厚膜衰減電阻器的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及電器元件領(lǐng)域，具體是一種厚膜衰減電阻器。
【背景技術(shù)】
[0002]公知的，厚膜衰減電阻器是采用厚膜工藝，在瓷基片上使用電阻漿料印制一組電阻片，層疊構(gòu)成網(wǎng)絡(luò)電阻，電阻片的結(jié)構(gòu)目前有Π型、T形、橋T型、十字型等；厚膜衰減電阻常常被用于高精密電阻、功率電阻的制造中，需要其具有良好的高頻特性，而現(xiàn)有的厚膜衰減電阻頻率帶較窄、駐波比較大，影響使用；當(dāng)環(huán)境溫度或功率變化時(shí)，現(xiàn)有的厚膜衰減電阻會(huì)出現(xiàn)高頻增益的變動(dòng)；另外，厚膜衰減電阻器在后期封裝過程中，會(huì)出現(xiàn)端電極焊接不牢現(xiàn)象。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003]本實(shí)用新型的目的在于提供厚膜衰減電阻器，該電阻器能夠保證在封裝過程電極焊接牢固；能夠保證因溫度引起的增益不變，以及對(duì)功率變化時(shí)做出補(bǔ)償；另外還具有良好的尚頻性能。
[0004]本實(shí)用新型解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是:
[0005]厚膜衰減電阻器，包括基片，基片正面印制有一組電阻片，基片的正面與背面分別印制有相互連通的電極層；所述基片的四條側(cè)邊均呈圓弧形的鋸齒狀。
[0006]進(jìn)一步的，所述基片的背面印制有一組附加電極，所述附加電極與電阻片一一對(duì)應(yīng)形成電容。
[0007]進(jìn)一步的，所述附加電極的形狀為圓形、方形、菱形或三角形。
[0008]進(jìn)一步的，所述電阻片、電極層與附加電極均采用熱敏漿料印刷。
[0009]本實(shí)用新型的有益效果是，基片的四條側(cè)邊均呈圓弧形的鋸齒狀，使得印制后用于焊接的電極外側(cè)也為鋸齒狀，增加了后序封裝的焊接面積，焊接方便牢固，接地可靠性高；通過印制附加電極，改變了分布電容，能夠提高高頻特性；采用熱敏漿料印刷，使得電阻器形成隨溫度變化而變化的自動(dòng)補(bǔ)償衰減器，保證因發(fā)熱引起的增益不變以及功率變化的補(bǔ)償。
【附圖說明】
[0010]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)一步說明:
[0011]圖1是本實(shí)用新型的正面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0012]圖2是本實(shí)用新型的背面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0013]圖3是圖2中A處的放大示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0014]結(jié)合圖1與圖2所示，本實(shí)用新型提供一種厚膜衰減電阻器，包括基片1，基片I正面印制有一組電阻片2，電阻片2可為Π型、T形、橋T型、十字型等常規(guī)結(jié)構(gòu)；基片I的正面印制有正面電極層3，基片I的背面印制有背面電極層5與端電極6，正面電極層3與背面電極層5通過側(cè)銀4在基片I的橫向側(cè)邊上連通，正面電極層3與背面電極層5通過端電極6在基片I的縱向側(cè)邊上連通；結(jié)合圖3所示，所述基片I的四條側(cè)邊均呈圓弧形的鋸齒狀?；琁的背面還印制有一組附加電極7，附加電極7與電阻片2 —一對(duì)應(yīng)形成電容，附加電極7可以為任意形狀，只要與電阻片2之間構(gòu)成電容即可，優(yōu)選為圓形、方形、菱形或三角形。本實(shí)用新型中電阻片2、正面電極層3、背面電極層5與附加電極7均采用熱敏漿料印刷。
[0015]基片的四條側(cè)邊均呈圓弧形的鋸齒狀，使得印制后端電極的外側(cè)以及側(cè)銀均呈圓弧形的鋸齒狀，增加了后序封裝的焊接面積，焊接方便牢固，接地可靠性高；通過印制附加電極，改變了分布電容，能夠提高高頻特性；采用熱敏漿料印刷，使得電阻器形成隨溫度變化而變化的自動(dòng)補(bǔ)償衰減器，保證因發(fā)熱引起的增益不變以及功率變化的補(bǔ)償。
[0016]以上所述，僅是本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并非對(duì)本實(shí)用新型作任何形式上的限制；任何熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本實(shí)用新型技術(shù)方案范圍情況下，都可利用上述揭示的方法和技術(shù)內(nèi)容對(duì)本實(shí)用新型技術(shù)方案做出許多可能的變動(dòng)和修飾，或修改為等同變化的等效實(shí)施例。因此，凡是未脫離本實(shí)用新型技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本實(shí)用新型的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所做的任何簡(jiǎn)單修改、等同替換、等效變化及修飾，均仍屬于本實(shí)用新型技術(shù)方案保護(hù)的范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.厚膜衰減電阻器，包括基片，基片正面印制有一組電阻片，基片的正面與背面分別印制有相互連通的電極層，其特征在于，所述基片的四條側(cè)邊均呈圓弧形的鋸齒狀。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的厚膜衰減電阻器，其特征在于，所述基片的背面印制有一組附加電極，所述附加電極與電阻片--對(duì)應(yīng)形成電容。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的厚膜衰減電阻器，其特征在于，所述附加電極的形狀為圓形、方形、菱形或三角形。4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的厚膜衰減電阻器，其特征在于，所述電阻片、電極層與附加電極均采用熱敏漿料印刷。
【專利摘要】本實(shí)用新型公開厚膜衰減電阻器，包括基片，基片正面印制有一組電阻片，基片的正面與背面分別印制有相互連通的電極層，所述基片的四條側(cè)邊均呈圓弧形的鋸齒狀；所述基片的背面印制有一組附加電極，所述附加電極與電阻片一一對(duì)應(yīng)形成電容；所述電阻片、電極層與附加電極均采用熱敏漿料印刷；基片的四條側(cè)邊均呈圓弧形的鋸齒狀，使得印制后用于焊接的電極外側(cè)也為鋸齒狀，增加了后序封裝的焊接面積，焊接方便牢固，接地可靠性高；通過印制附加電極，改變了分布電容，能夠提高高頻特性；采用熱敏漿料印刷，使得電阻器形成隨溫度變化而變化的自動(dòng)補(bǔ)償衰減器，保證因發(fā)熱引起的增益不變以及功率變化的補(bǔ)償。
【IPC分類】H01C1/142, H01C7/02, H01C13/02, H01C7/04
【公開號(hào)】CN204857350
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520520698
【發(fā)明人】李福喜, 李開鋒, 崔艷紅, 鄭如濤, 朱林
【申請(qǐng)人】蚌埠市德瑞特電阻技術(shù)有限公司
【公開日】2015年12月9日
【申請(qǐng)日】2015年7月18日