專利名稱：一種拋光低介電材料的拋光液的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造工藝中的一種拋光液，具體的涉及一種拋光低介電 材料的拋光液。
背景技術(shù)：
隨著集成電路的器件尺寸縮小、布線層數(shù)增加，促使金屬線寬變窄，這導(dǎo)
致了金屬連線的電阻率增大和電路的RC延遲增大，嚴(yán)重制約著集成電路的性 能。銅由于具有比鋁更好的抗電遷移能力和高的導(dǎo)電率，已經(jīng)替代鋁成為深亞 微米集成電路的導(dǎo)線材料。目前，采用銅化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)的大馬士革鑲嵌工 藝是唯一成熟和已經(jīng)應(yīng)用到銅互連線的布線技術(shù)。銅CMP作為ULSI多層布線 的關(guān)鍵平坦化技術(shù)，對(duì)ULSI的發(fā)展有很大的影響。銅CMP工藝操作平臺(tái)一般 由旋轉(zhuǎn)的硅片夾持器、拋光墊、工作臺(tái)和拋光漿料供給裝置等幾部分組成。拋 光時(shí)，以一定的壓力將旋轉(zhuǎn)的硅片壓在旋轉(zhuǎn)的拋光墊上，而由亞微米或納米磨 粒和化學(xué)溶液組成的拋光液在工件與拋光墊之間流動(dòng)，在機(jī)械作用和拋光液的 化學(xué)作用下實(shí)現(xiàn)硅片表面的材料去除和全局平整化。
由于銅是具有化學(xué)和電化學(xué)活性的金屬，銅表面在拋光液的化學(xué)作用下會(huì) 發(fā)生腐蝕，并且銅比較"軟"，容易產(chǎn)生擦傷，所以銅CMP容易產(chǎn)生表面缺陷。 為了防止銅在拋光過程中受到腐蝕，在拋光漿料中一般會(huì)引入各種緩蝕劑。這 類緩蝕劑分子吸附在銅表面上，或者與銅表面的銅離子形成絡(luò)合物，改變銅的表面特性。同時(shí)，這些緩蝕劑分子在銅的表面形成一層致密的膜，以阻止拋光 液中的氧化劑和絡(luò)合劑與銅表面接觸。
目前用作銅緩蝕劑的有機(jī)物為唑類衍生物，包括噻唑、咪唑和氮唑類化合 物，其中苯并三唑、巰基、苯并噻唑、二巰基塞二唑、苯并咪唑等最為常用。
例如在專利US7,253，111、 US7,128，825、 US6,916,742、 US5,954,997等眾多的專
利中都采用了一種或多種緩蝕劑，在這些銅或阻擋層的拋光液中，緩蝕劑主要 是用來保護(hù)銅的表面，防止銅化學(xué)腐蝕的發(fā)生。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是在低介電材料的拋光工藝中Cu細(xì)線上易出現(xiàn) 鋸齒、凹陷、磨蝕和劃痕等缺陷。為了解決這一問題，本發(fā)明提供一種可增強(qiáng) 對(duì)Cii細(xì)線的保護(hù)，顯著減少上述缺陷的拋光液。
本發(fā)明的拋光低介電材料的拋光液含有二氧化硅和水，還含有混合緩蝕劑。
其中，所述的混合緩蝕劑較佳的選自苯并三唑、5-氨基四氮唑、5-甲基四氮 唑、巰基苯并噻唑、5-羧基苯并三氮唑、3-氨基-l， 2， 4-三氮唑和l， 2， 4-三氮 唑中的兩種或多種，更佳的為苯并三唑和5-氨基四氮唑的混合緩蝕劑。所述的 混合緩蝕劑的總含量較佳的為拋光液質(zhì)量的0.04~1%。所述的混合緩蝕劑中，各 緩蝕劑的含量較佳的為混合緩蝕劑總質(zhì)量的10~90% 。
其中，所述的二氧化硅的粒徑較佳的為20 150nm;所述的二氧化硅的含量 較佳的為質(zhì)量百分比2~15%。
本發(fā)明的拋光液還可較佳的含有速率增助劑、氧化劑和表面活性劑中的一 種或多種。其中，所述的速率增助劑較佳的選自有機(jī)酸、有機(jī)酸鹽、氨基酸和胺類中 的一種或多種，更佳的選自有機(jī)磷酸、酒石酸、酒石酸鉀、甘氨酸和正丁胺中 的一種或多種，所述的速率增助劑的含量較佳的為質(zhì)量百分比0.1~1%;所述的 氧化劑較佳的為過氧化氫，所述的氧化劑的用量較佳的為質(zhì)量百分比0.05~1%; 所述的表面活性劑可選自陰離子表面活性劑、陽離子表面活性劑、非離子表面 活性劑和兩性離子表面活性劑中的一種或多種，較佳的選自聚丙烯酸陰離子表 面活性劑、孿生季銨鹽陽離子表面活性劑、聚乙二醇非離子表面活性劑和甜菜 堿兩性表面活性劑中的一種或多種，所述的表面活性劑的用量較佳的為質(zhì)量百力、比0.02~0.5%。本發(fā)明的拋光液的pH較佳的為2 5。本發(fā)明的拋光液由上述成分簡(jiǎn)單均勻混合，之后采用pH調(diào)節(jié)劑調(diào)節(jié)至合適 pH值即可制得。pH調(diào)節(jié)劑可選用本領(lǐng)域常規(guī)pH調(diào)節(jié)劑，如氫氧化鉀、氨水和 硝酸等。本發(fā)明中，所用試劑及原料均市售可得。本發(fā)明的積極進(jìn)步效果在于本發(fā)明的拋光液可增強(qiáng)對(duì)Cu細(xì)線的保護(hù)，顯 著減少鋸齒、凹陷、磨蝕和劃痕等缺陷，改善拋光芯片的電性能。


圖1為對(duì)比實(shí)施例中拋光液1 9對(duì)TEOS (二氧化硅)和Cu的拋光速率圖。 圖2為效果實(shí)施例1中含有混合緩蝕劑的拋光液10~14對(duì)TEOS和Cu的拋 光速率圖。圖3為效果實(shí)施例2中含有混合緩蝕劑的拋光液15 17對(duì)TEOS和Cu的拋光速率圖。圖4為效果實(shí)施例3中含有不同含量比率的混合緩蝕劑的拋光液18 20對(duì) TEOS和Cu的拋光速率圖。圖5為效果實(shí)施例4中含有不同含量的混合緩蝕劑的拋光液21~24對(duì)Ta， TEOS、 BD (摻碳二氧化硅)和Cu的拋光速率圖。圖6為效果實(shí)施例5中不同pH的含有混合緩蝕劑的拋光液25~29對(duì)Ta， TEOS、 BD和Cu的拋光速率圖。圖7為效果實(shí)施例6中本發(fā)明拋光液30和對(duì)比拋光液1和2對(duì)Cu拋光后 Cu線的掃描電鏡。圖8為效果實(shí)施例6中本發(fā)明拋光液30和對(duì)比拋光液1和2對(duì)#854芯片拋 光后80bond位置處的輪廓曲線圖。
具體實(shí)施方式
下面通過實(shí)施例的方式進(jìn)一步說明本發(fā)明，但并不因此將本發(fā)明限制在所 述的實(shí)施例范圍之中。以下實(shí)施例中，含量百分比均為質(zhì)量百分比，各拋光液 余量為水。 實(shí)施例1二氧化硅(70nm) 4%，苯并三唑0.1%， 5-氨基四氮唑0.05%， pH=3.0。 實(shí)施例2二氧化硅(70nm) 4%，酒石酸0.4%，苯并三唑0.1%， 1 ， 2， 4三氮唑0.05%, pH=3.0。 實(shí)施例3二氧化硅(70nm) 4%， 5-氨基四氮唑0.1%, 5-甲基四氮唑0.05%，雙氧水0.3%， pH=3.0。 實(shí)施例3二氧化硅(70nm) 4%， 5-氨基四氮唑0.1%， 5-甲基四氮唑0.05%，聚丙 烯酸陰離子表面活性劑0.2%， pH=3.0。 對(duì)比實(shí)施例含有單一緩蝕劑的拋光液及其拋光性能拋光液l: 二氧化硅(70nm) 4%，酒石酸0.4%，苯并三唑0.15%,雙氧 水0.3%，聚丙烯酸陰離子表面活性劑0.2%， pH=3.0。拋光液2: 二氧化硅(70nm) 4%，酒石酸0.4%， 5-氨基四氮唑0.15%， 雙氧水0.3%，聚丙烯酸陰離子表面活性劑0.2%， pH=3.0。拋光液3: 二氧化硅(70nm) 4%，酒石酸0.4%， 5-甲基四氮唑0.15%， 雙氧水0.3%，聚丙烯酸陰離子表面活性劑0.2%， pH=3.0。拋光液4: 二氧化硅(70nm) 4%，酒石酸0.4%，巰基苯基四氮唑0.15%， 雙氧水0.3%，聚丙烯酸陰離子表面活性劑0.2%， pH=3.0。拋光液5: 二氧化硅(70nm) 4%，酒石酸0.4%， 2-巰基苯并噻唑0.15%， 雙氧水0.3%,聚丙烯酸陰離子表面活性劑0.2%， pH=3.0。拋光液6: 二氧化硅(70nm) 4%，酒石酸0.4%，巰基苯基咪唑0.15%， 雙氧水0.3%，聚丙烯酸陰離子表面活性劑0.2%， pH=3.0。拋光液7: 二氧化硅(70nm) 4%，酒石酸0.4%, 5-羧基苯并三氮唑0.15%, 雙氧水0.3%，聚丙烯酸陰離子表面活性劑0.2%， pH=3.0。拋光液8: 二氧化硅(70nm) 4%，酒石酸0.4%, 3-氨基-l， 2， 4-三氮唑 0.15%，雙氧水0.3%，聚丙烯酸陰離子表面活性劑0.2%， pH=3.0。拋光液9: 二氧化硅(70nm) 4%，酒石酸0.4%, 1， 2， 4-三氮唑0.15%，雙氧水0.3%，聚丙烯酸陰離子表面活性劑0.2%， pH=3.0。將拋光液1~9用于TEOS和Cu的拋光，拋光速率如圖1所示。拋光條件 下壓力2.0psi，拋光布Politex，拋光盤轉(zhuǎn)速70rpm，拋光液流速100ml/min，拋 光機(jī)臺(tái)LogitecPM5，結(jié)果如圖1所示。圖1結(jié)果表明，拋光液采用單一的不同緩蝕劑時(shí)，所得到的拋光速率有明 顯的差異，說明拋光過程中各種緩蝕劑在銅表面的吸附和成膜情況并不完全相 同。同時(shí)可以看到，采用巰基苯基四氮唑、2-巰基苯并噻唑、3-氨基-l， 2， 4-三氮唑或1， 2， 4-三氮唑?yàn)榫徫g劑的拋光液，其Cu的拋光速率遠(yuǎn)高于TEOS的 拋光速率，在拋光過程中銅線容易出現(xiàn)嚴(yán)重磨蝕的問題。 效果實(shí)施例1 含有混合緩蝕劑的拋光液及其拋光性能拋光液10: 二氧化硅(70nm) 4%，酒石酸0.4%,苯并三唑0.1%， 5-氨 基四氮唑0.05%，雙氧水0.3%，聚丙烯酸陰離子表面活性劑0.2%， pH=3.0。拋光液lh 二氧化硅(70nm) 4%，酒石酸0.4%，苯并三唑0.1%, 1， 2， 4三氮唑0.05%，雙氧水0.3%，聚丙烯酸陰離子表面活性劑0.2%， pH=3.0。拋光液12: 二氧化硅(70nm) 4%，酒石酸0.4%， 5-氨基四氮唑0.1%， 5-甲基四氮唑0.05%，雙氧水0.3%，聚丙烯酸陰離子表面活性劑0.2%， pH=3.0。拋光液13: 二氧化硅(70nm) 4%，酒石酸0.4%， 5-氨基四氮唑0.1%， 5-羧基苯并三氮唑0.05%，雙氧水0.3%，聚丙烯酸陰離子表面活性劑0.2%, pH=3.0。拋光液14: 二氧化硅(70nm) 4%，酒石酸0.4%,苯并三唑0.05%， 3-氨基-1， 2， 4-三氮唑0.05%， 2-巰基苯并噻唑0.05%，雙氧水0.3%，聚丙烯酸 陰離子表面活性劑0.2%， pH=3.0。將拋光液10 14用于TEOS和Cu的拋光，拋光速率如圖2所示。拋光條件: 下壓力2.0psi，拋光布Politex，拋光盤轉(zhuǎn)速70rpm，拋光液流速100ml/min，拋 光機(jī)臺(tái)Logitec PM5，結(jié)果如圖2所示。
圖2的結(jié)果表明，采用不同的混合緩蝕劑的拋光液，其拋光性能差別較小。 與采用單一的緩蝕劑體系的參考實(shí)施例中各拋光液(圖1)與相比，采用混合緩 蝕劑的拋光液，其Cu的拋光速率接近或略小于TEOS的拋光速率，能夠較為容 易地防止銅線嚴(yán)重磨蝕的發(fā)生。
效果實(shí)施例2 含有不同含量比率的混合緩蝕劑的拋光液及其拋光性能
拋光液15: 二氧化硅(70nm) 4%，苯并三唑0.18%， 5-氨基四氮唑0.02%， 酒石酸0.2%，雙氧水0.3%， pH=3。
拋光液16: 二氧化硅(70nm) 4%，苯并三唑0.1%， 5-氨基四氮唑0.1%， 酒石酸0.2%，雙氧水0.3%， pH=3。
拋光液17: 二氧化硅(70nm) 4%，苯并三唑0.02%, 5-氨基四氮唑0.18%， 酒石酸0.2%，雙氧水0.3%， pH=3。
將拋光液15 17用于TEOS和Cu的拋光，拋光速率如圖3所示。拋光條件 下壓力2.0psi，拋光布Politex，拋光盤轉(zhuǎn)速70rpm，拋光液流速100ml/min,拋 光機(jī)臺(tái)Logitec PM5。
圖3表明，拋光液采用苯并三唑和5-氨基四氮唑的混合緩蝕劑體系后，Cu 和TEOS的拋光速率變化較小。但是圖3也表明，隨著苯并三唑在緩蝕劑中比 率的減小，Cu的拋光速率逐漸增加，而TEOS的拋光速率略有降低，出現(xiàn)銅線 磨蝕的幾率增加。結(jié)合參考實(shí)施例(圖l)的結(jié)果發(fā)現(xiàn)，在混合緩蝕劑體系中， 若Cu拋光速率較低的緩蝕劑的比重較大時(shí)，更能夠有效防止銅線的磨蝕。效果實(shí)施例3 含有不同含量的混合緩蝕劑的拋光液及其拋光性能
拋光液18: 二氧化硅(70nm) 4%，苯并三唑0.02%， 5-氨基四氮唑0.02%， 酒石酸0.2%，雙氧水0.3%， pH=3
拋光液19: 二氧化硅(70nm) 4%，苯并三唑0.1%， 5-氨基四氮唑0.1%， 酒石酸0.2%，雙氧水0.3%， pH=3
拋光液20: 二氧化硅(70nm) 4%，苯并三唑0.5%， 5-氨基四氮唑0.5%， 酒石酸0.2%，雙氧水0.3%， pH=3
將拋光液18~20用于TEOS和Cu的拋光，拋光速率如圖4所示。拋光條件: 下壓力2.0psi，拋光布Politex，拋光盤轉(zhuǎn)速70rpm，拋光液流速100ml/min，拋 光機(jī)臺(tái)LogitecPM5。
圖4表明，在混合緩蝕劑總用量為0.04% 1.0%的區(qū)間內(nèi)，隨著混合緩蝕劑 總量的增加，Cu和TEOS的拋光速率都逐漸減小，但Cu拋光速率減小程度更 大，說明混合緩蝕劑用量的增加更能夠有效防止磨蝕。但是TEOS拋光速率的 減小將會(huì)延長(zhǎng)拋光工藝的時(shí)間，增加生產(chǎn)成本。
效果實(shí)施例4 不同pH的含有混合緩蝕劑的拋光液及其拋光性能
拋光液21: 二氧化硅(70nm) 4%，苯并三唑0.02%， 5-氨基四氮唑0.02%， 酒石酸0.2%，雙氧水0.3%， pH=2
拋光液22: 二氧化硅(70nm) 4%，苯并三唑0.02%， 5-氨基四氮唑0.02%， 酒石酸0.2%，雙氧水0.3%， pH=5
拋光液23: 二氧化硅(70nm) 4%，苯并三唑0.02%， 5-氨基四氮唑0.02%， 酒石酸0.2%，雙氧水0.3%， pH=8
拋光液24: 二氧化硅(70nm) 4%，苯并三唑0.02%， 5-氨基四氮唑0.02%,酒石酸0.2%，雙氧水0.3%，， pH=ll
將拋光液21 24用于Ta， TEOS、 BD和Cu的拋光，拋光速率如圖5所示。 拋光條件下壓力2.0psi，拋光布Politex，拋光盤轉(zhuǎn)速70rpm，拋光液流速 100ml/min，拋光機(jī)臺(tái)Logitec PM5。
圖5表明，緩蝕劑用量在pH為2 5間可得到較高的拋光速率，而在pH為 ll時(shí)Cu拋光速率較低，因此采用混合緩蝕劑的拋光液，其優(yōu)選的pH為2 5。 效果實(shí)施例5 含有混合緩蝕劑和其他添加劑的拋光液及其拋光性能
拋光液25: 二氧化硅(20nm) 2%，有機(jī)磷酸0.2%， 5-氨基四氮唑0.15%， 5-氨基-l，2，4-三氮唑0.05%，聚丙烯酸陰離子表面活性劑0.2%，雙氧水0.3%， pH=3
拋光液26: 二氧化硅(70nm) 8%，甘氨酸0.2%，苯并三唑0.2%， 5-甲 基-四氮唑0.05%,聚乙二醇PEG200 0.2。/。，雙氧水0.3%, pH=3
拋光液27: 二氧化硅(150nm) 15%,正丁胺0.05%， 5-羧基苯基四氮唑 0.1%， 1， 2， 4-三氮唑0.05%，葡聚糖0.2%，雙氧水0.3%, pH=3
拋光液28: 二氧化硅(70nm) 15%，酒石酸鉀，0.16%， 2-巰基苯基噻唑 0.1%，巰基苯并四唑0.1%，甜菜堿兩性表面活性劑0.05%，雙氧水0.3%, pH=3
拋光液29: 二氧化硅(150nm) 4%，正丁胺0.2%， AN-5 0.15%， 2-巰基 咪唑0.15%，孿生季銨鹽陽離子表面活性劑0.05%，雙氧水0.3%， pH=3
將拋光液25 29用于Ta， TEOS、 BD和Cu的拋光，拋光速率如圖6所示。 拋光條件下壓力2.0psi，拋光布Politex，拋光盤轉(zhuǎn)速70rpm，拋光液流速 100ml/min ，拋光機(jī)臺(tái)Logitec PM5 。
圖6表明，混合緩蝕劑與不同的二氧化硅、速率增助劑和表面活性劑組合后可以得到不同的拋光性能。從圖中可以看到，當(dāng)二氧化硅粒徑為70nm時(shí)，如 拋光液26和28， TEOS的拋光速率較高；當(dāng)二氧化硅用量較多時(shí)，如拋光液27， TEOS和Cu的拋光速率都比較高；采用正丁胺為速率增助劑時(shí)，如拋光液27 和29， Cu的拋光速率偏高。
效果實(shí)施例6 含有混合緩蝕劑的拋光液對(duì)銅缺陷的改善
對(duì)比拋光液l: 二氧化硅(70nrn) 5%，有機(jī)磷酸0.2%，苯并三唑0.15%， 聚丙烯酸陰離子表面活性劑0.2%，雙氧水0.3%， pH=3
對(duì)比拋光液2: 二氧化硅(70nm) 5%，有機(jī)磷酸0.2%， 5-氨基四氮唑 0.15%，聚丙烯酸陰離子表面活性劑0.2%，雙氧水0.3%， pH=3
拋光液30: 二氧化硅(70nm) 5%，有機(jī)磷酸0.2%，苯并三唑0.05%， 5-氨基四氮唑0.1%，聚丙烯酸陰離子表面活性劑0,2%，雙氧水0.3%， pH=3
將對(duì)比拋光液1和2以及拋光液30用于TEOS和Cu的拋光。拋光條件 拋光條件下壓力1.5psi，拋光布Politex，拋光盤轉(zhuǎn)速70rpm，拋光液流速 100ml/min，拋光機(jī)臺(tái)Logitec PM5，拋光時(shí)間80秒，拋光后晶圓放置2天后測(cè)
試o
圖7表明，當(dāng)拋光液僅采用苯并三唑?yàn)榫徫g劑時(shí)，銅線表面有較多的污染 物，且銅線邊緣磨蝕嚴(yán)重。而當(dāng)拋光液僅采用5-氨基四氮唑時(shí)，銅線表面比較 粗糙，且有較多的劃痕。但是當(dāng)拋光液采用混合緩蝕劑后，銅線表面平滑且干 凈。
圖8表明，當(dāng)拋光液僅采用苯并三唑?yàn)榫徫g劑時(shí)，盡管銅平面與TEOS之 間的磨蝕較小，但是銅線邊緣磨蝕現(xiàn)象嚴(yán)重，出現(xiàn)鋸齒狀缺陷。而當(dāng)拋光液僅 采用5-氨基四氮唑時(shí)，銅線磨蝕程度較大。但是當(dāng)拋光液采用混合緩蝕劑后，銅線磨蝕較少且邊緣保護(hù)較好。
權(quán)利要求
1.一種拋光低介電材料的拋光液，含有二氧化硅和水，其特征在于其還含有混合緩蝕劑。
2. 如權(quán)利要求1所述的拋光液，其特征在于所述的混合緩蝕劑為苯并三唑、 5-氨基四氮唑、5-甲基四氮唑、巰基苯并噻唑、5-羧基苯并三氮唑、3-氨基-l，2， 4-三氮唑和l， 2， 4-三氮唑中的兩種或多種的組合。
3. 如權(quán)利要求2所述的拋光液，其特征在于所述的混合緩蝕劑為苯并三唑和 5-氨基四氮唑的混合緩蝕劑。
4. 如權(quán)利要求1所述的拋光液，其特征在于所述的混合緩蝕劑的總含量為拋 光液質(zhì)量的0.04~1%。
5. 如權(quán)利要求1所述的拋光液，其特征在于所述的混合緩蝕劑中，各緩蝕劑 的含量為混合緩蝕劑總質(zhì)量的10 90%。
6. 如權(quán)利要求1所述的拋光液，其特征在于所述的二氧化硅的粒徑為2(M50nm。
7. 如權(quán)利要求1所述的拋光液，其特征在于所述的二氧化硅的含量為質(zhì)量百分比2 15%。
8. 如權(quán)利要求1所述的拋光液，其特征在于所述的拋光液還含有速率增助劑、 氧化劑和表面活性劑中的一種或多種。
9. 如權(quán)利要求8所述的拋光液，其特征在于所述的速率增助劑為有機(jī)酸、有 機(jī)酸鹽、氨基酸和胺類中的一種或多種。
10. 如權(quán)利要求9所述的拋光液，其特征在于所述的速率增助劑為有機(jī)磷酸、 酒石酸、酒石酸鉀、甘氨酸和正丁胺中的一種或多種。
11. 如權(quán)利要求8所述的拋光液，其特征在于所述的氧化劑為過氧化氫。
12. 如權(quán)利要求8所述的拋光液，其特征在于所述的表面活性劑為陰離子表面 活性劑、陽離子表面活性劑、非離子表面活性劑和兩性離子表面活性劑中的 一種或多種。
13. 如權(quán)利要求12所述的拋光液，其特征在于所述的陰離子表面活性劑為聚 丙烯酸；所述的陽離子表面活性劑為孿生季銨鹽；所述的非離子表面活性劑 為聚乙二醇和葡聚糖；所述的兩性表面活性劑為甜菜堿。
14. 如權(quán)利要求1所述的拋光液，其特征在于所述的拋光液的pH為2 5。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種拋光低介電材料的拋光液，其含有二氧化硅和水，其特征在于還含有混合緩蝕劑。本發(fā)明的拋光液可增強(qiáng)對(duì)Cu細(xì)線的保護(hù)，顯著減少鋸齒、凹陷、磨蝕和劃痕等缺陷，改善拋光芯片的電性能。
文檔編號(hào)C09G1/00GK101407699SQ20071004700
公開日2009年4月15日 申請(qǐng)日期2007年10月12日 優(yōu)先權(quán)日2007年10月12日
發(fā)明者宋偉紅, 春 徐, 王淑敏, 荊建芬, 陳國(guó)棟 申請(qǐng)人:安集微電子(上海)有限公司