專利名稱：：能夠?qū)⒂袡C(jī)化合物沉積在襯底上的裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及采用具有陽極、陰極和薄膜(以下稱為"有機(jī)化合物層")的有機(jī)發(fā)光元件的發(fā)光器件，它包括適于通過施加電場而影響發(fā)光的有機(jī)化合物.具體而言，本發(fā)明涉及需要較低驅(qū)動(dòng)電壓和具有比相關(guān)領(lǐng)域的發(fā)光器件更長壽命的發(fā)光元件的制造，而且，在本申請(qǐng)的說明書中所描述的發(fā)光器件表明出一種采用有機(jī)發(fā)光元件作為發(fā)光元件的圖像顯示器件或發(fā)光器件.另外，該發(fā)光器件包括所有模塊其中將連接頭，例如，各向異性的導(dǎo)電薄膜(FPC:柔性印刷電路(Flexibleprintedcircuit))或TAB(自動(dòng)接合帶(TapeAutomatedBonding))或TCP(栽體包帶(TapeCarrierPackage))安裝到有機(jī)發(fā)光元件、模塊上；其中將印刷電路板設(shè)置在TAB帶上或TCP的頂端、或模塊的頂端；其中將IC(集成電路)直接安裝到COG(玻璃上的芯片(ChipOnGlass))系統(tǒng)中的有機(jī)發(fā)光元件上.
背景技術(shù)：
有機(jī)發(fā)光元件是一種適合于通過施加電場影響發(fā)光的發(fā)光元件.發(fā)光機(jī)制被說成是由于電極之間的有機(jī)化合物層的存在，當(dāng)給該層施加電壓時(shí)，從陰極填充的電子和從陽極填充的空穴在該有機(jī)化合物層的發(fā)光中心處進(jìn)行復(fù)合從而形成分子激發(fā)子，當(dāng)分子激發(fā)子返回基態(tài)時(shí)釋放能量進(jìn)行發(fā)光.此外，由有機(jī)化合物形成的分子激發(fā)子的類型可以包括單激發(fā)態(tài)和三重激發(fā)態(tài)，而本發(fā)明的說明書包括這些激發(fā)態(tài)中的任意一種激發(fā)態(tài)對(duì)發(fā)光貢獻(xiàn)的情況.在這種有機(jī)發(fā)光元件中，有機(jī)化合物層通常是在小于1nm厚的薄膜內(nèi)形成.而且，因?yàn)橛袡C(jī)發(fā)光元件是一種自發(fā)光類型的元件，其中的有機(jī)化合物層本身發(fā)光，因而不需要使用傳統(tǒng)液晶顯示器中的背光.因而，可以十分有利地形成薄而輕的有機(jī)發(fā)光元件.另外，例如，對(duì)厚度為大約100-200nm的有機(jī)化合物層，考慮到層中栽流子的運(yùn)動(dòng)范圍，栽流子從填充到復(fù)合所經(jīng)歷的時(shí)間段為數(shù)十納秒的數(shù)量級(jí)，即使包括了栽流子從復(fù)合到發(fā)光的過程也可以在小于l微秒的量級(jí)實(shí)現(xiàn)發(fā)光.因此，其特點(diǎn)之一就是響應(yīng)速度^f艮高.另外，因?yàn)樵撚袡C(jī)發(fā)光元件是栽流子填充(carrier-filling)型的發(fā)光元件，它可以用直流電壓驅(qū)動(dòng)，并且不會(huì)產(chǎn)生噪聲.就驅(qū)動(dòng)電壓而言，在5.5V的電壓下可以通過首先將有機(jī)化合物層制成均勻，約為100urn的超薄膜，選擇降低有機(jī)化合物層的栽流子填充屏障的電極材料和進(jìn)一步引入單異質(zhì)結(jié)構(gòu)(雙結(jié)構(gòu))而獲得滿足要求的發(fā)光度100cd/m2(文獻(xiàn)1:C.W.TangandS.A.Vanslyke，"電致發(fā)光二極管"，應(yīng)用物理快報(bào)，51巻，12期，913-915頁，1987年(C.W.TangandS.A.Vanslyke,"Organiceleclroluminescentdiodes",AppliedPhysicsLetters,Vol.51.No.12，913-915(1987))).由于有機(jī)發(fā)光元件具有諸如薄而輕、高速響應(yīng)能力、直流低電壓驅(qū)動(dòng)等性能，它作為下一代平板顯示元件已經(jīng)受到重視，另外，因?yàn)橛袡C(jī)發(fā)光元件是自發(fā)光類型，并且具有大的可視角度，所以在可見度方面相當(dāng)受歡迎并且被認(rèn)為作為便攜式設(shè)備的顯示元件使用是有效的.因此，在文獻(xiàn)l中所描述的有機(jī)發(fā)光元件的結(jié)構(gòu)中，采用相對(duì)穩(wěn)定的低功函數(shù)的Mg:Ag合金作為陰極以提高電子注入質(zhì)量，使得載流子填充屏障變小.這就可以向有機(jī)化合物層填充大量栽流子.而且，通過應(yīng)用單異質(zhì)結(jié)構(gòu)，使栽流子的復(fù)合效率大大提高，在這種結(jié)構(gòu)中由雙胺化合物組成的空穴輸運(yùn)層和由3(8-quinolinolat)鋁(以下寫做"Alq3")組成的電子輸運(yùn)發(fā)光層作為有機(jī)化合層而被疊層，這一點(diǎn)將在下面加以解釋，例如，在僅有單一Alq3層的有機(jī)發(fā)光元件的情形中，從陰極填充的大部分電子到達(dá)陽極而不與空穴進(jìn)行復(fù)合，致使發(fā)光效率很低.因?yàn)锳lq3是電子輸運(yùn)品質(zhì).因而，為了使單層有機(jī)發(fā)光元件有效發(fā)光(或在低電壓時(shí)驅(qū)動(dòng))，需要采用能夠以十分平衡的方式電子和空穴進(jìn)行栽流的材料(以下稱為"雙極材料")，而Alq3不滿足這種要求.但是，采用文獻(xiàn)l所述的單異質(zhì)結(jié)構(gòu)使從陽極填充的電子被空穴輸運(yùn)層和電子輸運(yùn)發(fā)光層之間的界面所阻擋，從而被封閉在電子輸運(yùn)發(fā)光層內(nèi)，因此，電子輸運(yùn)發(fā)光層內(nèi)栽流子有效地進(jìn)行復(fù)合從而有效發(fā)光.5當(dāng)發(fā)展了這種栽流子阻擋功能的概念后，有可能控制栽流子復(fù)合區(qū).作為實(shí)例，有報(bào)道說，通過在空穴輸運(yùn)層和電子輸運(yùn)層之間塞入能夠阻擋空穴的一層(空穴阻擋層)已經(jīng)成功地實(shí)現(xiàn)將空穴封閉在空穴輸運(yùn)層內(nèi)并使空穴輸運(yùn)層發(fā)光(文獻(xiàn)2:YasunoriKIJIMA,NobutoshiASAI和Sina-ichiroTAMURA,"藍(lán)色有機(jī)發(fā)光二極管"，日本應(yīng)用物理雜志，38巻，5274-5277頁，1999年(YasunoriKIJIMA，NobutoshiASAIandSina-ichiroTAMURA，"ABlueOrganicLuminescentDiode",JapaneseJournalofAppliedPhysics,Vol.38，5274-5277(1999)))。另外，可以說，文獻(xiàn)1所述的有機(jī)發(fā)光元件是基于功能分離的想法，根據(jù)這種想法，空穴的栽流是由空穴輸運(yùn)層完成的，而電子的栽流和發(fā)光是由電子輸運(yùn)發(fā)光層完成的.這種功能分離的概念已經(jīng)進(jìn)一步發(fā)展成雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)(3分層結(jié)構(gòu))的概念.按照這種概念，在空穴輸運(yùn)層和電子輸運(yùn)層之間塞入一層發(fā)光層(文獻(xiàn)3:ChihayaADACHI,ShizuoTOKITO，TSUTSUIandShogoSAIT0，"三分層結(jié)構(gòu)的有機(jī)薄膜中的電致發(fā)光"，日本應(yīng)用物理雜志，27巻，2期，L269-L271頁，1988年)ChihayaADACHI，ShizuoT0UT0,TSUTSUIandShogoSAITO，"ElectroluminescenceinOrganicFilmswithThreelayeredStructure,"JapaneseJournalofAppliedPhysics,Vol.27，No.2，L269-L271(1988)),這種功能分離的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)在于，功能分離使之沒有必要讓一種材料同時(shí)具備多種功能(發(fā)光、栽流子載流品質(zhì)、來自電極的栽流子的填充品質(zhì)等)，為分子設(shè)計(jì)等提供了廣泛的自由度(例如，沒有必要去不合理地尋求雙極材料).換言之，通過將分別具有好的發(fā)光品質(zhì)和栽流子栽流品質(zhì)的材料相結(jié)合可以輕易獲得高的發(fā)光效率。由于這些優(yōu)點(diǎn)，文獻(xiàn)l所述的分層結(jié)構(gòu)(載流子阻擋功能或功能分離)的概念至今一直被廣泛地采用.另外還要注意，在這些發(fā)光元件的制造過程中，特別是在大規(guī)模生產(chǎn)過程中，在空穴輸運(yùn)材料和發(fā)光材料以及電子輸運(yùn)材料等進(jìn)行材料分層時(shí)，為了防止真空蒸發(fā)對(duì)各對(duì)應(yīng)材料的污染，通常采用一字排列式(in-linetype)沉積裝置(多室流程).圖13所示為這種沉積裝置的頂視圖.在圖13所示的沉積裝置中，可以進(jìn)行陰極和空穴輸運(yùn)層及發(fā)光層的三層分層結(jié)構(gòu)(雙異質(zhì)結(jié)構(gòu))以及在襯底上具有陽極(例如IT0或其它)的電子輸運(yùn)層的真空蒸發(fā)，并且進(jìn)行對(duì)這些層約密封處理.首先，將具有陽極的襯底傳送到運(yùn)進(jìn)室內(nèi).該襯底通過第l傳送室往前向紫外線照射室傳送，然后在真空環(huán)境下用紫外光照射對(duì)它的陽極表面進(jìn)行清潔處理.這里值得注意的是在這種情況下陽極是由如ITO的氧化物制做的，在預(yù)處理室內(nèi)對(duì)該陽極氣化.下一步，在汽相蒸發(fā)室1301內(nèi)形成空穴輸運(yùn)層，同時(shí)在真空蒸發(fā)室1302至1304內(nèi)形成發(fā)光層(如13中的紅，綠和藍(lán)三種顏色)，在真空蒸發(fā)室1305內(nèi)形電子輸運(yùn)層，和在真空蒸發(fā)室1316內(nèi)形成陰極.最后，在密封室內(nèi)完成密封處理，因而從運(yùn)出室得到發(fā)光元件.一字排列式沉積裝置獨(dú)有的一個(gè)特點(diǎn)是各自對(duì)應(yīng)層的真空蒸發(fā)在1301至1305的不同真空蒸發(fā)室內(nèi)分別進(jìn)行.因此，1301至1305的每個(gè)真空蒸發(fā)室都可以正常地裝備單獨(dú)的蒸發(fā)源(但是要注意，在1302至1304的真空蒸發(fā)室內(nèi)，在采用向其中摻入顏料方法制造發(fā)光層的情況下，可能不時(shí)地要求兩個(gè)蒸發(fā)源以形成共真空蒸發(fā)層).簡而言之，在各對(duì)相應(yīng)層中的材料4艮難互相混合時(shí)，采用特殊的裝置安排.但是，由于不同類型的襯底之間的接合(特別是絕緣材料之間的接合)，上述的分層結(jié)構(gòu)將必定在襯底的界面處產(chǎn)生能量壁壘.因?yàn)槟芰勘趬镜拇嬖谧柚乖粤髯釉诮缑娴倪w移，從而引發(fā)以下兩個(gè)問題.問題之一是它導(dǎo)致產(chǎn)生進(jìn)一步降低驅(qū)動(dòng)電壓的屏障.實(shí)際上對(duì)現(xiàn)有的有機(jī)發(fā)光元件已有報(bào)道，說采用共軛聚合物的單層結(jié)構(gòu)的元件就驅(qū)動(dòng)電壓而論是優(yōu)透的，并且在發(fā)光效率方面(單位"1m/w")保持最高指標(biāo)數(shù)據(jù)(同單激發(fā)態(tài)發(fā)光相比)(文獻(xiàn)4:TetsuoTsutsui,"有機(jī)分子/生物電子學(xué)筒報(bào)"，應(yīng)用物理學(xué)會(huì)分會(huì)，11巻，l期，8頁，2000年(TetsuoTsutsui"bulletinoforganicmolecular/bioelectronics"SubcommitteeofSocietyofAppliedPhysics,Vol.11，No.1，P.8(2000)).此外，文獻(xiàn)4所述的共軛聚合物是雙極材料，并且就栽流子的復(fù)合效率而言可以達(dá)到與分層結(jié)構(gòu)復(fù)合效率基本相當(dāng)?shù)乃?由此表明倘若采用雙極材料的方法可以達(dá)到與不使用任何分層結(jié)構(gòu)的情形下相當(dāng)?shù)脑粤髯訌?fù)合效率，具有較少界面的單層結(jié)構(gòu)實(shí)際的驅(qū)動(dòng)電壓是低的.例如，有一種方法，在電極和有機(jī)化合物層之間的界面處插入一種降低能量壁壘的材料以提高栽流子填充品質(zhì)達(dá)到降低驅(qū)動(dòng)電壓的目的.(文獻(xiàn)5.'TakeoWakimoto，YoshinoriFukuda，KenichiNagayama，AkiraYokoi，HotoshiNakada，andMasamiTsuchida,"采用堿金屬化合物作為電子注入材料的有機(jī)電致發(fā)光單元"，國際電氣與電子工程師協(xié)會(huì)電子器件會(huì)刊，44巻，8期，1245-1248頁，1977年(TakeoWakimoto，YoshinoriFukuda，KenichiNagayama，AkiraYokoi，HotoshiNakada，andMasamiTsuchida,"OrganicELCellsUsingAlkalineMetalCompoundsasElectronInjectionMaterials"，IEETRANSACTIONSOnELECTRONDEVICES,Vol.44，No.8，1245-1248(1977))),在文獻(xiàn)5中，利用"20作為電子注入層成功地降低了驅(qū)動(dòng)電壓方面.但是，有機(jī)材料之間栽流子的傳送(例如，空穴輸運(yùn)層和發(fā)光層之間；以下該界面稱為"有機(jī)界面")仍然是一個(gè)懸而未決的問題，并且被認(rèn)為在追趕由單層結(jié)構(gòu)提供的低驅(qū)動(dòng)電壓方面是重要的一點(diǎn).而且，由能量壁壘引起的其他問題被認(rèn)為對(duì)有機(jī)發(fā)光元件的使用壽命是有影響.也就是說由于電荷的堆積，栽流子的運(yùn)動(dòng)受到妨礙，從而亮度下降.盡管針對(duì)這種品質(zhì)蛻化機(jī)制還未建立起任何確定的理論，卻有報(bào)道稱通過在陽極和空穴輸運(yùn)層之間插入空穴注入層并且不采直流驅(qū)動(dòng)而采用方波交流驅(qū)動(dòng)可以抑制亮度的降低，(文獻(xiàn)6:S.A.Vanslyke，C.H.Chen，和C.W.Tang,"改善了穩(wěn)定性的有機(jī)電致發(fā)光器件"，應(yīng)用物理快報(bào)，69巻,15期,2160-2162頁，1996年(S.A.Vanslyke，C.H.Chen，andC.W.Tang，"OrganicElectroluminescentdeviceswithimprovedstability"，AppliedPhysicsLetters,Vol.69No.15:2160-2162(1996)))這可以認(rèn)為是為由于插入空穴注入層和交流驅(qū)動(dòng)消除電荷積累從而可以抑制亮度的降低提供了實(shí)驗(yàn)證據(jù).由上文可以說，一方面分層結(jié)構(gòu)具有優(yōu)點(diǎn)，它能夠容易地提高栽流子的復(fù)合效率和擴(kuò)大就功能分離而言的材料選擇范圍，另一方面，許多有機(jī)界面的形成妨礙了栽流子的運(yùn)動(dòng)并且對(duì)降低驅(qū)動(dòng)電壓和亮度有影響.此外，在現(xiàn)有技術(shù)的沉積裝置中，空穴輸運(yùn)材料和發(fā)光層材料、電子輸運(yùn)材料或其他材料的分層結(jié)構(gòu)是在裝置與它自身裝備的蒸發(fā)源的分開的室內(nèi)進(jìn)行的，以達(dá)到防止各自相應(yīng)材料污染的目的.但是，這種裝置已經(jīng)遇到問題，在形成上述多層結(jié)構(gòu)的情形下，有機(jī)界面被明顯分開，而當(dāng)襯底被驅(qū)動(dòng)在室之間移動(dòng)時(shí)，諸如水和氧等雜質(zhì)可能混入有機(jī)界面之中.
發(fā)明內(nèi)容因此，本發(fā)明所提供的沉積裝置是基于同現(xiàn)有技術(shù)采用的多層結(jié)構(gòu)不同的概念，以便采用同多層結(jié)構(gòu)功能分離相似的方式制造具有各種類型材料的功能的元件，而同時(shí)又減小了在有機(jī)化合物層內(nèi)存在的能量壁壘，因此提高了電栽流子的遷移率.本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供采用這些沉積裝置的沉積方法.有關(guān)減小多層結(jié)構(gòu)中的能量壁壘的方法可以從文獻(xiàn)5的插入載流注入層的技術(shù)中找到.換言之，在具有高能量壁壘的多層結(jié)構(gòu)的界面插入用于減小這種能量壁壘的材料使得可以將能量壁壘設(shè)計(jì)成類似階梯狀的形式.采用這種布局，可以增大來自陰極的電栽流子的注入能力并將驅(qū)動(dòng)電壓降低至一定程度.但是，這種方法所面臨的問題是增大了必要的層數(shù)從而必將導(dǎo)致有機(jī)界面數(shù)的增加.如文獻(xiàn)4建議的那樣，認(rèn)為這一點(diǎn)正是單層結(jié)構(gòu)在驅(qū)動(dòng)電壓和功率效率方面保持頂級(jí)數(shù)據(jù)優(yōu)于多層結(jié)構(gòu)的原因.相反，克服這一點(diǎn)就有可能趕上單層結(jié)構(gòu)的驅(qū)動(dòng)電壓/功率效率，而同時(shí)保持多層結(jié)構(gòu)的長處(使各種材料結(jié)合而又不必進(jìn)行任何復(fù)雜的分子設(shè)計(jì)).那么在本發(fā)明中，形成有機(jī)化合物層103，該層包括如圖1A和1B所示的發(fā)光元件內(nèi)的多個(gè)位于陽極101和陰極102之間的功能區(qū).所形成的結(jié)構(gòu)不同于現(xiàn)有技術(shù)的有著明晰界面的多層結(jié)構(gòu)(困1A)，而是一種在第l功能區(qū)104和第2功能區(qū)105之間形成的混合區(qū)(圖1B)的結(jié)構(gòu)，混合區(qū)106包括組成第1功能區(qū)104的材料和組成第2功能區(qū)105的材料.考慮到與圖1A所示現(xiàn)有技術(shù)的結(jié)構(gòu)相比，采用圖1B中所示的結(jié)構(gòu)減小了功能區(qū)之間存在的任何能量壁壘，從而改善了栽流子的注入能力.實(shí)際上，隨然圖1C示出了圖1A結(jié)構(gòu)的能帶圖，但是在形成如圖1B所示的功能區(qū)之間的混合區(qū)結(jié)構(gòu)時(shí)，它的能帶困變成閨ID所示的情形.簡言之，由于在功能區(qū)之間形成這種混合區(qū)而使功能區(qū)之間的能量壁壘減小.因此，就可以防止驅(qū)動(dòng)電壓的下降和發(fā)光度的降低.從上文可見，采用本發(fā)明的沉積裝置，在制造發(fā)光元件的過程中，它的一個(gè)獨(dú)特之處是:在笫1功能區(qū)和笫2功能區(qū)之間制造一個(gè)混合區(qū)，該混合區(qū)包括組成笫l功能區(qū)的有機(jī)化合物和組成第2功能區(qū)的有機(jī)化合物，這種發(fā)光元件至少包括第1有機(jī)化合物可以表達(dá)功能的一個(gè)區(qū)(笫1功能區(qū))和不同于組成笫1功能區(qū)襯底的第2有機(jī)化合物可以表達(dá)功能的一個(gè)區(qū)(第2功能區(qū)).應(yīng)當(dāng)注意，笫l有機(jī)化合物和笫2有機(jī)化合物在本質(zhì)上是互不相同的，而每種有機(jī)化合物所擁有的本質(zhì)從以下一組性質(zhì)中選出接收來自陽極空穴的空穴注入能力、空穴遷移率大于電子遷移率的空穴輸運(yùn)能力、電子遷移率大于空穴遷移率的電子輸運(yùn)能力、從陰極接收電子的電子注入能力、能排除空穴或電子運(yùn)動(dòng)的阻擋能力以及顯示發(fā)光能力.還要注意，這種具有高空穴注入能力的有機(jī)化合物最好是由基于酞等類化合物制成；具有高空穴輸運(yùn)能力的有機(jī)化合物可以是芳族聯(lián)氨化合物，而高電子輸運(yùn)能力的有機(jī)化合物可以是其中包含有喹啉骨架的金屬絡(luò)合物，包含苯并喹啉骨架或喁二唑啉衍生物或三哺衍生物或菲咯淋衍生物的金屬絡(luò)合物，而且，表現(xiàn)發(fā)光的有機(jī)化合物最好是其中包含喹啉骨架具有穩(wěn)定光輻射的金屬絡(luò)合物，包含苯并"惡唑骨架的金屬絡(luò)合物，或包含苯并^唑骨架的金屬絡(luò)合物.上述的第1功能區(qū)和第2功能區(qū)的某些組合由下面的表1給出.只能采用A至E的組合(例如，僅用"A")或者作為選擇，將它們中的某些以復(fù)合形式放在一起引入(例如，"A"和"B").[表l]<table>tableseeoriginaldocumentpage10</column></row><table>此外，在引入C與D組合的復(fù)合利用情況下(就是在具有發(fā)光能力的功能區(qū)的兩界面引入混合區(qū))，通過防止在發(fā)光區(qū)內(nèi)形成的分子激活子的擴(kuò)散，可以進(jìn)一步提高發(fā)光效率.因此，最好是這一發(fā)光區(qū)的激活能量低于空穴區(qū)的激活能量和電子輸運(yùn)區(qū)的激活能量.在這種情況下，栽流子輸運(yùn)能力差的發(fā)光材料也可用作發(fā)光區(qū)，其優(yōu)點(diǎn)是選擇材料的范圍相應(yīng)地?cái)U(kuò)大.這里要注意的是在本說明書中使用的名詞"激活能量"應(yīng)當(dāng)被理解為是指最高被填充的分子軌道(HOMO)和最低未被填充的分子軌道(LUM0)之間的能量差異，更好的做法是進(jìn)行這樣設(shè)計(jì)，使發(fā)光區(qū)是由施主材料和激活能量低的受主材料的發(fā)光材料(摻雜質(zhì))組成，并且這種摻雜質(zhì)的激活能量低于空穴輸運(yùn)區(qū)的激活能量和電子輸運(yùn)層的激活能量.采用這種安排，可以允許摻雜質(zhì)有效地產(chǎn)生光，而同時(shí)防止摻雜質(zhì)的分子激活子的擴(kuò)散.此外，如果這種摻雜質(zhì)是由某種栽流子陷阱型的材料制做的話，那么還可以增大栽流子的復(fù)合效率.于是，從發(fā)光效率的觀點(diǎn)講，能將能量轉(zhuǎn)換的有機(jī)發(fā)光元件已經(jīng)相繼出現(xiàn)，它們的發(fā)光效率已引起注意，這種元件在從三重激發(fā)態(tài)返回基態(tài)時(shí)釋放發(fā)光.(文獻(xiàn)7:D.E.U，Brien，M，A.Baldo，M，E，Thompson和S.R.Forrest,"改善的電致磷光器件中的能量轉(zhuǎn)移"，應(yīng)用物理快報(bào)，74巻，3期，442—444頁，1999(D.E.U，Brien，M,A.Baldo，M,E，ThompsonandS.R.Forrest,"Improvedenergytransferinelectrophosphorescentdevices",AppliedPhysicsletters*Vol.74，No.3，442-444(1999)))，(文獻(xiàn)8:TetsuoTSUTSUI，Moon-JaeYANG，MasayukiYAHIRO,KenjiNAKAMURA，TeruichiWATANABE，TaishiTSUJI，YoshinoriF訓(xùn)DA,TakesWAKIM0T0和SatoshiMAYAGUCHI,"采用硪絡(luò)合物的有機(jī)發(fā)光器件中的高量子效率"，日本應(yīng)用物理雜志，38巻，L1562—L1504頁，1999年(TetsuoTSUTSUI,Moon-JaeYANG,MasayukiYAHIRO，KenjiNAKAMURA,TeruichiWATANABE，TaishiTSUJI，YoshinoriFUKUDA，TakesWAKIM0T0andSatoshiMAYAGUCHI,"HighQuantumEfficiencyinOrganicLuminescentDeviceswithIridium—ComplexasaTripletEmissiveCenter",JapaneseJournalofAppliedPhysics,Vol.38，L1562-L1504(1999))).在文獻(xiàn)7中，采用了中心金屬為鉑金的金屬絡(luò)合物，在文獻(xiàn)8中使用中心金屬為銥的金屬絡(luò)合物.這些能夠?qū)⑷丶ぐl(fā)態(tài)能量轉(zhuǎn)換成光的有機(jī)發(fā)光元件(以下標(biāo)示為"三重態(tài)發(fā)光二極管")可以獲得比相關(guān)技術(shù)更高強(qiáng)度的光和比相關(guān)技術(shù)更高的發(fā)光效率.但是，文獻(xiàn)8提出了一個(gè)實(shí)例，在該實(shí)例中當(dāng)初始發(fā)光設(shè)定為500od/m2時(shí)，發(fā)光的半衰期約為170小時(shí)，因此引發(fā)元件使用壽命的問題.于是，將本發(fā)明應(yīng)用到三重態(tài)光發(fā)射二極管可以提供高功能的發(fā)光元件，它除了發(fā)光強(qiáng)度高和基于來自三重激發(fā)態(tài)發(fā)光的發(fā)光效率高之外，還具有長的使用壽命.因此，將能夠把三重激發(fā)能量轉(zhuǎn)換成光發(fā)射的材料作為摻雜質(zhì)加入混合區(qū)的情況也應(yīng)該包括在本發(fā)明之內(nèi).此外，在這種混合區(qū)的形成過程中，允許該混合區(qū)有濃度梯度.采用本發(fā)明的沉積裝置，它的特點(diǎn)在于多個(gè)功能區(qū)沉積在具有多個(gè)蒸發(fā)源的同一沉積室之內(nèi)，因此形成具有上述混合區(qū)的發(fā)光元件.參照?qǐng)D2，現(xiàn)在對(duì)用在本發(fā)明沉積裝置中的沉積室210進(jìn)行解釋.如圖2A所示，在襯底200下面提供有固定到支架201的金屬掩蔽板202，而在掩蔽板下面還裝備有蒸發(fā)源203a至203c.蒸發(fā)源203(203a至203c)包括用于制造有機(jī)化合物層的有機(jī)化合物204(204a至204c)，用于在其中制備有機(jī)化合物的材料室205"0"至205c)，以及快門206(206a至206c).此處注意，在本發(fā)明的這種沉積裝置中，建議將蒸發(fā)源或受到真空蒸發(fā)的襯底設(shè)計(jì)成可以移動(dòng)(轉(zhuǎn)動(dòng))的，以確保薄膜的制造均勻。同時(shí)，材料室205(205a至205c)是由導(dǎo)電金屬材料制成并具有如圖17中所示的結(jié)構(gòu).注意，當(dāng)把電壓加到材料室205(205a至205c)時(shí)，由于出現(xiàn)電阻使內(nèi)部有機(jī)化合物204(204a至204c)加熱，從而有機(jī)化合物204(204a至204c)被汽化，然后沉積到襯底200的表面上.還要注意，術(shù)詞"襯底200的表面"當(dāng)然包括村底和在這村底上形成的多于一個(gè)的薄膜，此處，在該襯底上形成陽極，此外，快門206(206a至206c)控制被汽化的有機(jī)化合物204(204a至204c)的真空蒸發(fā).簡言之，當(dāng)快門打開時(shí)，由于加熱通過真空蒸發(fā)可以沉積被汽化的有機(jī)化合物204(204a至204c).此外，還希望在真空蒸發(fā)過程之前通過加熱使有機(jī)化合物204(204a至204c)處于預(yù)汽化狀態(tài)，以使在真空蒸發(fā)期間快門206(206a至206c)打開之后任何真空蒸發(fā)馬上生效，罔此縮短了沉積所需要的時(shí)間段.此外，在采用本發(fā)明的沉積裝置中，提供了蒸發(fā)源203a至203c,因而在單個(gè)蒸發(fā)室內(nèi)形成具有許多功能區(qū)的有機(jī)化合物層.在相應(yīng)蒸發(fā)源203a至203c處蒸發(fā)的有機(jī)化合物向上彌散，然后通過由金屬掩蔽板202規(guī)定的開口(未示出)沉積到襯底200上.最初，在第1材料室205a內(nèi)的第1有機(jī)化合物204a受到真空蒸發(fā).此處注意，由于電阻性加熱，笫1有機(jī)化合物204a提前蒸發(fā)，然后在蒸發(fā)期間在快門206a打開時(shí)朝襯底200方向彌散.這樣，就可以形成圖2B所示的第1功能區(qū)210.并且，在使笫1有機(jī)化合物204a保持沉積的同時(shí)，打開另一快門206b進(jìn)行提供在第2材料室205b內(nèi)的笫2有機(jī)化合物204b的真空蒸發(fā).注意，第2有機(jī)化合物也是用電阻性加熱實(shí)施預(yù)蒸發(fā)，在蒸發(fā)期間在快門206b打開時(shí)朝襯底200的方向彌散.因此，可以形成基本上包括笫1有機(jī)化合物204a和第2有機(jī)化合物204b的第1混合區(qū)ni.并且，經(jīng)過一段時(shí)間之后，僅將用于笫2有機(jī)化合物204b的真空蒸發(fā)的快門206a關(guān)閉。因此可以形成第2功能區(qū)212.應(yīng)當(dāng)注意，雖然在這里展示了通過同時(shí)對(duì)兩種有機(jī)化合物的真空蒸發(fā)形成這種混合區(qū)的一種具體方法，但也可以通過沉積第1有機(jī)化合物，然后在笫l有機(jī)化合物的真空蒸發(fā)環(huán)境下沉積笫2有機(jī)化合物從而在笫1功能區(qū)和笫2功能區(qū)之間形成混合區(qū)。下一步，在使第2有機(jī)化合物204b保持沉積的同時(shí)，打開快門206c以便進(jìn)行已經(jīng)提供在笫3材料室205c中的第3有機(jī)化合物204c的真空蒸發(fā).注意，第3有機(jī)化合物204c也是用電阻性加熱實(shí)施預(yù)蒸發(fā)，因而在真空蒸發(fā)期間在快門206c打開時(shí)朝襯底200方向彌散.因此，可以形成基本上包括笫2有機(jī)化合物204b和第3有機(jī)化合物20化組成的第2混合區(qū)213.經(jīng)過一會(huì)之后，僅將用于第3有機(jī)化合物204c真空蒸發(fā)的快門206b關(guān)閉.因此可以形成第3功能區(qū)214.最后，形成陰極，由此完成通過本發(fā)明沉積裝置制造的發(fā)光元件.另外，關(guān)于其他有機(jī)化合物層，如圖2c所示，在利用笫l有機(jī)化合物204a形成第1功能區(qū)220之后，形成基本上包括笫1有機(jī)化合物204a和第2有機(jī)化合物204b的第1混合區(qū)221,并且利用第2有機(jī)化合物204b進(jìn)一步形成笫2功能區(qū)222.然后，讓快門206c在笫2功能區(qū)2"形成期間暫時(shí)打開，同時(shí)進(jìn)行笫3有機(jī)化合物204c的真空蒸發(fā)，由此形成笫2混合區(qū)223.經(jīng)過一會(huì)之后，關(guān)閉快門206c,由此再次形成第2功能區(qū)222.然后形成陰極，因而形成發(fā)光元件.必須注意，鑒于以下亊實(shí)采用本發(fā)明的沉積裝置進(jìn)行這種沉積是利用同一沉積室內(nèi)的多種材料室完成的，所以可以將用于沉積的帶有機(jī)材料的材料室設(shè)計(jì)成在沉積工藝期間移至襯底下面的最佳位置以達(dá)到改善沉積特性的目的，或者作為替代，也可以對(duì)襯底加以改進(jìn)使之具有在材料室上面最佳位置上移動(dòng)的功能以實(shí)現(xiàn)同樣的目的.而且，本發(fā)明的沉積裝置裝備有防止附著的屏蔽207,用于防止在蒸發(fā)期間有機(jī)化合物附著到這種沉積室的內(nèi)壁.提供這種防止附著的屏蔽可以使沒有沉積到襯底上的那些有機(jī)化合物沉積.在防止附著的屏蔽207周圍，有加熱器208與之接觸，利用這種加熱器208能使整個(gè)防止附著的屏蔽207加熱.此外，加熱防止附著的屏蔽207可以將附著到屏蔽207上的有機(jī)化合物蒸發(fā)，反過來這又可以實(shí)現(xiàn)對(duì)沉積室內(nèi)部的成功清洗.因?yàn)槟軌蛑圃焐厦嬗懻撨^的有機(jī)化合物層的本發(fā)明的沉積裝置能在同一沉積室內(nèi)形成具有多個(gè)功能區(qū)的有機(jī)化合物層，因此可以在功能區(qū)之間的界面形成混合區(qū)而不會(huì)讓功能區(qū)同被雜質(zhì)污染.從上文中可見，顯然包括多種功能的發(fā)光元件是可以制造的，而沒有任何明晰的多層結(jié)構(gòu)(就是說沒有與任何明晰的有機(jī)界面關(guān)聯(lián)).圖1A至1D是用于說明由本發(fā)明沉積裝置制造的元件結(jié)構(gòu)的圖；圖2A是用于說明沉積室的圖，圖2B和2C是用圖2A所示沉積室制造的元件圖；圖3A和3B是說明沉積裝置的圖；圖4A至4E是用來說明金屬掩蔽板對(duì)準(zhǔn)方法的圖；圖5是說明沉積裝置的困；圖6A和6B是說明沉積室的閨；困7A和7B是說明沉積室的困；困8A和8B是說明沉積室的困；困9是說明發(fā)光器件的困；圖10A和10B是說明密封結(jié)構(gòu)的圖；圖ll是說明發(fā)光器件的圖；困12A至12H晃艮示電氣儀表實(shí)例的圖；圖13是用于說明一種典型的現(xiàn)有技術(shù)的圖；圖14是說明沉積裝置的圖；和圖15是說明發(fā)光器件的圖，圖16A至16C是說明像素區(qū)段的圖，圖17是說明材料室的圖.具體實(shí)施方案參照?qǐng)D3A和3B，將對(duì)本發(fā)明的沉積裝置的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明.圖3A表示沉積裝置的頂視圖，圖3B表示它的剖視圖，注意，共用的組件用共用的參考號(hào)表示.同時(shí)還示出了一種實(shí)例，它的布局是這樣，使之在有著三個(gè)沉積室的這種聯(lián)機(jī)機(jī)制的一個(gè)沉積裝置的每個(gè)沉積室內(nèi)形成三種有機(jī)化合物層(紅，綠，藍(lán)).在圖3A中，參考號(hào)"300"代表裝料室，其中在該裝料室內(nèi)制備好的襯底朝笫1定線室301傳送.注意，在笫1定線室301內(nèi)，固定到支架302的金屬掩蔽板303的對(duì)準(zhǔn)是用支架302提前完成的，由此在已完成對(duì)準(zhǔn)的金屬掩蔽板303上形成預(yù)真空蒸發(fā)的襯底304，其中，在襯底304上形成包括發(fā)光元件的一個(gè)電極(此處為陽極)，因此，襯底304和金屬掩蔽板303被集成在一起準(zhǔn)備朝第1沉積室305傳送.參照?qǐng)D4A至4E,現(xiàn)在對(duì)用于固定金屬掩蔽板303和襯底304的支架302的位置關(guān)系給以說明.注意，在這些圖中，采用相同的參考號(hào)對(duì)與圖3A和3B組件相同的組件進(jìn)行標(biāo)注.圖4A示出一個(gè)剖面結(jié)構(gòu).此處示出的支架302通常包括掩蔽板支架401、軸402、村底支架403、控制裝置404和附屬針405.此外，金屬掩蔽板303用和摸膜支架401上凸出部分406對(duì)準(zhǔn)的方式加以固定，襯底304安裝到金屬掩蔽板303上.此外，金屬掩蔽板303上的襯底304用附屬針405固定.困4B示出了圖4A的一個(gè)區(qū)407的頂視圖.此外，襯底304是用圖4A和圖4B中所示的襯底支架403加以回定.圖4C示出了沿圖4B的B-B，線剖開的剖視困4C.假定圖4C中所示的金屬掩蔽板303的位置是沉積時(shí)的位置，則閨4D中所示的軸402在Z軸方向上被移動(dòng)的金屬掩蔽板303的位置是對(duì)準(zhǔn)過程中的位置.在圖4D的工藝步驟時(shí)，軸402可在X軸，Y軸和Z軸的任意一個(gè)方向上移動(dòng)，而且相對(duì)于Z軸的X-Y平面的梯度(8)的運(yùn)動(dòng)也是可能的.另外，控制裝置404從由電荷一耦合器件(CCD)照相機(jī)得到的位置信息和預(yù)先輸入的位置信息輸出一個(gè)移動(dòng)信息，因此通過耦合至控制裝置404的軸402,使掩蔽板支架的位置可以和規(guī)定的位置一樣.另外，圖4E示出了金屬掩蔽板303在區(qū)域408的放大的剖視圖.此處使用的金屬掩蔽板303是從采用相互不同的材料制成的掩蔽板a409和b410構(gòu)建的.還有，在真空蒸發(fā)期間，將在襯底上制造已經(jīng)通過這些開口411的有機(jī)化合物，要巧妙地設(shè)計(jì)掩蔽板的形狀從而改善利用掩蔽板實(shí)施真空蒸發(fā)的沉積精度，并且利用它們的形狀使襯底304和掩蔽板b410相互接觸.在完成金屬掩蔽板303的對(duì)準(zhǔn)之后，讓軸在Z軸方向上移動(dòng)使金屬掩蔽板303再次在圖4C的位置上移動(dòng)，然后用附屬針405使金屬掩蔽板303和襯底304固定到一起，因此可以完成金屬掩蔽板303沿金屬掩蔽板303和村底304之間的定位的對(duì)準(zhǔn).注意，在這種實(shí)施方案中，金屬掩蔽板的開口可以是長方形的，橢園形的，或條狀的，另外，也可以將它們?cè)O(shè)計(jì)成像矩陣那樣的布局或A形布局.圖3A中的第l沉積室305裝備有多個(gè)蒸發(fā)源306,另外，每個(gè)蒸發(fā)源306包括制備有機(jī)化合物的材料室(未示出)和快門(未示出)，快門通過打開/關(guān)閉搮作來控制材料室中被蒸發(fā)的有機(jī)化合物向材料室外面的彌散.此外，在第l沉積室305內(nèi)提供的多個(gè)蒸發(fā)源306安置有構(gòu)成發(fā)光元件的有機(jī)化合物層的不同功能的有機(jī)化合物.注意，此處采用的有機(jī)化合物可以指具有如下性質(zhì)的有機(jī)化合物接收來自陽極空穴的空穴注入能力、其空穴遷移率大于電子遷移率的空穴輸運(yùn)能力、其電子遷移率大于空穴遷移率的電子輸運(yùn)能力、接收來自陰極的電子的電子注入能力、能禁止空穴或電子運(yùn)動(dòng)的阻擋能力、以及顯示光發(fā)射的發(fā)光能力.注意，具有高空穴注入能力的有機(jī)化合物最好基于酞胥的化合物；具有高空穴輸運(yùn)能力的有機(jī)化合物最好是芳香族二胺化合物；而具有高電子輸運(yùn)能力的有機(jī)化合物最好是其中包含有喹淋骨架的、喁二唑啉衍生物、三唑衍生物、或仍然是菲咯啉衍生物的金屬絡(luò)合物.而且，顯示發(fā)光能力的有機(jī)化合物最好是包含喹啉骨架的金屬絡(luò)合物，包含苯并喝唑骨架的金屬絡(luò)合物，或包含苯并噻唑骨架，發(fā)光穩(wěn)定的金屬絡(luò)合物.在第1沉積室305內(nèi)，將這些蒸發(fā)源中的有機(jī)化合物通過有序的真空蒸發(fā)，利用圖2A中所討論的方法加以沉積，致使形成有著多個(gè)功能區(qū)和混合區(qū)的第l有機(jī)化合物層(這里，紅色).下一步，將村底304朝第2定線室307運(yùn)送.在笫2定線室307內(nèi)，一旦襯底304與掩蔽板303分離之后，按這樣的方式實(shí)現(xiàn)金屬掩蔽板303的對(duì)準(zhǔn)，使它與待制造第2有機(jī)化合物層的位置相匹配.而且，在完成對(duì)準(zhǔn)之后，襯底304和金屬掩蔽板303相互重疊并固定在一起.然后，將襯底304朝笫2沉積室308傳送.類似地，第2沉積室308也裝備有多個(gè)蒸發(fā)源.以類似于笫l沉積室305的方式，通過有序的真空蒸發(fā)，沉積多種有機(jī)化合物，導(dǎo)致形成具有多個(gè)功能區(qū)和混合區(qū)的第2有機(jī)化合物層(此處，綠色).進(jìn)而，將襯底304朝笫3定線室309傳送.在第3定線室內(nèi)，一旦襯底304與金屬掩蔽板303分離后，按這樣的方式實(shí)現(xiàn)金屬掩蔽板303的對(duì)準(zhǔn)，使它與制造第3有機(jī)化合物層的位置相匹配.而且，在完成對(duì)準(zhǔn)之后，襯底304和金屬掩蔽板303相互重疊并固定在一起。然后，將襯底304朝第3沉積室310傳送.類似地，第3沉積室310也裝備有多個(gè)蒸發(fā)層.以類似于其他沉積室的方式，通過有序的真空蒸發(fā)，多種有機(jī)化合物被沉積，導(dǎo)致具有多個(gè)功能區(qū)和混合區(qū)的第3有機(jī)化合物層(此處，藍(lán)色)的形成.最后，將襯底304向室311傳送并將它從沉積裝置中取出.每當(dāng)形成不同化合物層時(shí)，就以這種方式在定線室內(nèi)將金屬掩蔽板303對(duì)準(zhǔn)，就可以在同一裝置內(nèi)形成多個(gè)有機(jī)化合物層.由于由單種有機(jī)化合物組成的功能區(qū)是在同一沉積室內(nèi)以這種方式沉積的，因此可以避免鄰近功能區(qū)之間的雜質(zhì)污染.而且在這種沉積裝置中，因?yàn)樵诓煌墓δ芷ブg可以形成混合區(qū)，所以可以制造有著多種功能而無任何明晰的多層結(jié)構(gòu)的發(fā)光元件.此外，雖然在本實(shí)施方案中示出了形成有機(jī)化合物層的沉積裝置，但是本發(fā)明的沉積裝置不應(yīng)當(dāng)只限于這種結(jié)構(gòu)，而是可以有選擇地加以修改使之具有包括在其中在有機(jī)化合物層上形成陰極的沉積室和能夠密封發(fā)光元件的處理室的結(jié)構(gòu).另外，發(fā)射紅、綠和藍(lán)光的有機(jī)化合物層的沉積順序也不應(yīng)該限于上述的順序，而且，就如在本實(shí)施方案模式中所表明的那樣，還可以提供清洗定線室和沉積室的裝置，也注意到，在圖3的區(qū)域312中提供這種裝置的情形下，可以提供困14中所示的清洗預(yù)備室.在清洗預(yù)備室313內(nèi)，通過NFs或CR這類反應(yīng)氣體的分解使之發(fā)生自由基，然后將它們導(dǎo)入第2定線室307，因此能對(duì)第2定線室307進(jìn)行清洗.注意，提前將使用的金屬掩蔽板放在第2定線室內(nèi)可以實(shí)現(xiàn)對(duì)該金屬掩蔽板的清洗.并且，將自由基導(dǎo)入笫2沉積室308可以將第2沉積室308的內(nèi)部加以清洗.此外，笫2定線室307和笫2沉積室308是通過門(未示出)和清洗預(yù)備室313相連接的，其中將門設(shè)計(jì)成打開時(shí)讓自由基導(dǎo)入.[實(shí)施方案l]參照?qǐng)D5，將對(duì)本發(fā)明的沉積裝置的一字排列式給以說明.圖5中，參考號(hào)501代表裝料室，襯底從裝料室傳送.注意，在本實(shí)施方案中使用的術(shù)語襯底當(dāng)然是指具有用作在它上面形成的發(fā)光元件電極的陽極或陰極(本實(shí)施方案中用作陽極)的那種襯底.此外，和裝料室一起的有氣體排放系統(tǒng)500a，其中該排放系統(tǒng)500a的構(gòu)成包括第1閥門51、渦輪分子泵52、第2閥門53、第3閥門54和千式泵55.此外，在本實(shí)施方案中，各處理室包括門鎖定裝料室、定線室、沉積室、密封室和卸料室.作為其內(nèi)部所采用的材料，如經(jīng)電拋光后具有鏡面的鋁或不銹鋼(SUS)材料。這些材料被用于各相應(yīng)處理室內(nèi)壁的平面上，由于通過減小內(nèi)壁表面的面積因而具有降低諸如氧和水的吸收的能力，另外，由像經(jīng)過了處理具有的毛孔極小的陶瓷或其他材料被用作室內(nèi)部材料.注意，這些材料具有中央平均粗糙度小于或等于30埃的表面光滑度為.雖然笫1閥門51是一種帶門閥的主閥門，但是有時(shí)也采用具有傳導(dǎo)閥門功能的蝶形閥.笫2閥門和第3閥門是前置閥門.首先，由第2閥門53打開的干式泵55將裝料室501進(jìn)行大致減壓，然后用第1閥門51和笫3閥門54打開的渦輪分子泵52將裝料室501減壓至高真空度.注意，可以用機(jī)械泵取代渦輪分子泵；作為選擇，在用機(jī)械增壓泵增真空度后，可以使用渦輪分子泵.隨后是由參考號(hào)502代表的定線室.此處，金屬掩蔽板的對(duì)準(zhǔn)和襯底在該金屬掩蔽板上襯底的定位是為下面將要向它傳送襯底的沉積室的沉積準(zhǔn)備的.將它稱為定線室A502.另外，可以在此處的對(duì)準(zhǔn)方法中采用在圖4A至困4W中說明的方法.除此之外，定線室A502包括氣體排放室500b，它被門關(guān)閉并且與裝料室501屏蔽，門未示出，而且，定線室A502裝備有清洗預(yù)備室513a,用于通過諸如卵3或CP4或其他氣體的分離在預(yù)備室內(nèi)產(chǎn)生自由基，然后將這種自由基導(dǎo)入定線室A502，因此能對(duì)定線室A502加以清洗.注意，金屬掩蔽板提前提供到定線室A502內(nèi)，可以將使用的金屬掩蔽板清洗.下一步，編號(hào)503代表用于用真空蒸發(fā)方法制造第l有機(jī)化合物的沉積室，此后將它稱之為沉積室A503.沉積室A503包括排放室503C.此外，它是被門關(guān)閉的和與定線室A502相屏蔽，門未示出.用與定線室A502相類似的方法，沉積室A503裝備有清洗預(yù)備室513b.注意，通過將由NF3，CF4或其他反應(yīng)氣體分離產(chǎn)生的自由基導(dǎo)入沉積室A503,可以清洗沉積室A503的內(nèi)部，在本實(shí)施方案中，具有如圖2A所示結(jié)構(gòu)的沉積室是以制造發(fā)射紅光的笫1有機(jī)化合物層的沉積室A503提供的。此外，作為蒸發(fā)源提供的是裝備有空穴注入能力的有機(jī)化合物的笫1蒸發(fā)源，裝備有空穴輸運(yùn)能力的有機(jī)化合物的笫2蒸發(fā)源，裝備有空穴輸運(yùn)能力用作有發(fā)光能力的有機(jī)化合物宿主的有機(jī)化合物的第3蒸發(fā)源，裝備有發(fā)光能力的有機(jī)化合物的笫4蒸發(fā)源，裝備有阻擋能力的有機(jī)化合物的第5蒸發(fā)源，和裝備有電子輸運(yùn)能力的有機(jī)化合物的第6蒸發(fā)源.也要注意，在這種實(shí)施方案中，將銅菲咯啉(以下簡寫為"Cu-Pc")用作具有空穴注入能力的有機(jī)化合物提供在笫1蒸發(fā)源內(nèi)；將4，4，-雙[n-(1-萘基)-N-苯基-氨基]-聯(lián)二苯基(以下簡寫為"a-NPD")用作具有空穴輸運(yùn)能力的有機(jī)化合物提供在第2蒸發(fā)源內(nèi)；將4，4，，-二咔唑-二苯基("CBP")用作成為宿主的有機(jī)化合物提供在第3蒸發(fā)源內(nèi)；將2，3,7，8，12,13，17，18-八乙基-21H，23H-紫菜堿一鍋金("PtOEP")用作具有發(fā)光能力的有機(jī)化合物提供在第4蒸發(fā)源內(nèi)；將浴銅靈("BCP")用作具有阻擋能力的有機(jī)化合物提供在第5蒸發(fā)源內(nèi)；和將3(8-quinolinolat)鋁("Alq3)用作具有電子輸運(yùn)能力的有機(jī)化合物提供在第6蒸發(fā)源內(nèi).注意，通過真空蒸發(fā)有序地將有機(jī)化合物沉積，可以在陽極上形成包括有著空穴注入能力功能、空穴輸運(yùn)能力功能、發(fā)光能力功能、和電子輸運(yùn)能力功能的區(qū)的有機(jī)化合物層.還要注意，在本實(shí)施方案中，通過同時(shí)真空蒸發(fā)組成兩功能區(qū)的有機(jī)化合物可以在不同的功能區(qū)之間的界面形成混合區(qū).簡言之，分別在空穴注入?yún)^(qū)同空穴輸運(yùn)區(qū)之間的界面和空穴輸運(yùn)區(qū)和包括發(fā)光區(qū)的電子輸運(yùn)區(qū)之間的界面形成混合區(qū).實(shí)際上，在通過Cu-Pc沉積至15nm厚形成第1功能區(qū)之后，Cu-Pc和a-NPD都由真空蒸發(fā)同時(shí)沉積，因而形成具有薄膜厚度5至lOnm的第l混合區(qū).因此，將a-NPD薄膜制造成厚度40nm以形成第2功能區(qū)，隨后通過a-NPD和CPB的同時(shí)真空蒸發(fā)形成厚度5至10nm的笫2混合區(qū).之后，制造厚度25至40nm的CBP薄膜，因此形成第3功能區(qū)。在形成笫3功能區(qū)時(shí)，CBP和PtOBP被固時(shí)沉積，因而在第3功能區(qū)的整體或部分處形成第3混合區(qū).注意，第3混合區(qū)具有發(fā)光能力.而且，CBP和BCP都是通過同時(shí)真空蒸發(fā)沉積至薄膜厚度5至10nm，因此形成笫4混合區(qū)，此外，將BCP薄膜制成8nm厚度，因而形成笫4功能區(qū).而且，BCP和Alq3都是通過同時(shí)真空蒸發(fā)沉積至薄膜厚度5至10nm,孜使形成第5混合區(qū)，最后，形成厚度至:25nm的Alq3的薄膜，因此能形成第5功能區(qū).用上面工藝步驟，因而形成第l化合物層，應(yīng)當(dāng)看到，在上面有關(guān)第l有機(jī)化合物層的說明中，分別在6個(gè)蒸發(fā)源內(nèi)提供了功能互不相同的6種有機(jī)化合物，然后用真空蒸發(fā)這些有機(jī)化合物而形成有機(jī)化合物層.但是不應(yīng)當(dāng)將本發(fā)明限制到僅為上面的6種化合物，而是可以使用許多種有機(jī)化合物.此外，也不應(yīng)當(dāng)將在單蒸發(fā)源內(nèi)提供的有機(jī)化合物限制到只是單一的一種，也可以是多種.例如，除了在蒸發(fā)源內(nèi)提供單一種類的材料作為有發(fā)光能力的有機(jī)化合物之外，可以一起提供用作摻雜質(zhì)的另一種有機(jī)化合物.注意，笫l有機(jī)化合物層有著多種功能，而現(xiàn)有已知的材料可以用作構(gòu)成發(fā)射紅光的有機(jī)化合物層的這些有機(jī)化合物.注意到，可以這樣設(shè)計(jì)蒸發(fā)源，使之用微計(jì)算機(jī)來控制它的沉積速度.此外，用這種裝置，最好是控制對(duì)同時(shí)制造多種有機(jī)化合物層的混合比.下一步，參考號(hào)506所代表的是定線室.此處，金屬掩蔽板的對(duì)準(zhǔn)和襯底在該金屬掩蔽板上的定位是為下面將要向它傳送襯底的沉積室的沉積準(zhǔn)備的，將它稱做定線室B506.另外，在困4A至4E中說明的方法可以在此處的對(duì)準(zhǔn)方法中采用.除此之外，定線室B506包括氣體排放系統(tǒng)500d.并且被未示出的門關(guān)閉和與沉積室A503相屏蔽.它進(jìn)一步包括清洗預(yù)備室513C,該預(yù)備室用同定線室A502相類似的方式被未示出的門關(guān)閉且和定線室B506相屏蔽.下面，507代表用真空蒸發(fā)制造笫2有機(jī)化合物層的沉積室，將它稱為沉積室B507.該沉積室B507裝備有排放系統(tǒng)500e,此外，它由未示出的門關(guān)閉且和定線室B506相屏蔽.而且，它包括清洗預(yù)備室513d,該預(yù)備室514d由未示出的門，以類似于沉積室A503的方式關(guān)閉且和沉積室B507相屏蔽.在這種實(shí)施方案中，具有如圖2A所示結(jié)構(gòu)的沉積室是以制造發(fā)射綠光的笫2有機(jī)化合物層的沉積室B507提供的.此外，作為蒸發(fā)源提供的是裝備有空穴注入能力的有機(jī)化合物的笫1蒸發(fā)源，每個(gè)都裝備有空穴輸運(yùn)能力的有機(jī)化合物的第2蒸發(fā)源和第3蒸發(fā)源，裝備有空穴輸運(yùn)能力的宿主材料的笫4蒸發(fā)源，裝備有發(fā)光能力的有機(jī)化合物的笫5蒸發(fā)源，裝備有阻擋能力的有機(jī)化合物的第6蒸發(fā)源，如裝備有電子輸運(yùn)能力的有機(jī)化合物的笫7蒸發(fā)源.注意到，在這種實(shí)施方案中，將Cu-Pc用作具有空穴注入能力的有機(jī)化合物提供在第l蒸發(fā)源內(nèi)，將MTDATA用作具有空穴輸運(yùn)能力的有機(jī)化合物提供在笫2蒸發(fā)源內(nèi)，將a-NPD用作具有空穴輸運(yùn)能力的有機(jī)化合物提供在笫3蒸發(fā)源內(nèi)，將CBP當(dāng)作具有空輸運(yùn)能力的箱主材料提供在第4蒸發(fā)源內(nèi)，將3(2-苯基吡啶)銥(Ir(卯y)3)作為具有發(fā)光能力的有機(jī)化合物提供在第5蒸發(fā)源內(nèi)，將BCP用作具有阻擋能力的有機(jī)化合物提供在笫6蒸發(fā)源內(nèi)，并且將Alq3用作具有電子輸運(yùn)能力的有機(jī)化合物提供在笫7蒸發(fā)源內(nèi).注意到，可以用這些有機(jī)化合物的相繼的真空蒸發(fā)在陽極上形成第2有機(jī)化合物層，它包括具有空穴輸運(yùn)能力，發(fā)光能力，阻擋能力和電子輸運(yùn)能力的功能區(qū).同時(shí)注意到，在這種實(shí)施方案中，通過形成兩功能區(qū)的有機(jī)化合物的同時(shí)真空蒸發(fā)，在不同功能區(qū)的界面形成混合區(qū).更為特別地，分別在空穴輸運(yùn)區(qū)和阻擋區(qū)之間的界面及阻擋區(qū)和電子輸運(yùn)區(qū)之間的界面形成混合區(qū).實(shí)際上，在通過Cu-Pc沉積至10nm厚形成第1功能區(qū)之后，Cu-Pc和MTDATA都由真空蒸發(fā)同時(shí)沉積，因而形成具有薄膜厚度5至lOnm的第1混合區(qū).因此，制造厚至20nm的MTDATA的薄膜因則形成第2功能區(qū)，隨后通過MTDATA和a-NDD的同時(shí)真空蒸發(fā)形成厚度5至lOnm的第2混合區(qū).之后，制造厚度10nm的ot-NPD薄膜，因此形成笫3功能區(qū).然后，用a-NPD和CBP的同時(shí)真空蒸發(fā)，形成厚度5至10nm的第3混合區(qū).隨后，制造厚度20至40nm的CBP薄膜因而形成第4功能區(qū).在形成第4功能區(qū)的步碟時(shí)，通過同時(shí)真空蒸發(fā)將(Ir(PPYh)沉積到部分或整個(gè)第4功能區(qū)，因此形成第4混合區(qū)，然后，通過真空蒸發(fā)同時(shí)沉積的CBP和BCP形成厚度5至10nm的混合區(qū)；下一步，沉積10nm厚的BCP薄膜因此形成第5功能區(qū)；再一下步，用真空蒸發(fā)同時(shí)沉積BCP和Alq3形成薄膜厚度5至10nm的第6混合區(qū)；最后，形成厚度40nm的Alq3薄膜，因此形成第6功能區(qū)，于是形成第2有機(jī)化合物層.注意到，在以上的說明中，有機(jī)化合物層是通過相繼真空蒸發(fā)來自7種蒸發(fā)源形成的，這7種蒸發(fā)源裝中自有著作為笫2有機(jī)化合物層的不同功能的有機(jī)化合物.不應(yīng)當(dāng)將本發(fā)明限制到上述7種蒸發(fā)源，而是可以改進(jìn)直到有多種蒸發(fā)源為止.此外，現(xiàn)有熟悉的材料可以用作具有多種功能用于形成發(fā)射綠光的有機(jī)化合物層的有機(jī)化合物.接著，由參考號(hào)508代表的是定線室.此處，金屬掩蔽板的對(duì)準(zhǔn)和襯底在該金屬掩蔽板上的定位是為下面將要向它傳送氏的沉積室的沉積進(jìn)行的.將它稱做定線室C508.除此之外，在圖4A至4E說明的方法可以在此處的對(duì)準(zhǔn)方法中采用.另外，定線室C508包括氣體排放系統(tǒng)500f并且被未示出的門關(guān)閉和與沉積室B507相屏蔽.它還包括清洗預(yù)備室513e，該預(yù)備室用同定線室A502相類似的方式關(guān)閉且和定線室C508相屏蔽.接著，509代表用真空蒸發(fā)制造第2有機(jī)化合物層的沉積室，將它稱為沉積室C509.該沉積室C509裝備有氣體排放系統(tǒng)509g,此外，它由未示出的門關(guān)閉且和定線室C508相屏蔽.而且，它包括清洗預(yù)備室513f,該預(yù)備室513f由圖中未示出的門，以類似于定線室A503的方式關(guān)閉且和沉積室C509相屏蔽.在這種實(shí)施方案中，具有如困2A所示結(jié)構(gòu)的沉積室是以制造發(fā)射藍(lán)光的笫3有機(jī)化合物層的沉積室C509提供的.此外，作為蒸發(fā)源提供的是裝備有空穴注入能力的有機(jī)化合物的笫1蒸發(fā)源，裝備有發(fā)光能力的有機(jī)化合物的笫2蒸發(fā)源，裝備有阻擋能力的第3蒸發(fā)源，裝電子輸運(yùn)能力的有機(jī)化合物的笫4蒸發(fā)源.注意到，在這種實(shí)施方案中，將Cu-Pc用作具有空穴注入能力的有機(jī)化合物提供在第1蒸發(fā)源內(nèi)；將a—NPD用作具有發(fā)光能力的有機(jī)化合物提供在第2蒸發(fā)源內(nèi)；將BCP用作具有阻擋能力的有機(jī)化合物提供在第3蒸發(fā)源內(nèi)；和將Alq3用作具有電子輸運(yùn)能力的有機(jī)化合物提供在笫4蒸發(fā)源內(nèi).注意到，可以通過對(duì)這些有機(jī)化合物的相繼的真空蒸發(fā)在陽極上形成第3有機(jī)化合物層，它包括有著空穴注入能力，發(fā)光能力，阻擋能力和電子輸運(yùn)能力的功能區(qū).還注意到，在這種實(shí)施方案中，通過形成兩功能區(qū)的有機(jī)化合物的同時(shí)真空蒸發(fā)，在不同功能區(qū)的界面形成混合區(qū).更為特別地，分別在發(fā)光區(qū)和阻擋區(qū)之間的界面以及阻擋區(qū)和電子輸運(yùn)區(qū)之間的界面形成混合區(qū)，實(shí)際上，在通過Cu-Pc沉積至20nm厚度形成第1功能區(qū)之后，Cu-Pc和a-NPD都由真空蒸發(fā)同時(shí)沉積，因而開人有薄膜厚度5至10nm的第l混合區(qū).因此，制造厚至40nm的a-NPD薄膜因而形成第2功能區(qū)，隨后通過a—NPD和BCP的同時(shí)真空蒸發(fā)形成厚度5至1Onm的第2混合區(qū).之后，制造厚度10nm的BCP薄膜，因此形成笫3功能區(qū).用BCP和Alq3的同時(shí)真空蒸發(fā)，形成厚度從5至10nm的笫3混合區(qū)；最后，形成厚度40nm的Alq3薄膜，于是形成第3有機(jī)化合物層.注意到，在上面的說明中，有機(jī)化合物層是通過相繼真空蒸發(fā)來自第4蒸發(fā)源，分別有著作為笫3有機(jī)化合物層的不同功能的4種有機(jī)化合物形成的.不應(yīng)當(dāng)將本發(fā)明限制到僅上述的情況，而是可加以改進(jìn)直到有多種蒸發(fā)源為止.而且，也不要把在單個(gè)蒸發(fā)源中提供的有機(jī)化合物限制到一種，可以是多種.例如，作了在蒸發(fā)源內(nèi)提供單一種類的材料作為有發(fā)光能力的有機(jī)化合物之外，可以一起提供當(dāng)作摻雜質(zhì)的另一種有機(jī)化合物.注意，現(xiàn)有熟悉的材料可以用作有著多種功能，用于形成發(fā)射藍(lán)光的有機(jī)化合物層的有機(jī)化合物.除此之外，已經(jīng)對(duì)一種特殊的情況做了說明，在這種情況中，在笫2沉積室菜成發(fā)射緣光的有機(jī)化合層和在笫3沉積室C509內(nèi)形成發(fā)射藍(lán)光的有機(jī)化合物層的同時(shí)，在第l沉積室內(nèi)形成發(fā)射紅光的有機(jī)化合物層.但是，不應(yīng)當(dāng)將形成這些層的順序限制到上面那種情況.發(fā)射紅，綠和藍(lán)光的有機(jī)化合物層之一可以分別在沉積室A503,沉積室B507和沉積室C509之一內(nèi)形成.而另一方面，可以提供賴外的沉積室用于形成在其中發(fā)射白光的有機(jī)化合物層.其次，參考號(hào)510代表用于通過真空蒸發(fā)形成是發(fā)光元件的陽極或陰極的導(dǎo)電膜(在本實(shí)施方案中用作陰極的金屬膜)的沉積室，將它稱為沉積室D510.沉積室D510包括排放系統(tǒng)500h，此外，它由圖中未示出的門關(guān)閉且和沉積室C509相屏蔽.它還包括被密封且由圖中未示出的門以類似于沉積室A503的方式與沉積室D510相屏蔽的清洗預(yù)備室513g.在本實(shí)施方案中，具有圖2A中所示結(jié)構(gòu)的沉積室是作為沉積室D510提供的.相應(yīng)地，關(guān)于沉積室D510的詳細(xì)工作原理，參見對(duì)圖2A的說明.在這種實(shí)施方案中，在沉積室D510內(nèi)，AL-Li合金薄膜(由鋁和鋰合金制成的薄膜)是作為用作發(fā)光元件的陰極而沉積的.因此，也可以采用鋁和屬于元素周期表I族或II族的一種元素的共真空蒸發(fā)，作為選擇，可以在此處提供CVD室，用于形成作為發(fā)光元件保護(hù)膜(鈍化膜)的絕緣膜，如氮化硅膜，氧化硅膜，和DLC膜或其他膜.注意，在提供這種CVD膜的情形下，最好提供氣體純化機(jī)用于預(yù)先增加用在這種CVD室中的材料氣體的純度，下面，參考號(hào)511代表密封室，它包括排放系統(tǒng)SOOi.此外，它通過圖中未示出的門關(guān)閉且和沉積室D510相屏蔽。在密封室511內(nèi)，進(jìn)行的工藝是最后將發(fā)光元件封裝在一密封空間內(nèi).這種工藝是處理工藝，用于保護(hù)所形成的發(fā)光元件不受氧和水的影響，同時(shí)借助于復(fù)蓋材料采用機(jī)械方法將它封裝，或者用另一種方法，通過熱固化樹脂或紫外線固化樹脂材料將它封裝.盡管使用的復(fù)蓋材料可以是玻璃，陶瓷，塑料或金屬，但是這種復(fù)蓋材料在光朝復(fù)蓋材料一側(cè)發(fā)射的地方必須有著良好的光學(xué)透明性.此外，復(fù)蓋材料和具有在其上面形成的上迷的發(fā)光元件的襯底，通過使用的熱固化樹脂或紫外線固化樹脂或其他的密封材料被粘在一起，因而通過熱處理或紫外線照射處理使樹脂固化形成氣密密封空間.在這種密封空間內(nèi)，提供可吸濕材料，典型的實(shí)例是氧化鋇，也是有效的.也可以用熱固化樹脂或紫外線固化樹脂填充復(fù)蓋材料同在其上面具有發(fā)光元件的襯底之間的空間.在這種情形下，將吸濕汽材料，典型的如氧化鋇，加到熱固化樹脂或紫外線固化樹脂中也是有效的.在圖5中所示的沉積裝置中，提供了紫外光照射到密封室511的裝置(以下稱為"紫外光照射裝置")，它的安排是這樣，從該紫外光照射裝置發(fā)出的紫外光用來將紫外線固化樹脂硬化.最后，參考號(hào)512代表卸料室，它包括排放系統(tǒng)500j.在其上面形成了發(fā)光元件的襯底由此取出.再者，在本實(shí)施方案中指明的沉積裝置可以裝備能取代如圖6A和圖6B所示的有機(jī)化合物的功能，在圖6A和6B中，沉積室601包括襯底602,而用于形成襯底上有機(jī)化合物層的有機(jī)化合物是在蒸發(fā)源603中提供的，注意，在這里蒸發(fā)源603是在和沉積室601分開的材料交換室604內(nèi)提供的，沉積室601具有在此通過門605提供的襯底，因此，在這種實(shí)施方案中，通過將門605關(guān)門，材料交換室604和沉積室601隔離，經(jīng)由排放系統(tǒng)606通過將材料交換室604的內(nèi)部回到大氣壓，可以添加或交換在材料交換室604的蒸發(fā)源內(nèi)供給的有機(jī)化合物，然后如圖6A所示，將有機(jī)化合物取出，在完成有機(jī)化合物的添加或交換之后，材料交換室604再回到如圖6B所示的它的初始狀態(tài)，然后用排氣系統(tǒng)606將材料交換室604的內(nèi)部置定到真空狀態(tài)，在它已經(jīng)達(dá)到同沉積室內(nèi)部相同的壓力狀態(tài)后，打開門605.因此，就可以進(jìn)行從蒸發(fā)源603到襯底602的真空蒸發(fā).注意，材料交換室604裝備有加熱器，用于加熱被交換的材料，將材料預(yù)熱使之移去諸如水或類似雜質(zhì)成為可能.希望在這時(shí)加上的溫度等于或小于2001C,如上面討論的那樣，通過利用如圖5(或圖6A和困6B)所示的沉積裝置，在發(fā)光元件被完全封裝在密封空間內(nèi)之前，避免發(fā)光元件暴露給外界的空氣.因此，可以制造高可靠性的發(fā)光器件.[實(shí)施方案2]參照?qǐng)D7A和7B，對(duì)本發(fā)明的一種沉積裝置給以說明.在困7A和7B中，參考號(hào)701代表傳送室，其中該傳送室701包括完成襯底703輸運(yùn)的傳送裝置A702.傳送室701設(shè)定在減壓氣氛之中，用一個(gè)門和每個(gè)處理室連接.借助于傳送裝置A702，在門打開時(shí)將襯底輸運(yùn)到每個(gè)處理室.此外，盡管可以采用諸如干式泵，機(jī)械增壓泵，渦輪分子泵(磁浮型)或低溫泵給傳送室701減壓，但為了得到較高純度的高真空狀態(tài)，最好采用磁浮形的渦輪分子泵.下面將對(duì)每個(gè)處理室給以說明.注意，傳送室701置定在減壓氣氛，所以所有直接連接到傳送室701的處理室裝備有真空泵(未示出).盡管可以采用干式泵，機(jī)械增壓泵，渦輪分子泵(磁浮型)或低溫泵作為真空泵，但是在這種情況下，最好還是采用磁浮型渦輪分子泵.首先，參考號(hào)704代表用于完成村底置定(安裝)的運(yùn)進(jìn)室.運(yùn)進(jìn)室704通過門700a和傳送室701連接，在此安裝具有裝在其上面的襯底703的栽體(未示出).此外，該運(yùn)進(jìn)室704也可以承擔(dān)作為向密封室傳送已經(jīng)實(shí)現(xiàn)元件形成的襯底的雙重任務(wù).并且，運(yùn)進(jìn)室704也可以有分隔的空間用于襯底的運(yùn)進(jìn)和襯底的運(yùn)出.注意，運(yùn)進(jìn)室704包括上面所描述的真空泵和用于導(dǎo)入高純氮化氣體或惰性氣體的清洗線.此外，此處所使用的填空泵最好是渦輪分子泵.而且，這種清洗線裝備有氣體凈化機(jī)用于提前去除那種被導(dǎo)入該裝置的氣體的雜質(zhì)(氣和水).注意到，在這種實(shí)施方案中，在它上面形成用作發(fā)光元件陽極的透明導(dǎo)電薄膜的村底作為襯底703.在這種實(shí)施方案中，襯底703被置定在具有沉積表面方向朝下的栽體內(nèi).這是為了在后來用真空蒸發(fā)方法完成沉積時(shí)實(shí)施面朝下方案(也以"向上沉積"方案著稱)所設(shè).面朝下方案當(dāng)然是指在讓襯底的沉積表面朝下的同時(shí)實(shí)行沉積的一種方案.采用這種方案，可以抑制諸如塵埃的沾污粒子的附著，下一步，由號(hào)705代表的是定線室，它用于金屬掩蔽板的對(duì)準(zhǔn)和用于將金屬掩蔽板和具有在它上面形成的發(fā)光元件的陽極或兩極的襯底之間的位置匹配，其中定線室705通過門706和傳送室701連接.注意，將金屬掩蔽板對(duì)準(zhǔn)以及襯底和金屬掩蔽板的定位相結(jié)合的工藝是在定線室內(nèi)進(jìn)行的，每當(dāng)形成不同的有機(jī)化合物層時(shí)進(jìn)行一次.此外，定線室705包括稱為圖像傳感器的電荷輛合器件(CCD),因此利用金屬掩蔽板有以準(zhǔn)確地完成村底和沉積中的有關(guān)金屬掩蔽板的位置對(duì)準(zhǔn)，注意，對(duì)于金屬掩蔽板的對(duì)準(zhǔn)，可以使用困4A室4E中討論的方法.而且，清洗預(yù)備室722a連接到定線室705.該清洗預(yù)備室722a的一種布局如閨7B中所示.首先，該清洗預(yù)備室722a具有g(shù)-波振蕩器731用于發(fā)生/1波，其中在此發(fā)生的m波經(jīng)波導(dǎo)管732向等離子放電管733發(fā)送.注意，從此處使用的M波振蕩器731輻射出大約2.45GHz的M波.此外，從氣體入口管734將反應(yīng)氣體供給等離子放電管733.除此之外，此處將NF3用作反應(yīng)氣體，盡管也可以將諸如CR和CIF3的其他氣體用作反應(yīng)氣體.同時(shí)，在等離子放電管733內(nèi)，用p波將反應(yīng)氣體分離，使之產(chǎn)生自由基.將這些自由基引導(dǎo)通過氣體入口管734導(dǎo)向經(jīng)由門(未示出)連接的定線室705.此外，等離子放電管733以裝備反射板735用于有效地補(bǔ)充M波.并且，該定線室705包括有附著在其上面的有機(jī)化合物層的金屬掩蔽板.打開在清洗預(yù)備室722a和定線室705之間提供的門(未示出)，因而能將自由基導(dǎo)入定線室705內(nèi).這樣就可以實(shí)施對(duì)金屬掩蔽板的清洗.因?yàn)槭褂肕波等離子，就可以高效地實(shí)現(xiàn)反應(yīng)氣體的自由基化，而諸如副產(chǎn)品或類似物的雜質(zhì)的產(chǎn)生率是低的.此外，因?yàn)槠錂C(jī)制與標(biāo)準(zhǔn)自由基產(chǎn)生的機(jī)制不同，最終的自由基將不再加速，并且自由基不是在沉積室內(nèi)部產(chǎn)生的，這就可以防止由于存在等離子，在沉積室內(nèi)出現(xiàn)的損壞和金屬掩蔽板的損壞.應(yīng)當(dāng)注意，采用該方法清洗定線室的技術(shù)是本發(fā)明的優(yōu)選方法之一.所以不應(yīng)該將本發(fā)明限制到僅此一種方法.相應(yīng)地，也可以通過將反應(yīng)氣體導(dǎo)入沉積室因而在沉積室內(nèi)產(chǎn)生等離子體實(shí)現(xiàn)干法清洗，也可以通過將Ar氣體或基他氣體導(dǎo)入，用濺射方法實(shí)現(xiàn)物理清洗.其次，號(hào)706代表用于通過真空蒸發(fā)方法沉積有機(jī)化合物的沉積室，此后將稱為沉積室A706,沉積室A706經(jīng)由門700C與傳送室701連接.在這種實(shí)施方案中，提供具有圖2A所示結(jié)構(gòu)的沉積室作為沉積室A706.采用這種實(shí)施方案，在沉積室A706內(nèi)沉積單元707形成能夠發(fā)射紅光的第l有機(jī)化合物層.有多種蒸發(fā)源提供給沉積室A706，實(shí)際上，提供的蒸發(fā)源有包括具有空穴注入能力的有機(jī)化合物的笫1蒸發(fā)源，包括具有空穴輸運(yùn)能力的有機(jī)化合物的第2蒸發(fā)源，包括具有發(fā)光能力的有機(jī)化合物的第3蒸發(fā)源，和包括具有電子輸運(yùn)能力的有機(jī)化合物的笫4蒸發(fā)源-注意，通過對(duì)這些有機(jī)化合物連續(xù)真空蒸發(fā)的逐次其空蒸發(fā)可以在陽極上方形成有機(jī)化合物層，它包括有著空穴注入能力，空穴榆運(yùn)能力，發(fā)光能力和電子輸運(yùn)能力的功能的區(qū).此外，在這種實(shí)施方案中，通過同時(shí)真空蒸發(fā)形成兩功能區(qū)的有機(jī)化合物，在不同功能區(qū)之間的界面形成混合區(qū).更為特別地，分別在空穴注入?yún)^(qū)和空穴輸運(yùn)區(qū)之間的界面，在空穴輸運(yùn)區(qū)和發(fā)光區(qū)之間的界面，在發(fā)光區(qū)和電子輸運(yùn)區(qū)之間的界面形成幾個(gè)混合區(qū).注意，在上面的說明中，有機(jī)化合物層是通過對(duì)4個(gè)蒸發(fā)源逐次真空蒸發(fā)形成的，這4個(gè)真空蒸發(fā)源提供分別有著不同功能用作第l有機(jī)化合物層的4種有機(jī)化合物.不應(yīng)當(dāng)將本發(fā)明限到僅上面這種情況，而是可以加以修改直至多個(gè)蒸發(fā)源為止.同樣也不要把在單個(gè)蒸發(fā)源中提供的有機(jī)化合物限制到僅有一種，可以是多種，例如，除了在一個(gè)蒸發(fā)源內(nèi)提供單一種類材料用作有發(fā)光能力的有機(jī)化合物之外，可以一起提供作為摻雜質(zhì)的另一種有機(jī)化合物.此外，雖然在必要時(shí)可以將已知的材料組合隨意使用，但如實(shí)施方案1中所示的那些具有多種功能并形成發(fā)射紅光的有機(jī)化合物層的有機(jī)化合物是可以采納的，還要注意，沉積室A706經(jīng)由門700g連接到材料交換室714.再要注意的是，材料交換室714裝備有用于加熱被交換的有機(jī)化合物的加熱器.將這些有機(jī)化合物預(yù)熱可以除去諸如水或者相應(yīng)的雜質(zhì).希望在此加上的溫度為200TC或低于200TC.此外，因?yàn)椴牧辖粨Q室714裝備有能將材料室的內(nèi)部設(shè)定在減壓狀態(tài)的真空泵，因此在加熱處理之后通過有機(jī)化合物的添加或同外界的交換使材料室內(nèi)部設(shè)定在這種真空壓力狀態(tài).而且，當(dāng)交換室內(nèi)的壓力狀態(tài)同沉積室內(nèi)的壓力狀態(tài)相同時(shí)，打開門700g，因而能夠?qū)⒂袡C(jī)化合物提供給沉積室內(nèi)的蒸發(fā)源，另外，借助于傳送裝置，在沉積室內(nèi)蒸發(fā)源處供給這種有機(jī)化合物.另外，有關(guān)沉積室A706內(nèi)的沉積過程，參見對(duì)圖2A的說明.注意，清洗預(yù)備室722b，以與定線室705相類似的方式，經(jīng)由門(未示出)同沉積室A706連接.此外，它的實(shí)際裝置同清洗預(yù)備室722a的裝置相似，因此可以通過將在清洗室722b內(nèi)發(fā)生的自由基導(dǎo)入沉積室A706以除去在內(nèi)部附著到沉積室A706的有機(jī)化合物和類似物.下面號(hào)708代表用于用真空蒸發(fā)方法沉積第2有機(jī)化合物層的沉積室，此后將它稱為沉積室B708.沉積室B708通過門700d連接到傳送室701.在這種實(shí)施方案中，提供具有如困2A所示結(jié)構(gòu)的沉積室作為沉積室B708.采用這種實(shí)施方案，在沉積室B708內(nèi)的沉積單元709形成能夠發(fā)射綠光的笫2有機(jī)化合物層.沉積室B708裝備有多種蒸發(fā)源，實(shí)際上，裝備的蒸發(fā)源有包括具有空穴輸運(yùn)能力的有機(jī)化合物的笫1蒸發(fā)源，包括具有發(fā)光能力的有機(jī)化合物的笫2蒸發(fā)源，包括具有阻擋能力的有機(jī)化合物的第3蒸發(fā)源和包括具有電子輸運(yùn)能力的有機(jī)化合物的第4蒸發(fā)源.注意，通過對(duì)這些有機(jī)化合物的連續(xù)真空蒸發(fā)可以在陽極上形成基本上由具有空穴輸運(yùn)能力，發(fā)光能力，阻擋能力和電子輸運(yùn)能力功能的區(qū)的有機(jī)化合物層.此外，在這種實(shí)施方案中，通過同時(shí)真空蒸發(fā)形成這兩種功能區(qū)的有機(jī)化合物，在不同功能區(qū)之間的界面形成混合區(qū).更準(zhǔn)確地說，分別在空穴輸運(yùn)區(qū)和發(fā)光區(qū)之間的界面，在發(fā)光區(qū)和阻擋區(qū)之間的界面，在阻擋區(qū)和電子區(qū)之間的界面形成同個(gè)混合物.注意到，在上面的說明中，有機(jī)化合物層是通過對(duì)4種蒸發(fā)源逐次真空蒸發(fā)形成的，這4個(gè)蒸發(fā)源提供分別有著不同功能用作第2有機(jī)化合物層的4種有機(jī)化合物.不應(yīng)當(dāng)將本發(fā)明限制到僅上面的情況，而是可以加以修改直至許多蒸發(fā)源為止.同時(shí)也不要把在單個(gè)蒸發(fā)源中提供的有機(jī)化合物限制到僅此一種，可以是多種.例如，除了在一個(gè)蒸發(fā)源內(nèi)提供單一種類材料作為有發(fā)光能力的有機(jī)化合物之外，可以一起提供用作摻雜質(zhì)的另一種有機(jī)化合物.此外，雖然必要時(shí)可以將已知的材料組合隨意使用，但像實(shí)施方案1中所示的那些具有多種功能并形成發(fā)射綠光的有機(jī)化合物是可以采納的.還要注意，沉積室B708經(jīng)由門700h連接到材料交換室715.還要注意的是，材料交換室715裝備有用于加熱被交換的有機(jī)化合物的加熱器.將這些有機(jī)化合物預(yù)熱可以除去諸如水或相應(yīng)的雜質(zhì)，希望在此加上的溫度為2001C或低于200TC.此外，因?yàn)椴牧辖粨Q室715有真空泵，所以從外面導(dǎo)入有機(jī)化合物之后，可以用真空泵將材料室內(nèi)部設(shè)定在減壓狀態(tài).因此，當(dāng)它的壓力同沉積室內(nèi)的壓力相同時(shí)，將H700h打開，因而能夠使有機(jī)化合物供給沉積室內(nèi)的蒸發(fā)源.此外，借助于傳送裝置，在沉積裝置內(nèi)蒸發(fā)源處供給這種有機(jī)化合物.除此之外，關(guān)于沉積室B708內(nèi)的沉積過程，參見對(duì)固2A的說明.注意清洗預(yù)備室7"C，以與定線室705相類似的方式，經(jīng)由門(未示出)連接到沉積室B708.此外，它的實(shí)際裝置同清洗預(yù)備室722a的裝置相似，可以通過將在清洗預(yù)備室722C中發(fā)生的自由基導(dǎo)入沉積室B708以除去在內(nèi)部附著到沉積室B708的有機(jī)化合物和類似物.下面，號(hào)716代表用于用真空蒸發(fā)方法沉積笫3有機(jī)化合物層的沉積室，此后將將稱為沉積室C710.沉積室C710通過門700e連接到傳送室701.在這種實(shí)施方案中，提供具有如圖2A所示結(jié)構(gòu)的沉積室C710.采用這種實(shí)施方案，在沉積室C710的沉積單元711形成能夠發(fā)射藍(lán)光的笫3有機(jī)化合物層.沉積室C710有多種蒸發(fā)源，實(shí)際上，裝備的蒸發(fā)源有包括具有空穴注入能力的有機(jī)化合物的第l蒸發(fā)源，包括具有發(fā)光能力的有機(jī)化合物的笫2蒸發(fā)源，包括具有阻擋能力的有機(jī)化合物的第3蒸發(fā)源，和包括具有電子輸運(yùn)能力的有機(jī)化合物的第4蒸發(fā)源.注意，通過對(duì)這些有機(jī)化合物的連續(xù)真空蒸發(fā)可以在陽極上形成基本上由具有空穴輸運(yùn)能力，發(fā)光能力，阻擋能力和電子輸運(yùn)能力功能的區(qū)的有機(jī)化合物層.此外，在這種實(shí)施方案中，通過同時(shí)真空蒸發(fā)形成這兩種功能區(qū)的有機(jī)化合物，在不同功能區(qū)之間的界面形成混合物.更準(zhǔn)確地說，分別在空穴注入?yún)^(qū)和發(fā)光區(qū)之間的界面，在發(fā)光區(qū)和阻擋區(qū)之間的界面，和在阻擋區(qū)和電子輸運(yùn)區(qū)之間的界面形成幾個(gè)混合區(qū).注意到，在上面的說明中，有機(jī)化合物層是通過對(duì)4種蒸發(fā)源逐次真空蒸發(fā)形成的，這4個(gè)蒸發(fā)源提供分別有著不同功能用作第3有機(jī)化合物層的4種有機(jī)化合物，不應(yīng)當(dāng)將本發(fā)明限制到僅上面的情況，而是可以加以修改直到許多蒸發(fā)源為止.同時(shí)也不要把在單個(gè)蒸發(fā)源中提供的有機(jī)化合物限制到僅此一種，可以是多種.例如，除了在一個(gè)蒸發(fā)源內(nèi)提供單一種類材料作為有光能力的有機(jī)化合物之外，可以一起提供用作摻雜質(zhì)的另一種有機(jī)化合物.此外，雖然必要時(shí)可以將已知的材料組合隨意使用，但像實(shí)施方案l中所提示的那些具有多種功能并形成發(fā)射藍(lán)光的有機(jī)化合物層的有機(jī)化合物是可以采納的，還要注意，沉積室C710經(jīng)門700i的連接到材料交換室716,同時(shí)注意到，材料交換室715裝備有用于加熱被交換的有機(jī)化合物的加熱器.將這些有機(jī)化合物預(yù)熱可以除去諸如水或相應(yīng)的的雜質(zhì).希望在此加上的溫度為200TC或低于2001C.此外，因?yàn)椴牧辖粨Q室716裝備有真空泵，所以從外面導(dǎo)入有機(jī)化合物之后，可以用真空泵將材料室內(nèi)部設(shè)定在減壓狀態(tài).因此，當(dāng)它的壓力同沉積室內(nèi)的壓力相同時(shí)，將門700i打開，因而能夠使用有機(jī)化合物供給沉積室內(nèi)的蒸發(fā)源.此外，借助于傳送裝置，在沉積裝置內(nèi)蒸發(fā)源處供給這種有機(jī)化合物.除此之外，關(guān)于沉積室C710內(nèi)的沉積過程，參見對(duì)困2A的i兌明.注意，清洗預(yù)備室722d，以與定線室705相類似的方式，經(jīng)由門(未示出)連接到沉積室C710.此外，它的實(shí)際裝置同清洗預(yù)備室722a的裝置相似，因此可以通過將清洗預(yù)備室722d中發(fā)生的自由基導(dǎo)入沉積室C710除去內(nèi)部附著到沉積室C710的有機(jī)化合物和類似物.以下，號(hào)712代表用真空蒸發(fā)方法加工用作發(fā)光元件陽極或陰極的導(dǎo)電薄膜(在這種實(shí)施方案中，用作陰極的金屬薄膜)的沉積室，此后將稱為沉積室D712,該沉積室D712通過門700f連接到傳送室701.在這種實(shí)施方案中，在沉積室D712的內(nèi)的沉積單元713，形成用作發(fā)光元件陰極的導(dǎo)電薄膜的Al-Li合金膜(鋁和鋰的合金膜).也可以同時(shí)完成鋁和屬于元素周期表的I族或II族的元素的共真空蒸發(fā).術(shù)語其真空蒸發(fā)是指一種真空蒸發(fā)方法，在沉積工藝中它將蒸發(fā)源同時(shí)加熱并且把不同的材料被混合在一起.同時(shí)還注意到，沉積室D712經(jīng)由門700j和材料交換室717連接，并注意到，材料交換室717裝備有用加熱被交換的有機(jī)化合物的加熱器.將這些有機(jī)化合物預(yù)熱可以除去諸如水或類似物。希望在此加上的溫度為2001C或低于200"C,此外，因?yàn)榻粨Q室717裝備有真空泵，所以從外面導(dǎo)入有機(jī)化合物之后，可以用真空泵將材料室內(nèi)部設(shè)定在減壓狀態(tài).因此，當(dāng)它的壓力同沉積室內(nèi)的壓力相同時(shí)，將門700j打開，因而能使導(dǎo)電材料供給沉積室內(nèi)的蒸發(fā)源.注意清洗預(yù)備室722e，以與定線室705相類似的方式，經(jīng)由門(未示出)與沉積室D712相連.此外，它的實(shí)際裝置同清洗預(yù)備室722a的裝置相似，因此可以通過將在清洗預(yù)室722e中發(fā)生的自由基導(dǎo)入沉積室D712以除去內(nèi)部附著到沉積室D712的導(dǎo)電物和類似物.此外，沉積室A706，沉積室B708，沉積室C710和沉積室D712的相應(yīng)的一個(gè)包括有加熱每個(gè)沉積室內(nèi)部的裝置.因此可以除去該沉積室內(nèi)的部分雜質(zhì).而且注意到，雖然可以采用干式泵，增壓泵，渦輪分子泵(磁浮型)或低溫泵作為提供在這些沉積室內(nèi)的真空泵，但在本實(shí)施方案中希望采用低溫泵和干式泵.此外，沉積室A706，沉積室B708,沉積室C710和沉積室D712都用真空泵減壓.此時(shí)希望最后達(dá)到的真空度大于或等于10fiPa.例如，利用抽空率為10,000L/S(H20)的低溫泵，當(dāng)沉積室是由鋁制成而沉積室內(nèi)部表面面積為10m'時(shí)，沉積室內(nèi)20小時(shí)的泄露量必須小于或等于4.lxio—7PaW'S—'.為了獲得這一真空度，用電拋光技術(shù)實(shí)現(xiàn)沉積室內(nèi)部的表面面積的最小化是一種有效之舉.以下，號(hào)718表示密封室(也被稱之為封裝室或"手套箱")，它經(jīng)由門700K和運(yùn)進(jìn)室704連接.在密封室718內(nèi)，完成最后將發(fā)光元件封裝在密封空間的處理.這種處理用于保護(hù)已形成的發(fā)光元件不受氧和水的浸飪，它采用用復(fù)蓋材料機(jī)械封裝或者用熱可凝樹脂或者用熱可凝樹脂或紫外線可凝樹脂材料封裝的方法.盡管使用的復(fù)蓋材料可以是玻璃，陶瓷，塑料或金屬，但是在光朝復(fù)蓋材料一側(cè)發(fā)射的情況形下，復(fù)蓋材料必須具有光學(xué)透明性.此外，復(fù)蓋材料和上面所述的發(fā)光元件在其上面形成的襯底用諸如熱可凝樹脂或紫外線可凝樹脂或其他材料粘合在一起，因此通過熱處理或紫外線照射處理使樹脂硬化形成氣密空間.在這種密封空間內(nèi)提供吸濕材料，典型的實(shí)例是氧化鋇，也是有效之舉.也可以用熱固化樹脂或紫外線固化樹脂填充復(fù)蓋材料和具有在其上面形成的發(fā)光元件的襯底之間的空隙，在這種情形下，吸濕材料，典型的如氣化鋇，添加到熱固化樹脂或紫外線固化樹脂中是有用的.在圖7A所示的沉積裝置中，提供紫外光照射密封室718內(nèi)部的裝置(以下稱為"紫外光照射裝置")，它的安排是這樣，使之從這種紫外光照射裝置719發(fā)射出來的紫外光用來硬化紫外線固化樹脂.附屬的真空泵可以降低密封室718內(nèi)的壓力.在用機(jī)器人操作機(jī)械完成上面的密封工藝的情形下，因?yàn)槭窃跍p壓氣氛下，可以通過完成這種工藝來防止氧和水的混合物.實(shí)際上，希望使這種氧和水的濃度低于或等于0.3ppm.此外，也可以使密封室718的內(nèi)部反向加壓.在這種情形下，密封室718用高純加壓的氮化氣體或惰性氣體清洗，因而防止來自外面的氣或類似的侵蝕.接著，傳遞室(通過箱)720連接到密封室718.該傳遞室720裝備有傳送裝置B721，用于向傳遞室720傳送在密封室718內(nèi)完成發(fā)光元件密封的襯底.用附屬它的真空泵也可以將傳遞室720設(shè)定在減壓狀態(tài).該傳遞室720是防止密封室718直接暴露于外面大氣的設(shè)施，襯底就是從這里運(yùn)走的.作為選擇，也可以提供一元件供應(yīng)室(未示出)，用于供給用在密封室內(nèi)的元件.必須注意，雖然在該實(shí)施方案的圖中并未示出，在形成發(fā)光元件之后可以在發(fā)光元件上形成絕緣膜，這種絕緣膜具有包括諸如氮化硅或氧硅的硅的化學(xué)化合物的分層和在化學(xué)化合物上包含碳的類金剛石碳(DLC)膜的分層.此外，術(shù)語類金剛石(DLC)膜指的是一種具有鉆石鍵(s^鍵)和石墨鍵(s^鍵)混合體的非晶膜.注意，在這種情形下，可以提供包括借助于加上自偏壓發(fā)生等離子體，然后通過等離子放電的物質(zhì)氣體的分離形成薄膜的化學(xué)氣相沉積(CVD)的裝置的沉積室.注意，在包括有這種化學(xué)氣相沉積(CVD)裝置的沉積室內(nèi)，可以使用氣氣(02)，氬氣(H2)，甲烷(CH4)，氨(NH3)和硅烷(SiH4).還注意到，作為CVD裝置，有一種可采用的形式具有帶13.56MHz射頻電源的平行平板型電極.而且，可以提供一種沉積室，用于完成用濺射方法(也叫做濺射器方法)的沉積，這是由于在發(fā)光元件陰極上形成有機(jī)化合物層之后形成陽極的情形下，用濺射沉積是有效的.換言之，在像素電極為陰極的情形下它是有效的.此外，這種沉積室的內(nèi)部在沉積期間設(shè)定為向氬氣加氧氣的氣氛，因而在被制造的薄膜內(nèi)氧氣的濃度受到控制使之能夠形成有著高光學(xué)透明度的低阻薄膜.還要注意，希望該沉積室以與其他沉積室相似的方式用門同傳送室相屏蔽.也要注意，在用于濺射的沉積室內(nèi)，可以提供一種能加以搮作以控制這種被沉積的襯底的溫度的裝置，此外，希望被沉積的襯底保持在從20至150TC的溫度范圍.而且，雖然可以采用干式泵，機(jī)械增壓泵，渦輪分子泵(磁浮型)或低溫泵作為真空泵提供在沉積室內(nèi)，但在這種實(shí)施方案中，最好使用渦輪分子泵(磁浮型)和干式泵.從上討論顯而易見，使用圖7A和7B所示的沉積裝置，可以避免在發(fā)光元件被完全封裝在氣密密封空間之前發(fā)光元件暴露于外界空氣，因而可以成功地制造高可靠性的發(fā)光器件.[實(shí)施方案3]參照困8A和8B，將對(duì)本實(shí)施方案中的一種沉積裝置加以說明，這種沉積裝置在村底傳送方法和結(jié)構(gòu)方面同在實(shí)施方案1中已經(jīng)指明的聯(lián)機(jī)型沉積裝置不同.在圖8A和8B中，裝進(jìn)運(yùn)進(jìn)室800的村底804朝徑門(未示出)與之連接的第1定線單元801輸運(yùn).注意，村底804用圖4A至4E中所討論的方法對(duì)準(zhǔn)，然后同金屬掩蔽板803—起固定到支架802.襯底804和支架802—起被傳送到第1沉積單元805.注意，笫1定線單元801和第1沉積單元805不用門連在一起并有著相同的空間.因此，在這種實(shí)施方案中，提供軌道812作為能在第1定線單元801和第l沉積單元805之間自由運(yùn)動(dòng)的裝置，在支架802沿該軌道運(yùn)動(dòng)的同時(shí)，進(jìn)行每種處理.此外，在對(duì)準(zhǔn)和沉積期間的處理位置由支架802擁有的控制裝置控制.在笫1沉積單元805內(nèi)，通過真空蒸發(fā)，沉積來自分別用有機(jī)化合物供給的多個(gè)蒸發(fā)源的不同有機(jī)化合物而形成第1有機(jī)化合物層.注意，這種運(yùn)動(dòng)裝置同樣用在向第2定線單元807和第2沉積單元808傳送的情況，這兩個(gè)單元用于以類似于上面所討論的方式制造第2有機(jī)化合物層.而且，在形成第3有機(jī)化合物的情形下，同樣也有向笫3定線單元809和笫3沉積單元810的類似傳送.如上面討論的那樣，在本實(shí)施方案中，在同一空間可以形成三種不同類型的有機(jī)化合物層.笫3沉積單元由門(未示出)連接到卸料室"1,因此能將已完成沉積的襯底卸下.注意到，本實(shí)施方案中，在定線單元和沉積單元內(nèi)的處理方法同實(shí)施方案1中定線室和沉積室內(nèi)的方法相似。注意到，在這種實(shí)施方案中，在定線單元和沉積單元之間提供隔墻使之可以防止有機(jī)化合物在沉積期間離開蒸發(fā)源向沉積單元的外的位置彌散.在這種實(shí)施方案中，同樣可以提供清洗預(yù)備室813用于清洗每個(gè)沉積室內(nèi)部和金屬掩蔽板.多種有機(jī)化合物的形成是通過利用上面陳述的沉積裝置和形成期間不同有機(jī)化合物層的運(yùn)動(dòng)在同一空間實(shí)現(xiàn)的，因此使之可以縮短完成該處理所花費(fèi)的時(shí)間.注意，盡管在這種實(shí)施方案中所指示的沉積裝置內(nèi)，通過在沉積室內(nèi)的連續(xù)真空蒸工藝可以在具有發(fā)光元件的陽極或陰極的襯底上形成有多種功能的三種有機(jī)化合物層.但是可以加以修改使之進(jìn)一步提供制造導(dǎo)電膜的沉積室用于能連續(xù)形成這種發(fā)光元件的陰極和陽極，此外，在形成陰極的情形下，導(dǎo)電膜可以是Al—Li合金膜(鋁和鋰的合金膜)，或者，作為選擇，也可以是同時(shí)用鋁和屬于元件周期表i-族或n-族的元素的共真空蒸發(fā)得到的膜，在形成陽極的情形下，可以使用氣化銦，氧化錫，氧化鋅，或它們的合金(如IT0).除上面所述之外，也可以提供用于完成對(duì)所制造的發(fā)光元件的密封的處理室.[實(shí)施方案4]在本實(shí)施方案中，將對(duì)使用本發(fā)明的沉積裝置制造的發(fā)光器件給以說明，圖9是有源基型-發(fā)光器件的剖視圖，注意，雖然采用薄膜晶體管(以下稱為"TFS")作為有源元件，但它們被MOS型晶體管所取代.此外，雖然將把頂柵型TFTs(實(shí)際上為平面型TFTs)當(dāng)作TFTs的實(shí)例，但作為選擇，也可采用底柵型TFTs(典型地，倒相交錯(cuò)型TFTs).在圖9中，號(hào)901代表襯底，此處它允許可見光線透過.實(shí)際上，可使用玻璃村底，石英襯底，晶化玻璃襯底或塑料襯底(包括塑料膜)，注意，襯底901包括在它表面上提供的絕緣膜.在襯底901上提供像素區(qū)段911和驅(qū)動(dòng)電路912.下面先說明像素區(qū)段911,像素區(qū)段911是執(zhí)行圖像顯示的一個(gè)區(qū)。在襯底上有許多像素存在，每個(gè)像素裝備有TFT，用于控制在發(fā)光元素內(nèi)(以下稱為電流控制TFT)，像素電極(陽極)903內(nèi)，有機(jī)化合物層904內(nèi)和陰極905內(nèi)流過的電流.此外，號(hào)913代表用于控制加到電流控制TFT(以下稱為開關(guān)TFT)槺極的電壓的TFT.此外，電流控制TFT902最好是P-溝道型TFT.雖然，作為選擇，也可以是n-溝道型TFT,但是在電流控制TFT連接到如圖9所示的發(fā)光元件陽極的情況下使用P-溝道TFT可以抑制電功率的消耗.但是，注意，開關(guān)TFT既可以是n-溝道型TFT，也可以是P-溝道型TFT.注意到，電流控制TFT的漏極在電氣上與像素電極903相連.在本實(shí)施方案中，因?yàn)橄袼仉姌O903被用作一種具有功函數(shù)在4.5至5.5eV范圍內(nèi)的導(dǎo)電材料，該像素電極903當(dāng)作發(fā)光元件的陽極工作.像素電極903，典型地，可以由氧化銦，氧化錫，氧化鋅，或它們的化合物(如ITO)制成.在像素電極903上提供有機(jī)化合物層904.而且，在有機(jī)化合物層904上提供陰極905.希望用功函數(shù)范閨從2.5至3.5eV的導(dǎo)電材料制做陰極905.典型地，陰極905是由包括堿性金屬元素或堿稀土金屬元素的導(dǎo)電膜，包括鋁的導(dǎo)電膜，和鋁或銀在上面導(dǎo)電膜上分層的膜制成.此外，包括像素電極903,有機(jī)化合物層904和陰極905的發(fā)光元件用保護(hù)膜906覆蓋.提供該保護(hù)膜906用于保護(hù)發(fā)光元素914免于氣和水的侵蝕.保護(hù)膜906用諸如氮化硅，氧氮化硅，氧化鋁，氧化鈦或碳(典型地，金剛石狀碳)的材料制成.下面將對(duì)驅(qū)動(dòng)電路912加以說明.驅(qū)動(dòng)電路912是控制送往像素區(qū)段911的信號(hào)(柵極信號(hào)和數(shù)據(jù)信號(hào))的定時(shí)的區(qū)，它裝備有移位寄存器，緩沖器，閂鎖，模擬開關(guān)(傳送門)，或水平移相器.圖9中，示出了由n-溝道TFT907和P-溝道TFT908組成的用作這些電路基本單元的CMOS電路?？梢杂檬煜さ姆绞皆O(shè)計(jì)移位寄存器，援沖器，閂鎖，模擬開關(guān)(傳送門)或水平移相器的電路結(jié)構(gòu).此外，雖然在圖9中像素區(qū)段911和驅(qū)動(dòng)電路912是在同一襯底上提供的，但也可以將IC和LSI電氣連接而不提供驅(qū)動(dòng)電路.此外，雖然在圖9中像素電極(陽極)903在電氣上連接到電流控制TFT902，但可以將它修改成陰極連接到電流控制TFT的結(jié)構(gòu).在這種情形下，可以用同陰極905相同的材料制做像素電極903，而用同像素電極903(陽極)相似的材料制做陰極.在這種情形下，最好是讓電流控制TFT成為n-溝道TFT.還要注意，在這種實(shí)施方案中，提供一種具有基本上由繞線線路909和隔離部分910組成的屋檐的形狀(以下稱為屋檐結(jié)構(gòu)).這種圖9所示的由繞線線路909和隔離部分910組成的屋檐結(jié)構(gòu)可以用一種方法制造，這種方法具有將組成繞線線路909的金屬和形成隔離部分909的材料(例如金屬氮化物)分層的工藝步驟，這種屋檐結(jié)構(gòu)具有比金屬低的蝕刻率，因此蝕刻相同.利用這種形狀，可以防止像素電極903和繞線線路909對(duì)陰極905的電氣短路.另外，在這種實(shí)施方案中，跟標(biāo)準(zhǔn)的有源基型發(fā)光器件不一樣，像素上的陰極905變成條形(類似于無源基的陰極的那種方式).此處，圖9的有源基型發(fā)光器件的外觀示于困IOA和10B.注意，俯視圖示于圖10A,而沿圖10A的A-A'線的剖視圖示于圖10B.除此之外，此處也使用圖9中使用的參考號(hào)，用虛線表明的號(hào)1001代表源極側(cè)的驅(qū)動(dòng)電路；1002代表像素區(qū)段；1003代表柵極一側(cè)的驅(qū)動(dòng)電路，此外，1004指示覆蓋材料，而1005是密封材料，其中空間1007提供在由密封材料1005包圍的內(nèi)部部分.此外，號(hào)1008代表將作為輸入的信號(hào)傳送給源極側(cè)驅(qū)動(dòng)電路1001和槺極側(cè)驅(qū)動(dòng)電路1003的布線線路，它從柔性印刷電路(FPC)1009接收視頻信號(hào)和時(shí)鐘信號(hào)用作內(nèi)部輸入終端.注意，雖然此中FPC是預(yù)先安排的，但卻在這一FPC上附帶了一塊印刷的布線板(PWB).屬于本專利應(yīng)用的發(fā)光器件包括IC一安裝的發(fā)光模塊以及具有附著到發(fā)光板上的IPC或PWB的發(fā)光模塊.參照?qǐng)DIOB，下面將對(duì)剖面結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明.像素區(qū)段1002和柵極側(cè)驅(qū)動(dòng)電路1003是在襯底的上部分形成的，其中像素區(qū)段1002由多個(gè)像素組成，每個(gè)像素包括有電流控制TFT902和電路上與電流控制TFT909漏極連接的像素電極903.此外，柵極一側(cè)的驅(qū)動(dòng)電路1003是利用CMOS結(jié)構(gòu)n-溝道TFT907和P-溝道TFT908形成的.像素電極903作為發(fā)光元件的陽極工作。此外，在像素電極903的另一端形成內(nèi)層絕緣膜1006,并在像素電極903上形成有機(jī)化合物層904和發(fā)光元件的陰極905.陰極905同時(shí)當(dāng)作多個(gè)像素的公共布線線路，并在電路上經(jīng)連接引線1008和FPC1009連接.而且，包括在像素區(qū)段1002中的所有像素和柵極一側(cè)的驅(qū)動(dòng)電路1003均用保護(hù)膜906覆蓋.注意，覆蓋材料1004是用密封材料1005粘結(jié)的.此外，可以提供由樹脂膜構(gòu)成的隔片以便在覆蓋材料1004和發(fā)光元件之間保持一定距離.密封材料1005的內(nèi)部成為密封空間，其中充滿氮或氳或其他的惰性氣體.作為選擇，在這一密封空間內(nèi)提供像氧化鉬這類吸濕材料也是一種有效之舉.注意，盡管玻璃，陶瓷，塑料或金屬可用作覆蓋材料，但是在輻射的光朝向覆蓋材料一側(cè)的情況下它必須是光學(xué)透明的.此外，光纖玻璃強(qiáng)化塑料(FRP)，聚氟乙烯(PVF)，聚醋薄膜，聚酯可以用作塑料材料.利用覆蓋材料1004和密封材料1005將村底上形成的發(fā)光元件914密封，可以使它同外界完成屏蔽并且防止由于諸如水和氣的氧化而加速有機(jī)化合物退化的材料的侵蝕.因此可以獲得高可靠性的發(fā)光器件，參照?qǐng)D15將對(duì)結(jié)構(gòu)上與上面在圖9中所討論的不同的另一種發(fā)光器件給以說明，在像素區(qū)段1511內(nèi)的開關(guān)TFT1513和電流控制TFT1503的布局以及驅(qū)動(dòng)電路1512中的P-溝道型TFT1508和n-溝道型TF和1507的布局同困9中的布局相似.但形成包括陽極1503,有機(jī)化合物層1504以及陰極1505的發(fā)光元件1514的方法與圖9中所示的方法不同.雖然在圖9中使用真空蒸發(fā)方法形成發(fā)光元件，但在圖15所示的這種實(shí)施方案中，采用將離子化的有機(jī)化合物真空蒸發(fā)的方法(離子一噴鍍法)形成一種結(jié)構(gòu).注意，這種結(jié)構(gòu)是所希望的，因?yàn)樗哂性试S被發(fā)射的光反射的能力.此外，用包含硅的絕緣膜形成的保護(hù)膜1506將發(fā)光元件1514涂層.注意，能夠利用在實(shí)施方案1至3中所說明的沉積裝置沉積這種發(fā)光器件.[實(shí)施方案5〗參照?qǐng)D11，將對(duì)用本發(fā)明的沉積裝置制造的無源型(簡單相型)的發(fā)光器件給以說明.在圖11中，號(hào)1101代表玻璃襯底，而1102代表在透明導(dǎo)電膜上形成的陽極.在這種實(shí)施方案中，用真空蒸發(fā)形成包括氧化銦和氣化鋅的化學(xué)化合物作為透明導(dǎo)電膜.注意，雖然在圖11中并未示出，但在平行于抽動(dòng)紙頁表面的方向上排放了多個(gè)陽極.此外，形成陰極隔墻(1103a，1103b),所以這些隔墻使陽極1102交叉排放成條狀.在與抽頁表面垂直的方向上形成陰極隔墻(1103a，1103b)。下一步，形成有機(jī)化合物層1104,在此形成的這種有機(jī)化合物層1104最好具有用多種有機(jī)化合物相結(jié)合而形成的多個(gè)功能區(qū)，其中每種化合物具有空穴注入能力，空穴輸運(yùn)能力，發(fā)光能力，阻擋能力，電子輸運(yùn)能力或電子注入能力.注意，在這種實(shí)施方案中，在鄰近的功能區(qū)之間也形成混合區(qū)，此外，利用前面所陳述的實(shí)施方案中所指示的方法形成這種混合區(qū).還要注意，這些有機(jī)化合物層1104是沿著由陰極隔墻(1103a,1103b)所規(guī)定的凹槽形成的，因而在與抽紙的表面的垂直方向排列成條狀.此外，以這種方式，多個(gè)陰極1105排列成條狀，這些陰極同具有對(duì)抽頁表面垂直的方向的陽極1102相交叉而成為它的縱向.除此之外，在這種實(shí)施方案中，陰極1105是由MgAg制做和用真空蒸發(fā)制造的.另外，雖然此處未加特別說明，但陰極1105的設(shè)計(jì)是這樣，使得布線線路延伸到FPC附著的部分，因此能夠加上給定的電壓.而且，在形成陰極1105之后，提供氮化硅膜作為保護(hù)膜1106.通過上述工藝過程，在襯底1101上形成發(fā)光元件1111.注意，在這種實(shí)施方案中，有著光學(xué)透明性的陽極1102是下側(cè)的電極，所以在有機(jī)化合物層產(chǎn)生的光向下側(cè)表面發(fā)射(村底1101側(cè)面).但是，也可以將發(fā)光元件1111的結(jié)構(gòu)反過來，因而使下側(cè)的電極是具有光學(xué)透明性的陰極.在這種情況下，在有機(jī)化合物層1104產(chǎn)生的光向上表面發(fā)射(和襯底1101相對(duì)的一側(cè)).下一步，準(zhǔn)備用作覆蓋材料1107的陶瓷襯底，采用本實(shí)施方案的結(jié)構(gòu)，雖然由于它的卓越的光屏蔽性能，可以使用陶瓷襯底，但顯然，在用前述的方法將發(fā)光元件1111反轉(zhuǎn)的情況下，可以使用由塑料或玻璃制成的襯底，這是由于覆蓋材料1107在光透明性方面更為優(yōu)良.然后，用紫外線固化樹脂制成的密封材料1109將備好的覆蓋材料1107粘結(jié).注意，密封材料1109的內(nèi)部1108成為氣密封閉空間，它被諸如氮或氬的惰性氣體填充.作為選擇，在這種密封空穴1108內(nèi)提供諸如氧化鉬的吸濕材料也是有效之策.最后，將各向異性的導(dǎo)電膜(FPC)加上，因而完成無源型發(fā)光器件.應(yīng)當(dāng)注意，在本實(shí)施方案中所表明的發(fā)光器件是使用在實(shí)施方案1至3中所表明的沉積裝置中的任何一種制造的.[實(shí)施方案6使用發(fā)光元件的自發(fā)光的發(fā)光器件，同液晶顯示器件相比，有著更好的亮空間能見度和更廣闊的視角.因此，利用本發(fā)明的發(fā)光器件可以完成多種電設(shè)備.作為采用按本發(fā)明制造的發(fā)光器件的電設(shè)備的實(shí)例是攝像機(jī)，數(shù)字相機(jī)，眼鏡型顯示(頭帶顯示)，導(dǎo)航系統(tǒng)，音響播放裝置(如汽車音響和音響組件)，筆記本計(jì)算機(jī)，游戲機(jī)，可攜式信息終端(如可攜式計(jì)算機(jī)，蜂窩電話，小型游戲機(jī)和電子書)以及裝備記錄介質(zhì)的影像播放設(shè)備(特別是具有可在諸如數(shù)字視盤(DVD)的記錄介質(zhì)中產(chǎn)生數(shù)據(jù)的顯示器件的設(shè)備).對(duì)于可攜式信息終端，廣視角是特別重要的，因?yàn)樗鼈兊钠猎诒挥^看時(shí)是傾斜的.因此，對(duì)可攜式信息終端來說，最好采用使用發(fā)光元件的發(fā)光器件.困12A至12H示出了這些電設(shè)備的特殊實(shí)例.圖12A示出一種顯示器，它由蓋2001，支撐座2002，顯示部件2003,揚(yáng)聲器部件2004，視頻輸入終端2005等構(gòu)成.可以將按照本發(fā)明制造發(fā)光器件加到顯示部件2003.因?yàn)榫哂邪l(fā)光元件的發(fā)光器件是自發(fā)光的，因此這種器件不需要背襯光并可以制成比液晶顯示器件更薄的顯示.這種顯示器件指所有用于顯示信息的器件，包括對(duì)個(gè)人計(jì)算機(jī)，TV廣播接收，和廣告顯示信息的顯示器件.圖12B示出數(shù)字照相機(jī)，它由主體2101，顯示部件2102,圖像接收部件2103，操作鍵2104，外接口2105,快門2106等構(gòu)成。可以將按照本發(fā)明制造的發(fā)光器件加到顯示部件2102.圖12C示出個(gè)人筆記本電腦，它由主體2201，框2202,顯示部件2203，鍵盤2204，外接口2205，定點(diǎn)鼠標(biāo)2206等構(gòu)成.可以將按照本發(fā)明制造的發(fā)光器件加到顯示部件2203.圖12D示出可攜式計(jì)算機(jī)，它由主體2301,顯示部件2302,開關(guān)2304,操作鍵2305，紅外接口2306等構(gòu)成.可以將按照本發(fā)明制造的發(fā)光器件加到顯示部件2302.圖12E示出裝備有記錄介質(zhì)的可攜式圖像播放設(shè)備(特別是DVD播放機(jī)).該設(shè)備由主體2401，蓋2402，顯示部件A2403,顯示部件B2404，記錄介質(zhì)(DVD或諸如此類)讀部件2405，操作鍵2406,揚(yáng)聲器單元2407等構(gòu)成.顯示部件A2403主要顯示圖像信息，而顯示部件B2404主要顯示文字信息.可以將按照本發(fā)明制造的發(fā)光器件加到顯示部件A2403和B2404.裝備有記錄介質(zhì)的影像播放設(shè)備也包括家庭一視頻游戲機(jī).圖12F示出眼鏡型顯示(頭帶顯示)，它由主體2501，顯示部件2502，和臂單元2503構(gòu)成.可以將根據(jù)本發(fā)明制造的發(fā)光器件加到顯示部件2502.圖12G示出攝像機(jī)，它由主體2601,顯示部件2602,和蓋2603，外接口2604，遙控接收部件2605，圖像接收單元2606,電池2607，音頻輸入部件2608,目鏡2610等構(gòu)成.可以將根據(jù)本發(fā)明制造的發(fā)光器件加到顯示部件2602.圖12H示出蜂窩電話，它由主體2701，蓋2702,顯示部件2703,音頻輸入部件2704,音頻輸出部件2705，操作鍵2706，外接口2707，天線2708等構(gòu)成.可以將按照本發(fā)明制造的發(fā)光器件加到顯示部件2703.假如顯示部件2703在黑色背景上顯示白色字體，則該蜂窩電話消耗功率較低.如果在未來從有機(jī)材料發(fā)出的光進(jìn)一步提高，則借助于放大包含通過透鏡或諸如此類的輸出的影像信息并將光投影可以將發(fā)光器件用作前或后投影儀。這些電設(shè)備現(xiàn)在用增大的頻率顯示通過諸如國際互聯(lián)網(wǎng)和CATV(電纜電視)送出的信息，尤其是動(dòng)畫信息。因?yàn)橛袡C(jī)材料具有非常快的響應(yīng)速度，所以這種發(fā)光器件適合于動(dòng)畫顯示.在這種發(fā)光器件內(nèi)，發(fā)光區(qū)消耗功率，因?yàn)樽詈檬怯靡筝^少發(fā)光區(qū)的方式顯示信息，當(dāng)在可攜式信息終端的顯示部件內(nèi)，特別是在主要顯示文字信息的蜂窩電話和音響播放設(shè)備中使用這種發(fā)光器件時(shí)，最好這樣驅(qū)動(dòng)這種器件使之沒有發(fā)光區(qū)形成背景，而發(fā)光區(qū)形成文字信息.如上面討論的那樣，利用本發(fā)明的沉積裝置所制造的發(fā)光器件的應(yīng)用范圍是如此之寬，以致于它可應(yīng)用到任何領(lǐng)域的電設(shè)備。這種電設(shè)備可以采用在實(shí)施方案4或5所示的任何發(fā)光器件作為它們的顯示部件，而在實(shí)施方案4或5中所示的發(fā)光器件正是由在實(shí)施方案1至3中所示的沉積裝置制造的.[實(shí)施方案7]在這種實(shí)施方案中，討論由本發(fā)明的沉積裝置形成的發(fā)光器件的像素區(qū)段結(jié)構(gòu)，圖16A所示是像素區(qū)段1911的頂表面圖的一部分.在像素區(qū)段1911內(nèi)形成多個(gè)像素1912a至1912c.該頂表面困示出被形成的絕緣層1902以覆蓋在一個(gè)像素內(nèi)形成的像素電極的邊緣部分的狀態(tài).因此，形成的絕緣層1902以夜蓋源線1913，掃描線1914和電流源線1915.該絕緣層1902也將區(qū)1903褒蓋，在區(qū)1903的底部像素電極和TFT之間形成連接區(qū).此外，圖16B示出沿圖16A中所示的像素區(qū)段的A-A'虛線的剖視圖和在像素電極1901上形成有機(jī)化合物層1905a至1905c的狀態(tài).而且，在與抽頁垂直的方向上形成由相同材料構(gòu)成的有機(jī)化合物層，而在與紙面的水平方向上形成由不同材料構(gòu)成的有機(jī)化合物層.例如，在像素(R)1912a內(nèi)形成發(fā)射紅光的有機(jī)化合物層(R)1905a，在像素(G)1912b內(nèi)形成發(fā)射綠光的有機(jī)化合物層(G)1905b，而在像素(B)1912c內(nèi)形成發(fā)射藍(lán)光的有機(jī)化合物層(B)1905c.在有機(jī)化合物層形成時(shí)，絕緣層1902變成邊界.假如，即使是該有機(jī)化合物層的沉積位置有所位移，但仍在該絕緣膜1902上，就不會(huì)有問題，而由不同材料構(gòu)成的有機(jī)化合物層就會(huì)逐個(gè)地出現(xiàn)在如圖16B所示的絕緣膜上.此外，圖16C示出沿圖16A中像素區(qū)段1911的虛線B-B'的剖視圖和在同圖16B相同的像素電極1901上形成有機(jī)化合物層1905的狀態(tài).取自沿虛線B-B'的像素具有如圖16C所示的結(jié)構(gòu)，因?yàn)樵谏厦嫣岬降南袼貎?nèi)形成同像素U)1912a—樣的發(fā)射紅光的有機(jī)化合物層(R)1905a.因此，在像素區(qū)段1911內(nèi)形成發(fā)射紅光的有機(jī)化合物層U)1905a，發(fā)射綠光的有機(jī)化合物層(G)1905b和發(fā)射藍(lán)光的有機(jī)化合物層(B)1905c.從而可以實(shí)現(xiàn)全色的發(fā)光器件.就如上面已經(jīng)描述的那樣，使用本發(fā)明的沉積裝置制造發(fā)光元件的有機(jī)化合物層，可以連續(xù)形成每層具有多個(gè)功能區(qū)的有機(jī)化合物層，反過來，它又能排除雜質(zhì)在這種功能區(qū)的鄰近區(qū)的界面上的污染.而且，也可以在功能區(qū)之間形成基本上由形成相應(yīng)功能區(qū)的有機(jī)化合物組成的混合區(qū)，由此能使功能區(qū)界面處有機(jī)層之間的能量壁壘減小.它反過來又可以改善有機(jī)層之間的栽流子注入能力，因而能夠形成可降低驅(qū)動(dòng)電壓，同時(shí)又提供較長壽命的有機(jī)化合物層.權(quán)利要求1.能夠?qū)⒂袡C(jī)化合物沉積在襯底上的裝置，該裝置包括沉積室；和布置在所述沉積室中的多個(gè)蒸發(fā)源；該多個(gè)蒸發(fā)源中的每一個(gè)都包括材料室和快門；其中所述沉積室被布置成使得在沉積有機(jī)化合物期間襯底的位置在多個(gè)蒸發(fā)源上方進(jìn)行變化。2.根據(jù)權(quán)利要求l的裝置，其中該沉積室還包括防止附著的屏蔽,所述防止附著的屏蔽被布置成防止有機(jī)化合物附著到沉積室的內(nèi)壁.3.根據(jù)權(quán)利要求l的裝置，其中該沉積室還包括防止附著的屏蔽，所述防止附著的屏蔽被布置成防止有機(jī)化合物附著到沉積室的內(nèi)壁，并且其中所述防止附著的屏蔽包括加熱器，該加熱器能夠?qū)λ龇乐垢街钠帘芜M(jìn)行加熱以使得附著在所述防止附著的屏蔽上的有機(jī)化合物蒸發(fā).4.根據(jù)權(quán)利要求1的裝置，其中所述多個(gè)蒸發(fā)源被布置成使得有機(jī)化合物同時(shí)蒸發(fā).5.根據(jù)權(quán)利要求1的裝置，該裝置還包括與所述沉積室相連的定線室，其中所述定線室被布置成將金屬掩蔽板的位置相對(duì)于襯底進(jìn)行匹配調(diào)整.6.能夠?qū)⒂袡C(jī)化合物沉積在襯底上的裝置，該裝置包括沉積室；布置在所述沉積室中的多個(gè)蒸發(fā)源；該多個(gè)蒸發(fā)源中的每一個(gè)都包括材料室和快門；和與所述沉積室相連的清洗預(yù)備室；其中所述沉積室被布置成使得在沉積有機(jī)化合物期間襯底的位置在多個(gè)蒸發(fā)源上方進(jìn)行變化，其中所述清洗預(yù)備室被布置成產(chǎn)生自由基并用該自由基對(duì)金屬掩蔽板進(jìn)行清洗，7.根據(jù)權(quán)利要求6的裝置，其中該沉積室還包括防止附著的屏蔽，所述防止附著的屏蔽被布置成防止有機(jī)化合物附著到沉積室的內(nèi)壁.8.根據(jù)權(quán)利要求6的裝置，其中該沉積室還包括防止附著的屏蔽，所述防止附著的屏蔽被布置成防止有機(jī)化合物附著到沉積室的內(nèi)壁，并且其中所述防止附著的屏蔽包括加熱器，該加熱器能夠?qū)λ龇乐垢街钠帘芜M(jìn)行加熱以使得附著在所述防止附著的屏蔽上的有機(jī)化合物蒸發(fā).9.根據(jù)權(quán)利要求6的裝置，其中所述多個(gè)蒸發(fā)源被布置成使得有機(jī)化合物同時(shí)蒸發(fā).10.根據(jù)權(quán)利要求6的裝置，該裝置還包括與所述沉積室相連的定線室，其中所述定線室被布置成將金屬掩蔽板的位置相對(duì)于襯底進(jìn)行匹配調(diào)整.11.根據(jù)權(quán)利要求6的裝置，該裝置還包括與所述沉積室相連的定線室，其中所述定線室被布置成將金屬掩蔽板的位置相對(duì)于襯底進(jìn)行匹配調(diào)整，并且其中所述清洗預(yù)備室還被布置成把自由基輸送到定線室中.12.根據(jù)權(quán)利要求6的裝置，其中所述清洗預(yù)備室還被布置成把自由基輸送到沉積室中.13.根據(jù)權(quán)利要求6的裝置，其中所述清洗預(yù)備室能夠分解反應(yīng)氣體以產(chǎn)生自由基.14.根據(jù)權(quán)利要求6的裝置，其中所述清洗預(yù)備室能夠分解CF,和C1F3以產(chǎn)生自由基，全文摘要提供用于制造具有多個(gè)功能區(qū)的有機(jī)化合物層的一種沉積裝置。該沉積裝置包括沉積室內(nèi)的多個(gè)蒸發(fā)源，能連續(xù)形成包括有機(jī)化合物的相應(yīng)的功能區(qū)，并且，進(jìn)一步在功能區(qū)的相鄰區(qū)之間的界面形成混合區(qū)。用具有這種制造室的沉積裝置，可以防止功能區(qū)之間的雜質(zhì)污染，并且進(jìn)一步可以在界面形成縮短能隙的有機(jī)化合物層。文檔編號(hào)B05D7/24GK101397649SQ20081021386公開日2009年4月1日申請(qǐng)日期2002年1月31日優(yōu)先權(quán)日2001年2月1日發(fā)明者山崎舜平,水上真由美,瀨尾哲史申請(qǐng)人:株式會(huì)社半導(dǎo)體能源研究所