專利名稱：：多發(fā)射峰硅酸鹽基質(zhì)發(fā)光材料及其制造方法以及使用其的發(fā)光裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種發(fā)光材料，特別涉及包括采用半導(dǎo)體發(fā)光元件(LED)在內(nèi)的白光系發(fā)光裝置用的發(fā)光材料，及這種發(fā)光材料的制造方法和使用它的發(fā)光裝置，屬于光電子和半導(dǎo)體照明
技術(shù)領(lǐng)域：
。
背景技術(shù)：
：白光LED的出現(xiàn)，是LED從標(biāo)識(shí)功能向照明功能跨出的實(shí)質(zhì)性一步。白光LED最接近日光，更能較好反映照射物體的真實(shí)顏色。由于它還具有無(wú)污染、長(zhǎng)壽命、耐震動(dòng)和抗沖擊的鮮明特點(diǎn)，從技術(shù)角度看，白光LED無(wú)疑是LED最尖端的技術(shù)，將成為21世紀(jì)的新一代光源-第四代電光源，白光LED的應(yīng)用市場(chǎng)將非常廣泛。目前在現(xiàn)有
技術(shù)領(lǐng)域：
，實(shí)現(xiàn)白光LED的方式，以通過(guò)紫外芯片或藍(lán)光芯片激發(fā)熒光材料的方法為主。但是，由于受到熒光材料的限制，這些方法都存在一定的局限性。如專利US5998925、US6998771、ZL00801494.9中,都是利用藍(lán)光芯片激發(fā)鈰激活的稀土石榴石熒光材料(如Y3A15012:Ce，(Y，Gd)3(Al，Ga)5012:Ce，簡(jiǎn)稱YAG;或Tb—石榴石，簡(jiǎn)稱TAG),通過(guò)藍(lán)光芯片激發(fā)熒光材料發(fā)出黃光與部分藍(lán)色芯片的藍(lán)光復(fù)合出白光。這種方法中，所使用的熒光材料在白光LED的應(yīng)用和性能方面具有很大的局限性。首先，這種熒光材料的激發(fā)范圍在420490nm的范圍內(nèi)，最有效的激發(fā)在370470nm的范圍內(nèi)，對(duì)于紫外光區(qū)域和可見(jiàn)光的短波長(zhǎng)側(cè)區(qū)域及綠光區(qū)域不激發(fā)；其次，這種稀土石榴石結(jié)構(gòu)的熒光粉的發(fā)射光譜最大只能到540nm左右，缺少紅色成分，造成白光LED的顯色指數(shù)較低。如專利US6649946、USPA20040135504、CN1522291A、CN1705732A、CN1596292A、CN1596478A、US6680569中，所涉及的是UV—藍(lán)光區(qū)域可以有效激發(fā)的稀土激活的氮化物或氮氧化物熒光材料。這種方法的熒光材料的有效激發(fā)波長(zhǎng)范圍有所增加，發(fā)射范圍也可以從綠光到紅光，但是這種熒光材料的發(fā)光亮度較低，而且制造成本較高，作為實(shí)用化的LED熒光粉使用還有很大的局限性。如專利USPA6351069中所涉及的是硫化物紅色熒光材料，這種熒光材料可以作為補(bǔ)色成分加入到白光LED中，用以彌補(bǔ)顯色指數(shù)，降低色溫。但是，硫化物熒光材料的發(fā)光亮度低，雖然提高顯色指數(shù)，卻降低LED的流明效率；而且，其化學(xué)穩(wěn)定性和耐老化性能差，并腐蝕芯片，縮短了LED的使用壽命。在上述介紹的專利中，制作白光LED的方式均是采用紫光激發(fā)二種或二種以上的熒光粉，或藍(lán)光芯片激發(fā)一種以上的熒光粉來(lái)實(shí)現(xiàn)白光。特別是采用多種熒光粉的方式，對(duì)于不同種類熒光粉的化學(xué)穩(wěn)定性、發(fā)光性能、老化性能等應(yīng)用性能的一致性要求很高，在封裝工業(yè)制備過(guò)程中的使用要求嚴(yán)格。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種具有寬譜激發(fā)和多發(fā)射峰性能特征的硅酸鹽發(fā)光材料，其激發(fā)范圍寬(240475nm)，在(370760nm)的范圍具有兩個(gè)以上的發(fā)射峰，光轉(zhuǎn)換效率高，耐老化性能優(yōu)異；本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供這種硅酸鹽發(fā)光材料的制造方法；第三個(gè)目的是提供一種含有本發(fā)明所述的硅酸鹽發(fā)光材料的發(fā)光裝置，特別涉及白光LED。本發(fā)明的硅酸鹽發(fā)光材料的主要化學(xué)組成可用式(1)表示aAObA'0cSi02:xEuyLnzMSN(1)其中A選自Sr、Ca、Ba中的一種或多種元素的組合；A'選自Mg、Zn中的一種或兩種元素的組合；Ln為Nd、Dy、Ho、Tm、La、Ce、Er、Pr、Bi、Sm、Sn、Y、Lu、Ga、Sb、Tb、Mn、Pb中一種或多種元素離子的組合；M選自C廠、F、Br—、I—中的一種或多種元素離子的組合；N選自Li+、Na+、K+中的一種或多種元素離子的組合；a、b、c、d、x、y、z、S為摩爾系數(shù)，1.0《a《5.0;0《b《2.0;0.5《c《2.5;0.001《x《0.2;0《y《0.5;0<z<0.5;0<S<0.2;其中1《(a+b)/c《4;該材料可以被做為激發(fā)光源的發(fā)射光譜在240475nm的紫外光——藍(lán)光區(qū)域的發(fā)光元件激發(fā)，吸收激發(fā)光源的至少一部分發(fā)射光，發(fā)出在370760mn范圍內(nèi)的至少有兩個(gè)以上峰值的發(fā)射光譜，并可復(fù)合發(fā)出白色發(fā)光。根據(jù)本發(fā)明的一種優(yōu)選方案的硅酸鹽熒光材料，化學(xué)組成表示式(1)中A選自Sr、Ca、Ba中的一種或多種元素的組合；A'為Mg、Zn中的一種或兩種元素的組合；Ln為Nd、Dy、Ho、Tm、La、Ce、Er、Pr、Sm、Lu、Ga、Bi、Sb、Tb、Mn中一種或多種元素離子的組合；M選自C1—、F—中的一種或兩種元素離子的組合；N為L(zhǎng)i+、Ag+元素離子；其中1.0《a《4.0;0《b《2.0;0.7《c《2.2;0.001《x《0.1;0.0《y《0.25;0.001《z<0.2;0.001《S<0.1;其中1.5《(a+b)/c《3。根據(jù)本發(fā)明的一種優(yōu)選方案的硅酸鹽發(fā)光材料，其中所述的硅酸鹽發(fā)光材料被在240455nm的紫外光——藍(lán)紫光范圍內(nèi)的具有發(fā)射峰的激發(fā)光源的光激發(fā)，發(fā)出在370760nm范圍內(nèi)的具有兩個(gè)峰值的發(fā)射光譜。根據(jù)本發(fā)明的一種優(yōu)選方案的硅酸鹽發(fā)光材料，其中所述的硅酸鹽發(fā)光材料被在240455nm的紫外光——藍(lán)紫光范圍內(nèi)的具有發(fā)射峰的激發(fā)光源的光激發(fā)，發(fā)出在370760rnn范圍內(nèi)的具有三個(gè)峰值的發(fā)射光譜。根據(jù)本發(fā)明的一種優(yōu)選方案的硅酸鹽發(fā)光材料，其中所述的硅酸鹽發(fā)光材料被在455nm475nm的藍(lán)光范圍內(nèi)的具有發(fā)射峰的激發(fā)光源的光激發(fā)，發(fā)出在370760nm范圍內(nèi)的具有兩個(gè)峰值的發(fā)射光譜。根據(jù)本發(fā)明的一種優(yōu)選方案的硅酸鹽發(fā)光材料，其中所述的硅酸鹽發(fā)光材料被在455nm475nm的藍(lán)光范圍內(nèi)的具有發(fā)射峰的激發(fā)光源的光激發(fā)，發(fā)出在370760nm范圍內(nèi)的具有三個(gè)峰值的發(fā)射光譜。根據(jù)本發(fā)明的一種優(yōu)選方案的硅酸鹽發(fā)光材料，其中所述的硅酸鹽發(fā)光材料被在240475nm的紫外光——藍(lán)光范圍內(nèi)的具有發(fā)射峰的激發(fā)光源的光激發(fā)，并且發(fā)光材料的發(fā)射峰波長(zhǎng)大于激發(fā)光源的長(zhǎng)波側(cè)發(fā)射峰的波長(zhǎng)。在本發(fā)明中，通過(guò)精細(xì)調(diào)整硅酸鹽發(fā)光材料的金屬元素A和/或B的含量與組合來(lái)實(shí)現(xiàn)發(fā)光材料的寬激發(fā)峰和發(fā)射峰的波長(zhǎng)。稀土離子能級(jí)間的躍遷特征與晶體結(jié)構(gòu)有著明顯的依賴關(guān)系，通過(guò)運(yùn)用這種關(guān)系調(diào)節(jié)稀土離子的吸收或發(fā)射波長(zhǎng)而形成不同顏色的發(fā)光。本發(fā)明中，所使用的Eu、Ln離子，在晶體中所處的晶體場(chǎng)環(huán)境對(duì)其5d能態(tài)和4f-5d躍遷的影響非常明顯，躍遷的最大吸收和發(fā)射中心的位置隨著基質(zhì)晶格環(huán)境的變化而發(fā)生明顯的變化，發(fā)射波長(zhǎng)可以從紫外光到紅光區(qū)域內(nèi)精細(xì)調(diào)節(jié)變化。且通過(guò)精細(xì)調(diào)整硅酸鹽發(fā)光材料的金屬元素A和/或B的含量與組合，使在某些異質(zhì)同晶系列化合物中，使發(fā)射中心位置可以隨基質(zhì)化學(xué)組成的變化有規(guī)律的向長(zhǎng)波或短波方向移動(dòng)。在本發(fā)明中，利用電荷遷移(CTS)躍遷，即電子從配體(氧和M等)的充滿的分子軌道遷移到稀土離子內(nèi)部的部分填充的4f殼層時(shí)，在光譜中產(chǎn)生較寬的電荷遷移，使譜帶的位置隨著環(huán)境的變化而變化。另外，銪離子的濃度變化影響本發(fā)明中的熒光粉的發(fā)射光的主峰位置移動(dòng)。通過(guò)調(diào)整Eu、Ln離子的濃度比例也可以精細(xì)的調(diào)節(jié)發(fā)光材料的發(fā)射光的主峰位置。本發(fā)明中引入Ln的目的是，利用稀土離子間的能量傳遞，即當(dāng)發(fā)光中心被激發(fā)后，激發(fā)能可以從發(fā)光體的某一處傳到另一處，或從一個(gè)發(fā)光中心傳到另一個(gè)發(fā)光中心，從而獲得具有高亮度的和多發(fā)射峰的發(fā)光材料。本發(fā)明中所涉及的Ln離子如Mn、Ce、Bi等離子可以和Eu離子間發(fā)生高效的無(wú)輻射能量傳遞。引入M、N是本發(fā)明中的重要發(fā)現(xiàn)和創(chuàng)新。引入M可以明顯加寬發(fā)光材料的激發(fā)光譜范圍，提高發(fā)光材料的激發(fā)波段適應(yīng)性，尤其能夠促使發(fā)光材料EiT在偏紅發(fā)射帶的強(qiáng)度明顯提高；N的引入是利用堿金屬元素的離子半徑遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于堿土金屬的離子半徑的特性，造成Eu2+在不同的基質(zhì)中所處的晶格環(huán)境中產(chǎn)生較大差異，當(dāng)E,取代堿金屬離子進(jìn)入晶格后與02—的距離比堿土金屬基質(zhì)中Eu2+與02—的距離減小，使Eu"的5d能量升高，即Eu"的5d能級(jí)下限和其基態(tài)能量差變大，提高發(fā)光材料的發(fā)光強(qiáng)度。而Ag+的加入也能顯著提高發(fā)光村料的發(fā)光強(qiáng)度，但是其發(fā)光增強(qiáng)作用不同于堿金屬離子。同時(shí)，N的引入還起到電荷補(bǔ)償?shù)淖饔?。制造本發(fā)明的硅酸鹽發(fā)光材料時(shí)，所用原料為表示式(1)中各元素的化合物，一般選用原料中，A、A'、Ln、N、Eu的化合物是分別用它們所代表元素的碳酸鹽、硫酸鹽、硝酸鹽、磷酸鹽、硼酸鹽、醋酸鹽、草酸鹽、檸檬酸鹽或其氧化物、氫氧化物、鹵化物；M的化合物是分別用它們所代表元素的鹵化物、鹵酸鹽、硫化物、硫氧化物、硫酸鹽；Si的化合物是使用Si02、硅酸、硅膠、氮化硅或硅酸鹽；所用原料中元素摩爾配比為A:1.05;A':02.0;Si:0.52.5;Eu:0.0010.2;Ln:0.00.5;M:00.5;N:00.2;其中A代表Sr、Ca、Ba中的一種或多種元素的化合物；A'代表Mg、Zn中的一種或兩種元素的化合物；Si代表Si的化合物；Eu代表Eu的化合物；Ln代表Nd、Dy、Ho、Tm、La、Ce、Er、Pr、Bi、Sm、Sn、Y、Lu、Ga、Sb、Tb、Mn、Pb中一種或多種元素的化合物；M代表C1、F、Br、I中的一種或多種元素的化合物；N代表Li、Na、K、Ag中的一種或多種元素的化合物。制作工藝為高溫固相反應(yīng)法，將各元素的原料按摩爾配比稱取，混合均勻，再于還原氣氛下(還原氣氛為氫氣、氨氣、氮?dú)夂蜌錃饣蛱剂４嬖谙?，根據(jù)爐體容量和物料重量和物料種類及配方的不同在1000-130(TC溫度下燒結(jié)216小時(shí)，冷卻后，粉碎，過(guò)篩而成。為了提高材料的品質(zhì)，可在原料中加入少量(不超過(guò)原料重量30%)的其他化合物，如歸l，歸，加4)2跳，葡萄糖，脲素，BaF2，CaF"ZnF2，ZnS，SrS，CaS，SrSO"SrHP04或CaHP04、Li2C03、跳、船20)3參與固相反應(yīng)。本發(fā)明還涉及一種發(fā)光裝置，具有做為激發(fā)光源的發(fā)光元件，及能夠?qū)⒓ぐl(fā)光源的至少一部分光轉(zhuǎn)換的發(fā)光材料，其中發(fā)光元件的發(fā)射光譜峰值在240475nm的紫外光——藍(lán)光區(qū)域范圍內(nèi)，以及將至少一部分所述的發(fā)光元件的第一發(fā)光光譜的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換成至少有兩個(gè)以上的峰值波長(zhǎng)處于370760nm波長(zhǎng)范圍內(nèi)的第二發(fā)射光譜的發(fā)光材料的發(fā)光裝置，所述的發(fā)光材料至少有一種以上為化學(xué)組成表示式(1)所表示的發(fā)光材料。根據(jù)本發(fā)明的一種優(yōu)選方案的發(fā)光裝置，所述的做為激發(fā)光源的發(fā)光元件在發(fā)光材料吸收發(fā)光元件的240475nm的紫外光——藍(lán)光區(qū)域范圍內(nèi)至少具有l(wèi)個(gè)以上的發(fā)光峰波長(zhǎng)。根據(jù)本發(fā)明的一種優(yōu)選方案的發(fā)光裝置，發(fā)光元件的發(fā)光層是氮化物半導(dǎo)體、或具有含In的氮化物半導(dǎo)體。根據(jù)本發(fā)明的一種優(yōu)選方案的發(fā)光裝置，所使用的發(fā)光材料為本發(fā)明的任何一種硅酸鹽發(fā)光材料。根據(jù)本發(fā)明的一種優(yōu)選方案的發(fā)光裝置，做為激發(fā)光源的發(fā)光元件的發(fā)射光譜峰值在240475nm的紫外光——藍(lán)光范圍內(nèi)，所使用的發(fā)光材料為本發(fā)明的硅酸鹽熒光材料的一種或兩種以上的組合；發(fā)光材料吸收激發(fā)光源的和/或組合中其他發(fā)光粉的至少一部分發(fā)光，將至少一部分所述的發(fā)光元件的發(fā)光光譜的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換成不同的至少有兩個(gè)以上的峰值波長(zhǎng)處于370760nm波長(zhǎng)范圍內(nèi)的發(fā)射光譜以獲得混合后的白光。根據(jù)本發(fā)明的一種優(yōu)選方案的發(fā)光裝置，所使用的發(fā)光材料，還含有同本發(fā)明的一種以上的硅酸鹽發(fā)光材料一同使用的第二發(fā)光材料，和/或第三發(fā)光材料，和/或第四發(fā)光材料；該第二發(fā)光材料，和/或第三發(fā)光材料，和/或第四發(fā)光材料將來(lái)自激發(fā)光源的光的一部分，和/或來(lái)自本發(fā)明的硅酸鹽發(fā)光材料的光的至少一部分波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換，并復(fù)合出白光。根據(jù)本發(fā)明的一種優(yōu)選方案的發(fā)光裝置，做為激發(fā)光源的發(fā)光元件的發(fā)射光譜峰值在紫外光——藍(lán)光的范圍內(nèi)，來(lái)自本發(fā)明硅酸鹽發(fā)光材料的至少一部分光、來(lái)自第二發(fā)光材料和/或第三發(fā)光材料和/或第四發(fā)光材料的光的至少兩束以上的光混合以獲得白光。根據(jù)本發(fā)明的一種優(yōu)選方案的發(fā)光裝置，其中的第二發(fā)光材料和/或第三發(fā)光材料和/或第四發(fā)光材料為摻雜稀土激活的氮氧化物熒光粉、和/或摻雜稀土激活的氮化物熒光粉、和/或摻雜稀土激活的鹵硅酸鹽熒光粉、和/或慘雜稀土激活的石榴石結(jié)構(gòu)的熒光粉、和/或摻雜稀土激活的硫化物熒光粉、和/或摻雜稀土激活的氧化物熒光粉、和/或摻雜稀土激活的硫氧化物熒光粉、和/或摻雜稀土激活的鋁酸鹽熒光粉、和/或摻雜Mn激活的氟砷(鍺)酸鎂熒光粉、和/或摻雜稀土激活的硼酸鹽熒光粉、和/或摻雜稀土激活的磷酸鹽熒光粉、和/或摻雜稀土激活的鹵磷酸鹽熒光粉、和/或摻雜稀土激活的鈦酸鹽熒光粉、和/或摻雜稀土激活的硫代鎵酸鹽熒光粉。根據(jù)本發(fā)明的一種優(yōu)選方案的發(fā)光裝置，發(fā)光裝置是一種發(fā)光材料直接或間接與芯片接觸的發(fā)光轉(zhuǎn)換LED。根據(jù)本發(fā)明的一種優(yōu)選方案的發(fā)光裝置，發(fā)光裝置是包含至少一個(gè)使用本發(fā)明所述的發(fā)光材料的LED的照明裝置。本發(fā)明中發(fā)光材料的激發(fā)光譜和發(fā)射光譜采用F—4500熒光光譜儀測(cè)試。LED的相對(duì)光譜功率分布和色品坐標(biāo)采用PMS—50型紫外一可見(jiàn)一近紅外光譜分析系統(tǒng)測(cè)試。圖1為具有三發(fā)射峰的實(shí)施例1發(fā)光材料的發(fā)射光譜；圖2為實(shí)施例1發(fā)光材料的激發(fā)光譜；；圖3為具有二發(fā)射峰的實(shí)施例2發(fā)光材料的發(fā)射光譜；圖4為具有二發(fā)射峰的實(shí)施例5發(fā)光材料的發(fā)射光譜；圖5為使用發(fā)光材料的LED結(jié)構(gòu)示意圖a為發(fā)光材料與半導(dǎo)體發(fā)光芯片直接接觸的方式，發(fā)光材料與透明樹脂混合后均勻涂覆在半導(dǎo)體發(fā)光芯片之上，反射杯之中；b為發(fā)光材料與半導(dǎo)體發(fā)光芯片間接接觸的方式，發(fā)光材料均勻分布在環(huán)氧樹脂表層；c為發(fā)光材料半導(dǎo)體發(fā)光芯片間接接觸的方式，發(fā)光材料均勻分布在環(huán)氧樹脂之中，半導(dǎo)體發(fā)光芯片之上。圖d為發(fā)光材料半導(dǎo)體發(fā)光芯片間接接觸的方式，發(fā)光材料與透明介質(zhì)混合后制備成膜的形式再覆蓋于半導(dǎo)體發(fā)光芯片之上；其中1、半導(dǎo)體發(fā)光芯片，2、陰電極，3、陽(yáng)電極4、管腳，5、熒光材料，6、封裝材料，7、引線，8、反光杯，9、貼膜。具體實(shí)施方式下面敘述本發(fā)明的實(shí)施例。需要指出的是本發(fā)明并不受這些實(shí)施例的限制。實(shí)施例l<table>tableseeoriginaldocumentpage14</column></row><table>將上述組成的各原料充分球磨混合，裝入坩堝后，冷卻后再將其放入通有95%的氮?dú)夂?%的氫氣的混合氣體的爐中燒結(jié)，并在120(TC下保溫?zé)Y(jié)6小時(shí)。燒結(jié)體冷卻后，粉碎、用球磨機(jī)進(jìn)行研磨，再利用325目規(guī)格的篩子進(jìn)行篩分，得到本發(fā)明中的化學(xué)組成為2.97BaO1.02MgO2.01Si02:0.01Eu2+0.05Mn2+0.005F—0.005Li+的發(fā)光材料。該材料的激發(fā)光譜在240450mn范圍內(nèi)；發(fā)射光譜在400760nm范圍內(nèi)具有三個(gè)發(fā)射峰，其發(fā)射峰值波長(zhǎng)分別位于438nm、502nm和617nm。實(shí)施例236按照實(shí)施例1中的工藝流程制備實(shí)施例236，其中根據(jù)發(fā)射峰值的波長(zhǎng)位置改變基質(zhì)組成中A和A'的元素種類和含量；燒成溫度在10001300'C范圍內(nèi)根據(jù)爐體容量和物料重量和物料種類及配方的不同而變化；還原氣氛為氫氣、氨氣、氮?dú)夂蜌錃饣蛱剂４嬖谙?。得到具有雙發(fā)射峰的下列化學(xué)組成的發(fā)光材料實(shí)施例。實(shí)施例22.03SrO0.92MgO1.0Si02:0.03Eu2+0.02F—0.07Li+實(shí)施例33.07SrO0.95MgO2.05Si02:0.005Eu2+0.1Mn2+0.015F—0.035Li+實(shí)施例41.9CaO1,0MgO1.9Si02:0.004Eu2t()008Dy3+().OOOIC廠().0005實(shí)施例51.0BaO2.0MgO'2.0Si02:0.01Eu2+<)2Mn2+0.15F—O.05C廠O.075Li+實(shí)施例62.0BaO1.0ZnO2.1Si02:0.001Eu2+0.05Mn2+0.0042F—0.08Li+實(shí)施例73.0CaO0.97MgO2.0Si02:0.1Eu2+0.03Mn2+0.15C1—0.035Ag+實(shí)施例82.03SrO0.92MgO1.0Si02:0.03Eu2+0.05Mn2+0.02F—0.07Li+實(shí)施例92.97BaO1.02MgO2.01Sift:0.01Eu2+0.135F—0.15C1—0.055Li+實(shí)施例101.0BaO1.05CaO1.05MgO2.0Si02:0.08Eu2+0.02F_0.05Li+實(shí)施例113.1SrO1.05MgO1.98Si02:0.08Eu2+0.OIF一0.05Li+實(shí)施例121.5SrO0.5Si02:0.05Eu2—0.08Mn3+0.06F—0.19Li+實(shí)施例131.2BaO1.5SrO0.3CaO1,05MgO2.0Si02:0.01Eu2+0.05Mn2+0.001F—0.015Li+實(shí)施例142.0CaO0.98MgO1.0Si02:0.05Eu2+0.12Mrf0.06F-0.06Li+實(shí)施例152.0BaO0.5MgO0.5ZnO1.8Si02:0.008Eu2+0.05Mn2+0.04F—0.05Li+實(shí)施例160.5BaO1.5CaO1.03MgO1.0Si02:0.1Eu2+0.23Mn2+0.03C1—0.03Ag+實(shí)施例172.0歸0.98MgO1.0Si02:0.05Eu2+0.06F—0.06Li+實(shí)施例181.5BaO'l.5SrO'O.98MgO*2.0Si02:0.07Eu2+'O.3Mn2+().3F—()15Li+實(shí)施例192.0BaO1.0MgO1.0Si02:0.05Eu2+0.13Mn2+0.06F—0.06Li+實(shí)施例200.ISrO1.9CaO1.0MgO2.0Si02:0.04Eu2+0.06F_0.06Li+實(shí)施例212.0CaO0.96MgO1.0Si02:0.05Eu2+0.06F—0.06Li+實(shí)施例222.3SrO0.7BaO1,0MgO2.0Si02:0.05Eu2+0.IF—0.001Ag+實(shí)施例230.2BaO0.5SrO1.3CaO1.0MgO2.0Si02:0.06Eu2+0.01Mn2+0.09F_0.1Li+實(shí)施例241.3BaO3.7CaOL25Si02:0.05Eu2+0.13Mn2+0.06F_0.08Li+實(shí)施例250.8BaO1.3SrO1.01MgO1.0Si02:0.03Eu2+0.07Mn2+0.07F—0.05Li+實(shí)施例262.0CaO0.96MgO1.0Si02:0.05Eu2+0.001Ce3+0.001Mn2+0.06F—0.06K+實(shí)施例270.2BaO0.5SrO1.3CaO1.0ZnO2.0Si02:0.06Eu2+0.01Mn2+0.05F—0.001K+0.005Na十0.001Li+實(shí)施例281.5CaO*0.5MgO5Si02:0.2Eu2+().05Tm3+12Mn2+().06F—'O.06Ag+,0.5La3+實(shí)施例293.0BaO1.8Si02:0.15Eu2+0.008Pr3+0.008Bi3+0.05Mn2+0.04F—0.05Li+實(shí)施例301.4BaO1.3SrO0.1CaO2.0Si02:0.03Eu2+0.06Mn2+0.5F_0.015Li+0.4Ag+實(shí)施例312.0BaO0.98ZnO1.0SiO2:0.05Eu2+0.02C1—0.03Br—0.06Li+實(shí)施例321.7BaO1.2SrO0.98ZnO2.0Si02:0.03Eu2+0.3Mn2+0.02F—0.15Na+實(shí)施例330.6SrO1.4CaO2.0Si02:0.04Eu2+0.001SnT0.06F-0.06Ag+實(shí)施例340.2BaO1.3CaO0.4SrO0.98MgO1.0Si02:0.06Eu2+0.13Mn2、0.04F—0.02Ag+實(shí)施例351.9SrO1.1BaO2.0Si02:0.05Eu2+0.IF—0.003r實(shí)施例361.2BaO1.3CaO1.0MgO0.5ZnO2,5Si02:0.05Eu2+0.13Mn2+0.06F—0.06Li+對(duì)于本發(fā)明的具有多發(fā)射峰的發(fā)光材料組成，其組成的變化對(duì)于發(fā)射波長(zhǎng)的變化影響規(guī)律是當(dāng)1《(a+b)/c《1.5時(shí),堿土金屬元素對(duì)于發(fā)光材料的發(fā)射波長(zhǎng)的影響為Ca〉Ba>Sr,鈣含量越多，兩峰或者三峰的發(fā)光材料的峰值波長(zhǎng)向長(zhǎng)波方向移動(dòng)越加明顯；Ba的作用次之；Sr的峰值波長(zhǎng)最短。其對(duì)于激發(fā)波長(zhǎng)的峰值影響規(guī)律也是如此。當(dāng)1.5<(a+b)/c《2時(shí)，堿土金屬元素對(duì)于發(fā)光材料的發(fā)射波長(zhǎng)的峰值影響為Ca〉Sr〉Ba，Ca含量越多，兩峰或者三峰的發(fā)光材料的峰值波長(zhǎng)向長(zhǎng)波方向移動(dòng)越加明顯；Sr的作用次之；Ba的峰值波長(zhǎng)最短。其對(duì)于激發(fā)波長(zhǎng)的峰值影響規(guī)律也是如此。當(dāng)2<(a+b)/c《5時(shí)，堿土金屬元素對(duì)于發(fā)光材料的發(fā)射波長(zhǎng)的峰值影響為Ba〉SrX:a，Ba含量越多，兩峰或者三峰的發(fā)光材料的峰值波長(zhǎng)向長(zhǎng)波方向移動(dòng)越加明顯；Sr的作用次之；Ca的峰值波長(zhǎng)最短。其對(duì)于激發(fā)波長(zhǎng)的峰值影響規(guī)律也是如此。在上述規(guī)律的基礎(chǔ)上，Mg含量的增加，將導(dǎo)致激發(fā)和發(fā)射波長(zhǎng)相對(duì)的向短波方向移動(dòng)；用Zn部分替換Mg，隨著Zn含量的增加，激發(fā)和發(fā)射波長(zhǎng)相對(duì)的向長(zhǎng)波方向移動(dòng)。忽略A和A'的元素個(gè)體影響，對(duì)于(a+b)/c的比值，比值越大，導(dǎo)致激發(fā)和發(fā)射峰值波長(zhǎng)向長(zhǎng)波方向移動(dòng)。特別是本發(fā)明中發(fā)光材料的發(fā)射光譜中的兩個(gè)或三個(gè)發(fā)射峰，其單峰移動(dòng)規(guī)律也是如此。在表1中列出了實(shí)施例136的發(fā)光材料在紫外一藍(lán)光的激發(fā)光源的條件下，采用最強(qiáng)激發(fā)峰值波長(zhǎng)做為監(jiān)測(cè)波長(zhǎng)時(shí)其發(fā)射光譜中的多發(fā)射峰位置。表l<table>tableseeoriginaldocumentpage17</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage18</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage19</column></row><table>本發(fā)明中發(fā)現(xiàn)在發(fā)光材料制備過(guò)程中可以加入占原料重量030%的N眼，歸，(NH4)2HP04，葡萄糖，脲素，BaF2，CaF2，ZnF2，ZnS,SrS，CaS，SrS04，SrHP04或CaHP04、"20)3等參與固相反應(yīng)可以在不同程度上提高材料的發(fā)光相對(duì)亮度。實(shí)施例37<table>tableseeoriginaldocumentpage19</column></row><table>外加占原料重量15。/。的(NH4)2HP04，將上述組成的各原料充分球磨混合，裝入坩堝后，再埋入裝有碳粒的大坩堝中，放入電爐，并在125(TC下保溫?zé)Y(jié)5小時(shí)。燒結(jié)體冷卻后，粉碎、用球磨機(jī)進(jìn)行研磨，再利用325目規(guī)格的篩子進(jìn)行篩分，得到本發(fā)明中的具有黃色發(fā)光的發(fā)光材料1.2Sr00.8BaO0.2Ca00.1Mg0Si02:0.05Eu2+0.01Mn2+0.05C1—0.45F—0.05Li+。該材料在386nm紫外光源激發(fā)條件下，發(fā)射光譜中發(fā)射主峰位置在537nm和660rnn。在本發(fā)明制造方法中所要求的各種外加原料的加入方式和方法均與實(shí)施例37相類似，只是根據(jù)需要制作的發(fā)光材料的激發(fā)發(fā)射光譜范圍和相對(duì)亮度來(lái)選擇加入的原料種類和加入量。本發(fā)明還涉及使用本發(fā)明中的任何一種以上的發(fā)光材料的照明裝置，特別涉及使用作為激發(fā)光源使用的發(fā)光元件的發(fā)射主峰在240475nm范圍內(nèi)的半導(dǎo)體LED,尤其是發(fā)射白光的LED。下面以具體的實(shí)施例形式對(duì)本發(fā)明的要求保護(hù)范疇予以說(shuō)明。參照?qǐng)D5，本發(fā)明的LED包括半導(dǎo)體發(fā)光芯片1、陰電極2、陽(yáng)電極3、管腳4、發(fā)光材料5、封裝材料6、引線7、反光杯8、貼膜9。半導(dǎo)體發(fā)光芯片是GalnN芯片、或GaN芯片。發(fā)光材料中包括至少一種以上的本發(fā)明的硅酸鹽發(fā)光材料。封裝材料為透明樹脂，可以是透明環(huán)氧樹脂、透明硅膠等。其中圖a為發(fā)光材料與半導(dǎo)體發(fā)光芯片直接接觸的方式，發(fā)光材料與透明樹脂混合后均勻涂覆在半導(dǎo)體發(fā)光芯片之上，反射杯之中。圖b為發(fā)光材料與半導(dǎo)體發(fā)光芯片間接接觸的方式，發(fā)光材料均勻分布在環(huán)氧樹脂表層。圖c為發(fā)光材料半導(dǎo)體發(fā)光芯片間接接觸的方式，發(fā)光材料均勻分布在環(huán)氧樹脂之中，半導(dǎo)體發(fā)光芯片之上。圖d為發(fā)光材料半導(dǎo)體發(fā)光芯片間接接觸的方式，發(fā)光材料與透明介質(zhì)混合后制備成膜的形式再覆蓋于半導(dǎo)體發(fā)光芯片之上。實(shí)施例38采用圖5中圖a的LED封裝方式制備白光LED。具體封裝工藝為根據(jù)熒光粉的有效激發(fā)波長(zhǎng)范圍選取具有相匹配的發(fā)射主峰波長(zhǎng)的芯片。本實(shí)施例中，半導(dǎo)體發(fā)光芯片的發(fā)射主峰波長(zhǎng)為390nm，發(fā)光材料選擇實(shí)施例1所述的發(fā)光材料。將選好的芯片進(jìn)行固晶、打線、烘干。稱取發(fā)光材料若干克與透明環(huán)氧樹脂按照適當(dāng)?shù)谋壤旌暇鶆蚝?，均勻涂覆在半?dǎo)體芯片上(點(diǎn)膠)。將點(diǎn)好膠的引線杯，放入真空烘箱固化后，插入灌有環(huán)氧樹脂的模具中，再經(jīng)真空烘箱固化，最后脫模。其色品坐標(biāo)為X=0.3293、Y=0.3317，色溫5637K,顯色指數(shù)90。發(fā)光材料受紫外芯片發(fā)射出紫外光激發(fā)后發(fā)射出的藍(lán)、綠、紅光的三峰發(fā)射光譜復(fù)合而成白光。實(shí)施例39采用圖5中圖b的LED封裝方式制備白光LED。本實(shí)施例中，半導(dǎo)體發(fā)光芯片的發(fā)射主峰波長(zhǎng)為400nm，發(fā)光材料選擇實(shí)施例7、實(shí)施例10所述的發(fā)光材料按照適當(dāng)?shù)谋壤旌?。封裝工藝與實(shí)施例38類似，但發(fā)光材料均勻分布在環(huán)氧樹脂表層。這種白光LED的發(fā)射譜是由上述發(fā)光材料分別受紫外光芯片發(fā)射出的紫外光激發(fā)后分別發(fā)射出的藍(lán)色、綠色、紅色發(fā)光光譜復(fù)合而成白光。其色品坐標(biāo)為X=0.3457、Y-0.3493,色溫4962K。實(shí)施例40采用圖5中圖c的LED封裝方式制備白光LED。本實(shí)施例中，半導(dǎo)體發(fā)光芯片的發(fā)射主峰波長(zhǎng)為380nm，發(fā)光材料選擇實(shí)施例6和10所述的發(fā)光材料與摻雜稀土激活的硼鎂酸釓熒光粉(Gd。.65MgB9016:Eu。.35，發(fā)射主峰波長(zhǎng)623nm)按照適當(dāng)?shù)谋壤旌?。封裝工藝與實(shí)施例38類似，但發(fā)光材料均勻分布在環(huán)氧樹脂之中，半導(dǎo)體發(fā)光芯片之上。這種白光LED的發(fā)射譜是由實(shí)施例6和10發(fā)光材料受激發(fā)后分別發(fā)射出的藍(lán)光和部分綠光與硼鎂酸釓熒光粉吸收部分來(lái)自實(shí)施例7的綠光激發(fā)后發(fā)射出的紅光光譜復(fù)合而成。其色品坐標(biāo)為X二0.2947、Y=0.3013，色溫8096K。采用如圖5中圖a、圖b、圖c、圖d的LED封裝方式都可以制備LED。封裝工藝與實(shí)施例38、39、40類似。但是發(fā)光材料的組合方式可以有多種選擇，其原則是a)發(fā)光材料的有效激發(fā)波長(zhǎng)范圍與半導(dǎo)體芯片的發(fā)射主峰波長(zhǎng)和/或共同使用的其他熒光粉的發(fā)射主峰波長(zhǎng)相匹配。(2)在確定半導(dǎo)體芯片的發(fā)射主峰波長(zhǎng)的前提下，根據(jù)需要的LED產(chǎn)品的發(fā)光顏色選擇發(fā)光材料。(3)在使用至少一種以上本發(fā)明的硅酸鹽發(fā)光材料的前提下，同時(shí)根據(jù)需要的LED產(chǎn)品的發(fā)光顏色，選擇非本發(fā)明所述的第二發(fā)光材料和/或第三發(fā)光材料和/或第四發(fā)光材料?？梢宰鳛榈诙l(fā)光材料和/或第三發(fā)光材料和/或第四發(fā)光材料使用的發(fā)光材料種類包括摻雜稀土激活的氮氧化物熒光粉、摻雜稀土激活的氮化物熒光粉、摻雜稀土激活的鹵硅酸鹽熒光粉、摻雜稀土激活的石榴石結(jié)構(gòu)的熒光粉、摻雜稀土激活的硫化物熒光粉、摻雜稀土激活的氧化物熒光粉、摻雜稀土激活的硫氧化物熒光粉、摻雜稀土激活的鋁酸鹽熒光粉、摻雜Mn激活的氟砷(鍺)酸鎂熒光粉、摻雜稀土激活的硼酸鹽熒光粉、摻雜稀土激活的磷酸鹽熒光粉、摻雜稀土激活的鹵磷酸鹽熒光粉、摻雜稀土激活的鈦酸鹽熒光粉、摻雜稀土激活的硫代鎵酸鹽熒光粉。制備的LED發(fā)光顏色由所采用的半導(dǎo)體芯片發(fā)射光譜和相對(duì)亮度以及使用的發(fā)光材料與熒光粉的發(fā)射光譜和相對(duì)亮度共同決定的。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的硅酸鹽發(fā)光材料具有的突出特點(diǎn)為在240475nm的紫外光——藍(lán)光區(qū)域的發(fā)光元件激發(fā)條件下能夠在(370760nm)的范圍具有兩個(gè)以上的發(fā)射峰。而且通過(guò)精細(xì)控制基質(zhì)和激活劑、敏化劑以及輔助添加劑的含量與比例，可以精細(xì)控制兩發(fā)射峰或三發(fā)射峰的不同峰值波長(zhǎng)和強(qiáng)度，進(jìn)而精細(xì)控制產(chǎn)生的白光的光效、色溫、顯色指數(shù)等光色指標(biāo)。同時(shí)，由于本發(fā)明的硅酸鹽發(fā)光材料具有多發(fā)射峰，可以大大減少白光LED封裝工業(yè)中使用發(fā)光材料的種類和數(shù)量。具有顯著的新穎性和創(chuàng)造性。權(quán)利要求1.一種發(fā)光材料，特別涉及包括LED在內(nèi)的發(fā)光裝置用的發(fā)光材料，其特征為主要含有硅酸鹽和激活劑離子，其主要的化學(xué)組成表示式為aAO·bA′O·cSiO2∶xEu·yLn·zM·δN，其中A選自Sr、Ca、Ba中的一種或多種元素的組合；A′選自Mg、Zn中的一種或兩種元素的組合；Ln為Nd、Dy、Ho、Tm、La、Ce、Er、Pr、Bi、Sm、Sn、Y、Lu、Ga、Sb、Tb、Mn、Pb中一種或多種元素離子的組合；M選自Cl-、F-、Br-、I-中的一種或多種元素離子的組合；N選自Li+、Na+、K+、Ag+中的一種或多種元素離子的組合；a、b、c、x、y、z、δ為摩爾系數(shù)，1.0≤a≤5.0；0≤b≤2.0；0.5≤c≤2.5；0.001≤x≤0.2；0≤y≤0.5；0＜z＜0.5；0＜δ＜0.2；其中1≤(a+b)/c≤4；該材料可以被做為激發(fā)光源的發(fā)射光譜，在240～475nm的紫外光——藍(lán)光區(qū)域的發(fā)光元件激發(fā)下，吸收激發(fā)光源的至少一部分發(fā)射光，發(fā)出在370～760nm范圍內(nèi)的至少有兩個(gè)以上峰值的發(fā)射光譜，并可復(fù)合發(fā)出白色發(fā)光。2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光材料，其特征在于化學(xué)組成表示式中A選自Sr、Ca、Ba中的一種或多種元素的組合；A'為Mg、Zn中的一種或兩種元素的組合；Ln為Nd、Dy、Ho、Tm、U、Ce、Er、Pr、Sm、Lu、Ga、Bi、Sb、Tb、Mn中一種或多種元素離子的組合；M選自C廠、F—中的一種或兩種元素離子的組合；N為L(zhǎng)i+、Ag+中的一種或兩種元素離子的組合；其中1.0《a《4.0;0《b《2.0;0.7《c《2.2;0.001《x《0.1;0《y《0,25;0.001《z<0.2;0.001《S<0.1;其中1.5《(a+b)/c《3。3.如權(quán)利要求1或2中所述的發(fā)光材料，其特征在于，所述的發(fā)光材料被在240455nm的紫外光——藍(lán)紫光范圍內(nèi)的具有發(fā)射峰的激發(fā)光源的光激發(fā)，發(fā)出在370760nm范圍內(nèi)的具有兩個(gè)峰值的發(fā)射光譜。4.如權(quán)利要求1或2中所述的發(fā)光材料，其特征在于，所述的發(fā)光材料被在240455nm的紫外光——藍(lán)紫光范圍內(nèi)的具有發(fā)射峰的激發(fā)光源的光激發(fā)，發(fā)出在370760nm范圍內(nèi)的具有三個(gè)峰值的發(fā)射光譜。5.如權(quán)利要求1或2中所述的發(fā)光材料，其特征在于，所述的發(fā)光材料被在455nm475nm的藍(lán)光范圍內(nèi)的具有發(fā)射峰的激發(fā)光源的光激發(fā)，發(fā)出在370760rnn范圍內(nèi)的具有兩個(gè)峰值的發(fā)射光譜。6.如權(quán)利要求1或2中所述的發(fā)光材料，其特征在于，所述的發(fā)光材料被在455nm475nm的藍(lán)光范圍內(nèi)的具有發(fā)射峰的激發(fā)光源的光激發(fā)，發(fā)出在370760nm范圍內(nèi)的具有三個(gè)峰值的發(fā)射光譜。7.如權(quán)利要求1或2中所述的發(fā)光材料，其特征在于，所述的發(fā)光材料被在240475nm的紫外光——藍(lán)光范圍內(nèi)的具有發(fā)射峰的激發(fā)光源的光激發(fā)，發(fā)光材料的發(fā)射峰波長(zhǎng)大于激發(fā)光源的長(zhǎng)波側(cè)發(fā)射峰的波長(zhǎng)。8.—種發(fā)光材料的制作方法，其特征在于所用原料為下列各元素的化合物，其元素按照下述表示式aAObA'0cSi02:xEuyLnzMSN的摩爾配比為A:1.05;A':02.0;Si:0.52.5;Eu:0.0010.2;Ln:0.00.5;M:0.00.5;N:0.00.2;其中A代表Sr、Ca、Ba中的一或多種元素的化合物；A'代表Mg、Zn中的一種或兩種元素的化合物；Si代表Si的化合物；Eu代表Eu的化合物；Ln代表Nd、Dy、Ho、Tm、La、Ce、Er、Pr、Bi、Sm、Sn、Y、Lu、Ga、Sb、Tb、Mn、Pb中一種或多種元素的化合物；M代表C1、F、Br、I、S中的一種或多種元素的化合物；N代表Li、Na、K中的一種或多種元素的化合物；A、A'、Ln、N、Eu的化合物是分別用它們所代表元素的碳酸鹽、硫酸鹽、硝酸鹽、磷酸鹽、硼酸鹽、醋酸鹽、草酸鹽、檸檬酸鹽或其氧化物、氫氧化物、鹵化物；M的化合物是分別用它們所代表元素的鹵化物、鹵酸鹽、硫化物、硫氧化物、硫酸鹽；Si的化合物是使用Si02、硅酸、硅膠、氮化硅或硅酸鹽；制作工藝為高溫固相反應(yīng)法，將各元素的原料按摩爾配比稱取，混合均勻，再于還原氣氛下1000-130(TC燒結(jié)216小時(shí)，冷卻后，粉碎，過(guò)篩而成。9.如權(quán)利要求8中所述的發(fā)光材料的制作方法，其特征為所述的還原氣氛為氫氣、氨氣、氮?dú)夂蜌錃饣蛱剂４嬖谙隆?0.如權(quán)利要求8中所述的發(fā)光材料的制作方法，其特征為可在混合原料中加入占原料重量030%的冊(cè)4(:1，NH4F,(NH4)2HP04，葡萄糖，脲素，BaF2，CaF2，ZnF2，ZnS，SrS，CaS，SrS04，Sr跳或CaHP04、Li2C03、跳、船2(:03參與固相反應(yīng)。11.一種發(fā)光裝置，具有做為激發(fā)光源的發(fā)光元件及能夠?qū)⒓ぐl(fā)光源的至少一部分光轉(zhuǎn)換的發(fā)光材料，其特征在于發(fā)光元件的發(fā)射光譜峰值在240475nm的紫外光——藍(lán)光區(qū)域范圍內(nèi)，以及將至少一部分所述的發(fā)光元件的第一發(fā)光光譜的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換成至少有兩個(gè)以上的峰值波長(zhǎng)處于370760rim波長(zhǎng)范圍內(nèi)的第二發(fā)射光譜的發(fā)光材料的發(fā)光裝置，所述的發(fā)光材料至少有一種以上為化學(xué)組成表示式為aAO化A'0，cSi02:xEu*yLn*zM*SN,其中A選自Sr、Ca、Ba中的一種或多種元素的組合；A'選自Mg、Zn中的一種或兩種元素的組合；Ln為Nd、Dy、Ho、Tm、La、Ce、Er、Pr、Bi、Sm、Sn、Y、Lu、Ga、Sb、Tb、Mn、Pb中一種或多種元素離子的組合；M選自C1—、F-、Br—、I—中的一種或多種元素離子的組合；N選自Li+、Na+、K+中的一種或多種元素離子的組合；a、b、c、d、x、y、z、S為摩爾系數(shù)，1.0《a《5.0;0《b《2.0;0.5《c《2.5;0.001《x《0.2;0《y《0.5;0<z<0.5;0<S<0.2;其中1《(a+b)/c《4。12.如權(quán)利要求11所述的發(fā)光裝置，其特征在于所述的做為激發(fā)光源的發(fā)光元件在發(fā)光材料吸收發(fā)光元件的240475nm的紫外光——藍(lán)光區(qū)域范圍內(nèi)至少具有1個(gè)以上的發(fā)光峰波長(zhǎng)。13.如權(quán)利要求11或12所述的發(fā)光裝置，其特征在于所述的發(fā)光元件的發(fā)光層是氮化物半導(dǎo)體、或具有含In的氮化物半導(dǎo)體。14.如權(quán)利要求11或12所述的發(fā)光裝置，其特征在于所使用的發(fā)光材料為權(quán)利要求110中任何一項(xiàng)所述的硅酸鹽發(fā)光材料。15.如權(quán)利要求11所述的發(fā)光裝置，其特征在于所述的發(fā)光元件的發(fā)射光譜峰值在240475nm的紫外光——藍(lán)光范圍內(nèi)，所述的發(fā)光材料為權(quán)利要求l10中任何一項(xiàng)所述的硅酸鹽發(fā)光材料的一種或兩種以上的組合；發(fā)光材料吸收激發(fā)光源的和/或組合中其他發(fā)光粉的至少一部分發(fā)光，將至少一部分所述的發(fā)光元件的發(fā)光光譜的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換成不同的至少有兩個(gè)以上的峰值波長(zhǎng)處于370760nm波長(zhǎng)范圍內(nèi)的發(fā)射光譜以獲得混合后的白光。16.如權(quán)利要求11、12或15所述的發(fā)光裝置，其特征在于所述的發(fā)光材料，還含有同權(quán)利要求110中任何一項(xiàng)所述的一種以上的硅酸鹽發(fā)光材料一同使用的第二發(fā)光材料，和/或第三發(fā)光材料，和/或第四發(fā)光材料；該第二發(fā)光材料，和/或第三發(fā)光材料，和/或第四發(fā)光材料將來(lái)自所述的激發(fā)光源的光的一部分，和/或來(lái)自所述權(quán)利要求110中任何一項(xiàng)所述的硅酸鹽發(fā)光材料的光的至少一部分波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換，并復(fù)合出白光。17.如權(quán)利要求11、12或15所述的發(fā)光裝置，其特征在于，做為激發(fā)光源的發(fā)光元件的發(fā)射光譜峰值在紫外光——藍(lán)光的范圍內(nèi)，來(lái)自所述的硅酸鹽發(fā)光材料的至少一部分光、來(lái)自所述的第二發(fā)光材料和/或第三發(fā)光材料和/或第四發(fā)光材料的光的至少兩束以上的光混合以獲得白光。18.如權(quán)利要求11、12或15所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述的第二發(fā)光材料和/或第三發(fā)光材料和/或第四發(fā)光材料為摻雜稀土激活的氮氧化物發(fā)光粉、和/或摻雜稀土激活的氮化物發(fā)光粉、和/或摻雜稀土激活的鹵硅酸鹽發(fā)光粉、和/或摻雜稀土激活的石榴石結(jié)構(gòu)的發(fā)光粉、和/或摻雜稀土激活的硫化物發(fā)光粉、和/或摻雜稀土激活的氧化物發(fā)光粉、和/或摻雜稀土激活的硫氧化物發(fā)光粉、和/或摻雜稀土激活的鋁酸鹽發(fā)光粉、和/或摻雜Mn激活的氟砷(鍺)酸鎂發(fā)光粉、和/或摻雜稀土激活的硼酸鹽發(fā)光粉、和/或摻雜稀土激活的磷酸鹽發(fā)光粉、和/或摻雜稀土激活的鹵磷酸鹽發(fā)光粉、和/或摻雜稀土激活的鈦酸鹽發(fā)光粉、和/或摻雜稀土激活的硫代鎵酸鹽發(fā)光粉。19.如權(quán)利要求11、12或15所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述的發(fā)光裝置是一種所述的發(fā)光材料直接或間接與芯片接觸的發(fā)光轉(zhuǎn)換LED。20.如權(quán)利要求11、12或15所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述的發(fā)光裝置是包含至少一個(gè)使用所述的發(fā)光材料的LED的照明裝置。全文摘要一種紫外到藍(lán)光區(qū)域的激發(fā)光源可激發(fā)的硅酸鹽發(fā)光材料及其制造方法，尤其涉及白色系發(fā)光裝置，該材料在370～760nm范圍內(nèi)的至少有兩個(gè)以上峰值的發(fā)射光譜，發(fā)光材料的共同組成為aAO·bA′O·cSiO₂:xEu·yLn·zM·δN，其中A選自Sr、Ca、Ba的一種或多種元素組合；A′選自Mg、Zn中的一種或多種元素組合；Ln為Nd、Dy、Ho、Tm、La、Ce、Er、Pr、Bi、Sm、Sn、Y、Lu、Ga、Sb、Tb、Mn、Pb中一種或多種元素組合；M選自鹵素離子中的一種或多種元素離子組合；N選自Li⁺、Na⁺、K⁺、Ag⁺中的一種或多種元素離子組合；a、b、c、x、y、z、δ為摩爾系數(shù)。文檔編號(hào)C09K11/84GK101126023SQ20071014059公開日2008年2月20日申請(qǐng)日期2007年8月15日優(yōu)先權(quán)日2006年8月15日發(fā)明者威夏,肖志國(guó),胡大強(qiáng),易辛申請(qǐng)人:大連路明科技集團(tuán)有限公司