專(zhuān)利名稱(chēng)：液晶化合物的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及包含五個(gè)或更多個(gè)苯環(huán)以及在這些環(huán)之間的兩個(gè)橋接單元的新型化 合物，其中這些單元的至少一個(gè)表示-CF2O-橋。本發(fā)明另外涉及液晶介質(zhì)和包括這些介質(zhì) 的高頻元件，特別是天線(xiàn)，特別是用于千兆赫范圍的。該液晶介質(zhì)用于例如用于可諧調(diào)的 “相控陣”天線(xiàn)的微波的相移。液晶介質(zhì)已有一段時(shí)間被用于電光學(xué)顯示器(液晶顯示器-IXD)以顯示信息。已 經(jīng)提出將包含五個(gè)環(huán)和-CF2O-橋的化合物用于顯示設(shè)備，例如在文獻(xiàn)JP 2009-074050和 WO 2008/105286 中。然而，近來(lái)，也已提出將液晶介質(zhì)用在用于微波技術(shù)的元件中，例如在DE 102004029429A 和 JP 2005-120208 (A)中。液晶介質(zhì)在高頻技術(shù)中的工業(yè)上有價(jià)值的應(yīng)用是基于它們的介電性質(zhì)能 通過(guò)可變電壓得以控制的性能，特別是對(duì)于千兆赫的范圍。這使得能夠構(gòu)造不包含 任何活動(dòng)部件的可諧調(diào)天線(xiàn)(A. Gaebler, A. Moessinger, F. Goelden,等，"Liquid Crystal-ReconfigurableAntenna Concepts for Space Applications at Microwave andMillimeter Waves",International Journal of Antennas andPropagation,2009 論文號(hào) 876989,7 頁(yè)，2009，doi :10. 1155/2009/876989)。DE 102004(^9429A描述了常規(guī)的液晶介質(zhì)在微波技術(shù)中，特別是在相移器(phase shifter)中的應(yīng)用。該文件已經(jīng)研究了液晶介質(zhì)關(guān)于它們?cè)谙鄳?yīng)的頻率范圍內(nèi)的性質(zhì)。然而，迄今已知的組合物或單獨(dú)化合物通常存在著缺點(diǎn)。除了其它缺陷外，它 們中的大多數(shù)產(chǎn)生不利的高損耗率和/或不充分的相移或者不夠的材料品質(zhì)(material quality)。對(duì)于在高頻技術(shù)中的應(yīng)用，要求具有特別的、迄今為止相當(dāng)不平常、罕有的性質(zhì)或 性質(zhì)組合的液晶介質(zhì)。因此需要具有改善性質(zhì)的液晶介質(zhì)的新型元件。特別是，在微波范圍的損耗率必 須減小以及材料品質(zhì)(n)必須改善。此外，存在著改善元件的低溫行為的需要。操作性質(zhì)和貨架壽命的改善在此都是 必需的。因此，存在著對(duì)于相應(yīng)實(shí)際應(yīng)用具有合適的性質(zhì)的液晶介質(zhì)的相當(dāng)大的需求。

發(fā)明內(nèi)容
令人驚奇地，現(xiàn)在已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，使用根據(jù)本發(fā)明的化合物來(lái)獲得具有合適的向列相 范圍和高Δη的液晶介質(zhì)是可能的，其中該液晶介質(zhì)不具有現(xiàn)有技術(shù)材料的缺點(diǎn)，或至少 僅以顯著降低的程度具有這樣的缺點(diǎn)。本發(fā)明涉及式I的化合物權(quán)利要求
1.式I的化合物
2.根據(jù)權(quán)利要求1的化合物，其特征在于B1表示-CF2O-基團(tuán)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2的化合物，其特征在于m= 2。
4.根據(jù)權(quán)利要求1到3的一項(xiàng)或多項(xiàng)所述的化合物，其特征在于η和ο均為1。
5.根據(jù)權(quán)利要求1到4的一項(xiàng)或多項(xiàng)所述的化合物，其特征在于如果η= l、m = 2并 且ο = 0，則至少一個(gè)Y或L表示基團(tuán)T。
6.液晶介質(zhì)，其特征在于其包含一種或多種根據(jù)權(quán)利要求1到5的一項(xiàng)或多項(xiàng)所述的 式I的化合物。
7.根據(jù)權(quán)利要求6的液晶介質(zhì)，其特征在于其另外包含一種或多種選自式II化合物的化合物
8.根據(jù)權(quán)利要求6或7的液晶介質(zhì)，其特征在于在介質(zhì)中式I的化合物的濃度在總計(jì) 從5%到95%的范圍。
9.根據(jù)權(quán)利要求1到5的一項(xiàng)或多項(xiàng)所述的式I化合物在液晶混合物中的用途。
10.根據(jù)權(quán)利要求1到5的一項(xiàng)或多項(xiàng)所述的式I化合物在用于高頻技術(shù)的元件中的 用途。
11.制備根據(jù)權(quán)利要求6到8的一項(xiàng)或多項(xiàng)所述的液晶介質(zhì)的方法，其特征在于將一種 或多種式I的化合物與一種或多種選自如權(quán)利要求6所示的式II的化合物的化合物，以及 任選地與一種或多種其他的化合物以及任選地與一種或多種添加劑混合。
12.用于高頻技術(shù)的元件，其特征在于它包含根據(jù)權(quán)利要求6到8的一項(xiàng)或多項(xiàng)所述的 液晶介質(zhì)。
13.根據(jù)權(quán)利要求12的元件，其特征在于它是一種或多種功能上連接的相移器。
14.根據(jù)權(quán)利要求6到8的一項(xiàng)或多項(xiàng)所述的液晶介質(zhì)在用于高頻技術(shù)的元件中的用途。
15.相控陣天線(xiàn)，其特征在于它包含一個(gè)或多個(gè)根據(jù)權(quán)利要求12或13的一項(xiàng)或多項(xiàng)所述的元件。
全文摘要
本發(fā)明涉及包含以線(xiàn)型方式排列的五個(gè)或更多個(gè)苯環(huán)以及在這些環(huán)之間的兩個(gè)橋接單元的液晶化合物，其中這些單元的至少一個(gè)表示-CF2O-橋。本發(fā)明另外涉及液晶介質(zhì)和包含這些介質(zhì)的高頻元件，特別是天線(xiàn)，尤其是用于千兆赫范圍的。
文檔編號(hào)C09K19/20GK102050708SQ20101053142
公開(kāi)日2011年5月11日 申請(qǐng)日期2010年11月4日 優(yōu)先權(quán)日2009年11月4日
發(fā)明者H·亨澤爾, L·利曹, W·賓德?tīng)? 真邊篤孝 申請(qǐng)人:默克專(zhuān)利股份有限公司