專利名稱：宇航級(jí)片式厚膜電阻器的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種電阻器的制造方法，尤其涉及一種片式厚 膜電阻器的制造方法。
背景技術(shù)：
電阻、電容等基礎(chǔ)電子元件被稱作電子設(shè)備的"細(xì)胞"， 電子設(shè)備的精度、可靠性在很大程度上取決于這些基礎(chǔ)電子元件的質(zhì)量。 片式厚膜電阻器作為一種體積小、重量輕的新型元器件已在航天事業(yè)中得 到了大量的運(yùn)用；隨作技術(shù)的進(jìn)步，宇航設(shè)備對(duì)片式電阻的質(zhì)量、精度、 安全性、可靠性等指標(biāo)的要求也越來越高，某些關(guān)鍵部位的元件失效率必 須達(dá)到10 —7h以上，即宇航級(jí)元件。然而，目前普通方法制造的片式厚膜 電阻器存在失效率高、可靠性低等缺陷，已不能滿足宇航器的使用要求。

發(fā)明內(nèi)容
針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述缺陷，本發(fā)明旨在提供一種宇 航級(jí)片式厚膜電阻器的制造方法，該方法制造的產(chǎn)品能夠滿足宇航器的使 用要求。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案包括表電極制作、背電極 制作、電阻體制作、玻璃包封、激光調(diào)阻、裂片、燒成、端涂、電鍍；其 具體方法如下
1) 用去離子水對(duì)陶瓷基片進(jìn)行清洗，干燥；
2) 在清洗后的陶瓷基片表面印刷表電極，保證印刷厚度干燥后達(dá)到 15 20u;其中，電極漿料由鈀銀合金按常規(guī)方法配制而成，鈀銀合金中
金屬鈀的含量為1% 10%，其余為金屬銀；3) 在清洗后的陶瓷基片背面印刷背電極，保證印刷厚度干燥后達(dá)到 15 20U，印刷所用的電極漿料同歩驟2);
4) 將印刷有表電極膜和背電極膜的陶瓷基片850士2。C燒結(jié)8 12min;
5) 分別攪拌電阻漿料、二次玻璃漿料40 90s，攪拌轉(zhuǎn)速為1500 2500rpm，靜置10 15分鐘，然后再分別脫泡30 60s，脫泡轉(zhuǎn)速為1500 2500rpm;
6) 在燒結(jié)后的陶瓷基片表面印刷電阻體，保證印刷厚度干燥后達(dá)到 14 22u，并且電阻膜的最大值與最小值之差《4u ;
7) 將印刷有電阻體的陶瓷基片850士2t:燒結(jié)8 12min;
8) 在電阻體上印刷一次玻璃，保證印刷厚度干燥后達(dá)到18 26p， 并且一次玻璃膜的最大厚度與最小厚度之差《6y ;
9) 將印刷有一次玻璃膜的陶瓷基片600士2T燒結(jié)5 9min;
10) 用功率為3 6W、 Q開關(guān)頻率為2 6 KHz、調(diào)阻速度為10 30mm/s 的激光對(duì)電阻體進(jìn)行L形切割，將其阻值調(diào)到所需的目標(biāo)阻值和精度；
11) 用流動(dòng)的去離子水沖洗電阻體的表面，千燥；
12) 在一次玻璃體的表面印刷上述二次玻璃，干燥；重復(fù)兩次，保證 印刷總厚度干燥后達(dá)到30 70ti ;
13) 將印刷有二次玻璃膜的陶瓷基片按照常規(guī)方法一次裂片，并在裂 片條的端面涂刷端電極；
14) 將涂刷有端電極膜的裂片條600士2。C燒結(jié)5 9rnin;
15) 按常規(guī)方法二次裂片，然后鍍鎳、鍍錫鉛合金；保證鎳層厚度為2 7ii，錫鉛合金層厚度為3 18u 。
與現(xiàn)有技術(shù)比較，本發(fā)明由于在傳統(tǒng)的片式厚膜電阻器制造方法的基 礎(chǔ)上增加了陶瓷基片清洗工序，并將原來的的手工攪拌工序改為了機(jī)械攪 拌、脫泡工序，因此大大提高了電阻體膜層的附著性，同時(shí)也有效地避免 了電阻體膜層和包封膜層產(chǎn)生空洞現(xiàn)象，大幅度地提高了產(chǎn)品的可靠性。 另外，由于對(duì)某些關(guān)鍵工序的工藝參數(shù)進(jìn)行了優(yōu)化，因此明顯提高了產(chǎn)品 的質(zhì)量；經(jīng)宇航評(píng)估試驗(yàn)及鑒定摸底試驗(yàn)驗(yàn)證，利用本發(fā)明生產(chǎn)的產(chǎn)品無 一只失效，完全能滿足宇航級(jí)產(chǎn)品的要求。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合具體的實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說明
1) 將氧化鋁含量為96%以上的陶瓷基片放入頻率為10 20KHz、功率 為25 50W的超聲波清洗槽中，用電阻率為2MQ以上的去離子水對(duì)其清洗 2 10min，然后100±5°C干燥25min;
2) 在清洗后的陶瓷基片表面印刷表電極，然后125"C干燥10min;保 證印刷厚度在干燥后達(dá)到15 20u ，印刷所用的電極漿料由鈀銀合金按常 規(guī)方法配制而成，鈀銀合金中金屬鈀的含量為1% 10%，其余為金屬銀；
3) 在清洗后的陶瓷基片背面印刷背電極，然后125'C干燥10min;保 證印刷厚度在干燥后達(dá)到15 20u ，印刷所用的電極漿料同步驟2);
4) 將印刷有表電極膜和背電極膜的陶瓷基片850士2T:燒結(jié)8 12min;
5) 分別攪拌電阻漿料、二次玻璃漿料40 90s，攪拌轉(zhuǎn)速為1500 2500rpm，靜置10 15分鐘，然后再分別脫泡30 60s，脫泡轉(zhuǎn)速為1500 2500rpin;電阻漿料是常規(guī)的氧化釕漿料；6) 在燒結(jié)后的陶瓷基片表面印刷電阻體，125'C干燥10min;保證印 刷厚度干燥后達(dá)到14 22u ，并且電阻膜的最大值與最小值之差《4u ;
7) 將印刷有電阻體的陶瓷基片850士2。C燒結(jié)8 12min;目的是使?jié){ 料中的有機(jī)粘合劑燃燒、排除，使導(dǎo)電顆粒熔為一體而形成導(dǎo)電鏈；
8) 在電阻休表面印刷一次玻璃，125。C干燥lOmin;保證印刷厚度干 燥后達(dá)到18 26y，并且控制一次玻璃膜的最大厚度與最小厚度之差《6
9) 將印刷有一次玻璃膜的陶瓷基片600士2。C燒結(jié)5 9min;目的是使 玻璃顆粒熔為一體而形成保護(hù)層；
10) 用功率為3 6W、 Q開關(guān)頻率為2 6KHz、調(diào)阻速度為10 30mm/s 的激光對(duì)電阻體進(jìn)行L形切割，將其阻值調(diào)到所需的目標(biāo)阻值和精度；
11) 用電阻率為1MQ以上流動(dòng)的去離子水沖洗電阻體的表面，同時(shí)用 毛刷沿水流方向單向洗刷，以除去電阻體的表面雜質(zhì)和溝槽中的粉末；150 士5。C干燥10 15min;
12) 在一次玻璃體的表面印刷步驟5)中的二次玻璃，125'C干燥10min; 重復(fù)該過程兩次，并保證保證印刷總厚度干燥后達(dá)到30 70u ;
13) 將印刷有二次玻璃膜的陶瓷基片按照常規(guī)方法一次裂片，并在裂 片條的端面涂刷端電極；
14) 將涂刷有端電極膜的裂片條600士2r燒結(jié)5 9min;
15) 按常規(guī)方法二次裂片，然后鍍鎳、鍍錫鉛合金；保證鎳層厚度為 2 7u ，錫鉛合金層厚度為3 18u ;其中，鍍鎳電流為20 45A、時(shí)間為60 100min，鍍錫鉛合金電流為7 25A、時(shí)間為60 90min。
權(quán)利要求
1.一種宇航級(jí)片式厚膜電阻器的制造方法，包括表電極制作、背電極制作、電阻體制作、玻璃包封、激光調(diào)阻、裂片、燒成、端涂、電鍍；其特征在于具體方法如下1)用去離子水對(duì)陶瓷基片進(jìn)行清洗，干燥；2)在清洗后的陶瓷基片表面印刷表電極，保證印刷厚度干燥后達(dá)到15～20μ；其中，電極漿料由鈀銀合金按常規(guī)方法配制而成，鈀銀合金中金屬鈀的含量為1％～10％，其余為金屬銀；3)在清洗后的陶瓷基片背面印刷背電極，保證印刷厚度干燥后達(dá)到15～20μ，印刷所用的電極漿料同步驟2)；4)將印刷有表電極膜和背電極膜的陶瓷基片850±2℃燒結(jié)8～12min；5)分別攪拌電阻漿料、二次玻璃漿料40～90s，攪拌轉(zhuǎn)速為1500～2500rpm，靜置10～15分鐘，然后再分別脫泡30～60s，脫泡轉(zhuǎn)速為1500～2500rpm；6)在燒結(jié)后的陶瓷基片表面印刷電阻體，保證印刷厚度干燥后達(dá)到14～22μ，并且電阻膜的最大值與最小值之差≤4μ；7)將印刷有電阻體的陶瓷基片850±2℃燒結(jié)8～12min；8)在電阻體上印刷一次玻璃，保證印刷厚度干燥后達(dá)到18～26μ，并且一次玻璃膜的最大厚度與最小厚度之差≤6μ；9)將印刷有一次玻璃膜的陶瓷基片600±2℃燒結(jié)5～9min；10)用功率為3～6W、Q開關(guān)頻率為2～6KHz、調(diào)阻速度為10～30mm/s的激光對(duì)電阻體進(jìn)行L形切割，將其阻值調(diào)到所需的目標(biāo)阻值和精度；11)用流動(dòng)的去離子水沖洗電阻體的表面，干燥；12)在一次玻璃體的表面印刷上述二次玻璃，干燥；重復(fù)兩次，保證印刷總厚度干燥后達(dá)到30～70μ；13)將印刷有二次玻璃膜的陶瓷基片按照常規(guī)方法一次裂片，并在裂片條的端面涂刷端電極；14)將涂刷有端電極膜的裂片條600±2℃燒結(jié)5～9min；15)按常規(guī)方法二次裂片，然后鍍鎳、鍍錫鉛合金；保證鎳層厚度為2～7μ，錫鉛合金層厚度為3～18μ。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種宇航級(jí)片式厚膜電阻器的制造方法，屬于片式電阻制造方法；旨在提供一種用于宇航器的片式厚膜電阻器的制造方法。它包括表、背電極和電阻體制作、包封、調(diào)阻、裂片、燒成、端涂、電鍍；其方法是清洗基片，印刷表、背電極，電極燒結(jié)，電阻漿料和二次玻璃漿料攪拌、脫泡，印刷電阻體，電阻體燒結(jié)，印刷一次玻璃，一次玻璃燒結(jié)，激光調(diào)阻，清洗電阻體，印刷二次玻璃，一次裂片、端涂電極，端電極燒結(jié)，二次裂片、鍍鎳、鍍錫鉛合金。本發(fā)明制造的產(chǎn)品具有阻值低、TCR低、精度高、功率大、可靠性高等優(yōu)點(diǎn)，完全能滿足宇航級(jí)產(chǎn)品的要求。
文檔編號(hào)H01C17/28GK101593589SQ200910102539
公開日2009年12月2日 申請(qǐng)日期2009年4月30日 優(yōu)先權(quán)日2009年4月30日
發(fā)明者萍 葉, 周瑞山, 平 張, 鐸 張, 羅向陽, 強(qiáng) 謝, 龔漫莉 申請(qǐng)人:中國(guó)振華集團(tuán)云科電子有限公司