技術(shù)編號：3803028
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造工藝中的一種拋光液，具體的涉及一種拋光低介電 材料的拋光液。背景技術(shù)隨著集成電路的器件尺寸縮小、布線層數(shù)增加，促使金屬線寬變窄，這導(dǎo)致了金屬連線的電阻率增大和電路的RC延遲增大，嚴(yán)重制約著集成電路的性 能。銅由于具有比鋁更好的抗電遷移能力和高的導(dǎo)電率，已經(jīng)替代鋁成為深亞 微米集成電路的導(dǎo)線材料。目前，采用銅化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)的大馬士革鑲嵌工 藝是唯一成熟和已經(jīng)應(yīng)用到銅互連線的布線技術(shù)。銅CMP作為ULSI多層布線 的關(guān)鍵平坦化技術(shù)，...
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