專利名稱：：芯片電阻器及其制法的制作方法
技術(shù)領域：
：本發(fā)明涉及一種電阻器，尤指一種低電阻溫度系數(shù)的高精密低微阻值的芯片電阻器及其制法。
背景技術(shù)：
：因應各種電子裝置便攜化、微型化的發(fā)展趨勢，經(jīng)常使用于電路中以供量測兩端電位差的芯片電阻器，也隨之越來越趨于微型化，而為了減小量測誤差與提高檢出的電流值，通常需要具備電阻值0.02Q至10Q、額定容許功率0.1W以上的低電阻高功率特性，并且必須滿足減小電阻溫度系數(shù)(TCR)的要求，在目前通常采用印刷或鍍膜技術(shù)的現(xiàn)有制程技術(shù)之下，存在難以廉價大量生產(chǎn)的實際困難。中國臺灣公告第350071號專利公開一種芯片電阻器，是在陶瓷基板上利用網(wǎng)印技術(shù)印刷電阻膜(材料為玻璃和導電粒子混合成的電阻膠)，再經(jīng)由干燥、高溫燒結(jié)等制程而成型，之后采用激光整飾法熔解部分區(qū)域形成溝槽以調(diào)整其電阻值，最后再利用電鍍制程制作電極。然而，由于該電阻膜是以印刷方式形成，其厚度的均勻性難以控制，且因為高溫燒結(jié)的擴散變異影響，致使該電阻膜的電阻值變化較大。尤其，當前述該芯片電阻器應用于高頻環(huán)境時，因電阻膜的孔隙率高、結(jié)構(gòu)松散，導致高頻信號損耗較大，所以無法適用于高頻產(chǎn)品中。另一種采用鍍膜技術(shù)的制法，是在陶瓷基板上以利如濺鍍(SputterD印osition)或蒸鍍(Evaporation)之類的物理氣相沉積技術(shù)(PVD)、或者化學氣相沉積技術(shù)(CVD)等半導體制程生成電阻膜。由于是采用半導體制程來制成芯片電阻器，對于設備的投資是極為昂貴的，加上半導體制程良率的限制，造成制造成本過于昂貴，大幅降低產(chǎn)品競爭力。同時，由于前述半導體制程中針對電阻膜的圖案化作業(yè)是以微影技術(shù)形成，且需移除光阻膜之后才能進行后續(xù)處理，然而在移除光阻膜時經(jīng)常發(fā)生移除不全或過當?shù)那闆r，導致電阻膜暴露而易遭污染或氧化，影響其電氣特性，相對降低制程良率。為了克服前述問題，中國臺灣證書號第1237898號專利公開一種制法，首先在一絕緣基板的上表面形成兩分別位于該絕緣基板兩端的主電極，接著以薄膜沉積方式形成一電阻膜于前述步驟中的絕緣基板的上表面，然后以印刷方式于前述步驟的電阻膜上形成一第一保護層，該第一保護層至少屏蔽位于所述主電極間的至少部分電阻膜并使位于所述主電極上的鄰近端側(cè)的部分電阻膜裸露，而位于所述主電極間的該第一保護層部分不間斷地延伸，續(xù)以該第一保護層作為罩幕來移除該裸露部分的電阻膜，最后形成兩端面電極于前述步驟的絕緣基板的兩端部并分別遮蔽該對應的主電極。但是，前述技術(shù)仍是采用半導體制程技術(shù)，其高成本與良率不佳的問題仍舊存在，況且必須額外增加兩道保護層的鍍膜制程，更是提高了制程成本。此外，其電阻膜是通過主電極才間接的電性連接至端面電極，如此將造成電阻膜與主電極的電阻溫度系數(shù)(TCR)互相結(jié)合涵蓋而增大，導致所制成芯片電阻器的電阻溫度系數(shù)無法減小至需求值，甚至影響其散熱效率。是故，上述現(xiàn)有技術(shù)存在制程良率低、設備與制程成本居高不下、電阻溫度系數(shù)無法減小至需求值等缺陷，因此如何提出一種有效解決所述缺陷的芯片電阻器及其制法，實為本領域技術(shù)中亟待解決的問題。
發(fā)明內(nèi)容鑒于以上所敘述
背景技術(shù)：
的缺點，本發(fā)明的一目的在于提供一種易于制造而可提升制程良率的芯片電阻器及其制法。本發(fā)明的另一目的在于提供一種電阻溫度系數(shù)可穩(wěn)定減小至需求值的芯片電阻器及其制法。本發(fā)明的又一目的在于提供一種可降低成本的芯片電阻器及其制法。為達到上述目的以及其它目的，本發(fā)明提供一種芯片電阻器的制法，包括提供基材及定阻電阻體；通過一導熱膠合層或相對貼合該基材與該定阻電阻體；以及覆蓋一保護層至該定阻電阻體局部表面，以使該定阻電阻體表面未覆蓋該保護層的部分區(qū)隔成二電極區(qū)。前述制法中，該導熱膠合層可采用一樹脂貼片或?qū)崮z合漿料，材料可為環(huán)氧樹脂，其貼合或印刷順序并無特定限制，例如于一實施例中，該樹脂貼片或?qū)崮z合漿料可預先貼合或印刷至該基材，之后再通過該樹脂貼片或?qū)崮z合漿料貼合該定阻電阻體；于另一實施例中，該樹脂貼片或?qū)崮z合漿料則可預先貼合或印刷至該定阻電阻體，之后再通過該樹脂貼片或?qū)崮z合漿料貼合該基材。另外，該導熱膠合層亦非僅以采用樹脂貼片或?qū)崮z合漿料為限，舉凡可提供貼合制程并具備導熱、絕緣特性的接著材料均可，例如亦可經(jīng)印刷導熱絕緣膠而成，而較佳的方式是將該導熱絕緣膠預先印刷至該基材，之后再通過該導熱絕緣膠貼合該定阻電阻體。于一實施例中，該保護層覆蓋至該定阻電阻體的中段區(qū)域表面，以使該定阻電阻體表面對應中段區(qū)域的兩端區(qū)隔成二電極區(qū)。于另一實施例中，復可于該定阻電阻體的二電極區(qū)表面分別形成電極，以供焊接至例如需量測電位差的電路板中，較佳地，該電極是以滾鍍方式形成至該電極區(qū)表面。所使用的基材是以具備絕緣特性為基本特性要求，并無特定限制，例如可采用陶瓷基板。而該定阻電阻體是以預先定義其電阻值的膜片為基本特性要求，例如可為中央具有沖孔的金屬片，可為表面具有溝槽的金屬鍍膜，亦可為表面具有溝槽的金屬印膜。為達到相同目的，本發(fā)明還提供一種芯片電阻器，包括基材；定阻電阻體；導熱膠合層，相對貼合該基材與該定阻電阻體；以及保護層，覆蓋至該定阻電阻體的局部表面，使該定阻電阻體表面未覆蓋該保護層的部分區(qū)隔成二電極區(qū)。由于本發(fā)明所提供的芯片電阻器及其制法，是采用導熱膠合層來相對貼合該基材與該定阻電阻體，因此可排除現(xiàn)有技術(shù)使用半導體制程的高成本缺點，達到易于制造、提升制程良率與降低成本的功效；而該定阻電阻體表面未覆蓋保護層的部分直接區(qū)隔成二電極區(qū)，可供直接形成利于焊接的電極，亦可直接提供焊接應用，從而可排除現(xiàn)有技術(shù)不必要的電流傳導阻抗、有效穩(wěn)定減小電阻溫度系數(shù)。圖1A至圖IF是顯示本發(fā)明芯片電阻器制法的第一實施例流程示意圖2A至圖2F是顯示本發(fā)明芯片電阻器制法的第二實施例流程示意圖；以及圖3是顯示本發(fā)明芯片電阻器的使用狀態(tài)熱傳導示意圖。元件符號說明<table>tableseeoriginaldocumentpage8</column></row><table>具體實施例方式以下通過特定的具體實施例說明本發(fā)明的實施方式，本領域技術(shù)人員可由本說明書所揭示的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其它優(yōu)點與功效。圖1A至圖1G是顯示依照本發(fā)明芯片電阻器制法第一實施例所繪制的流程圖，如圖所示，本發(fā)明所提供芯片電阻器的制法，包括但不限于以下所述的流程。如圖1A與圖1B所示，首先提供一基材1與一定阻電阻體2。所述該基材1是以采用氧化鋁為主要材料的陶瓷基板為例，但是其是以具備絕緣特性為基本特性要求，并無特定限制，例如于其它實施例中，亦可采用玻璃基板或塑料基板，并非僅以本實施例所示為限。該定阻電阻體2是以中央具有沖孔21的金屬片為例，而該金屬片的材料可為包括銅、錳、錫或鎳的合金，但非以此為限，該沖孔21可為圓形或矩形等易于計算面積或長度而換算電阻值的形狀，預先通過沖壓予以沖制成形，當然所述定阻電阻體2是以預先定義其電阻值的板片或膜片為基本特性要求，例如可為表面具有溝槽的金屬鍍膜，亦可為表面具有溝槽的金屬印膜，絕非僅以本實施例所示為限。如圖1C及圖ID所示，接著通過一導熱膠合層3相對貼合該基材1與該定阻電阻體2。該導熱膠合層3可采用一樹脂貼片，材料例如為環(huán)氧樹脂，其貼合順序并無特定限制，于本實施例中，以樹脂貼片為例的該導熱膠合層3預先貼合至該基材1，之后再通過該導熱膠合層3貼合該定阻電阻體2。當然，該導熱膠合層3亦非僅以采用樹脂貼片為限，舉凡可提供貼合制程并具備導熱、絕緣特性的接著材料均可，例如亦可經(jīng)印刷導熱絕緣膠而成，而較佳的方式是將該導熱絕緣膠預先印刷至該基材1，之后再通過該導熱絕緣膠貼合該定阻電阻體2。如圖1E所示，接著覆蓋一保護層4至該定阻電阻體2局部表面，以使該定阻電阻體2表面未覆蓋該保護層4的部分區(qū)隔成二電極區(qū)23，至此步驟即已視為制成芯片電阻器的成品。所述該保護層4是以提供絕緣效果為基本特性要求，于本實施例中例如采用環(huán)氧樹脂等絕緣材料，利用涂布方式覆蓋至該定阻電阻體2的中段區(qū)域表面(包括頂面及側(cè)面)，以使該定阻電阻體2表面對應中段區(qū)域的兩端區(qū)隔成二電極區(qū)23。于實際應用中，利用該定阻電阻體2表面所區(qū)隔成的二電極區(qū)23可直接焊接于外部裝置，例如直接焊接于電路板的預定電路中。如圖1F所示，因應后續(xù)實際應用的焊接便利性，復可于該定阻電阻體2的二電極區(qū)23表面分別形成電極5，以供焊接至例如需量測電位差的電路板中，于一較佳實施例中，該電極5是以滾鍍方式形成至該電極區(qū)23表面，但非以此為限，舉凡可直接于該電極區(qū)23表面形成電極5的方法均可，其基本條件是不再通過任何介于兩者間的介質(zhì)予以連接，例如可采用其它電鍍方式或熱壓合方式，均屬于無中間介質(zhì)的可行方法?；谛纬呻姌O5的目的是提供對外焊接的便利性，該電極5的材料是以具備錫的合金材料為佳，例如包括銅、鎳、錫三種金屬材料的合金。需特別陳明的是，本實施例中均以制作單一芯片電阻器的制作流程為例進行說明，但非指定本發(fā)明的技術(shù)思想僅局限于此，舉凡為了批量生產(chǎn)所為的生產(chǎn)慣用方法，例如將前述陶瓷基板1整合為多個矩陣排列的狀態(tài)、以及將該定阻電阻體2整合為多個矩陣排列的狀態(tài)，經(jīng)后續(xù)制程同步完成多個芯片電阻器之后，再予以切單完成，其制程步驟在不脫離本發(fā)明技術(shù)思想的情況下，均應隸屬本發(fā)明所涵蓋，而所為批量生產(chǎn)同步作業(yè)與切單作業(yè)為所屬
技術(shù)領域：
中技術(shù)人員所慣用且能理解而具以實施的，于此不再搭配其它實施例另行贅述。圖2A至圖2G是顯示依照本發(fā)明芯片電阻器制法第二實施例所繪制的流程圖，其中所提供芯片電阻器的制法，包括絕大部分相同于前述第一實施例的制程，并不改變?nèi)魏嗡频眯酒娮杵鞯慕Y(jié)構(gòu)，為使說明書清楚易懂，因此所有相同的元件均將采用相同符號表示，不再另行區(qū)分標號，僅以詳述制程的共同與變化為主。如圖2A與圖2B所示，首先提供一基材1與一定阻電阻體2。所述該基材1及該定阻電阻體2的特性與變化均與第一實施例相同，于此不再贅述。如圖2C及圖2D所示，接著通過一導熱膠合層3相對貼合該基材1與該定阻電阻體2。該導熱膠合層3可采用一樹脂貼片，材料例如為環(huán)氧樹脂，其貼合順序并無特定限制，于本實施例中，以樹脂貼片為例的該導熱膠合層3是預先貼合至該定阻電阻體2，之后再通過該導熱膠合層3貼合該基材1。該導熱膠合層3的特性與變化相同于第一實施例，于此同樣不再贅述。如圖2E及圖2F所示，接著進行覆蓋保護層4的步驟、以及依據(jù)實際應用所需于二電極區(qū)23表面分別形成電極5的歩驟、及該保護層4與電極5的特性與變化均相同于第一實施例，于此亦不再贅述。另外，本發(fā)明還提供一種芯片電阻器，如圖1E或圖2E所示，包括基材1、定阻電阻體2、相對貼合該基材1與該定阻電阻體2的導熱膠合層3、以及覆蓋至該定阻電阻體2局部表面的保護層4，通過該保護層4使該定阻電阻體2表面未覆蓋該保護層4的部分區(qū)隔成二電極區(qū)23。前述該基材1、定阻電阻體2、導熱膠合層3、保護層4的材料特性與結(jié)構(gòu)變化均相同于前述制法所述，于此不再另行贅述。另外，本發(fā)明所提供的芯片電阻器，亦可如圖1F或圖2F所示，還包括形成于二電極區(qū)23表面的電極5。圖3是顯示本發(fā)明所提供的芯片電阻器應用于外部裝置的使用狀態(tài)熱傳導示意圖，如圖所示。芯片電阻器的二電極區(qū)23表面的電極5可焊接至外部裝置6(例如電路板)的電路中對應的線路接點61，因應前述芯片電阻器的結(jié)構(gòu)設計中，該電極5直接連接至定阻電阻體2，因此當該定阻電阻體2工作產(chǎn)生熱量時，可如圖中箭頭方向所示，因為保護層4的阻擋而使熱傳導朝向?qū)嵝暂^佳的基材1，再由基材1經(jīng)由定阻電阻體2兩側(cè)的電極為較佳路徑傳導至線路接點61。是以，熱量可通過基材1熱擴散，同時亦通過線路接點61直接傳導至外部裝置6的印刷線路中，防止熱量直接擴散至下方而導致例如為電路板的外部裝置6燒毀，由此，并可有效抑制因為電極5與定阻電阻體2的溫度攀升而導致電阻溫度系數(shù)的過大變化，是以可應用于極低電阻值的產(chǎn)品中。綜上所述，本發(fā)明所提供的芯片電阻器及其制法，是采用導熱膠合層來相對貼合該基材與該定阻電阻體，因此可排除現(xiàn)有技術(shù)使用半導體制程的高成本缺點，達到易于制造、提升制程良率與降低成本的功效；而該定阻電阻體表面未覆蓋保護層的部分直接區(qū)隔成二電極區(qū)，可供直接形成利于焊接的電極，亦可直接提供焊接應用，從而可排除現(xiàn)有技術(shù)不必要的電流傳導阻抗、有效穩(wěn)定減小電阻溫度系數(shù)。因此，本發(fā)明所提供的芯片電阻器及其制法已然克服現(xiàn)有技術(shù)中的種種缺陷。以上所述的具體實施例，僅用以例釋本發(fā)明的特點及功效，而非用以限定本發(fā)明的可實施范疇，在未脫離本發(fā)明上述的精神與技術(shù)范疇下，任何運用本發(fā)明所揭示內(nèi)容而完成的等效改變及修飾，均仍應為權(quán)利要求書的范圍所涵蓋。權(quán)利要求1.一種芯片電阻器的制法，包括提供基材及定阻電阻體；通過一導熱膠合層相對貼合該基材與該定阻電阻體；以及覆蓋一保護層至該定阻電阻體局部表面，以使該定阻電阻體表面未覆蓋該保護層的部分區(qū)隔成二電極區(qū)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片電阻器的制法，其中，該導熱膠合層為一樹脂貼片。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的芯片電阻器的制法，其中，該樹脂貼片預先貼合至該基材，之后再通過該樹脂貼片貼合該定阻電阻體。4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的芯片電阻器的制法，其中，該樹脂貼片預先貼合至該定阻電阻體，之后再通過該樹脂貼片貼合該基材。5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的芯片電阻器的制法，其中，該樹脂貼片的材料為環(huán)氧樹脂。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片電阻器的制法，其中，該導熱膠合層是經(jīng)印刷導熱絕緣膠而成。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的芯片電阻器的制法，其中，該導熱絕緣膠預先印刷至該基材，之后再通過該導熱絕緣膠貼合該定阻電阻體。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片電阻器的制法，其中，該保護層覆蓋至該定阻電阻體的中段區(qū)域表面，以使該定阻電阻體表面對應中段區(qū)域的兩端區(qū)隔成二電極區(qū)。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的芯片電阻器的制法，復包括于該定阻電阻體的二電極區(qū)表面分別形成電極。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的芯片電阻器的制法，其中，該電極是以滾鍍方式形成至該電極區(qū)表面。11.根據(jù)權(quán)利要求l所述的芯片電阻器的制法，其中，該基材為選自陶瓷基板、玻璃基板、及塑料基板的其中一者。12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的芯片電阻器的制法，其中，該陶瓷基板的材料為氧化鋁。13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片電阻器的制法，其中，該定阻電阻體為中央具有沖孔的金屬片。14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片電阻器的制法，其中，該定阻電阻體為表面具有溝槽的金屬鍍膜。15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片電阻器的制法，其中，該定阻電阻體為表面具有溝槽的金屬印膜。16.—種芯片電阻器，包括基材；定阻電阻體；導熱膠合層，相對貼合該基材與該定阻電阻體；以及保護層，覆蓋至該定阻電阻體的局部表面，使該定阻電阻體表面未覆蓋該保護層的部分區(qū)隔成二電極區(qū)。17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的芯片電阻器，其中，該導熱膠合層為一樹脂貼片。18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的芯片電阻器，其中，該樹脂貼片的材料為環(huán)氧樹脂。19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的芯片電阻器，其中，該導熱膠合層是經(jīng)印刷導熱絕緣膠而成。20.根據(jù)權(quán)利要求16所述的芯片電阻器，其中，該保護層覆蓋至該定阻電阻體的中段區(qū)域表面，使該定阻電阻體表面對應中段區(qū)域的兩端區(qū)隔成二電極區(qū)。21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的芯片電阻器，復包括二電極，分別形成于該定阻電阻體的二電極區(qū)表面。22.根據(jù)權(quán)利要求16所述的芯片電阻器，其中，該基材為選自陶瓷基板、玻璃基板、及塑料基板的其中一者。23.根據(jù)權(quán)利要求16所述的芯片電阻器，其中，該定阻電阻體為選自中央具有沖孔的金屬片、表面具有溝槽的金屬鍍膜、及表面具有溝槽的金屬印膜的其中一者。全文摘要本發(fā)明公開了一種芯片電阻器及其制法，是通過一導熱膠合層相對貼合一基材與一定阻電阻體，并利用一保護層覆蓋至該定阻電阻體局部表面，以使該定阻電阻體表面未覆蓋該保護層的部分區(qū)隔成二電極區(qū)，從而排除現(xiàn)有技術(shù)不必要的電流傳導阻抗、有效穩(wěn)定減小電阻溫度系數(shù)(TCR)，而基材與定阻電阻體的貼合設計則可排除現(xiàn)有技術(shù)使用半導體制程的高成本缺點，達到易于制造、提升制程良率與降低成本的功效。文檔編號C09J7/00GK101364463SQ20071014039公開日2009年2月11日申請日期2007年8月10日優(yōu)先權(quán)日2007年8月10日發(fā)明者蔡榮澤申請人:斐成企業(yè)股份有限公司