不相鄰C原子可以被O、S或COO、C＝O、NR6或SiR62替代，并且該C1-20烷基的一個或多個H原子可以被F替代，其中R6是取代基并且在每次出現(xiàn)時任選為C1-40烴基，任選為C1-20烷基；和-芳基或雜芳基，任選為苯基，其可以是未取代的或者取代有一個或多個C1-20烷基。Ar4的優(yōu)選取代基是C1-20烷基，該C1-20烷基在每次出現(xiàn)時可以相同或不同。示例性的基團(tuán)Sp包括C1-20烷基鏈，其中該鏈的一個或多個非相鄰C原子可以被O、S、-NR6-、-SiR62-、-C(＝O)-或-COO-替代，并且其中R6在每次出現(xiàn)時為取代基并且任選在每次出現(xiàn)時為C1-40烴基，任選為C1-20烷基。優(yōu)選地，Sp含有將兩個基團(tuán)Ar4間隔開的至少一個sp3雜化碳原子。包含重復(fù)單元RU1和/或RU2的聚合物可以包含式(X)的芳基胺重復(fù)單元，作為式(IIIb)或(IVb)的共聚重復(fù)單元或重復(fù)單元：其中Ar8、Ar9和Ar10在每次出現(xiàn)時獨(dú)立地選自取代或未取代的芳基或雜芳基，g為0、1或2，優(yōu)選為0或1，R13在每次出現(xiàn)時獨(dú)立地為H或取代基，優(yōu)選取代基，并且c、d和e各自獨(dú)立地為1、2或3。式(X)的重復(fù)單元可以為聚合物提供適用于空穴傳輸層或發(fā)光層的空穴傳輸性能和/或適用于發(fā)光層的發(fā)光性能。當(dāng)g為1或2時在每次出現(xiàn)時可以相同或不同的R13優(yōu)選地選自：烷基(例如C1-20烷基)，Ar11，Ar11基團(tuán)的支化鏈或直鏈，或者式(I)或(II)的基團(tuán)，其中Ar11在每次出現(xiàn)時獨(dú)立地為任選取代的芳基或雜芳基。直接結(jié)合至同一N原子的選自Ar8、Ar9以及(若存在時的)Ar10和Ar11中的任意兩個芳族或雜芳族基團(tuán)可通過直接鍵或者二價連接原子或基團(tuán)連接到Ar8、Ar9、Ar10和Ar11中的其它。優(yōu)選的二價連接原子和基團(tuán)包括O、S、取代的N、和取代的C。Ar8和Ar10優(yōu)選是C6-20芳基，更優(yōu)選苯基，其可以是未取代的或取代有一個或多個取代基。在g＝0的情形中，Ar9優(yōu)選為C6-20芳基，更優(yōu)選為苯基，其可以是未取代的或取代有一個或多個取代基。在g＝1的情形中，Ar9優(yōu)選為C6-20芳基，更優(yōu)選為苯基或多環(huán)芳族基團(tuán)，例如萘、苝、蒽或芴，其可以是未取代的或者取代有一個或多個取代基。R13優(yōu)選為Ar11或Ar11基團(tuán)的支化鏈或直鏈。Ar11在每次出現(xiàn)時優(yōu)選是苯基，該苯基可以是未取代的或者取代有一個或多個取代基。示例性基團(tuán)R13包括以下基團(tuán)，其每一個可以是未取代的或者取代有一個或多個取代基，并且其中*表示與N的連接點(diǎn)：c、d和e優(yōu)選各自為1。Ar8、Ar9以及(若存在時的)Ar10和Ar11各自獨(dú)立地是未取代的或取代有一個或多個取代基，任選地1、2、3或4個取代基。示例性的取代基可以選自：-取代或未取代的烷基，任選地C1-20烷基，其中一個或多個不相鄰的C原子可以被任選取代的芳基或雜芳基(優(yōu)選苯基)、O、S、C＝O或-COO-代替，并且一個或多個H原子可以被F代替；和-式(I)或(II)的基團(tuán)。Ar8、Ar9以及(若存在時的)Ar10和Ar11的優(yōu)選取代基是C1-40烴基，優(yōu)選C1-20烷基或式(I)或(II)的基團(tuán)。優(yōu)選的式(X)重復(fù)單元包括未取代或取代的式1-3單元：優(yōu)選地，式1重復(fù)單元的Ar8、Ar10和Ar11是苯基，并且Ar9是苯基或多環(huán)芳族基團(tuán)。優(yōu)選地，式2和式3重復(fù)單元的Ar8、Ar9和Ar11是苯基。優(yōu)選地，式3重復(fù)單元的Ar8和Ar9是苯基，并且R13是苯基或苯基的支化鏈或直鏈。包含式(X)重復(fù)單元的空穴傳輸聚合物可以是含有式(X)重復(fù)單元和一個或多個共聚重復(fù)單元的均聚物或共聚物?？梢园醇s10摩爾％至約95摩爾％、任選約10-75摩爾％或約10-50摩爾％范圍內(nèi)的摩爾量提供式(X)的重復(fù)單元。該聚合物可以含有一種或兩種或更多種不同的式(X)重復(fù)單元。下面說明式(IIIb)和(IVb)的示例性聚合重復(fù)單元。本文中所述的聚合物適宜地具有在約1×103至1×108的范圍內(nèi)，并且優(yōu)選在1×103至5×106范圍內(nèi)的通過凝膠滲透色譜法測量的聚苯乙烯當(dāng)量數(shù)均分子量(Mn)。本文所述聚合物的聚苯乙烯當(dāng)量重均分子量(Mw)可以為1×103至1×108，且優(yōu)選為1×104至1×107。本文任何地方所述的聚合物適宜地為非晶態(tài)聚合物。聚合物合成制備共軛聚合物的優(yōu)選方法包括“金屬嵌插”，其中將金屬絡(luò)合物催化劑的金屬原子嵌插在芳基或雜芳基基團(tuán)與單體的離去基團(tuán)之間。示例性的金屬嵌插方法是如例如WO00/53656中所述的Suzuki聚合，以及如例如以下文獻(xiàn)中所述的Yamamoto聚合：T.Yamamoto，“ElectricallyConductingAndThermallyStableπ-ConjugatedPoly(arylene)sPreparedbyOrganometallicProcesses"，ProgressinPolymerScience1993，17，1153-1205。在Yamamoto聚合的情形中，使用鎳絡(luò)合物催化劑；在Suzuki聚合的情形中，使用鈀絡(luò)合物催化劑。例如，在通過Yamamoto聚合來合成線型聚合物中，使用具有兩個反應(yīng)性鹵素基團(tuán)的單體。類似地，根據(jù)Suzuki聚合方法，至少一個反應(yīng)性基團(tuán)是硼衍生基團(tuán)例如硼酸或硼酸酯，并且另一個反應(yīng)性基團(tuán)是鹵素。優(yōu)選的鹵素為氯、溴和碘，最優(yōu)選溴。因此將意識到本申請通篇所說明的重復(fù)單元可衍生自帶有合適離去基團(tuán)的單體。同樣地，可通過合適離去基團(tuán)的反應(yīng)將端基或側(cè)基結(jié)合到聚合物。Suzuki聚合可以用來制備區(qū)域規(guī)則(regioregular)、嵌段和無規(guī)的共聚物。具體地，當(dāng)一個反應(yīng)性基團(tuán)為鹵素并且另一個反應(yīng)性基團(tuán)為硼衍生基團(tuán)時，可以制備均聚物或無規(guī)共聚物。作為替代，當(dāng)?shù)谝粏误w的兩個反應(yīng)性基團(tuán)均為硼并且第二單體的兩個反應(yīng)性基團(tuán)均為鹵素時，可以制備嵌段或區(qū)域規(guī)則的(特別是AB型)共聚物。作為鹵素的替代，能夠參與金屬嵌插的其它離去基團(tuán)包括甲苯磺酸酯(tosylate)、甲磺酸酯(mesylate)和三氟甲磺酸酯(triflate)?？昭ㄗ⑷雽涌捎蓪?dǎo)電性有機(jī)材料或無機(jī)材料形成導(dǎo)電性空穴注入層，該導(dǎo)電性空穴注入層可提供于如圖1所示的OLED的陽極103和空穴傳輸層105之間以輔助從陽極到一層或多層半導(dǎo)體聚合物中的空穴注入。摻雜的有機(jī)空穴注入材料的實(shí)例包括任選取代的、摻雜的聚(乙烯二氧噻吩)(PEDT)，尤其是用下列摻雜的PEDT：電荷平衡聚酸(polyacid)，如EP0901176和EP0947123中所公開的聚苯乙烯磺酸(PSS)，聚丙烯酸或氟化磺酸，例如如US5723873和US5798170中公開的聚苯胺；和任選取代的聚噻吩或聚(噻吩并噻吩)。導(dǎo)電性無機(jī)材料的實(shí)例包括過渡金屬氧化物，如JournalofPhysicsD：AppliedPhysics(1996)，29(11)，2750-2753中所公開的VOx、MoOx和RuOx。陰極陰極109選自于具有容許電子注入到OLED的發(fā)光層內(nèi)的功函數(shù)的材料。其它因素影響陰極的選擇，例如在陰極與發(fā)光材料之間的有害相互作用的可能性。陰極可以由單一材料例如鋁層構(gòu)成。作為替代，其可以包含多種導(dǎo)電材料如金屬，例如低功函數(shù)材料和高功函數(shù)材料的雙層，例如WO98/10621中公開的鈣和鋁。陰極可以包含單質(zhì)鋇，如在WO98/57381、Appl.Phys.Lett.2002,81(4),634和WO02/84759中所公開的。陰極可在器件的有機(jī)層與一個或多個導(dǎo)電陰極層之間包含金屬化合物(特別是堿金屬或堿土金屬的氧化物或氟化物)的薄層(例如1-5nm)，以協(xié)助電子注入，例如在WO00/48258中公開的氟化鋰；如在Appl.Phys.Lett.2001,79(5),2001中公開的氟化鋇；以及氧化鋇。為了提供電子向器件內(nèi)的高效注入，陰極優(yōu)選地具有小于3.5eV、更優(yōu)選地小于3.2eV、最優(yōu)選地小于3eV的功函數(shù)。金屬的功函數(shù)可以參見例如Michaelson，J.Appl.Phys.48(11)，4729，1977。陰極可以是不透明的或透明的。透明陰極對于有源矩陣器件是特別有利的，因?yàn)榇┻^此類器件中的透明陽極的發(fā)射光至少部分地被位于發(fā)光像素下方的驅(qū)動電路阻擋。透明陰極包含電子注入材料的層，該層足夠薄以致是透明的。通常，該層的橫向?qū)щ娦杂捎谄浔《?thinness)而將是低的。在這種情況下，電子注入材料層與透明導(dǎo)電材料例如銦錫氧化物的較厚層組合使用。將理解的是，透明陰極器件不需要具有透明陽極(當(dāng)然，除非需要完全透明的器件)，并且因此可以用反射材料層例如鋁層替換或補(bǔ)充用于底部發(fā)光器件的透明陽極。在例如GB2348316中公開了透明陰極器件的實(shí)例。包封有機(jī)光電子器件往往對水分和氧氣敏感。因此，基底優(yōu)選地具有用于防止水分和氧氣侵入器件內(nèi)的良好阻隔性?；淄ǔ椴Ａ?，但是可以使用替代性的基底，特別是在器件的柔性為期望的情形中。例如，基底可以包含一個或多個塑料層，例如交替的塑料和電介質(zhì)阻擋層的基底，或者薄玻璃和塑料的疊層體。可以用包封材料(未示出)包封器件以防止水分和氧氣侵入。合適的包封材料包括玻璃片，具有合適的阻擋性質(zhì)的膜，如二氧化硅、一氧化硅、氮化硅、或聚合物與介電材料的交替疊層，或氣密性容器。在透明陰極器件的情形中，可沉積透明包封層如一氧化硅或二氧化硅達(dá)到微米級的厚度，但在一個優(yōu)選的實(shí)施方案中，該層的厚度在20-300nm范圍內(nèi)。用于吸收可能滲透穿過基底或包封材料的任何大氣水分和/或氧氣的吸氣劑材料可被設(shè)置在基底和包封材料之間。配制物加工適合于形成有機(jī)電子器件的層的配制物可以包含具有式(I)的取代基的材料和一種或多種合適的溶劑，所述層優(yōu)選為OLED的層，更優(yōu)選為OLED的空穴傳輸層。該配制物可以基本上由第一材料以及一種或多種溶劑組成，或者可以含有一種或多種其它組分，例如一種或多種具有式(II)取代基的材料。在OLED空穴傳輸層的情形中，可以通過本文所述的溶液沉積技術(shù)在空穴傳輸層上形成發(fā)光層。配制物可以是具有式(I)取代基的材料在一種或多種溶劑中的溶液，或者可以是在一種或多種組分不溶解的一種或多種溶劑中的分散體。優(yōu)選地，配制物是溶液。適合于溶解具有式(I)取代基的材料(特別是含有包含烷基取代基的聚合物的組合物)的溶劑，包括取代有一個或多個選自如下的取代基的苯：C1-10烷基、C1-10烷氧基和氯，例如甲苯、二甲苯和甲基苯甲醚。特別優(yōu)選的溶液沉積技術(shù)包括印刷和涂覆技術(shù)，例如旋涂和噴墨印刷。優(yōu)選噴墨印刷。旋涂特別適合于其中發(fā)光層的圖案化為不必要的器件—例如用于照明應(yīng)用或簡單的單色分段顯示器。噴墨印刷特別適合于高信息內(nèi)容的顯示器，尤其是全色顯示器?？赏ㄟ^如下方式來噴墨印刷器件：在第一電極上方提供圖案化的層，和限定用于印刷一種顏色(單色器件的情況)或多種顏色(多色的情況，尤其是全色器件)的凹坑(well)。圖案化的層優(yōu)選是被圖案化以限定凹坑的光刻膠層，例如EP0880303中所述?？梢酝ㄟ^將具有式(I)取代基的材料噴墨印刷到圖案化層的凹坑中并使該材料反應(yīng)(優(yōu)選交聯(lián))來形成空穴傳輸層。然后可以將發(fā)光材料噴墨印刷到空穴傳輸層上的凹坑中。作為凹坑的替代，可將墨印刷到圖案化層內(nèi)限定的溝道中。具體而言，可將光刻膠圖案化以形成溝道，與凹坑不同的是，所述溝道在多個像素上方延伸并且可在溝道末端封閉或開放。其它溶液沉積技術(shù)包括浸涂、柔性版印刷和絲網(wǎng)印刷。應(yīng)用本文所述的第一材料及其組合物可用于形成有機(jī)電子器件的一個或多個層。優(yōu)選地，所述第一材料用于形成交聯(lián)層，在其上通過溶液沉積法形成另外的層。本文所述的第一材料和層形成方法可用于形成OLED的電荷傳輸層或發(fā)光層；有機(jī)光響應(yīng)器件(例如光電傳感器或光伏器件)的半導(dǎo)體層；和有機(jī)薄膜晶體管的半導(dǎo)體層或電介質(zhì)層。有機(jī)光響應(yīng)器件可以包括陽極、陰極以及介于陽極和陰極之間的由本文所述組合物形成的半導(dǎo)體層。有機(jī)半導(dǎo)體層可以是電子接受層、電子供給層、或介于陽極和陰極之間的另外層?？梢蕴峁┌娮咏邮懿牧虾碗娮庸┙o材料的共混物的單層來代替獨(dú)立的接受層和供給層，并且可以通過用至少一個式(I)取代基和任選地至少一個式(II)取代基取代該層的一種或多種組分使該層交聯(lián)。有機(jī)薄膜晶體管可以包括：源電極和漏電極；有機(jī)半導(dǎo)體層，所述有機(jī)半導(dǎo)體層在源電極和漏電極之間延伸并與它們電接觸；柵電極；以及介于所述有機(jī)半導(dǎo)體層和所述柵電極之間的電介質(zhì)層。實(shí)施例化合物實(shí)施例1根據(jù)以下反應(yīng)方案制備非聚合的化合物實(shí)施例1：BP酰胺在氮?dú)庀掠?20℃下向BP甲酯(250g，0.68mol)和N,O-二甲基羥胺·HCl(102.1g，1.05mol)在THF(1250ml)中的溶液逐滴添加異丙基氯化鎂的溶液(2M，在THF中)(1047ml，2.09mol)，以保持內(nèi)部溫度小于-5℃，使反應(yīng)混合物溫?zé)嶂潦覝夭嚢枇硗?6小時。使反應(yīng)混合物冷卻至0℃，用稀鹽酸(1.5M)淬滅，用乙酸乙酯(3L)稀釋，分離乙酸乙酯層，干燥(Na2SO4)并在減壓下除去溶劑。將所得白色固體用甲醇研制，過濾并用熱甲醇和熱ACN洗滌，從而得到BP酰胺(196g，73％產(chǎn)率，HPLC純度為98.4％)。1H-NMR(400MHz,CDCl3):δ[ppm]3.12(s,3H),3.33(s,3H),7.25-7.35(m,3H),7.52-7.54(m,2H),7.60-7.62(m,2H)。13C-NMR(100MHz,CDCl3):δ[ppm]32.45,61.29,121.30,122.19,129.81,129.93,130.82,131.63,132.54,136.43,137.31,138.34,169.79?；衔?實(shí)施例1階段1在氮?dú)庀掠谑覝?，向鎂屑(25g，1.04mol)、碘和1,2-二溴乙烷在無水乙醚(650ml)中的懸浮液添加溴苯(14.5ml，0.14mol)，一旦開始后，逐滴添加剩余的溴苯(29ml，0.28mol)，將反應(yīng)混合物在40℃下攪拌16小時，然后使其冷卻至室溫。在-20℃下將所得格氏試劑逐滴添加到BP酰胺(75g，0.19mol)在無水THF(750ml)中的溶液中，并在該溫度下繼續(xù)攪拌另外30分鐘。然后將其冷卻至0℃，用稀鹽酸(1L，1.5M)淬滅，溫?zé)嶂潦覝?，用乙酸乙酯稀釋，分離有機(jī)層，干燥(Na2SO4)并在減壓下除去溶劑。將所得白色固體用甲醇研制兩次，過濾并用熱甲醇洗滌從而得到化合物實(shí)施例1階段1(68g，87％產(chǎn)率，HPLC純度97.7％)。1H-NMR(400MHz,CDCl3):δH[ppm]7.07-7.10(m,2H),7.25-7.35(m,5H),7.45-7.49(m,1H),7.61-7.68(m,3H),7.69-7.70(m,1H)?；衔飳?shí)施例1階段2在氮?dú)庀掠?78℃，向單體實(shí)施例1階段2(18.2g，0.072mol)在無水四氫呋喃(150ml)中的溶液逐滴添加正丁基鋰的溶液(2.5M，在己烷中，28.8ml，0.072mol)以保持內(nèi)部溫度小于-74℃。將反應(yīng)混合物攪拌2小時，然后逐滴添加BP酰胺(20g，0.048mol)的溶液以保持內(nèi)部溫度小于-74℃，并在該溫度下將混合物攪拌1小時。使混合物緩慢升溫至室溫過夜；然后將其冷卻至5℃，通過逐滴添加HCl的稀溶液(50ml，1.5M)淬滅并用乙酸乙酯(500ml)萃取，干燥(Na2SO4)并在減壓下除去溶劑。通過硅膠柱(silicacolumn)色譜法(2％EtOAc的己烷溶液)純化，得到標(biāo)題化合物(18.2g，68％產(chǎn)率)?；衔飳?shí)施例1階段3在氮?dú)庀聦⒒衔飳?shí)施例1階段2(16.3g，0.028mol)的溶液、冰AcOH(245ml)和濃HCl(4.9ml)在120℃下加熱1小時。將混合物冷卻，小心地倒在冰:水的溶液(500ml)上，并通過過濾分離所得固體并干燥。用二氯甲烷萃取水相，將合并的有機(jī)萃取液干燥(Na2SO4)，并在減壓下除去溶劑。通過硅膠柱色譜法(5％EtOAc的己烷溶液)純化，得到標(biāo)題化合物(14.3g，48％產(chǎn)率，HPLC純度54％)?；衔飳?shí)施例1將化合物實(shí)施例1階段3(14.3g，0.025mol)、2-(2,5-二乙基苯基)-4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧雜環(huán)戊硼烷(19.5g，0.075mol)、磷酸三鉀(23g，0.1mmol)、甲苯(170ml)、乙醇(57ml)和蒸餾水(57ml)的溶液用氬氣吹掃30分鐘，添加Pd2(dba)3(0.195g，0.0002mol)和SPhos(0.195g，0.0004mol)，并將反應(yīng)混合物在100℃加熱16小時。將混合物冷卻至室溫，通過celite塞過濾(乙酸乙酯500ml)，用水稀釋(500ml)，分離有機(jī)相，用鹽水洗滌(500ml)，干燥(Na2SO4)并在減壓下除去溶劑。通過硅膠柱色譜法(己烷)純化，然后在乙酸乙酯中與Pd/C反應(yīng)，并使用反相色譜法(乙腈:THF)純化，得到白色固體形式的化合物實(shí)施例1(4g，24％產(chǎn)率，HPLC純度99.3％)。1H-NMR(400MHz,CDCl3):δH[ppm]0.94(s,9H),1.06(t,J＝7.48Hz,6H),1.28(t,J＝7.60Hz,6H),1.51-1.58(m,2H),1.72-1.76(m,1H),2.56(q,J＝7.44Hz,4H),2.68(q,J＝7.64Hz,4H),3.26-3.29(m,1H),3.46-3.49(m,1H),6.89-6.94(m,2H),7.09-7.15(m,3H),7.18-7.26(m,8H),7.28-7.30(m,1H),7.36(d,J＝7.76Hz,2H),7.44(s,2H),7.83(d,J＝7.76Hz,2H)。13C-NMR(400MHz,CDCl3):δH[ppm]15.52,15.79,25.89,28.35,29.79,29.87,31.04,38.03,39.93,48.38,65.94,119.71,121.52,122.62,126.42,126.73,126.89,127.36,128.07,128.21,128.56,128.81,129.51,138.51,138.97,141.29,141.44,141.64,143.64,144.82,146.48,148.56,151.35。單體實(shí)施例1根據(jù)以下反應(yīng)方案制備單體實(shí)施例1：單體實(shí)施例1階段1在氮?dú)庀掠谑覝?，向鎂屑(15.42g，634mmol)和碘(3個丸粒)在無水乙醚(10ml)中的懸浮液，于2小時內(nèi)逐滴添加新戊基溴(77ml，601mmol)在無水乙醚(290ml)中的溶液，以便保持溫和回流，然后將混合物回流1小時，并然后冷卻至室溫。將所得格氏試劑逐滴添加到3-溴雙環(huán)[4.2.0]辛-1,3,5-三烯-7-酮(100g，510mmol)在無水乙醚(1000ml)中的溶液中，以便保持內(nèi)部溫度為～0℃。使反應(yīng)混合物溫?zé)嶂潦覝剡^夜，然后將其冷卻至0℃，用稀鹽酸(340ml，2M水溶液)淬滅，并使其溫?zé)嶂潦覝?。分離有機(jī)相，用水(3×120ml)洗滌，用MgSO4干燥，并在減壓下去除溶劑從而得到橙色油狀物(134g)。通過氧化硅塞(用己烷:乙酸乙酯(95:5％)洗脫)純化所述油狀物從而得到橙色油形式的標(biāo)題化合物，其為兩種異構(gòu)體的混合物(111.1g，0.40mol，78％產(chǎn)率，通過1HNMR測得91.8％純度)。MS(EI)m/z270((Br81)M+,2％),268((Br79)M+,2),255((Br81)M+-OH,11),253((Br79)M+-OH,11),199((Br81)M+-新戊基,100),197((Br79)M+-新戊基,99)1H-NMR(600MHz,CDCl3):δH[ppm]1.10(9H,s),1.81(d,J＝14.7Hz,1H),1.94(d,J＝14.7Hz,1H),3.16(d,J＝14.4Hz,1H),3.48(d,J＝14.4Hz,1H),7.07(d,J＝7.6Hz,1H),7.29(s,1H),7.37(d,J＝7.6Hz,1H)。單體實(shí)施例1階段2在氮?dú)庀掠?℃，在1小時的時段內(nèi)將三氟乙酸(159ml，2062mmol)逐滴添加到單體實(shí)施例1階段1(111g，395mmol)和三乙基硅烷(67ml，416mmol)在己烷(325ml)中的溶液。將反應(yīng)溫?zé)嶂潦覝夭嚢?4小時。將反應(yīng)混合物倒入冰:水的溶液(2.3L)中并攪拌1小時直到冰融化以及層分離。用己烷(500ml)萃取水相，將合并的有機(jī)萃取液用水(3×600ml)、乙酸鈉(10％wt:vol，500ml)、水(3×600ml)洗滌，在MgSO4上干燥，并在減壓下去除溶劑，從而得到橙色油狀物(152.7g)。通過氧化硅塞(用己烷洗脫)純化所述油狀物從而得到黃色油形式的標(biāo)題化合物(103.64g，376mmol，通過1HNMR得到的純度為91.8％(為兩種異構(gòu)體的混合物并且含有2％的烯烴雜質(zhì)))。將硼烷·THF絡(luò)合物(123ml，123mmol)的溶液緩慢添加到單體實(shí)施例1階段2(103.64g，376mmol)在無水四氫呋喃(1L)中的溶液中，并將混合物加熱至50℃持續(xù)18小時。將反應(yīng)混合物冷卻至室溫，添加二甘醇二甲醚(1.3L)，將混合物冷卻至0℃并逐滴添加乙酸(610ml)(觀察到泡騰)。將反應(yīng)混合物在室溫下攪拌過夜，然后加熱至110℃，蒸餾除去四氫呋喃，然后在110℃下將混合物加熱另外4小時，然后將其冷卻至室溫并攪拌過夜。向反應(yīng)混合物中添加水(200ml)，用己烷(4×1L)對其萃取，將合并的有機(jī)萃取液用水(6×1L)洗滌，在MgSO4上干燥并在減壓下去除溶劑，從而得到無色油狀物形式的標(biāo)題化合物。通過氧化硅塞(用己烷洗脫)純化所述油狀物從而得到無色油形式的標(biāo)題化合物(92.87g，345mmol，通過1HNMR測得93.9％純度，為兩種異構(gòu)體的混合物)。MS(EI)m/z254((Br81)M+,3％),252((Br79)M+,2),57(100)。1H-NMR(600MHz,CDCl3):δH[ppm]0.99(s,9H),1.55(dd,J＝14.0Hz,8.8Hz1H),1.75(dd,J＝14.0Hz,5.2Hz,1H),2.78(dd,J＝14.2Hz,2.5Hz,1H),3.36(dd,J＝14.2Hz,5.2Hz,1H),3.47(dtd,J＝8.8Hz,5.2Hz,2.5Hz,1H),6.93(d,J＝8.0Hz,1H),7.19(s,1H),7.32(d,J＝8.0Hz,1H),單體實(shí)施例1階段3在氮?dú)庀掠?78℃，向單體實(shí)施例1階段2(7.2g，26.4mmol)在無水四氫呋喃(70ml)的溶液逐滴添加正丁基鋰(2.5M，在己烷中，11.0ml，27.5mmol)以保持內(nèi)部溫度小于-74℃。將反應(yīng)混合物攪拌20分鐘并用水淬滅等分試樣，并通過GC-MS(BCBNp/BrBCBNp80/20)分析。以固體形式分批添加BP甲酯(4.35g，11.7mmol)以保持內(nèi)部溫度小于-74℃。使混合物緩慢升溫至室溫過夜；然后將其冷卻至5℃并通過逐滴添加HCl(2M水溶液)淬滅。在減壓下去除溶劑，用己烷萃取殘余物，將合并的有機(jī)萃取液用水洗滌，在MgSO4上干燥并在減壓下濃縮至干燥。在無任何進(jìn)一步純化的情況下，將粗制的單體實(shí)施例1階段3用于下一步驟。單體實(shí)施例1在氮?dú)庀掠?℃，向單體實(shí)施例1階段3(9.19g，13.4mmol)在無水二氯甲烷(40ml)中的溶液逐滴添加三氟化硼二乙醚合物(8.23ml，66.9mmol)的溶液，以維持內(nèi)部溫度小于5℃。使反應(yīng)混合物溫?zé)嶂潦覝?，攪拌過夜并然后小心地倒入冰:水(200ml)溶液中。一旦冰融化，分離各相，用二氯甲烷萃取水相，并將合并的有機(jī)萃取液在磷酸三鉀溶液(10％wt:vol，40ml)的水溶液上方攪拌30分鐘。分離有機(jī)相，并用水洗滌(50ml×3)，在MgSO4上干燥，過濾并吸附到上。將干燥的加載到氧化硅/塞上，并用己烷：二氯甲烷(9:1和6:4)的混合物洗脫，從而得到單體實(shí)施例1作為部分1(Frac1)以及單體實(shí)施例1階段3和部分2(Frac2)。在氮?dú)庀掠?℃，向部分2(3.0g，4.3mmol)在干燥二氯甲烷(12ml)的溶液中逐滴添加三氟化硼二乙醚合物(2.8ml，22.8mmol)的溶液，以保持內(nèi)部溫度小于5℃。使反應(yīng)混合物溫?zé)嶂潦覝兀瑪嚢柽^夜并然后小心地倒入冰:水(50ml)溶液中。一旦冰融化，分離各相，用二氯甲烷萃取水相，將合并的有機(jī)萃取液在磷酸三鉀溶液(10％wt:vol，10ml)的水溶液上方攪拌30分鐘。分離有機(jī)相，并用水(20ml×3)洗滌，在MgSO4上干燥，過濾并吸附到上。將干燥的加載到氧化硅/塞上，并用己烷:二氯甲烷(9:1)的混合物洗脫。合并含有單體實(shí)施例1的部分，并且在減壓下濃縮至干燥并與部分1合并。將所得固體依次從乙酸正丁酯:甲醇、然后甲苯：甲醇中再結(jié)晶，從而得到白色固體形式的單體實(shí)施例1(1.93g，22％產(chǎn)率，通過HPLC測定為100％純度，為2種異構(gòu)體的混合物)。1H-NMR(600MHz,CDCl3):δH[ppm]0.97(s,18H).1.56(dd,J＝14.0Hz,8.7Hz,2H),1.75(dd,J＝14.0Hz,5.3Hz,2H),2.71(dd,J＝14.2Hz,2.3Hz,2H),3.28(dd,J＝14.2Hz,5.2Hz,2H),3.48(m,2H),6.79(s,2H),6.92(d,J＝7.8Hz,2H),6.98(dd,J＝7.8Hz,0.96Hz,2H),7.45(dd,J＝8.1Hz,1.6Hz,2H),7.49(d,J＝1.3Hz,2H),7.56(d,J＝8.1Hz,2H)。單體實(shí)施例2根據(jù)以下反應(yīng)方案制備單體實(shí)施例2：3-(4-氯丁基)-7-新戊基雙環(huán)[4.2.0]辛-1,3,5-三烯(A)在氮?dú)庀掠?78℃向3-溴-7-新戊基雙環(huán)[4.2.0]辛-1,3,5-三烯(33.7g，123.8mmol，GC-MS純度為93％，為2種異構(gòu)體的混合物)在無水THF(400ml)中的溶液逐滴添加仲丁基鋰(118ml，164.4mmol，1.4M，在環(huán)己烷中)的溶液，以保持內(nèi)部溫度小于-74℃，并將反應(yīng)混合物在-78℃下攪拌另外1小時。然后逐滴添加1-溴-4-氯丁烷(13.5ml，117.7mmol)的溶液以保持內(nèi)部溫度小于-74℃，并使混合物溫?zé)嶂潦覝剡^夜。然后將其冷卻至0℃，通過逐滴逐滴添加2MHCl(100ml)淬滅并在真空下濃縮。用己烷(3×120ml)萃取兩相殘余物，用水(3×200ml)洗滌合并的有機(jī)萃取液，干燥(MgSO4)并在真空下濃縮至干燥。使用氧化硅塞(己烷，己烷:DCM9:1)純化所得油狀物，得到無色油形式的3-(4-氯丁基)-7-新戊基雙環(huán)[4.2.0]辛-1,3,5-三烯(28g，87％產(chǎn)率)。1H-NMR(600MHz,CDCl3):δH[ppm]1.0(s,9H),1.57(dd,J＝8.6Hz,13.9Hz,1H),1.72-1.84(m,5H),2.61(t,J＝7.6Hz,2H),2.75(dd,J＝2.5Hz,13.9Hz,1H),3.34(dd,J＝5.3Hz,13.9Hz,1H),3.50(m,1H),3.55(t,J＝6.5Hz,2H),6.88(s,1H),6.98(m,2H)。3-(4-碘丁基)-7-新戊基雙環(huán)[4.2.0]辛-1,3,5-三烯(B)將3-(4-氯丁基)-7-新戊基雙環(huán)[4.2.0]辛-1,3,5-三烯(28.0g，105.7mmol)和碘化鈉(79.2g，528.6mmol)在丙酮(300ml)中的混合物回流25小時。將混合物冷卻至室溫，加入水(250ml)并將混合物在真空下濃縮。用己烷(3×110ml)萃取兩相的殘余物，用水(5×100ml)洗滌合并的有機(jī)萃取液，干燥(MgSO4)并在真空下濃縮從而得到3-(4-碘丁基)-7-新戊基雙環(huán)[4.2.0]辛-1,3,5-三烯(36.3g，96％產(chǎn)率，95.8％HPLC純度，為2種異構(gòu)體的混合物)。1H-NMR(600MHz,CDCl3):δH[ppm]1.0(s,9H),1.57(dd,J＝8.6Hz,13.9Hz,1H),1.71(五重,2H),1.77(dd,J＝5.2Hz,13.9Hz,1H),1.86(五重,2H),2.60(t,J＝7.6Hz,2H),2.75(dd,J＝2.3Hz,13.9Hz,1H),3.20(t,J＝7.0Hz,2H),3.34(dd,J＝5.2Hz,13.9Hz,1H),3.50(m,1H),6.88(s,1H),6.98(m,2H).單體實(shí)施例2階段1在氮?dú)庀掠?78℃，向1,4-二溴-3,6-(三甲基甲硅烷基)苯(20.0g，52.6mmol)在無水THF(200ml)中的溶液逐滴添加仲丁基鋰的溶液(47.8ml，68.4mmol，1.4M，在環(huán)己烷中)，以保持內(nèi)部溫度小于-74℃。在-78℃下將反應(yīng)混合物攪拌另外1小時。然后逐滴添加3-(4-碘丁基)-7-新戊基雙環(huán)[4.2.0]辛-1,3,5-三烯(19.7g，55.2mmol)在THF(20ml)中的溶液，同時保持內(nèi)部溫度小于-74℃，并使混合物溫?zé)嶂潦覝剡^夜。然后使其冷卻至0℃，通過逐滴添加2MHCl(50ml)淬滅，在真空下濃縮，并用己烷(3×70ml)萃取兩相的殘余物。將合并的有機(jī)萃取液用水(3×100ml)洗滌，干燥(MgSO4)并在真空下濃縮。使用氧化硅塞(己烷)純化所得油狀物，產(chǎn)生無色油形式的單體實(shí)施例2階段1(18.2g，65％產(chǎn)率，85.8％HPLC純度，為2種異構(gòu)體的混合物)。1H-NMR(600MHz,CDCl3):δH[ppm]0.29(s,9H),0.38(s,9H),1.0(s,9H),1.53-16.3(m,3H),1.71(五重,2H),1.76(dd,J＝5.3Hz,13.9Hz,1H),2.63(m,4H),2.74(dd,J＝2.3Hz,13.9Hz,1H),3.33(dd,J＝5.2Hz,13.9Hz,1H),3.50(m,1H),6.89(s,1H),6.96(d,J＝7.5Hz,1H),7.00(d,J＝7.5Hz,1H),7.20(s,1H),7.35(s,1H)。單體實(shí)施例2階段2在氮?dú)庀掠?78℃，向單體B階段1(18.2g，34.4mmol)在無水THF(200ml)中的溶液逐滴添加仲丁基鋰(29.4ml，41.2mmol，1.4M，在環(huán)己烷中)中的溶液，以保持內(nèi)部溫度小于-74℃，并在-78℃下將反應(yīng)混合物攪拌另外1小時。然后逐滴添加3-(4-碘丁基)-7-新戊基雙環(huán)[4.2.0]辛-1,3,5-三烯(12.9g，36.1mmol)在THF(20ml)中的溶液，同時保持內(nèi)部溫度小于-74℃，并使混合物溫?zé)嶂潦覝剡^夜。然后將其冷卻至0℃，通過逐滴添加2MHCl(25ml)淬滅，在真空下濃縮并用甲苯(100ml)稀釋。分離各相，將水層用水(50ml)稀釋以及用甲苯(2×50ml)萃取。將合并的有機(jī)萃取液用水(3×100ml)洗滌，干燥(MgSO4)并在真空下濃縮。將所得固體在乙腈(250ml)中攪拌3小時，過濾并在40℃的真空烘箱中干燥68小時，從而產(chǎn)生白色固體形式的單體實(shí)施例2階段2(17.8g，76％產(chǎn)率，95.5％HPLC純度)。1H-NMR(600MHz,CDCl3):δH[ppm]0.28(s,18H),1.0(s,18H),1.56(dd,J＝8.7Hz,13.9Hz,2H),1.63(m,4H),1.72(m,4H),1.76(dd,J＝5.3Hz,13.9Hz,2H),2.63(t,J＝7.5Hz,4H),2.67(m,4H),2.75(dd,J＝2.0Hz,13.9Hz,2H),3.33(dd,J＝5.2Hz,13.9Hz,2H),3.49(m,2H),6.89(s,2H),6.96(d,J＝7.5Hz,2H),7.00(d,J＝7.5Hz,2H),7.35(s,2H)。單體實(shí)施例2階段3在避光條件在氮?dú)庀掠?℃，向單體B階段2(17.8g，26.2mmol)在氯仿(180ml)中的溶液逐滴添加乙酸(32ml)，隨后添加DMF(71ml)，以便保持溫度小于10℃。使混合物溫?zé)嶂潦覝夭⒂玫獨(dú)獯祾?0分鐘。在5℃下，將已經(jīng)用氮?dú)獯祾?0分鐘的N-溴代琥珀酰亞胺(9.6g，53.7mmol)在DMF(33ml)中的溶液逐滴添加到單體B階段2的溶液，并使所得混合物溫?zé)嶂潦覝?，并且攪拌另?小時。在5℃下以固體形式添加另一部分N-溴代琥珀酰亞胺(0.4g，2.25mmol)，并在室溫下攪拌反應(yīng)過夜。將混合物冷卻至10℃，向反應(yīng)混合物中添加水(170ml)，分離各相，將水層用DCM(2×100ml)萃取，將合并的有機(jī)萃取液用水(5×100ml)洗滌，干燥(MgSO4)并在真空下濃縮。將所得固體在乙腈(250ml)中攪拌3小時，過濾并在50℃的真空烘箱中干燥18小時，從而產(chǎn)生白色固體形式的單體實(shí)施例2階段3(16.7g，92％產(chǎn)率，HPLC純度為95.6％)。1H-NMR(600MHz,CDCl3):δH[ppm]0.99(s,18H),1.57(dd,J＝8.6Hz,13.9Hz,2H),1.65(m,8H),1.77(dd,J＝5.3Hz,13.9Hz,2H),2.61(t,J＝7.4Hz,4H),2.67(t,J＝7.4Hz,4H),2.75(dd,J＝2.3Hz,13.9Hz,2H),3.34(dd,J＝5.2Hz,13.9Hz,2H),3.50(m,2H),6.88(s,2H),6.96(d,J＝7.4Hz,2H),7.00(d,J＝7.5Hz,2H),7.33(s,2H)。單體實(shí)施例2將單體實(shí)施例2階段3(16.7g，24.1mmol)和雙(頻哪醇酯)二硼(13.5g，53.0mmol)在1,2-二甲氧基乙烷(200ml)中的溶液用氮?dú)獯祾?小時，加入乙酸鉀(14.2g,，144.7mmol)，并將混合物吹掃另外20分鐘。加入1,1'-雙(二苯基膦基)二茂鐵二氯化鈀二氯甲烷加合物(0.59g，0.72mmol)，并將混合物在100℃下攪拌過夜。將混合物冷卻至室溫，過濾通過氧化硅-Florisil-celite塞(DCM:己烷(1:1))并在真空下濃縮。將所得殘余物溶解在DCM中并加入己烷，在真空下去除DCM從而得到DCM:己烷(1:1)的混合物。將溶液過濾通過氧化硅-Florisil塞(DCM:己烷(1:1))，并在減壓下濃縮至干燥。從甲苯:乙腈、甲苯:己烷和甲苯:乙腈:異丙醇中將所得固體反復(fù)地再結(jié)晶，然后通過柱色譜法(己烷:DCM(7:3)至(6:4))純化，并將所得固體溶解在甲苯中，向混合物中添加乙腈并過濾所得漿料從而得到白色固體形式的單體實(shí)施例2(9.6g，50％產(chǎn)率，HPLC純度為99.8％)。1H-NMR(600MHz,CDCl3):δH[ppm]0.99(s,18H),1.31(s,24H),1.58(m,6H),1.66(五重,4H),1.76(dd,J＝5.3Hz,13.9Hz,2H),2.59(t,J＝7.7Hz,4H),2.74(dd,J＝2.0Hz,13.9Hz,2H),2.84(t,J＝7.9Hz,4H),3.32(dd,J＝5.2Hz,13.9Hz,2H),3.48(m,2H),6.87(s,2H),6.94(d,J＝7.5Hz,2H),6.99(d,J＝7.5Hz,2H),7.53(s,2H)。單體C根據(jù)如下反應(yīng)方案制備單體C：在氮?dú)庀孪?,7-二溴-9H-芴(2g，6.17mmol)在無水THF(20ml)中的溶液添加叔丁醇鉀(3.4g，30.86mol)，并且將混合物在70℃下攪拌2小時。將反應(yīng)混合物冷卻至室溫，逐滴添加5-(3-溴丙-1-基)-雙環(huán)[2.2.1]庚-2-烯(3.9g，18.52mol)在無水THF(5ml)中的溶液然后將混合物在75℃下攪拌16小時。冷卻時，添加水(50ml)并用二氯甲烷(2×50ml)萃取該溶液。用水(50ml)、鹽水(50ml)對合并的有機(jī)萃取液進(jìn)行洗滌，干燥(Na2SO4)并在減壓下濃縮從而得到黃色固體。通過硅膠柱色譜法(己烷)純化得到固體，用MeOH/EtOAc(5ml:3ml)的混合物在50℃下將所述固體研制30分鐘。將所述固體過濾并用甲醇洗滌，從而得到白色固體形式的單體C(1.16g，32％產(chǎn)率，HPLC純度為99.8％)。1H-NMR(400MHz,CDCl3):δH[ppm]0.26-0.30(m,2H),0.57-0.63(m,4H),0.82-0.87(m,4H),1.09-1.19(m,2H),1.27-1.29(m,2H),1.64-1.69(m,2H),1.71-1.76(m,2H),1.86-1.92(m,4H),2.50(m,2H,),2.66(m,2H),5.72(dd,J＝2.8Hz,5.6Hz,2H),6.03(dd,J＝2.9Hz,5.6Hz,2H),7.45-7.49(m,4H),7.54-7.56(m,2H)。聚合物實(shí)施例以表1中所述量通過下示單體的如WO00/53656中所述的Suzuki聚合制備聚合物。表1非聚合化合物反應(yīng)實(shí)施例1稱取30-40mg化合物實(shí)施例1放入玻璃盤中。在手套箱中(O2<0.1ppm)加熱該玻璃盤并用磁力攪拌棒將混合物攪拌1小時。將所得混合物溶解并通過HPLC和LC-MS分析，其中將對應(yīng)于起始材料的峰歸一化為100％。非聚合化合物反應(yīng)比較實(shí)施例1如實(shí)施例1中所述進(jìn)行反應(yīng)，區(qū)別在于使用下面所示的比較化合物1代替化合物實(shí)施例1。非聚合化合物反應(yīng)比較實(shí)施例2如實(shí)施例1中所述進(jìn)行反應(yīng)，區(qū)別在于使用下面所示的比較化合物2代替化合物實(shí)施例1。參考圖2A-2C，比較化合物1和2(分別為圖2A和2B)反應(yīng)從而形成大量的三聚物和更高級低聚物，而化合物實(shí)施例1(圖2C)的反應(yīng)產(chǎn)物受二聚物形成的支配，幾乎不具有三聚物或更高級低聚物。不希望受任何理論約束，據(jù)認(rèn)為化合物實(shí)施例1的巨大新戊基取代基抑制三聚物或更高級低聚物的形成，從而增加與式(II)基團(tuán)(如果存在的話)反應(yīng)的有利性。聚合物反應(yīng)實(shí)施例通過將可獲自NissanChemicalIndustries的空穴注入材料旋涂在玻璃基底上并退火形成35nm的空穴注入層。通過在空穴注入層上旋涂上表1聚合物的22nm層，并加熱至120℃-230℃的溫度持續(xù)1小時。然后將所述聚合物層浸泡在鄰二甲苯溶劑中持續(xù)5分鐘。通過比較在鄰二甲苯中浸泡之前和之后在376nm的紫外-可見吸收光譜來測定浸泡時溶解的聚合物量。參考圖3，包含新戊基取代BCB的聚合物實(shí)施例1和4的交聯(lián)導(dǎo)致比含有未取代BCB基團(tuán)的比較聚合物1的交聯(lián)顯著更不易溶的材料。器件實(shí)施例—旋涂的空穴傳輸層制備具有以下結(jié)構(gòu)的藍(lán)色有機(jī)發(fā)光器件：ITO/HIL(35nm)/HTL(22nm)/LE(65nm)/陰極，其中ITO是銦錫氧化物陽極；HIL是空穴注入層；HTL是空穴傳輸層；LE是發(fā)光層；并且所述陰極包含與所述發(fā)光層接觸的氟化鈉層，鋁層以及銀層。為了形成該器件，使用紫外線/臭氧清潔帶有ITO的基底。通過旋涂可獲自NissanChemicalIndustries的空穴注入材料的水性配制物并且加熱所形得層從而形成空穴注入層。通過旋涂表1的聚合物并通過加熱使聚合物交聯(lián)從而形成空穴傳輸層。通過旋涂包含式(VII)、(VIII)和(X)重復(fù)單元的藍(lán)色發(fā)光聚合物的組合物形成發(fā)光層。通過如下方式形成陰極：蒸鍍氟化鈉的第一層至約2nm的厚度，鋁的第二層至約100nm的厚度以及銀的第三層至約100nm的厚度。將空穴傳輸層在160℃下退火1小時；比較聚合物1除外，將其在170℃下退火1小時。參考圖4，使用不同的空穴傳輸層的光譜非常相似。參考圖5，對于不同的器件，在給定電壓下的電流密度是相似的。在所有情形中，實(shí)現(xiàn)10mA/cm2電流密度所需的電壓為3.7V。參考圖6，器件的亮度相對于電壓的跡線非常相似。在所有情形中，實(shí)現(xiàn)1000cd/m2的亮度所需的電壓均為3.7V。參考圖7，包含聚合物實(shí)施例1和4的器件的外部量子效率高于包含比較聚合物1的器件的外部量子效率。器件實(shí)施例—噴墨印刷的空穴傳輸層制備具有以下結(jié)構(gòu)的藍(lán)色有機(jī)發(fā)光器件：ITO/HIL(35nm)/HTL(22nm)/LE(65nm)/陰極,其中ITO是銦錫氧化物陽極；HIL是空穴注入層；HTL是空穴傳輸層；LE是發(fā)光層；并且所述陰極包括與發(fā)光層接觸的氟化鈉層，以及鋁層。為了形成該器件，使用紫外線/臭氧清潔帶有ITO的基底。在ITO上形成光致抗蝕劑層并圖案化以形成噴墨凹坑。通過將可獲自NissanChemicalIndustries的空穴注入材料的水性配制物噴墨印刷到凹坑中并加熱所得的層從而形成空穴注入層。通過將溶解在環(huán)己基苯:4-甲基苯甲醚的80:20vol％共混物中的聚合物噴墨印刷到凹坑中以及通過在170℃加熱1小時使聚合物交聯(lián)形成空穴傳輸層，該聚合物包含式(VIIa)的芴重復(fù)單元、式(X-1)的胺重復(fù)單元以及各自5mol％的衍生自比較單體1和單體B的重復(fù)單元。通過噴墨印刷包含溶解在環(huán)己基苯:4-甲基苯甲醚的80:20vol％共混物中的發(fā)光聚合物的配制物來形成發(fā)光層，所述發(fā)光聚合物包含式(VIIa)、(VIII)和(X)的重復(fù)單元。通過蒸鍍氟化鈉的第一層至約2nm的厚度以及蒸鍍鋁的第二層至約100nm的厚度形成陰極。按上文所述通過噴墨印刷形成器件，區(qū)別是在形成發(fā)光層之前用溶劑沖洗空穴傳輸層。參考圖8，對于空穴傳輸層有清洗(實(shí)線)和無清洗(虛線)的器件，亮度下降到初始值的95％所用的時間是相似的。為了比較的目的，如上所述通過噴墨印刷形成兩個比較器件，其中在形成發(fā)光層之前用溶劑沖洗一個器件的空穴傳輸層，而另一個不沖洗，區(qū)別在于使用衍生自比較單體1的重復(fù)單元代替衍生自單體實(shí)施例1的重復(fù)單元。通過噴墨印刷沉積溶解在50:50vol％的苯甲醚：3-苯氧基甲苯中的聚合物的配制物來沉積比較器件的空穴傳輸層。參照圖9，相比不沖洗空穴傳輸層所形成的比較器件(虛線)，對于具有沖洗的空穴傳輸層的比較器件(實(shí)線)亮度下降到初始值的95％所用的時間長得多。不希望受任何理論約束，據(jù)認(rèn)為含未沖洗空穴傳輸層的器件的相對較短的壽命至少部分歸因于未交聯(lián)空穴傳輸聚合物的存在，在沖洗過的器件中所述未交聯(lián)空穴傳輸聚合物被除去。雖然關(guān)于具體的示例性實(shí)施方案描述了本發(fā)明，然而應(yīng)意識到在不偏離下列權(quán)利要求所述的本發(fā)明范圍的情況下，本文所公開特征的各種修改、改變和/或組合對本領(lǐng)域技術(shù)人員而言將是明顯的。當(dāng)前第1頁1 2 3 當(dāng)前第1頁1 2 3