專利名稱：：嵌段共聚物的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及嵌段共聚物。
背景技術(shù)：
：可溶于溶劑的高分子量的發(fā)光材料或電荷輸送材料由于可以通過涂覆法形成發(fā)光元件的有機(jī)層，因此進(jìn)行了各種研究。能夠作為發(fā)光材料或電荷輸送材料用于高分子發(fā)光元件(高分子LED)等電子元件的高分子化合物例如已知有聚芴類等的無規(guī)共聚物。(日本特開2001-151868、月干U，2000年，9月號，2632頁)。但是，使用上述無規(guī)共聚物作為發(fā)光材料或電荷輸送材料等的元件的元件性能在實(shí)用上并非是令人滿意的水平。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于提供作為電子元件的材料使用時(shí)，能夠產(chǎn)生元件性能優(yōu)異的電子元件的共聚物。艮P，本發(fā)明提供一種嵌段共聚物，其為2個(gè)以上的下式(1)所示嵌段構(gòu)成的嵌段共聚物，其特征在于，該共聚物中存在的多個(gè)m中的至少2個(gè)表示5以上的數(shù)，該共聚物的相鄰2個(gè)嵌段的Ar互不相同，該共聚物在由2個(gè)上式(1)所示嵌段構(gòu)成時(shí)具有2種Ar，由3個(gè)上式(1)所示嵌段構(gòu)成時(shí)具有2種以上的Ar，由4個(gè)以上上式(1)所示嵌段構(gòu)成時(shí)具有4種以上的Ar。(式(1)中，Ar表示共軛系的二價(jià)基團(tuán)，在同一嵌段內(nèi)表示相同的二價(jià)基團(tuán)，m表示存在于1個(gè)嵌段內(nèi)的Ar的數(shù)均聚合度，且表示1以上的數(shù)值。)圖1為本發(fā)明實(shí)施例6的共聚物和比較例3的共聚物的各個(gè)元件的電壓-電流特性。圖2為本發(fā)明實(shí)施例6的共聚物和比較例3的共聚物的各個(gè)元件的電壓-亮度特性。具體實(shí)施例方式本發(fā)明的嵌段共聚物由2個(gè)以上的上式(1)所示的嵌段構(gòu)成。式(1)中，Ar各自獨(dú)立地表示共軛系的二價(jià)基團(tuán)。Ar表示l個(gè)嵌段的構(gòu)成單元。共軛系的二價(jià)基團(tuán)是指分子中結(jié)合的電子非定域化的二價(jià)基團(tuán)，具體地優(yōu)選下式(2)所示的基團(tuán)。(式(2)中，A1、A2、A3、八4和八5各自獨(dú)立地表示可以被取代的亞芳基或二價(jià)的雜環(huán)基。B1、B2、83和b4各自獨(dú)立地表示-BR1-、-NR2-、-SiR3R4-、-PR5-、-C三C、-CRb-NRb-或可以具有取代基的1，2-亞乙烯基。R1、R2、R3、R4、R5和R6各自獨(dú)立地表示氫原子或取代基。a1、a2、a3、al卩a5各自獨(dú)立地表示03的整數(shù)，且表示滿足1S^+a2+a3+a4+a5^15的整數(shù)。b1、b2、b3、b4各自獨(dú)立地表示0或l。)式(2)中，A1、A2、A3、AA各自獨(dú)立地表示可以被取代的亞芳基或二價(jià)的雜環(huán)基。這里，亞芳基是指2個(gè)結(jié)合在芳香族烴的環(huán)上的氫原子脫離而產(chǎn)生的基團(tuán)。該亞芳基的碳原子數(shù)通常為660左右、優(yōu)選為648、更優(yōu)選為630、進(jìn)一步優(yōu)選為625、特別優(yōu)選為620。該碳原子數(shù)不包含取代基的碳原子數(shù)。亞芳基的具體例子可以舉出下式(A-l)(A-49)、優(yōu)選式(A-l)(A-12)和(A-19)(A-49)所示的亞芳基、更優(yōu)選(A-O(A-4)和(A-19)(A-49)所示的亞芳基、進(jìn)一步優(yōu)選(A-l)(A-4)和(A-22)(A-49)所示的亞芳基、進(jìn)一步優(yōu)選(A-l)(A-3)和(A-22)(A-30)所示的亞芳基、進(jìn)一步優(yōu)選(A-l)(A-3)和(A-22)所示的亞芳基、特別優(yōu)選(A-l)和(A-22)所示的亞芳基。以下，芳香族烴環(huán)的結(jié)合鍵表示可以采用任何位置。(A—1)(A—2)(A—3》(A-4〉(A—5)(A—6)(A—7)(A—8)(A—9)(A-10)(A—11)《A—12)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage14</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage15</formula>二價(jià)的雜環(huán)基是指鍵合在具有雜環(huán)的芳香族化合物的芳香環(huán)上的2個(gè)氫原子脫離所產(chǎn)生的基團(tuán)。該二價(jià)的雜環(huán)基的碳原子數(shù)通常為260左右、優(yōu)選為348、更優(yōu)選為530、進(jìn)一步優(yōu)選為625、特別優(yōu)選為1020。該碳原子數(shù)不包含取代基的碳原子數(shù)。作為二價(jià)的雜環(huán)基的具體例子可以舉出下式(B-l)(B-49)所示的雜環(huán)基、優(yōu)選為(B-4)(B-49)所示的雜環(huán)基、更優(yōu)選為(B-8)(B-49)所示的雜環(huán)基、進(jìn)一步優(yōu)選為(B-ll)(B-49)所示的雜環(huán)基、進(jìn)一步優(yōu)選為(B-ll)(B-37)所示的雜環(huán)基、進(jìn)一步優(yōu)選為(B-ll)(B-29)所示的雜環(huán)基、特別優(yōu)選為(B-14)(B-25)所示的雜環(huán)基。以下，芳香環(huán)的結(jié)合鍵表示可以采用任何碳原子的位置。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage16</formula><table>tableseeoriginaldocumentpage17</column></row><table>上式中，Ra表示氫原子或取代基，從共聚物的穩(wěn)定性或合成容易性等的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選氫原子、烷基、芳基、芳烷基、一價(jià)雜環(huán)基，更優(yōu)選為烷基、芳基、芳烷基、一價(jià)雜環(huán)基，進(jìn)一步優(yōu)選為烷基、芳基。這里，烷基可以是直鏈、支鏈或環(huán)狀的任一種，碳原子數(shù)通常為l20左右、優(yōu)選碳原子數(shù)為115、更優(yōu)選為110，其具體例子可以舉出甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、叔丁基、戊基、異戊基、己基、環(huán)己基、庚基、辛基、2-乙基己基、壬基、癸基、3,7-二甲基辛基、月桂基、l-金剛垸基、2-金剛烷基、三氟甲基、五氟乙基、全氟丁基、全氟己基、全氟辛基等。從元件特性、合成易于進(jìn)行等的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、叔丁基、戊基、異戊基、己基、辛基、2-乙基己基、癸基、3,7-二甲基辛基。Ra存在多個(gè)時(shí)，2個(gè)烷基之間可以鍵合形成環(huán)。芳基為從芳香族烴除去l個(gè)氫原子的原子團(tuán)，包括帶有縮合環(huán)的芳基，和2個(gè)以上獨(dú)立的苯環(huán)或縮合環(huán)直接或通過1,2-亞乙烯基等基團(tuán)鍵合的芳基。芳基的總碳原子數(shù)通常為660個(gè)左右、優(yōu)選為748個(gè)左右。其具體例子可以舉出苯基、l-萘基、2-萘基、l-蒽基、2-蒽基、9-蒽基、五氟苯基等，它們還可以舉出烷基、烷氧基、垸氧基羰基、取代氨基等取代基。從它們在有機(jī)溶劑中的溶解性、元件特性、合成易于進(jìn)行等觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選具有1個(gè)以上的碳原子數(shù)112的烷基和/或碳原子數(shù)112的垸氧基和/或烷基氧基羰基作為取代基的苯基，作為其具體例子可以舉出3-甲基苯基、4-甲基苯基、3，5-二甲基苯基、4-丙基苯基、茶基、4-異丙基苯基、4-丁基苯基、4-異丁基苯基、4-叔丁基苯基、4-戊基苯基、4-異戊基苯基、4-己基苯基、2,6-二甲基-4-叔丁基苯基、4-庚基苯基、4-辛基苯基、4-壬基苯基、4-癸基苯基、4-十二烷基苯基、3-甲基氧基苯基、4-甲基氧基苯基、3，5-二甲基氧基苯基、4-丙基氧基苯基、4-異丙基氧基苯基、4-丁基氧基苯基、4-異丁基氧基苯基、4-叔丁基氧基苯基、4-己基氧基苯基、3,5-二己基氧基苯基、4-庚基氧基苯基、4-辛基氧基苯基、4-壬基氧基苯基、4-(甲氧基甲氧基)苯基、3-(甲氧基甲氧基)苯基、4-(2-乙氧基-乙氧基)苯基、3-(2-乙氧基-乙氧基)苯基、3，5-雙(2-乙氧基-乙氧基)苯基、3-甲氧基羰基苯基、4-甲氧基羰基苯基、3,5-二甲氧基羰基苯基、3-乙氧基羰基苯基、4-乙氧基羰基苯基、3-乙氧基羰基-4-甲氧基苯基、3-乙基氧基羰基-4-乙氧基苯基、3-乙基氧基羰基-4-己基氧基苯基、4-二苯基氨基苯基等。芳烷基的碳原子數(shù)通常為760左右、優(yōu)選74S，其具體例子可以舉出苯基-dCu烷基、dCu垸氧基苯基-dCn垸基、dd2垸基苯基-C廣Cu烷基、l-萘基-dd2垸基、2-萘基-dd2烷基等，從在有機(jī)溶劑中的溶解性、元件特性、合成易于進(jìn)行等的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選d(312烷氧基苯基-dd2垸基、(:1(312烷基苯基-dd2垸基。一價(jià)的雜環(huán)基是指從雜環(huán)化合物除去1個(gè)氫原子后剩余的原子團(tuán)，碳原子數(shù)通常為460左右、優(yōu)選為420。予以說明，雜環(huán)基的碳原子數(shù)不包含取代基的碳原子數(shù)。這里，雜環(huán)化合物是指在帶有環(huán)式結(jié)構(gòu)的有機(jī)化合物中，構(gòu)成環(huán)的元素不僅為碳原子，在環(huán)內(nèi)還含有氧、硫、氮、磷、硼等雜原子的化合物。具體地說可以舉出噻吩基、dd2烷基噻吩基、吡咯基、呋喃基、吡啶基、QC,2烷基吡啶基、哌啶基、喹啉基、異喹啉基等，優(yōu)選噻吩基、C,d2烷基噻吩基、吡啶基、C!C,2垸基吡啶基。式(2)中，A1、A2、八3和八4具有取代基時(shí)，從在有機(jī)溶劑中的溶解性、元件特性、合成易于進(jìn)行等的觀點(diǎn)出發(fā)，取代基優(yōu)選選自烷基、垸氧基、垸硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳垸基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳鏈烯基、芳炔基、氨基、取代氨基、甲硅垸基、取代甲硅烷基、鹵原子、酰基、酰氧基、亞胺殘基、酰胺基、酰亞胺基、一價(jià)的雜環(huán)基、羧基、取代羧基、取代膦基、磺酸基和氰基。更優(yōu)選選自烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、芳垸基、芳垸氧基、取代氨基、取代甲硅垸基、?；?、取代羧基和氰基，更優(yōu)選選自垸基、烷氧基、芳基、芳氧基、芳烷基、芳烷氧基和取代羧基，進(jìn)一步優(yōu)選選自烷基、烷氧基、芳基，特別優(yōu)選為烷基。上述垸基、烷氧基、垸硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳垸基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳鏈烯基、芳炔基、取代氨基、取代甲硅烷基、?；ⅤＱ趸?、亞胺殘基、酰胺基、酰亞胺基、一價(jià)的雜環(huán)基、取代羧基和取代膦基各自獨(dú)立可以被上述烷基、垸氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳鏈烯基、芳炔基、氨基、取代氨基、甲硅烷基、取代甲硅垸基、鹵原子、?；?、酰氧基、亞胺殘基、酰胺基、酰亞胺基、一價(jià)的雜環(huán)基、羧基、取代羧基、取代膦基、磺酸基和氰基取代。這里，烷基可以為直鏈、支鏈或環(huán)狀的任一種，碳原子數(shù)通常為l20左右、優(yōu)選碳原子數(shù)115、更優(yōu)選為110，其具體例子可以舉出甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、叔丁基、戊基、異戊基、己基、環(huán)己基、庚基、辛基、2-乙基己基、壬基、癸基、3,7-二甲基辛基、月桂基、l-金剛垸基、2-金剛垸基、三氟甲基、五氟乙基、全氟丁基、全氟己基、全氟辛基等，從元件特性、合成易于進(jìn)行等的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、叔丁基、戊基、異戊基、己基、辛基、2-乙基己基、癸基、3，7-二甲基辛基。烷基存在多個(gè)時(shí)，2個(gè)烷基之間可以鍵合形成環(huán)。垸氧基可以為直鏈、支鏈或環(huán)狀的任一種，碳原子數(shù)通常為120左右、優(yōu)選碳原子數(shù)115，其具體例子可以舉出甲氧基、乙氧基、丙氧基、異丙氧基、丁氧基、異丁氧基、叔丁氧基、戊基氧基、己基氧基、環(huán)己基氧基、庚基氧基、辛基氧基、2-乙基己基氧基、壬基氧基、癸基氧基、3,7-二甲基辛基氧基、月桂基氧基、三氟甲氧基、五氟乙氧基、全氟丁氧基、全氟己基、全氟辛基、甲氧基甲基氧基、2-甲氧基乙基氧基、2-乙氧基乙基氧基等。從在有機(jī)溶劑中的溶解性、元件特性、合成易于進(jìn)行等的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選戊氧基、己氧基、辛氧基、2-乙基己基氧基、癸氧基、3,7-二甲基辛基氧基。烷硫基可以為直鏈、支鏈或環(huán)狀的任一種，碳原子數(shù)通常為120左右、優(yōu)選碳原子數(shù)320，其具體例子可以舉出甲硫基、乙硫基、丙硫基、異丙硫基、丁硫基、異丁硫基、叔丁硫基、戊硫基、己硫基、環(huán)己硫基、庚硫基、辛硫基、2-乙基己硫基、壬硫基、癸硫基、3，7-二甲基辛硫基、月桂基硫基、三氟甲基硫基等。從在有機(jī)溶劑中的溶解性、元件特性、合成易于進(jìn)行等的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選戊硫基、己硫基、辛硫基、2-乙基己硫基、癸硫基、3，7-二甲基辛硫基。芳基為從芳香族烴除去l個(gè)氫原子的原子團(tuán)，包括帶有縮合環(huán)的芳基、和2個(gè)以上的獨(dú)立的苯環(huán)或縮合環(huán)直接或介由1,2-亞乙烯基等基團(tuán)鍵合的芳基。芳基的總碳原子數(shù)通常為660左右、優(yōu)選為748。其具體例子可以舉出苯基、l-萘基、2-萘基、l-蒽基、2-蒽基、9-蒽基、五氟苯基等，它們還可以具有垸基、烷氧基、烷氧基羰基等取代基。從它們在有機(jī)溶劑中的溶解性、元件特性、合成易于進(jìn)行等的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選具有l(wèi)個(gè)以上的碳原子數(shù)112的烷基和/或碳原子數(shù)112的烷氧基和/或垸基氧基羰基作為取代基的苯基，作為其具體例子可以舉出3-甲基苯基、4-甲基苯基、3，5-二甲基苯基、4-丙基苯基、茶基、4-異丙基苯基、4-丁基苯基、4-叔丁基苯基、4-叔丁基苯基、4-戊基苯基、4-異戊基苯基、4-己基苯基、2,6-二甲基-4-叔丁基苯基、4-庚基苯基、4-辛基苯基、4-壬基苯基、4-癸基苯基、4-十二烷基苯基、3-甲基氧基苯基、4-甲基氧基苯基、3，5-二甲基氧基苯基、4-丙基氧基苯基、4-異丙基氧基苯基、4-丁基氧基苯基、4-異丁基氧基苯基、4-叔丁基氧基苯基、4-己基氧基苯基、3,5-二己基氧基苯基、4-庚基氧基苯基、4_辛基氧基苯基、4-壬基氧基苯基、4-(甲氧基甲氧基)苯基、3-(甲氧基甲氧基)苯基、4-(2-乙氧基-乙氧基)苯基、3-(2-乙氧基-乙氧基)苯基、3,5-雙(2-乙氧基-乙氧基)苯基、3-甲氧基羰基苯基、4-甲氧基羰基苯基、3，5-二甲氧基羰基苯基、3-乙氧基羰基苯基、4-乙氧基羰基苯基、3-乙基氧基羰基-4-甲氧基苯基、3-乙基氧基羰基-4-乙氧基苯基、3-乙基氧基羰基-4-己基氧基苯基等。芳氧基的碳原子數(shù)通常為660左右、優(yōu)選748，其具體例子可以舉出苯氧基、C,C,2烷氧基苯氧基(dC,2表示碳原子數(shù)112。以下相同)、dd2烷基苯氧基、l-萘氧基、2-萘氧基、五氟苯基氧基等，從在有機(jī)溶劑中的溶解性、元件特性、合成易于進(jìn)行等的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選C,C12烷氧基苯氧基、dC12烷基苯氧基。C,C12垸氧基具體地可以舉出甲氧基、乙氧基、丙基氧基、異丙基氧基、丁氧基、異丁氧基、叔丁氧基、戊基氧基、己基氧基、環(huán)己基氧基、庚基氧基、辛基氧基、2-乙基己基氧基、壬基氧基、癸基氧基、3,7-二甲基辛基氧基、月桂基氧基等。dd2烷基苯氧基具體地可以舉出甲基苯氧基、乙基苯氧基、二甲基苯氧基、丙基苯氧基、1，3，5-三甲基苯氧基、甲基乙基苯氧基、異丙基苯氧基、丁基苯氧基、異丁基苯氧基、叔丁基苯氧基、戊基苯氧基、異戊基苯氧基、己基苯氧基、庚基苯氧基、辛基苯氧基、壬基苯氧基、癸基苯氧基、十二烷基苯氧基等。芳硫基的碳原子數(shù)通常為360左右，其具體例子可以舉出苯硫基、C,C，2烷氧基苯硫基、C,d2垸基苯硫基、l-萘硫基、2-萘硫基、五氟苯基硫基等，從在有機(jī)溶劑中的溶解性、元件特性、合成易于進(jìn)行等的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選Qd2烷氧基苯硫基、dd2垸基苯硫基。芳垸基的碳原子數(shù)通常為760左右、優(yōu)選74S，其具體例子可以舉出苯基-dd2烷基、Qd2烷氧基苯基-dd2垸基、C,C!2烷基苯基-dd2垸基、l-萘基-C,d2烷基、2-萘基-dC2垸基等，從在有機(jī)溶劑中的溶解性、元件特性、合成易于進(jìn)行等的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選QCi2烷氧基苯基-CiCi2烷基、CiCn烷基苯基曙C!Ci2烷基。芳垸氧基的碳原子數(shù)通常為760左右、優(yōu)選74S，其具體例子可以舉出苯基甲氧基、苯基乙氧基、苯基丁氧基、苯基戊氧基、苯基己氧基、苯基庚氧基、苯基辛氧基等苯基-Qd2垸氧基、dd2烷氧基苯基-dC,2烷氧基、dCu垸基苯基-dCi2烷氧基、l-萘基-Qd2烷氧基、2-萘基-dd2烷氧基等，從在有機(jī)溶劑中的溶解性、元件特性、合成易于進(jìn)行等的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選C，d2垸氧基苯基-dd2烷氧基、C,d2烷基苯基-CC,2焼氧基。芳烷硫基的碳原子數(shù)通常為760左右、優(yōu)選74S，其具體例子可以舉出苯基-dCn烷硫基、Qd2烷氧基苯基-dC!2垸硫基、C,C12垸基苯基-dd2烷硫基、l-萘基-dCi2烷硫基、2-萘基-dC,2烷硫基等，從在有機(jī)溶劑中的溶解性、元件特性、合成易于進(jìn)行等的觀點(diǎn)出發(fā),優(yōu)選QQ2烷氧基苯基-dd2垸硫基、dd2烷基苯基-dd2垸硫基。芳鏈烯基的碳原子數(shù)通常為860左右，其具體例子可以舉出苯基-C2d2鏈烯基、dd2烷氧基苯基-C2d2鏈烯基、C,d2垸基苯基-C2d2鏈烯基、l-萘基-C2C!2鏈烯基、2-萘基-C2d2鏈烯基等，從在有機(jī)溶劑中的溶解性、元件特性、合成易于進(jìn)行等的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選QC,2烷氧基苯基-C2d2鏈烯基、Qd2垸基苯基-dd2鏈烯基。芳炔基的碳原子數(shù)通常為860左右，其具體例子可以舉出苯基-C2Q2炔基、Qd2垸氧基苯基-C2d2炔基、Cid2垸基苯基-C2d2炔基、l-萘基-C2d2炔基、2-萘基-C2C,2炔基等，從在有機(jī)溶劑中的溶解性、元件特性、合成易于進(jìn)行等的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選dd2烷氧基苯基《2(:12炔基、Cid2垸基苯基-dd2炔基。取代氨基可以舉出被選自烷基、芳基、芳烷基或一價(jià)雜環(huán)基的1個(gè)或2個(gè)基團(tuán)取代的氨基，該垸基、芳基、芳垸基或一價(jià)雜環(huán)基還可以具有取代基。取代氨基的碳原子數(shù)不包含該取代基的碳原子數(shù)，通常為160左右、優(yōu)選碳原子數(shù)248。具體地說，可以舉出甲基氨基、二甲基氨基、乙基氨基、二乙基氨基、丙基氨基、二丙基氨基、異丙基氨基、二異丙基氨基、丁基氨基、異丁基氨基、叔丁基氨基、戊基氨基、己基氨基、環(huán)己基氨基、庚基氨基、辛基氨基、2-乙基己基氨基、壬基氨基、癸基氨基、3,7-二甲基辛基氨基、月桂基氨基、環(huán)戊基氨基、二環(huán)戊基氨基、環(huán)己基氨基、二環(huán)己基氨基、吡咯烷基、哌啶基、雙三氟甲基氨基苯基氨基、二苯基氨基、dCu烷氧基苯基氨基、二(dd2垸氧基苯基)氨基、二(dd2烷基苯基)氨基、l-萘基氨基、2-萘基氨基、五氟苯基氨基、吡啶基氨基、噠嗪基氨基、嘧啶基氨基、吡嗪基氨基、三嗪(triazyl)氨基苯基-Qd2垸基氨基、(^(:12垸氧基苯基-dd2烷基氨基、(^(:12垸基苯基-dC。垸基氨基、二(dd2烷氧基苯基-dd2烷基)氨基、二(dd2烷基苯基-<^012垸基)氨基、l-萘基-Qd2垸基氨基、2-萘基-dd2垸基氨基等。取代甲硅烷基可以舉出被選自烷基、芳基、芳烷基或一價(jià)雜環(huán)基的1、2或3個(gè)基團(tuán)取代的甲硅烷基。取代甲硅烷基的碳原子數(shù)通常為160左右、優(yōu)選碳原子數(shù)348。予以說明，該烷基、芳基、芳垸基或一價(jià)雜環(huán)基可以具有取代基。具體地說，可以舉出三甲基甲硅烷基、三乙基甲硅烷基、三丙基甲硅烷基、三異丙基甲硅烷基、二甲基異丙基甲硅烷基、二乙基異丙基甲硅垸基、叔丁基甲硅烷基二甲基甲硅烷基、戊基二甲基甲硅烷基、己基二甲基甲硅烷基、庚基二甲基甲硅烷基、辛基二甲基甲硅烷基、2-乙基己基二甲基甲硅垸基、壬基二甲基甲硅烷基、癸基二甲基甲硅烷基、3,7-二甲基辛基-二甲基甲硅垸基、月桂基二甲基甲硅烷基、苯基-dd2烷基甲硅垸基、C,Cu烷氧基苯基-dd2垸基甲硅烷基、Qd2烷基苯基-dQ2烷基甲硅烷基、l-萘基-Cd2烷基甲硅烷基、2-萘基-dC^烷基甲硅烷基、苯基-Qd2烷基二甲基甲硅垸基、三苯基甲硅垸基、三-對二甲苯基甲硅烷基、三節(jié)基甲硅烷基、二苯基甲基甲硅烷基、叔丁基苯基甲硅烷基、二甲基苯基甲硅垸基等。鹵原子可以舉出氟原子、氯原子、溴原子、碘原子。酰基的碳原子數(shù)通常為220左右、優(yōu)選碳原子數(shù)218，其具體例子可以舉出乙?；?、丙?；?、丁?；?、異丁?；?、特戊?；⒈郊柞；?、三氟乙?；⑽宸郊柞；?。酰氧基的碳原子數(shù)通常為220左右、優(yōu)選碳原子數(shù)218，其具體例子可以舉出乙酰氧基、丙酰氧基、丁酰氧基、異丁酰氧基、特戊酰氧基、苯甲酰氧基、三氟乙酰氧基、五氟苯甲酰氧基等。亞胺殘基的碳原子數(shù)為220左右、優(yōu)選碳原子數(shù)218，其具體例子可以舉出下述結(jié)構(gòu)式所示的基團(tuán)等。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage25</formula>酰胺基的碳原子數(shù)通常為220左右、優(yōu)選碳原子數(shù)218，其具體例子可以舉出甲酰胺基、乙酰胺基、丙酰胺基、丁酰胺基、苯甲酰胺基、三氟乙酰胺基、五氟苯甲酰胺基、二甲酰胺基、二乙酰胺基、二丙酰胺基、二丁酰胺基、二苯甲酰胺基、雙三氟乙酰胺基、雙五氟苯甲酰胺基等。酰亞胺基可以舉出從酰亞胺除去鍵合在該氮原子上的氫原子后獲得的殘基，碳原子數(shù)為420左右，具體地可以舉出以下所示的基團(tuán)等。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage25</formula>一價(jià)的雜環(huán)基是指從雜環(huán)化合物中除去1個(gè)氫原子后剩余的原子團(tuán)，碳原子數(shù)通常為460左右、優(yōu)選420。予以說明，雜環(huán)基的碳原子數(shù)不包含取代基的碳原子數(shù)。這里，雜環(huán)化合物是指具有環(huán)式結(jié)構(gòu)的有機(jī)化合物中構(gòu)成環(huán)的元素不僅為碳原子，在環(huán)內(nèi)還含有氧、硫氮、磷、硼等雜原子的。具體地可以舉出噻吩基、Qd2烷基噻吩基、吡咯基、呋喃基、吡啶基、dd2烷基吡啶基、哌啶基、喹啉基、異喹啉基等，優(yōu)選噻吩基、dd2烷基噻吩基、吡啶基、dd2烷基吡啶基。取代羧基可以舉出被垸基、芳基、芳烷基或一價(jià)雜環(huán)基取代的羧基，碳原子數(shù)通常為260左右、優(yōu)選碳原子數(shù)248，其具體例子可以舉出甲氧基羰基、乙氧基羰基、丙氧基羰基、異丙氧基羰基、丁氧基羰基、異丁氧基羰基、叔丁氧基羰基、戊氧基羰基、己氧基羰基、環(huán)己氧基羰基、庚氧基羰基、辛氧基羰基、2-乙基己氧基羰基、壬氧基羰基、癸氧基羰基、3,7-二甲基辛氧基羰基、十二垸氧基羰基、三氟甲氧基羰基、五氟乙氧基羰基、全氟丁氧基羰基、全氟己氧基羰基、全氟辛氧基羰基、苯氧基羰基、萘氧基羰基、吡啶氧基羰基等。取代膦基可以舉出被垸基、芳基、芳烷基或一價(jià)雜環(huán)基取代的膦基，碳原子數(shù)通常為260左右、優(yōu)選碳原子數(shù)948，其具體例子可以舉出二甲基膦基、二乙基膦基、二丁基膦基、雙(叔丁基)膦基、二環(huán)己基膦基、二苯基膦基、雙(l-萘基)膦基、雙(2-甲基苯基)膦基、雙(4-甲基苯基)膦基、雙(2-甲氧基苯基)膦基、雙(4-甲氧基苯基)膦基、雙(4-氟苯基)膦基、二芐基膦基等。上式(2)中，B1、B2、B3和b4各自獨(dú)立地表示-BR、-NR2-、-SiR3R4-、-PR5-、-OC-、-CRb-N-或可以具有取代基的1，2-亞乙烯基。R1、R2、R3、R4、RS和Bb表示氫原子或取代基。式(2)中的B1、B2、83和84優(yōu)選選自-NR2-、-SiR3R4-、-C三C-、-CR^N-或可以具有取代基的1,2-亞乙烯基，更優(yōu)選選自-NR2-、可以具有取代基的1，2-亞乙烯基，進(jìn)一步優(yōu)選為-NR2-。R1、R2、R3、W和RS從共聚物的穩(wěn)定性或易于合成等的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選氫原子、垸基、芳基、芳烷基、一價(jià)的雜環(huán)基，更優(yōu)選烷基、芳基、芳烷基、一價(jià)的雜環(huán)基，迸一步優(yōu)選垸基、芳基。垸基、芳基、芳垸基、一價(jià)的雜環(huán)基的具體例子分別舉出與式(2)中的A1、A2、A3、Y具有取代基時(shí)的烷基、芳基、芳烷基、一價(jià)雜環(huán)基相同的具體例子。式(2)中的B1、B2、BMnB纟所表示的-CRb-N-具體地由下式(3)或(4)表示。(式(3)中，Rb各自獨(dú)立地表示氫原子或取代基。)(式(4)中，Rb各自獨(dú)立地表示氫原子或取代基。)式(3)和式(4)中的Rb從在有機(jī)溶劑中的溶解性、元件特性、合成易于進(jìn)行等的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選選自烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳垸基、芳垸氧基、芳垸硫基、芳鏈烯基、芳炔基、氨基、取代氨基、甲硅垸基、取代甲硅烷基、鹵原子、?；ⅤＱ趸啺窔埢?、酰胺基、酰亞胺基、一價(jià)的雜環(huán)基、羧基、取代羧基和氰基。更優(yōu)選選自烷基、垸氧基、芳基、芳氧基、芳垸基、芳烷氧基、取代氨基、取代甲硅垸基、?；?、取代羧基和氰基，進(jìn)一步優(yōu)選選自垸基、烷氧基、芳基、芳氧基、芳烷基、芳烷氧基、取代羧基，更優(yōu)選選自烷基、烷氧基、芳基，特別優(yōu)選選自垸基和芳基。作為烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳垸氧基、芳垸硫基、芳鏈烯基、芳炔基、取代氨基、取代甲硅烷基、鹵原子、?；?、酰氧基、亞胺殘基、酰胺基、酰亞胺基、一價(jià)的雜環(huán)基、取代羧基的具體例子分別可以舉出與式(2)中的A1、A2、A3、Y具有取代基時(shí)的烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳垸硫基、芳鏈烯基、芳炔基、取代氨基、取代甲硅垸基、鹵原子、?；ⅤＱ趸?、亞胺殘基、酰胺基、酰亞胺基、一價(jià)的雜環(huán)基和取代羧酸相同的具體例。作為可以具有取代基的1,2-亞乙烯基的具體例子可以舉出下式(3，)和(4，)所示的1，2-亞乙烯基。(式(4，)中，Rb各自獨(dú)立地表示氫原子或取代基。)式(3')和式(4')中Rb的優(yōu)選例子與式(3)中Rb的優(yōu)選例子相同。式(2)中，a1、a2、a3、Z和&5各自獨(dú)立地表示03的整數(shù)、且滿足lSaW+aW+a5,的整數(shù)。a1、a2、a3、a4和a5優(yōu)選為滿足J+a2+a3+a4+a^10的整數(shù)、更優(yōu)選為滿足1^a^a^^+a^a57的整數(shù)、進(jìn)一步優(yōu)選為滿足1^^+^+^+a、a55的整數(shù)、更加優(yōu)選為滿足a'+a2+a3+a4+a^4的整數(shù)、特別優(yōu)選為滿足1^^+&2+&3+34+^^3的整數(shù)。式(2)中，b1、b2、1)3和134各自獨(dú)立地表示0或1，b1、b2、b,b4為滿足0^bi+b、bVb4^的整數(shù)、更優(yōu)選為滿足0^b、b^bS+b4^2的整數(shù)。從元件特性等的觀點(diǎn)出發(fā)，式(2)中，優(yōu)選a^1且a^a^a^a^a^b^b^bMy^O的情況或a^a、b^b、1且l^a2^2且a4=a5=bi=b2=0的情況或a^a^l且b14且a3=a4=a5=b2=b3=b4=0的情況。作為式(2)所示基團(tuán)的具體例子，從元件特性等的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選(C-l)(C-22)、(D-l)(D-24)、(E-l)(E-26)、(F-l)(F-13)、(G陽l)(G-14)、(H-l)(H-12)或(J-l)(J-22)所示的基團(tuán)，更優(yōu)選(C-l)(C-22)、(D-l)(D-24)、(E-l)(式(3，)中Rb各自獨(dú)立地表示氫原子或取代基。)(E-26)、(F-l)(F-13)、(G陽l)(G-14)或(J-l)(J-22)所示的基團(tuán)，進(jìn)一步優(yōu)選(C-l)(C-22)、(D-l)(D-24)、(E-l)(E-26)、(F-l)(F-13)、(G-l)(G-14)或(J-20)(J-22)所示的基團(tuán)，更加優(yōu)選(C-l)(C-22)、(D-l)(D-2)、(D-4)(D-24)、(E-l)(E-16)、(E-19)(E-26)、(F-9)(F-13)、(G-l)(G-14)或(J-20)(J-22)所示的基團(tuán)、進(jìn)一步優(yōu)選(C-l)(C-22)、(D-9)(D-24)、(E-l)(E-16)、(E-19)(E-26)、(F-9)(F-13)、(G-l)(G-14)或(J-20)(J-22)所示的基團(tuán)，特別優(yōu)選(C畫l)、(C-ll)(C-22)、(D-9)(D-24)、(E-O(E-16)、(E-19)(E-26)、(F-9)(F-13)、(G-l)(G-14)或(J-20)(J-22)所示的基團(tuán)。其中，優(yōu)選(C-l)(C-22)、(D-9)(D-24)、(E畫l)(E-16)、(E-19)(E-26)、(F-9)(F-13)或(G-l)(G-14)所示的基團(tuán)，更優(yōu)選(C-ll)(C-22)、(D-9)(D-24)、(E-l)(E-16)、(E-19)(E-26)或(G-l)(G-14)所示的基團(tuán)，進(jìn)一步優(yōu)選(C-ll)(C-22)、(D-9)(D-24)、(E-l)(E-16)或(G-l)(G-14)所示的基團(tuán)，更加優(yōu)選(C-ll)(C-22)、(D-9)(D-24)或(G-l)(G-14)所示的基團(tuán)、進(jìn)一步優(yōu)選(C-ll)、(C-15)(C-22)、(D畫9)(D-24)或(G-l)(G-14)所示的基團(tuán)，特別優(yōu)選(C-ll)、(C-15)(C-22)、(D-10-l)或(G-l)(G-14)所示的基團(tuán)。其中最優(yōu)選(C-11)、(C-15)(C-22)、(D畫10-l)或(G-l)(G-4)所示的基團(tuán)，更優(yōu)選(C-ll)、(C-15)、(D-10-l)或(G-1)(G-14)所示的基團(tuán)，進(jìn)一步優(yōu)選(C-ll)、(C-15)、(D-10-l)或(G-l)所示的基團(tuán)。這里，式中Ra各自獨(dú)立地表示與式(B-12)的Ra相同的意義、W各自獨(dú)立地表示與式(3)的Rb相同的意義。式中Re各自獨(dú)立地表示氫原子或取代基，作為取代基表示與式(2)中的A1、A2、A3、八4具有取代基時(shí)優(yōu)選取代基相同的取代基。式中的R1、R2、R3、W和RS從共聚物的穩(wěn)定性或易于合成等觀點(diǎn)出發(fā)，各自獨(dú)立地優(yōu)選氫原子、烷基、芳基、芳烷基、一價(jià)的雜環(huán)基，更優(yōu)選垸基、芳基、芳烷基、一價(jià)的雜環(huán)基，進(jìn)一步優(yōu)選烷基、芳基。垸基、芳基、芳垸基、一價(jià)的雜環(huán)基的具體例子分別可以舉出與式(2)中的A1、A2、A3、八4具有取代基時(shí)的垸基、芳基、芳垸基-一價(jià)的雜環(huán)基相同的具體例子。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage30</formula>(D—6)(D—7)《D—8)(D—9》(D—13)(D—14)(D—15》(D—16)—21》(D—22)(D—23)(D—24)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage32</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage33</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage34</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage35</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage36</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage37</formula><table>tableseeoriginaldocumentpage38</column></row><table><formula>formulaseeoriginaldocumentpage39</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage40</formula>式(1)的Ar在相同嵌段內(nèi)表示相同基團(tuán)，在相鄰2個(gè)嵌段內(nèi)的2個(gè)Ar表示互不相同的基團(tuán)。本發(fā)明的嵌段共聚物由2個(gè)上式(1)所示嵌段構(gòu)成時(shí)，具有兩種Ar，由3個(gè)上式(1)所示嵌段構(gòu)成時(shí)，具有兩種以上的Ar，由4個(gè)以上的上式(1)所示嵌段構(gòu)成時(shí)，具有四種以上的Ar。優(yōu)選為不同嵌段的Ar全部不同的二價(jià)基團(tuán)。本發(fā)明的嵌段共聚物的聚苯乙烯換算的數(shù)均分子量(Mn)通常為lxK)3lxl()8左右、優(yōu)選為Ixl03lxl07、更優(yōu)選為2xl03lxl06、進(jìn)一步優(yōu)選為5xl035xl05、更加優(yōu)選為Ixl045xl05、特別優(yōu)選為2xl045xl05。另外，聚苯乙烯換算的重均分子量(Mw)通常為2xl03lxl08左右，從成膜性的觀點(diǎn)和制成元件時(shí)的效率的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選4xl032乂107、更優(yōu)選lxl()45xl06、進(jìn)一步優(yōu)選2xl04lxl06、更加優(yōu)選4xl045xl05。Mn、Mw可以由分子篩色譜法(以下稱作SEC)測定。式(1)中，m表示存在于l個(gè)嵌段內(nèi)的構(gòu)成單元Ar的數(shù)均聚合度，各自獨(dú)立地表示1個(gè)以上的數(shù)字。多個(gè)存在于本發(fā)明嵌段共聚物的m中的至少2個(gè)表示5以上的數(shù)值。優(yōu)選至少2個(gè)為55xl04的數(shù)值、更優(yōu)選至少2個(gè)為55xl(^的數(shù)值、進(jìn)一步優(yōu)選至少2個(gè)為10&103的數(shù)值、更加優(yōu)選至少2個(gè)為155xl()S的數(shù)值、特別優(yōu)選至少2個(gè)為205xl(^的數(shù)值。對于某個(gè)嵌段的m所示的數(shù)均聚合度而言，在將本發(fā)明嵌段共聚物的數(shù)均分子量為Mn、相對于本發(fā)明嵌段共聚物所含全部構(gòu)成單元的該嵌段構(gòu)成單元Ar的總摩爾分率為Qa、該嵌段構(gòu)成單元Ar的化學(xué)式量為Ma時(shí)，用下式(a-l)表示。這里，化學(xué)式量如化學(xué)辭典(第1版、東京化學(xué)同人編、1994年)253頁記載，是指用組合式表示時(shí)其中所含原子的相對原子質(zhì)量的總和。m=(MnxQa)/Ma(a-l)本發(fā)明的嵌段共聚物有時(shí)具有末端基團(tuán)。末端基團(tuán)是指存在于嵌段共聚物兩末端的一價(jià)基團(tuán)，末端基相鄰嵌段的m表示2以上的數(shù)值。本發(fā)明的嵌段共聚物可以具有2種以上的末端基團(tuán)。本發(fā)明的嵌段共聚物的末端基團(tuán)各自獨(dú)立地選自氫原子、垸基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳垸基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳鏈烯基、芳炔基、氨基、取代氨基、甲硅烷基、取代甲硅垸基、鹵原子、?；ⅤＱ趸?、亞胺殘基、酰胺基、酰亞胺基、一價(jià)的雜環(huán)基、羧基、取代羧基、取代膦基、羥基、磺酸基和氰基。作為垸基、垸氧基、垸硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳垸基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳鏈烯基、芳炔基、取代氨基、取代甲硅垸基、鹵原子、?；?、酰氧基、亞胺殘基、酰胺基、酰亞胺基、一價(jià)的雜環(huán)基、取代羧基和取代膦基的具體例子分別可以舉出與式(2)中的A1、A2、A3、八4具有取代基時(shí)的垸基、垸氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳垸基、芳垸氧基、芳垸硫基、芳鏈烯基、芳炔基、取代氨基、取代甲硅烷基、卣原子、?；?、酰氧基、亞胺殘基、酰胺基、酰亞胺基、一價(jià)的雜環(huán)基、取代羧基和取代膦基相同的具體例子。本發(fā)明嵌段共聚物的末端基團(tuán)從元件特性等的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選選自氫原子、烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、芳垸基、芳垸氧基、取代氨基、取代甲硅烷基、酰基、酰氧基、亞胺殘基、酰胺基、酰亞胺基、一價(jià)的雜環(huán)基和取代膦基，更優(yōu)選選自烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、芳烷基、芳烷氧基和取代膦基，進(jìn)一步優(yōu)選選自烷基、烷氧基、芳基和取代膦基，特別優(yōu)選選自烷基、烷氧基和芳基。本發(fā)明的嵌段共聚物可以兩末端之間形成單鍵而形成環(huán)狀結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的嵌段共聚物可以含有不劣化元件特性程度的均聚物等雜質(zhì)。本發(fā)明的嵌段共聚物由2個(gè)以上的式(1)所示的嵌段構(gòu)成。從元件特性、合成容易等的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選由2100個(gè)嵌段構(gòu)成、更優(yōu)選由250個(gè)嵌段構(gòu)成、進(jìn)一步優(yōu)選由230個(gè)嵌段構(gòu)成、更加優(yōu)選由220個(gè)嵌段構(gòu)成、進(jìn)一步優(yōu)選由210個(gè)嵌段構(gòu)成、特別優(yōu)選由25個(gè)嵌段構(gòu)成。其中，優(yōu)選由24個(gè)嵌段構(gòu)成、更優(yōu)選由23個(gè)嵌段構(gòu)成、進(jìn)一步優(yōu)選由2個(gè)嵌段構(gòu)成。作為本發(fā)明嵌段共聚物的優(yōu)選方式的由式(1)所示嵌段210個(gè)構(gòu)成時(shí)，該聚合物例如由下式(5)表示。(5)(式(5)中，Ar1、Ar2、Ar3、Ar4、Ar5、Ar6、Ar7、Ar8、Ar9、Ar10各自獨(dú)立地表示共軛系的二價(jià)基團(tuán)，在同一嵌段內(nèi)表示相同基團(tuán)，相鄰2個(gè)嵌段中表示互不相同的基團(tuán)。RX和RY各自獨(dú)立地表示末端基團(tuán)，或者通過Rx和RY形成一個(gè)單鍵，嵌段共聚物的2個(gè)末端之間鍵合形成環(huán)狀結(jié)構(gòu)。m1、m2、m3、m4、m5、m6、m7、m8、m"和m"分別表示Ar1、Ar2、Ar3、Ar4、Ar5、Ar6、Ar7、Ar8、Ar9、Ar1Q的數(shù)均聚合度，各自獨(dú)立地表示O以上的數(shù)值，m1、m2、m3、m4、m5、m6、m7、m8、m9和m"中的至少2個(gè)以上表示5以上的數(shù)值。當(dāng)m1^5且m2^5且m3=m4=m5=m6=m7=m8=m9=m1Q=0時(shí)，Ar1和Ar2表示互不相同的基團(tuán)。m1、m2、1113分別為1以上的數(shù)值、且m1、m2、m3中的至少2個(gè)為5以上的數(shù)值、且m4=m5=m6=m7=m8=m9=m1G=0時(shí)，Ar1和Ar2表示互不相同的基團(tuán)、A一和A戶表示互不相同的二價(jià)基團(tuán)、Ar'禾卩A一可以相互相同或不同。m1、m2、m3、m4、m5、m6、m7、m8、m9和m1Q中的至少4個(gè)表示1以上的數(shù)值、且至少2個(gè)表示5以上的數(shù)值時(shí)，Ar1、Ar2、Ar3、Ar4、Ar5、Ar6、Ar7、Ar8、Ar9、Ar"表示的二價(jià)基團(tuán)為四種以上。)式(5)中，Ar1、Ar2、Ar3、Ar4、Ar5、Ar6、Ar7、Ar8、Ar9、Ar10各自獨(dú)立地表示共軛系的二價(jià)基團(tuán)，優(yōu)選例為與Ar優(yōu)選例相同的例子。式(5)中，RX和RY各自獨(dú)立地表示末端基團(tuán)，或者通過RX和RY形成一個(gè)單鍵，嵌段共聚物的2個(gè)末端之間鍵合形成環(huán)狀結(jié)構(gòu)。末端基團(tuán)可以舉出上述例子。RX和RY表示的末端基團(tuán)可以存在兩種類以上。式(5)中，m1、m2、m3、m4、m5、m6、m7、m8、m9和m1Q分別表示Ar1、Ar2、Ar3、Ar4、Ar5、Ar6、Ar7、Ar8、Ar9、Arie的數(shù)均聚合度，各自獨(dú)立地表示0以上的數(shù)值，m1、m2、m3、m4、m5、m6、m7、m8、m9和m^中的至少2個(gè)以上表示5以上的數(shù)值。RX和RY表示末端基團(tuán)時(shí)，RX和RY相鄰嵌段的數(shù)均聚合度為2以上。對于m1、m2、m3、m4、m5、m6、m7、m8、m"和m"表示的數(shù)均聚合度而言，在將本發(fā)明嵌段共聚物的數(shù)均分子量為Mn;Ar1、Ar2、Ar3、Ar4、Ar5、Ar6、Ar7、Ar8、Ar9、Ar10的化學(xué)式量分另'J為Mn1、Mn2、Mn3、Mn4、Mn5、Mn6、Mn7、Mn8、Mi^和Mn1相對于本發(fā)明嵌段共聚物所含全部構(gòu)成單元的A—的總摩爾分率、Ai^的總摩爾分率、A—的總摩爾分率、Ar4的總摩爾分率、A一的總摩爾分率、A/的總摩爾分率、Af的總摩爾分率、ArS的總摩爾分率、A戶的總摩爾分率、Ar"的總摩爾分率分別為Q1、Q2、Q3、Q4、Q5、Q6、Q7、Q8、Q9和Q,寸，使用下式(a-2)表示。m'=(MnXQ')/Mn，(a—2)(式(a-2)中，i表示l、2、3、4、5、6、7、8、9或10)m1、m2、m3、m4、m5、m6、m7、m8、m9和m1Q中的至少2個(gè)表示5以上的數(shù)、優(yōu)選至少2個(gè)為55xl04的數(shù)值、更優(yōu)選至少2個(gè)為55xl03的數(shù)值、進(jìn)一步優(yōu)選至少2個(gè)為10lxl()S的數(shù)值、更加優(yōu)選至少2個(gè)為155xl02的數(shù)值、特別優(yōu)選至少2個(gè)為205xl02的數(shù)值。m1、m2、m3、m4、m5、m6、m7、m8、1119和m1Q中的至少4個(gè)表示1以上的數(shù)值、且至少2個(gè)表示5以上數(shù)值時(shí)，Ar1、Ar2、Ar3、Ar4、Ar5、Ar6、Ar7、Ar8、Ar9、Ar1Q所示的二價(jià)基團(tuán)為四種以上。優(yōu)選Ar1、Ar2、Ar3、Ar4、Ar5、Ar6、Ar7、Ar8、Ar9、Ar1Q所示的二價(jià)基團(tuán)為七種以上、更優(yōu)選為十種。作為本發(fā)明嵌段共聚物的優(yōu)選方式之一的由4個(gè)式(1)所示嵌段構(gòu)成時(shí)，式(5)中，m1、m2、m3、1114各自獨(dú)立地表示1以上的數(shù)值、且m1、m2、m3和m4中的至少2個(gè)為5以上的數(shù)值、且m5=m6=m7=m8=m、m'lO時(shí)，為下式(5-A)所示的嵌段共聚物。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage44</formula>(式(5-A)中，Ar1、Ar2、Ar3、A一各自獨(dú)立地表示可以具有取代基的共軛系二價(jià)基團(tuán)、表示互不相同的二價(jià)基團(tuán)。RX和RY各自獨(dú)立地表示末端基團(tuán)，或者通過RX和RY形成一個(gè)單鍵，嵌段共聚物的2個(gè)末端之間鍵合形成環(huán)狀結(jié)構(gòu)。m1、m2、m3、m4分別表示Ar1、Ar2、Ar3、Ar4的數(shù)均聚合度，各自獨(dú)立地表示1以上的數(shù)值，m1、m2、m3、ri/中的至少2個(gè)表示5以上的數(shù)值。)式(5-A)中，Ar1、Ar2、Ar3、Af4各自獨(dú)立地表示與式(1)中Ar所示二價(jià)基團(tuán)相同的二價(jià)基團(tuán)、優(yōu)選例與Ar的優(yōu)選例相同。但，Ar1、Ar2、Ar3、A一表示互不相同的二價(jià)基團(tuán)。優(yōu)選Ar1、Ar2、Ar3、AZ中的1個(gè)以上為上式(C-ll)或(C-15)所示二價(jià)基團(tuán)、且Ar、Ar2、Ar3、Ar4中的1個(gè)以上為上式(D-10-1)、(D-16)、(G-l)、(G-2)、(G-3)、(G-4)所示二價(jià)基團(tuán)；更優(yōu)選Ar1和Ar2各自獨(dú)立地為上式(C-ll)或(C-15)所示的二價(jià)基團(tuán)、且A—和A一各自獨(dú)立地為上式(D-10-l)、(D-16)、(G-l)、(G-2)、(G-3)、(G-4)所示二價(jià)基團(tuán)；進(jìn)一步優(yōu)選A—為式(C-15)所示的二價(jià)基團(tuán)、且Ai^為式(C-ll)所示的二價(jià)基團(tuán)、A一為式(G-l)所示的二價(jià)基團(tuán)、Ar4為式(D-10-l)所示的二價(jià)基團(tuán)。式(5-a)中，rx和ry各自獨(dú)立地表示末端基團(tuán)，或者通過rx和ry形成一個(gè)單鍵，嵌段共聚物的2個(gè)末端之間鍵合形成環(huán)狀結(jié)構(gòu)。末端基團(tuán)可以舉出上述例子。rx和ry表示的末端基團(tuán)可以存在兩種類以上。式(5-A)中，m1、m2、m3、m"分別表示Ar1、Ar2、Ar3、Ar4的數(shù)均聚合度，各自獨(dú)立地表示l以上的數(shù)值，m1、m2、m3、m"中的至少2個(gè)以上表示5以上的數(shù)值。m1、m2、m3、1114可以分別由式(a-2)中i為1、2、3或4時(shí)同樣地求得。m1、m2、m3、m4中的至少2個(gè)表示5以上的數(shù)值、優(yōu)選至少2個(gè)為55><104的數(shù)值、更優(yōu)選至少2個(gè)為55><103的數(shù)值、進(jìn)一步優(yōu)選至少2個(gè)為10lxl()S的數(shù)值、更加優(yōu)選至少2個(gè)為155xl(^的數(shù)值、特別優(yōu)選至少2個(gè)為205x102的數(shù)值。式(5-a)中，rx和ry表示末端基團(tuán)時(shí)，rx和ry的相鄰嵌段的數(shù)均聚合度為2以上。作為本發(fā)明嵌段共聚物的優(yōu)選方式之一的由3個(gè)以上式(1)所示嵌段構(gòu)成時(shí)，式(5)中，m1、m2、m3各自獨(dú)立為1以上的數(shù)、且m1、m2、m3中的至少2個(gè)為5以上的數(shù)值、且m4=m5=m6=m7=m8=m9=m1G=0時(shí)，為下式(6)所示的嵌段共聚物。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage45</formula>(式(6)中，Ar1、A一禾卩Ar3各自獨(dú)立地表示共軛系的二價(jià)基團(tuán)，A一和Ai^互不相同、A^和aP互不相同、A—和A—可以相同也可以互不相同。rx和ry各自獨(dú)立地表示末端基團(tuán)，或者通過rx和ry形成一個(gè)單鍵，嵌段共聚物的2個(gè)末端之間鍵合形成環(huán)狀結(jié)構(gòu)。m1、m2、1113分別表示Ar1、Ar2、A一的數(shù)均聚合度，各自獨(dú)立地表示l以上的數(shù)值，m1、m2、m3中的至少2個(gè)表示5以上的數(shù)值。)式(6)中，Ar1、A一和A—各自獨(dú)立地表示式(1)中Ar所示的二價(jià)基團(tuán)，優(yōu)選例與Ar的優(yōu)選例相同。式(6)中，A一和A一表示互不相同的二價(jià)基團(tuán)，A一和A—表示互不相同的二價(jià)基團(tuán)、Ai^和A一可以相同也可以互不相同。優(yōu)選Ar'和A一表示互不相同的基團(tuán)。優(yōu)選Ar1、A一和A一中的1個(gè)以上為上式(C-ll)或(C-15)所示二價(jià)基團(tuán)、且Ar、Ar2、Ar3中的l個(gè)以上為上式(D-10-l)、(D-16)、(G-l)、(G-2)、(G-3)、(G-4)所示二價(jià)基團(tuán)；更優(yōu)選A—為上式(C-11)或(C-15)所示的二價(jià)基團(tuán)、且Ar3為上式(D-10-l)、(D-16)、(G-1)、(G-2)、(G-3)或(G-4)所示二價(jià)基團(tuán)；進(jìn)一步優(yōu)選A—為式(C-15)所示的二價(jià)基團(tuán)、且A盧為式(C-ll)所示的二價(jià)基團(tuán)、A—為式(G-l)所示的二價(jià)基團(tuán)。式(6)中，rx和ry各自獨(dú)立地表示末端基團(tuán)，或者通過rx和ry形成一個(gè)單鍵，嵌段共聚物的2個(gè)末端之間鍵合形成環(huán)狀結(jié)構(gòu)。末端基團(tuán)可以舉出上述例子。rx和ry表示的末端基團(tuán)可以存在兩種以上。式(6)中，m1、m2、1113分別表示Ar1、Ar2、Ar3的數(shù)均聚合度，各自獨(dú)立地表示1以上的數(shù)，m1、m2、1113中的至少2個(gè)以上表示5以上的數(shù)值。m1、m2、1113可以分別由式(a-2)中i為l、2、3時(shí)同樣地求得。m、m2、1113中的至少2個(gè)表示5以上的數(shù)值、優(yōu)選至少2個(gè)為55"04的數(shù)值、更優(yōu)選至少2個(gè)為55xl03的數(shù)值、進(jìn)一步優(yōu)選至少2個(gè)為10lxl()S的數(shù)值、更加優(yōu)選至少2個(gè)為155xl(^的數(shù)值、特別優(yōu)選至少2個(gè)為205xl()2的數(shù)值。式(6)中，rx和ry表示末端基團(tuán)時(shí)，rx和ry相鄰嵌段的數(shù)均聚合度為2以上。作為本發(fā)明嵌段共聚物的更優(yōu)選方式的由2個(gè)式(1)所示嵌段構(gòu)成時(shí)，式(5)中，m1^5且m2^5im3=m4=m5=m6=m7=m8=m9=m10=0時(shí)，為下式(7)所示的嵌段共聚物。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage46</formula>(式(7)中，A一和A—各自獨(dú)立地表示共軛系的二價(jià)基團(tuán)，A—和a—互不相同、rx和rY各自獨(dú)立地表示末端基，或者通過rx和ry形成一個(gè)單鍵，嵌段共聚物的2個(gè)末端之間鍵合形成環(huán)狀結(jié)構(gòu)。m'和n^分別表示Ar'和A—的數(shù)均聚合度，各自獨(dú)立地表示5以上的數(shù)值。)式(7)中，A—和A^各自獨(dú)立地表示與式(1)中Ar所示二價(jià)基團(tuán)相同的二價(jià)基團(tuán)，優(yōu)選例與Ar的優(yōu)選例相同。式(7)中，A一和A一表示互不相同的二價(jià)基團(tuán)。優(yōu)選Ar1為上式(C-ll)或(C-15)所示二價(jià)基團(tuán)、且Ar2為上式(D醫(yī)10-l)、(D-16)、(G-l)、(G陽2)、(G-3)、(G-4)所示二價(jià)基團(tuán);更優(yōu)選A—為式(C-ll)或(C-15)所示二價(jià)基團(tuán)、且A戶為式(D-10-l)、或(G-l)所示二價(jià)基團(tuán)。式(7)中，RX和RY各自獨(dú)立地表示末端基團(tuán)，或者通過RX和RY形成一個(gè)單鍵，嵌段共聚物的2個(gè)末端之間鍵合形成環(huán)狀結(jié)構(gòu)。作為末端基團(tuán)可以舉出上述例子。RX和RY表示的末端基團(tuán)可以存在兩種以上。式(7)中，m1、r^分別表示Ar1、A—的數(shù)均聚合度，各自獨(dú)立地表示5以上的數(shù)值，m1、11!2可以分別由式(a-2)中i為1、2時(shí)同樣地求得。m1、r^各自獨(dú)立地表示5以上的數(shù)值、優(yōu)選分別為55><104的數(shù)值、更優(yōu)選分別為55xl()S的數(shù)值、進(jìn)一步優(yōu)選分別為10lxl()S的數(shù)值、更加優(yōu)選分別為155xl(^的數(shù)值、特別優(yōu)選分別為205xl(^的數(shù)值。本發(fā)明的嵌段共聚物中，優(yōu)選以兩種以上的下述通式(b)所示單體為原料進(jìn)行縮聚而制造的嵌段共聚物。以下詳細(xì)地說明本發(fā)明嵌段共聚物的優(yōu)選制造方法。本發(fā)明的嵌段共聚物可以通過以兩種以上的下述通式(b)所示單體為原料進(jìn)行縮聚而制造。Ml_Ai"~X，(b)(式(b)中，Ar表示與上式(1)Ar所示二價(jià)基團(tuán)相同的基團(tuán)。X1表示鹵原子、式(c)所示的磺酸酯基或甲氧基。Mi表示硼酸酯基、硼酸基、式(d)所示基團(tuán)、式(e)所示基團(tuán)或式(f)所示基團(tuán)。)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage48</formula>(式(C)、(d)中，XA表示選自氯原子、溴原子和碘原子的鹵原子。)一ZnXA(e)(式(e)中，XA表示選自氯原子、溴原子和碘原子的鹵原子。)(式(f)中，RQ、RR、RS各自獨(dú)立地表示垸基或芳基。)式(b)的^各自獨(dú)立地表示卣原子、式(c)所示的磺酸酯基或甲式(b)的X'的鹵原子可以舉出氯原子、溴原子、碘原子。式(c)中的W的可以被取代的烷基或芳基分別可以舉出與式(2)中的A1、A2、A3、八4具有取代基時(shí)的垸基和芳基相同的具體例子。作為式(c)所示磺酸酯基例如可以舉出甲磺酸酯基、三氟甲磺酸酯基、苯基磺酸酯基、4-甲基苯基磺酸酯基等。式(b)中，N^表示硼酸酯基、硼酸基(-B(OH)2)、式(d)所示的基團(tuán)、式(e)所示的基團(tuán)或式(f)所示的基團(tuán)。式(b)中的]V^的硼酸酯基例如可以舉出下式所示的基團(tuán)。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage48</formula>式(f)中的RQ、Rr、RS各自獨(dú)立地表示烷基或芳基。其具體例子可以舉出與式(2)中的A1、A2、A3、八4具有取代基時(shí)的烷基和芳基相同的具體例子。式(b)所示的化合物可以使用預(yù)先合成、分離的化合物，還可以在反應(yīng)體系中制備后直接使用。式(b)的M^人合成簡單性或處理簡單性、毒性等方面出發(fā)，優(yōu)選硼酸酯基、硼酸基(-B(OH)2)、式(d)所示的基團(tuán)。作為縮聚的方法，可以根據(jù)需要將式(b)所示單體溶解在有機(jī)溶劑中，使用堿或適當(dāng)?shù)拇呋瘎?，在有機(jī)溶劑的溶點(diǎn)以上沸點(diǎn)以下進(jìn)行。例如，可以舉出利用Suzuki偶聯(lián)反應(yīng)由適當(dāng)?shù)膯误w聚合的方法、利用Grignard反應(yīng)進(jìn)行聚合的方法、利用Stille偶聯(lián)反應(yīng)進(jìn)行聚合的方法、利用Negishi偶聯(lián)進(jìn)行聚合的方法等。這些中，利用Suzuki偶聯(lián)反應(yīng)進(jìn)行聚合的方法、利用Grignard反應(yīng)進(jìn)行聚合的方法由于易于結(jié)構(gòu)控制，因此優(yōu)選。其中，優(yōu)選利用Suzuki偶聯(lián)反應(yīng)進(jìn)行聚合的方法。作為利用Suzuki偶聯(lián)反應(yīng)，例如可以在SyntheticCommunication、1981、11(7)、513所記載的反應(yīng)條件下進(jìn)行。通過使用適當(dāng)?shù)拇呋瘎?，在?b)所示單體中，某一個(gè)分子的XJ鍵合的Ar上的碳原子與在其他分子M1鍵合的Ar上的碳原子形成鍵。例如，使2分子的式(b)單體反應(yīng)時(shí)，成為下式的反應(yīng)式。貼i—Ar—X1+M1—Ar""X1~^-M^""^Ar-"A一^-"X1(式中，Ar、X1、Mi表示與式(b)的Ar、X1、M'相同的意義。)例如，通過使1摩爾RX-X'等僅具有X1的化合物與r^摩爾的M1-Ai^-X'縮聚，產(chǎn)生RX-(Ar1)iV-義等僅具有Xi的高分子化合物。通過使m2摩爾的M'-Ar、X1與該高分子化合物縮聚，可以合成Rx-(Ar1)m1-(Ar2)m2-X'等由Ar1形成嵌段和Ai^形成嵌段的2個(gè)嵌段構(gòu)成的高分子化合物。由3個(gè)以上嵌段構(gòu)成的高分子化合物也可以同樣地合成，嵌段排列順序也可以適當(dāng)變更。這里，Ar1、Ar2、m1、n^和RX分別表示與式(5)的Ar1、Ar2、m1、r^和RX相同的意義，M^Q^分別表示與式(b)的M1和X1相同的意義。因此，式(5)等嵌段共聚物例如可以如下制造。1)在催化劑的存在下使RX-X'等末端終止劑與n^摩爾的N^-A,X1反應(yīng)，合成RX-(Ar1)ml-X'2)在催化劑的存在下，相對于1摩爾Rx-(Ar1),XH吏m2摩爾的Mi-Ar、^反應(yīng)，合成RX畫(Ar1)ml-(Ar2)^-X13)在催化劑的存在下，相對于1摩爾Rx-(Ar1)ml-(Ar2)^-X1使m3摩爾的MLAr3-X'反應(yīng)，合成Rx-(Ar1)ml-(Ar2)m2-(Ar3),X14)在催化劑的存在下，相對于1摩爾RX-(Ar1)ml-(Ar2)m2-(Ar3)m3-XM吏m4摩爾的m^Ar4-X'反應(yīng)，合成rx-(Ar1)ml-(Ar2)^(Ar3)m3_(Ar4)m4-X'5)在催化劑的存在下，相對于1摩爾RX-(Ar1)ml-(Ar2)m2-(Ar3)m3-(Ar4),Xi使mS摩爾的Mi-Ar、Xi反應(yīng)，合成Rx-(Ar1)ml-(Ar2)m2-(Ar3)m3-(Ar4)m4-(Ar5)^-X16)在催化劑的存在下，相對于l摩爾RX-(Ar1)ml-(Ar2)m2-(Ar3)m3-(Ar4)m4-(Ar5)^-X1使m6摩爾的MLA,-X1反應(yīng)，合成Rx-(Ar1)ml-(Ar2)m2-(Ar3)m3-(Ar4)m4-(Ar5)m5-(Ar6)^-X17)在催化劑的存在下，相對于1摩爾RX-(Ar1)ml-(Ar2)m2-(Ar3)mr(Ar4)m4-(Ar5)m5-(Ar6),X1使1117摩爾的M^Ap7-X1反應(yīng)，合成Rx-(Ar1)ml-(Ar2)m2-(Ar3)m3-(Ar4)m4-(Ar5)m5-(Ar6)m6-(Ar7)m7誦X'8)在催化劑的存在下，相對于1摩爾RX-(Ar1)ml-(Ar2)m2-(Ar3)m3-(Ar4)m4-(Ar5)m5-(Ar6)m6-(Ar7)(X1使m8摩爾的M^AfS-X1反應(yīng)，合成Rx-(Ar1)ml-(Ar2)m2-(Ar3)m3-(Ar4)m4-(Ar5)m5-(Ar6)m6-(Ar7)m7-(Ar8),X19)在催化劑的存在下，相對于1摩爾RX-(Ar1)ml-(Ar2)m2-(Ar3)m3-(Ar4)m4-(Ar5)m5-(Ar6)m6-(Ar7)m7-(Ar8)wX1使1119摩爾的mLaAx1反應(yīng)，合成RX-(Ar1)ml-(Ar2)m2-(Ar3)m3-(Ar4)m4-(Ar5)m5-(Ar6)m6-(Ar7)m7-(Ar8)m8-(Ar9),X110)在催化劑的存在下，相對于1摩爾RX-(Ar1)ml-(Ar2)m2-(Ar3)m3-(Ar4)m4-(Ar5)m5-(Ar6)m6-(Ar7)m7-(Ar8)m8-(Ar9)^-X1使m10摩爾的MLA,-X反應(yīng)，合成RX-(Ar1)ml-(Ar2)m2-(Ar3)m3-(Ar4)m4-(Ar5)m5-(Ar6)m6-(Ar7)m7-(Ar8)m8-(Ar9)m9-(Ar10)^。-X111)在催化劑的存在下，相對于1摩爾Rx-(Ar1)ml-(Ar2)m2-(Ar3)m3-(Ar4)m4-(Ar5)m5-(Ar6)m6-(Ar7)m7-(Ar8)m8-(Ar9)m9-(Ar10)nuo-X'使RY-Mi等末端終止劑反應(yīng)，合成RX-(Ar1)ml-(Ar2)m2-(Ar3)m3-(Ar4)m4-(Ar5)m5-(Ar6)m6-(Ar7)m7-(Ar8)m8-(Ar9)m9-(Ar10)mlO-RY這里，Ar1、Ar2、Ar3、Ar4、Ar5、Ar6、Ar7、Ar8、Ar9、Ar10、m1、m2、m3、m4、m5、m6、m7、m8、m9、m10、Rx和RY分別表示與式(5)的Ar1、Ar2、Ar3、Ar4、Ar5、Ar6、Ar7、Ar8、Ar9、Ar10、m1、m2、m3、m4、m5、m6、m7、m8、m9、m10、1^和RY相同的意義，1s^和Xi分別表示與式(b)的]V^和X^目同的意義。另外，作為合成式(5)的嵌段共聚物的其它例，可以舉出.-1)在催化劑的存在下使RX-M'等末端終止劑與n^摩爾的M^A一-X1反應(yīng)，合成RX-(Ar1)ml-M'2)在催化劑的存在下，相對于l摩爾RX-(Ar1)mrMM吏r^摩爾的M-Ar2-X'反應(yīng)，合成RX-(Ar1)ml-(Ar2)m2-M13)在催化劑的存在下，相對于l摩爾RX-(Ar1)ml-(Ar2)m2-M1使m3摩爾的MLAr3-X'反應(yīng)，合成Rx-(Ar1)ml-(Ar2)m2-(Ar3)m3-M14)在催化劑的存在下，相對于1摩爾RX-(Ar1)ml-(Ar2)m2-(Ar3)m3-MM吏m4摩爾的Mi-Ar4-義反應(yīng)，合成Rx-(Ar1)ml-(Ar2)m2-(Ar3)m3-(Ar4)wM15)在催化劑的存在下，相對于1摩爾RX-(Ar1)ml-(Ar2)m2-(Ar3)m3-(Ar4)m4-MM吏m5摩爾的MLAr5-X'反應(yīng)，合成Rx-(Ar1)ml-(Ar2)m2-(Ar3)m3-(Ar4)m4-(Ar5)m5-M16)在催化劑的存在下，相對于1摩爾RX-(Ar1)ml-(Ar2)m2-(Ar3)m3-(Ar4)m4-(Ar5)m5-M1使1116摩爾的M^AAx1反應(yīng)，合成Rx-(Ar1)m廣(Ar2)m2-(Ar3)m3-(Ar4)m4-(Ar5)m5-(Ar6)m6-M17)在催化劑的存在下，相對于1摩爾RX-(Ar1)ml-(Ar2)m2-(Ar3)m3-(Ar4)m4-(Ar5)m5-(Ar6)m6-M1使1117摩爾的M、Af7-X1反應(yīng)，合成Hx-(Ar1)ml-(Ar2)m2-(Ar3)m3-(Ar4)m4-(Ar5)m5-(Ar6)m6-(Ar7)m7-M18)在催化劑的存在下，相對于1摩爾RX-(Ar1)ml-(Ar2)m2-(Ar3)m3-(Ar4)m4-(Ar5)m5-(Ar6)m6-(Ar7)m7-M1使1118摩爾的M'-A一-X1反應(yīng)，合成RX-(Ar1)ml-(Ar2)m2-(Ar3)m3-(Ar4)m4-(Ar5)m5-(Ar6)m6-(Ar7)m7-(Ar8)m8-M19)在催化劑的存在下，相對于1摩爾RX-(Ar1)ml-(Ar2)m2-(Ar3)m3-(Ar4)m4-(Ar5)m5-(Ar6)m6-(Ar7)m7-(Ar8)m8-M1使m9摩爾的M'-Ar9-X'反應(yīng)，合成RX-(Ar1)ml-(Ar2)m2-(Ar3)m3-(Ar4)m4-(Ar5)m5-(Ar6)m6-(Ar7)m7-(Ar8)m8-(Ar9)m9-M110)在催化劑的存在下，相對于1摩爾Rx-(Ar1)ml-(Ar2)m2-(Ar3)m3-(Ar4)m4-(Ar5)m5-(Ar6)m6-(Ar7)m7-(Ar8)m8-(Ar9)m9-M1使mW摩爾的M!-Ar^W反應(yīng)，合成Rx-(Ar1)ml-(Ar2)m2-(Ar3)m3-(Ar4)m4-(Ar5)m5-(Ar6)m6-(Ar7)m7-(Ar8)m8-(Ar9)m9-(Ar10)ml0-M111)在催化劑的存在下，相對于1摩爾Rx-(Ar1)ml-(Ar2)m2-(Ar3)m3-(Ar4)m4-(Ar5)m5-(Ar6)m6-(Ar7)m7-(Ar8)m8-(Ar9)m9-(Ar10)m,o-M'使RY-X'等末端終止劑反應(yīng)，合成RX誦(Ar1)ml-(Ar2)m2-(Ar3)mr(Ar4)m4-(Ar5)m5-(Ar6)m6-(Ar7)m7-(Ar8)m8-(Ar9)m9-(Ar10)mlO-RY這里，Ar1、Ar2、Ar3、Ar4、Ar5、Ar6、Ar7、Ar8、Ar9、Ar10、m1、m2、m3、m4、m5、m6、m7、m8、m9、m10、Rx和RY分別表示與式(5)的Ar1、Ar2、Ar3、Ar4、Ar5、Ar6、Ar7、Ar8、Ar9、Ar10、m1、m2、m3、m4、m5、m6、m7、m8、m9、m10、R^PRY相同的意義，M4n^分別表示與式(b)的M和X'相同的意義。通過例如可以如下制造式(5-A)的嵌段共聚物。1)在催化劑的存在下使RX-Xi等末端終止劑與r^摩爾的M'-A一-X1反應(yīng)，合成RX-(Ar1)n^-X12)在催化劑的存在下，相對于1摩爾Rx-(Ar1)m,-XM吏1112摩爾的1^1-八1"2-乂1反應(yīng)，合成RX-(Ar1)ml-(Ar2)^-X13)在催化劑的存在下，相對于1摩爾Rx-(Ar1)mr(Ar2)^-X1使m3摩爾的M'-Ar3-X'反應(yīng)，合成Rx-(Ar1)ml-(Ar2)m2-(Ar3)m3-X14)在催化劑的存在下，相對于1摩爾RX-(Ar1)ml-(Ar2)m2-(Ar3)m3-XM吏m4摩爾的M、Ar4-Xi反應(yīng)，合成Rx-(Ar1)ml-(Ar2)^-(Ar3)m3_(Ar4)wX15)在催化劑的存在下，相對于Rx-(Ar1)ml-(Ar2)m2-(Ar3)m3-(Ar4)m4-Xi使RY-Mi等末端終止劑反應(yīng)，合成RX-(Ar1)ml-(Ar2)m2-(Ar3)(Ar4)m4-RY的例子。這里，Ar1、Ar2、Ar3、Ar4、m1、m2、m3、m4、rX和11￥分別表示與式(5)的Ar1、Ar2、Ar3、Ar4、m1、m2、m3、m4、1^和1^相同的意義，M'和X'分別表示與式(b)的M'和X^目同的意義。作為合成式(5-A)的嵌段共聚物的其它例子，可以舉出1)在催化劑的存在下使RX-m'等末端終止劑與n^摩爾的mLA山X1反應(yīng)，合成RX-(Ar1)m廣M12)在催化劑的存在下，相對于1摩爾RX-(Ar1)nu-M'使n^摩爾的M!-Ar2-X'反應(yīng)，合成rX-(Ar1)ml-(Ar2)m2-M13)在催化劑的存在下，相對于1摩爾Rx-(Ar1)ml-(Ar2)^畫M1使m3摩爾的M)-Ar3-Xi反應(yīng)，合成Rx-(Ar1)ml-(Ar2)m2-(Ar3)m3-M'4)在催化劑的存在下，相對于1摩爾RX-(Ar1)ml-(Ar2)m2-(Ar3)m3-MM吏m4摩爾的MLAr4-X'反應(yīng)，合成RX-(Ar1)ml-(Ar2)m2-(Ar3)mr(Ar4)m4-M'5)在催化劑的存在下，相對于Rx-(Ar1)ml-(Ar2)m2-(Ar3)m3-(Ar4)m4畫MH吏RY-X等末端終止劑反應(yīng)，合成rx-(Ar1)ml-(Ar2)m2-(Ar3)m3-(Ar4)m4-ry的例子。這里，Ar1、Ar2、Ar3、Ar4、m1、m2、m3、m4、1^和1^分別表示與式(5)的Ar1、Ar2、Ar3、Ar4、m1、m2、m3、m4、RX和RY相同的意義,M^PX'分別表示與式(b)的lV^和Xi相同的意義。同樣，作為合成式(6)的嵌段共聚物的例子，可以舉出1)在催化劑的存在下使RX-^等末端終止劑與n^摩爾的！^-Ar、X1反應(yīng)，合成RX-(Ar1)m廣X12)在催化劑的存在下，相對于l摩爾RX-(Ar1)mrXM吏n^摩爾的M!誦Ar2-X反應(yīng)，合成RX-(Ar1)ml-(Ar2)m2-X13)在催化劑的存在下，相對于l摩爾RX-(Ar1)ml-(Ar2)m2-X1使m3摩爾的M!-Ar3-X!反應(yīng)，合成Rx-(Ar1)ml-(Ar2)m2-(Ar3)m3-X14)在催化劑的存在下，相對于RX-(Ar1)ml-(Ar2)m2-(Ar3)m3-X'使RY-M1等末端終止劑反應(yīng)，合成Rx-(Ar1)ml-(Ar2)m2-(Ar3)m3-RY的例子。這里，Ar1、Ar2、Ar3、m1、m2、m3、rX和rY分別表示與式(5)的Ar1、Ar2、Ar3、m1、m2、m3、RX和RY相同的意義，]V^和X'分別表示與式(b)的]V^和X^目同的意義。作為合成式(6)的嵌段共聚物的其它例子，可以舉出1)在催化劑的存在下使RX-N^等末端終止劑與iV摩爾的M、A八X1反應(yīng)，合成RX-(Ar1)m廣M12)在催化劑的存在下，相對于l摩爾RX-(Ar1)ml-Mi使r^摩爾的M-Ar2-X'反應(yīng)，合成RX-(Ar1)ml-(Ar2)m2-M13)在催化劑的存在下，相對于l摩爾RX-(Ar1)ml-(Ar2)m2-M1使m3摩爾的MLAr3-X'反應(yīng)，合成Rx-(Ar1)ml-(Ar2)m2-(Ar3)m3-M14)在催化劑的存在下，相對于RX-(Ar1)ml-(Ar2)m2-(Ar3)(M1使RY-X1等末端終止劑反應(yīng)，合成Rx-(Ar1)ml-(Ar2)m2-(Ar3)m3-RY的例子。這里，Ar1、Ar2、Ar3、m1、m2、m3、rX和RY分別表示與式(5)的Ar1、Ar2、Ar3、m1、m2、m3、RX和RY相同的意義，1V^和X'分別表示與式(b)的M'和Xi相同的意義。同樣，作為合成式(7)的嵌段共聚物的例子，可以舉出1)在催化劑的存在下使RX-^等末端終止劑與n^摩爾的M^A一-X1反應(yīng)，合成RX-(Ar1)ml-X'2)在催化劑的存在下，相對于l摩爾RX-(Ar1)m,-XW吏r^摩爾的M'-Ar2-X!反應(yīng)，合成RX-(Ar1)ml-(Ar2)m2-X13)在催化劑的存在下，相對于Rx-(Ar1)ml-(Ar2)^-X1使R、M1等末端終止劑反應(yīng)，合成RX-(Ar1)ml-(Ar2)m-RY的例子。這里，Ar1、Ar2、m1、m2、RX和RY分別表示與式(5)的Ar1、Ar2、m1、m2、RX和RY相同的意義，M1和X1分別表示與式(b)的M1和X1相同的意義。作為合成式(7)的嵌段共聚物的其它例子，可以舉出1)在催化劑的存在下使RX-M'等末端終止劑與r^摩爾的M^Ai^-X1反應(yīng)，合成RX-(Ar1)m廣M12)在催化劑的存在下，相對于l摩爾RX-(Ar1)m,-MW吏n^摩爾的M'醫(yī)Ar2-X'反應(yīng)，合成rX-(Ar1)ml-(Ar2)m2-M13)在催化劑的存在下，相對于Rx-(Ar1)ml-(Ar2)^-M1使R^M1等末端終止劑反應(yīng)，合成RX-(Ar1)ml-(Ar2)w-RY的例子。這里，Ar1、Ar2、m1、m2、1^和1^分別表示與式(5)的Ar1、Ar2、m1、m2、RX和RY相同的意義，M1和X1分別表示與式(b)的M1和X1相同的意義。作為縮聚的催化劑，例如可以舉出[四(三苯基膦)]鈀、[三(二亞芐基丙酮)]二鈀、乙酸鈀、雙(二苯基膦基丙烷)鎳、雙(環(huán)辛二烯)鎳等過渡金屬絡(luò)合物與根據(jù)需要的三苯基膦、三叔丁基膦、三環(huán)己基膦、三(2-甲基苯基)膦、三(2-甲氧基苯基)膦、二苯基膦基丙烷、二吡啶等配體構(gòu)成的催化劑。利用Suzuki偶聯(lián)反應(yīng)使式(b)所示的、^為選自鹵原子、式(c)所示磺酸酯基或甲氧基，且M1為選自上述硼酸酯基或-B(OH)2基時(shí)的單體縮聚時(shí)，優(yōu)選使用[四(三苯基膦)]鈀、雙三苯基膦二氯化鈀、[三(二亞芐基丙酮)]二鈀、乙酸鈀等鈀絡(luò)合物與根據(jù)需要的三苯基膦、三(2-甲基苯基)膦、三(2-甲氧基苯基)膦等三芳基膦，三叔丁基膦、三環(huán)己基膦等三烷基膦，二叔丁基-o-聯(lián)苯基膦等二烷基單芳基膦，叔丁基二苯基膦等單烷基二芳基膦，碳烯型配體等配體構(gòu)成的催化劑。從提高反應(yīng)性、抑制副反應(yīng)等觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選將作為鈀絡(luò)合物的[三(二亞芐基丙酮)]二鈀或乙酸鈀與作為配體的三芳基膦組合的催化劑，更優(yōu)選將作為鈀絡(luò)合物的[三(二亞芐基丙酮)]二鈀或乙酸鈀與作為配體的三(2-甲基苯基)膦或三(2-甲氧基苯基)膦組合而調(diào)整的催化劑，進(jìn)一步優(yōu)選將[三(二亞芐基丙酮)]二鈀與(2-甲基苯基)膦組合而調(diào)整的催化劑。作為該催化劑可以使用預(yù)先合成者，還可以使用在反應(yīng)體系中制備的物質(zhì)。本發(fā)明中可以單獨(dú)或者混合2種以上使用。該催化劑可以以任意量使用，一般來說相對于式(b)所示化合物的過渡金屬化合物的量優(yōu)選為0.001300摩爾％、更優(yōu)選為0.00550摩爾%、進(jìn)一步優(yōu)選為0.0120摩爾％。在縮聚中有根據(jù)需要使用堿的情況。作為堿，可以舉出碳酸鈉、碳酸鉀、碳酸銫、氟化鉀、氟化銫、磷酸三鉀等無機(jī)堿和它們的水溶液，四丁基氟化銨、四丁基氯化銨、四丁基溴化銨、四丁基氫氧化銨等有機(jī)堿和它們的水溶液。從提高反應(yīng)性、抑制副反應(yīng)等觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選碳酸鈉水溶液、碳酸鉀水溶液、碳酸銫水溶液或四丁基氫氧化銨，更優(yōu)選碳酸鈉水溶液或碳酸銫水溶液，進(jìn)一步優(yōu)選為碳酸銫水溶液。該堿可以以任意量使用，一般相對于式(b)所示化合物優(yōu)選為0.520當(dāng)量％、更優(yōu)選為110當(dāng)量％?？s聚還可以在不存在溶劑的情況下實(shí)施，但通常在有機(jī)溶劑的存在下進(jìn)行。作為所用的有機(jī)溶劑可以舉出四氫呋喃、甲苯、1,4-二瞎、烷、二甲氧基乙烷、N，N-二甲基乙酰胺、N,N-二甲基甲酰胺等。這些有機(jī)溶劑可以單獨(dú)使用，還可以混合兩種以上組合。有機(jī)溶劑的使用量通常以單體的濃度達(dá)到0.1卯重量％的比例使用。優(yōu)選比例為150重量％、更優(yōu)選的比例為230重量％。作為有機(jī)溶劑，隨所用化合物或反應(yīng)而不同，但一般為了抑制副反應(yīng)，優(yōu)選進(jìn)行脫氧處理?？s聚可以在不妨礙反應(yīng)的范圍內(nèi)并用水。實(shí)施縮聚的反應(yīng)溫度只要是反應(yīng)溶劑保持液狀的范圍，則無特別限定。優(yōu)選的溫度范圍為-100'C20(rC、優(yōu)選為-80。C15(TC、進(jìn)一步優(yōu)選為0°C120°C。反應(yīng)時(shí)間隨反應(yīng)溫度等的反應(yīng)條件而改變，通常為1小時(shí)以上、優(yōu)選為2500小時(shí)?？s聚有時(shí)優(yōu)選根據(jù)需要在脫水條件下進(jìn)行。特別是在式(b)所示化合物的M'為式(d)所示基團(tuán)時(shí)，必要的是在脫水條件下進(jìn)行。后處理可以根據(jù)公知的方法進(jìn)行。例如通過將在甲醇等低級醇中加入反應(yīng)溶液而析出的沉淀過濾、干燥，可以獲得目標(biāo)的高分子化合物。通過上述后處理所獲得的高分子化合物的純度低時(shí)，可以通過重結(jié)晶、利用索格利特提取器的連續(xù)提取、柱色譜法等通常的方法進(jìn)行精制。接著，說明本發(fā)明的高分子發(fā)光元件。本發(fā)明的高分子發(fā)光元件的特征在于，在由陽極和陰極構(gòu)成的電極間具有有機(jī)層，該有機(jī)層含有本發(fā)明的嵌段共聚物。有機(jī)層可以為發(fā)光層、空穴輸送層、空穴注入層、電子輸送層、電子注入層、夾層等任何一種，優(yōu)選有機(jī)層為發(fā)光層。這里，發(fā)光層是指具有發(fā)光功能的層，空穴輸送層是指具有輸送空穴的功能的層，電子輸送層是指具有輸送電子的功能的層。另外，夾層是指在發(fā)光層和陽極之間相鄰發(fā)光層而存在，起到隔離發(fā)光層和陽極、發(fā)光層和空穴注入層或空穴輸送層的作用的層。予以說明，將電子輸送層和空穴輸送層總稱作電荷輸送層。另外，將電子注入層和空穴注入層總稱作電荷注入層。發(fā)光層、空穴輸送層、空穴注入層、電子輸送層和電子注入層可以各自獨(dú)立地使用2層以上。有機(jī)層為發(fā)光層時(shí)，作為有機(jī)層的發(fā)光層還可以進(jìn)一步含有空穴輸送性材料、電子輸送性材料或發(fā)光性材料。這里，發(fā)光性材料是指顯示熒光和/或磷光的材料。本發(fā)明的嵌段共聚物和空穴輸送性材料混合時(shí)，相對于該混合物整體，空穴輸送性材料的混合比例為lwt%80wt%、優(yōu)選為5wt°/。60wt%?；旌媳景l(fā)明的嵌段共聚物和電子輸送性材料時(shí)，相對于該混合物整體，電子輸送性材料的混合比例為lwt%80wt%、優(yōu)選為5wt%60wt%。另夕卜，混合本發(fā)明嵌段共聚物和發(fā)光性材料時(shí)，相對于該混合物整體，發(fā)光性材料的混合比例為lwt%80wt%、優(yōu)選為5wt%60wt%?；旌媳景l(fā)明嵌段聚合物、發(fā)光材料、空穴輸送性材料和/或電子輸送性材料時(shí)，相對于該混合物整體，發(fā)光性材料的混合比例為lwt%50wt%、優(yōu)選為5wt%40wt%?？昭ㄝ斔托圆牧虾碗娮虞斔托圆牧系目偭繛閘wt%50wt%、優(yōu)選為5wt。/。40wt。/c)。因此，本發(fā)明的嵌段共聚物的含量為98wt。/。lwt"5/。、優(yōu)選為90wt°/。20wt%?；旌系目昭ㄝ斔托圆牧?、電子輸送性材料和發(fā)光性材料可以使用公知的低分子化合物、三重態(tài)發(fā)光絡(luò)合物或高分子化合物，優(yōu)選使用高分子化合物。作為高分子化合物的空穴輸送性材料、電子輸送性材料和發(fā)光性材料可以舉出W099/13692、WO99/48160、GB2340304A、WO00/53656、WO01/19834、WO00/55927、GB2348316、WO00/46321、WO00/06665、W099/54943、W099/54385、US5777070、WO98/06773、WO97/05184、WO00/35987、WO00/53655、WO01/34722、W099/24526、WO00/22027、WO00/22026、W098/27136、US573636、W098/21262、US5741921、WO97/09394、W096/29356、WO96/10617、EP0707020、WO95/07955、日本特開平2001-181618、日本特開平2001-123156、日本特開平2001-3045、日本特開平2000-351967、日本特開平2000-303066、日本特開平2000-299189、日本特開平2000-252065、日本特開平2000-136379、日本特開平2000-104057、日本特開平2000-80167、日本特開平10-324870、日本特開平10-114891、日本特開平9-111233、日本特開平9-45478等公開的聚芴、其衍生物或共聚物，聚亞芳、其衍生物或共聚物，聚芳撐亞乙烯(polyarylenevinylene)、其衍生物和共聚物，芳香族銨及其衍生物的(共)聚物。作為低分子化合物的熒光性材料，例如可以舉出使用萘衍生物、蒽或其衍生物、茈或其衍生物、聚甲炔系、氧雜蒽系、香豆素系、花青系等色素類，8-羥基喹啉或其衍生物的金屬絡(luò)合物、芳香族胺、四苯基環(huán)戊二烯或其衍生物、四苯基丁二烯或其衍生物等。具體地可以使用例如日本特開昭57-51781號、日本特開昭59-194393號公報(bào)所記載的公知物質(zhì)。作為三重態(tài)發(fā)光絡(luò)合物例如可以舉出以銥為中心金屬的Ir(ppy)3、Btp2Ir(acac)，以鉑為中心金屬的PtOEP、以銪為中心金屬的Eu(TTA)3phen等。Btp2lf(acac)EufTTA》鄰hen三重態(tài)發(fā)光絡(luò)合物具體例如記載于Nature,(1998)，395,151、Appl.Phys.Lett.(1999)，75(1)，4、Proc.SPIE-Int.Soc.Opt.Eng.(2001),4105(OrganicLight-EmittingMaterialsandDevicesIV),119、J.Am.Chem.Soc.,(2001),123，4304、Appl.Phys.Lett"(1997)，71(18)，2596、Syn.Met,(1998),94(1),103、Syn.Met"(1999),99(2)，1361、Adv.Mater"(1999)，11(10),852、Jpn.J,Appl.Phys"34，1883(1995)等中。本發(fā)明的組合物含有選自空穴輸送材料、電子輸送材料和發(fā)光材料的至少1種材料與本發(fā)明的嵌段共聚物，可以作為發(fā)光材料或電荷輸送材料使用。選自該空穴輸送材料、電子輸送材料和發(fā)光材料的至少1種材料與本發(fā)明嵌段共聚物的含有比例可以根據(jù)用途決定，但為發(fā)光材料的用途時(shí)，優(yōu)選與上述發(fā)光層相同的含有比例。本發(fā)明高分子組合物的聚苯乙烯換算的數(shù)均分子量通常為103108左右、優(yōu)選為104106。另外，聚苯乙烯換算的重均分子量通常為103108左右，從成膜性的觀點(diǎn)和制成元件時(shí)的效率的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選lxl045xl06。這里，高分子組合物的平均分子量是指用SEC分析混合2種以上高分子化合物而獲得的組合物所求得的值。本發(fā)明高分子發(fā)光元件所具有的發(fā)光層的膜厚隨所用材料的最佳值不同，可以按照驅(qū)動電壓和發(fā)光效率達(dá)到適當(dāng)值進(jìn)行選擇，例如為1nmlpm、優(yōu)選為2nm500nm、進(jìn)一步優(yōu)選為5證200nm。作為發(fā)光層的形成方法例如可以舉出利用由溶液成膜的方法。作為由溶液的成膜方法可以使用旋涂法、鑄造法、微凹版涂覆法、凹版涂覆法、棒涂法、輥涂法、絲棒涂法、浸涂法、噴涂法、絲網(wǎng)印刷法、苯胺印刷法、膠版印刷法、噴墨印刷法等涂覆法。從圖案形成或多色分涂容易的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選絲網(wǎng)印刷法、苯胺印刷法、膠版印刷法、噴墨印刷法等印刷法。在印刷法等中使用的油墨組合物可以至少含有1種的本發(fā)明嵌段共聚物，本發(fā)明的嵌段共聚物以外還可以含有空穴輸送材料、電子輸送材料、發(fā)光材料、溶劑、穩(wěn)定劑等添加劑。該油墨組合物中的本發(fā)明嵌段共聚物的比例相對于除去溶劑的組合物的總重量通常為20wt%100wt%、優(yōu)選40wt。/。100wt。/c)。另外，油墨組合物中含有溶劑時(shí)的溶劑比例相對于組合物的總重量為lwt%99.9wt%、優(yōu)選為60wt%99.5wt%、更優(yōu)選為80wt%99.0wt%。油墨組合物的粘度隨印刷法而不同，在噴墨印刷法等油墨組合物中經(jīng)由噴出裝置時(shí)，為了防止噴出時(shí)的堵塞或飛行歪曲，優(yōu)選粘度在25'C下為120mPa，s的范圍。本發(fā)明的溶液除了本發(fā)明的嵌段共聚物之外，還可以含有用于調(diào)節(jié)粘度和/或表面張力的添加劑。該添加劑可以適當(dāng)組合使用用于提高粘度的高分子量高分子化合物(增粘劑)或不良溶劑、用于降低粘度的低分子量化合物、用于降低表面張力的表面活性劑劑等。作為上述高分子量的高分子化合物，只要是與本發(fā)明的嵌段共聚物相同在溶劑中可溶、不阻礙發(fā)光或電荷輸送即可。例如，可以使用高分子量的聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯或本發(fā)明嵌段共聚物中分子量大者等。重均分子量優(yōu)選為50萬以上、更優(yōu)選為100萬以上。作為增粘劑還可以使用不良溶劑。即，通過少量添加相對于溶液中固態(tài)成分的不良溶劑，可以增高粘度。以此目的添加不良溶劑時(shí)，可以在溶液中的固態(tài)成分不析出的范圍內(nèi)選擇溶劑的種類和添加量?？紤]到保存時(shí)的穩(wěn)定性時(shí)，不良溶劑的量相對于整個(gè)溶液優(yōu)選為50wt"/。以下、更優(yōu)選為30wt。/。以下。另外，本發(fā)明的溶液為了改善保存穩(wěn)定性，除了本發(fā)明的嵌段共聚物之外，還可以含有抗氧化劑。作為抗氧化劑只要是與本發(fā)明的嵌段共聚物相同在溶劑中可溶、不阻礙發(fā)光或電荷輸送即可，可以舉出苯酚系抗氧化劑、磷系氧化劑等。作為油墨組合物使用的溶劑并無特別限定，優(yōu)選能夠?qū)?gòu)成該油墨組合物的溶劑以外的材料溶解或均勻地分散。該溶劑可以舉出氯仿、二氯甲烷、1,2-二氯乙烷、1，1，2-三氯乙烷、氯苯、鄰二氯苯等氯系溶劑，四氫呋喃、二嗯烷、苯甲醚等醚系溶劑，甲苯、二甲苯等芳香族烴系溶劑，環(huán)己烷、甲基環(huán)己烷、正戊烷、正己烷、正庚垸、正辛垸、正壬烷、正癸烷等脂肪族烴系溶劑，丙酮、甲乙酮、環(huán)己酮、二苯甲酮、苯乙酮等酮系溶劑，乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙基溶纖劑乙酸酯、苯甲酸甲酯、乙酸苯酯等酯系溶劑，乙二醇、乙二醇單丁基醚、乙二醇單乙基醚、乙二醇單甲基醚、二甲氧基乙烷、丙二醇、二乙氧基甲垸、三乙二醇單乙基醚、甘油、1,2-己二醇等多元醇及其衍生物，甲醇、乙醇、丙醇、異丙醇、環(huán)己醇等醇系溶齊U，二甲基亞砜等亞砜系溶劑，N-甲基-2-吡咯烷酮、N，N-二甲基甲酰胺等酰胺系溶劑。另外，這些有機(jī)溶劑可以單獨(dú)或多個(gè)組合使用。這些中，從高分子化合物等的溶解性、成膜時(shí)的均一性、粘度特性等觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選芳香族烴系溶劑、醚系溶劑、脂肪族烴系溶劑、酯系溶劑、酮系溶劑，優(yōu)選甲苯、二甲苯、乙基苯、二乙基苯、三甲基苯、正丙基苯、異丙基苯、正丁基苯、異丁基苯、仲丁基苯、正己基苯、環(huán)己基苯、1-甲基萘、1，2，3，4-四氫化萘、苯甲醚、乙氧基苯、環(huán)己烷、二環(huán)己基、環(huán)己烯基環(huán)己酮、正庚基環(huán)己烷、正己基環(huán)己烷、萘垸、苯甲酸甲酯、環(huán)己酮、2-丙基環(huán)己酮、2-庚酮、3-庚酮、4-庚酮、2-辛酮、2-壬酮、2-癸酮、二環(huán)己基酮、苯乙酮、二苯甲酮。溶液中的溶劑種類從成膜性的觀點(diǎn)或元件特性等的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選2種以上、更優(yōu)選23種、進(jìn)一步優(yōu)選為2種。溶液中含有2種溶劑時(shí)，其中1種溶劑在25"C下可以為固體狀態(tài)。從成膜性的觀點(diǎn)出發(fā)，1種溶劑優(yōu)選沸點(diǎn)為180。C以上的溶劑、更優(yōu)選為200"C以上的溶劑。另外，從粘度的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選在2種溶劑中60'C下溶解lwt。/。以上的芳香族聚合物，優(yōu)選在2種溶劑中的1種溶劑中25'C下溶解lwtM的芳香族聚合物。溶液中含有2種以上的溶劑時(shí)，從粘度和成膜性的觀點(diǎn)出發(fā)，沸點(diǎn)最高的溶劑優(yōu)選為溶液中總?cè)軇┲亓康?090wt%、更優(yōu)選為5090wt%、進(jìn)一步優(yōu)選為6585wt%。溶液中所含的本發(fā)明嵌段共聚物可以為l種、也可以為2種以上，可以在不損害元件特性等的范圍內(nèi)含有本發(fā)明嵌段共聚物以外的高分子化合物。本發(fā)明的溶液中可以以11000ppm的范圍含有水、金屬及其鹽。作為金屬具體地可以舉出鋰、鈉、鈣、鉀、鐵、銅、鎳、鋁、鋅、鉻、錳、鈷、鉬、銥等。另外，還可以在11000ppm的范圍內(nèi)含有硅、磷、氟、氯和/或溴。使用本發(fā)明的溶液，利用旋涂法、鑄造法、微凹版涂覆法、凹版涂覆法、棒涂法、輥涂法、絲棒法、浸涂法、噴涂法、絲網(wǎng)印刷法、苯胺印刷法、膠版印刷法、噴墨印刷法等制作薄膜。其中，優(yōu)選用于利用絲網(wǎng)印刷法、苯胺印刷法、膠印印刷法、噴墨印刷法，將本發(fā)明溶液用于成膜的用途中，更優(yōu)選用于通過噴墨法成膜的用途中。使用本發(fā)明溶液制作薄膜時(shí)，由于溶液所含高分子化合物的玻璃轉(zhuǎn)移溫度高，因此可以在IO(TC以上的溫度下烘焙，即便在B(TC的溫度下烘焙，元件特性的降低也非常小。另外，根據(jù)高分子化合物的種類不同還可以在16(TC以上的溫度下烘焙。作為可以使用本發(fā)明溶液制作的薄膜，可以舉出發(fā)光性薄膜、導(dǎo)電性薄膜和有機(jī)半導(dǎo)體薄膜。本發(fā)明的導(dǎo)電性薄膜優(yōu)選表面電阻為1KQ/口以下。通過在薄膜中摻雜路易斯酸、離子性化合物等，可以提高導(dǎo)電度。更優(yōu)選表面電阻為100Q/口以下、進(jìn)一步優(yōu)選10Q/口以下。本發(fā)明的有機(jī)半導(dǎo)體薄膜優(yōu)選電子遷移率或空穴遷移率任一個(gè)大者為1(rScmVW秒以上。更優(yōu)選為1(^cmVW秒以上、進(jìn)一步優(yōu)選為10"cmVV/秒以上。通過在形成有Si02等絕緣膜和柵電極的Si基板上形成該有機(jī)半導(dǎo)體薄膜、用Au等形成源電極和漏電極，可以制成有機(jī)晶體管。本發(fā)明的高分子發(fā)光材料從元件的亮度等觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選在向陽極和陰極之間施加3.5V以上電壓時(shí)的最大外部量子收率為1%以上、更優(yōu)選為1.5%以上。本發(fā)明的高分子發(fā)光元件可以舉出在陰極和發(fā)光層之間設(shè)置電子輸送層的高分子發(fā)光元件，在陽極和發(fā)光層之間設(shè)有空穴輸送層的高分子發(fā)光元件，在陰極和發(fā)光層之間設(shè)有電子輸送層、且在陽極和發(fā)光層之間設(shè)有空穴輸送層的高分子發(fā)光元件等。例如具體地可以舉出以下a)d)的結(jié)構(gòu)。a)陽極/發(fā)光層/陰極b)陽極/空穴輸送層/發(fā)光層/陰極c)陽極/發(fā)光層/電子輸送層/陰極d)陽極/空穴輸送層/發(fā)光層/電子輸送層/陰極(這里，/表示各層相鄰層疊。以下相同)另外，對于這些結(jié)構(gòu)還可以舉出在發(fā)光層和陽極之間與發(fā)光層相鄰設(shè)有夾層的結(jié)構(gòu)。即，可以舉出以下a，)d，)的結(jié)構(gòu)。a')陽極/夾層/發(fā)光層/陰極b')陽極/空穴輸送層/夾層/發(fā)光層/陰極c')陽極/夾層/發(fā)光層/電子輸送層/陰極d，)陽極/空穴輸送層/夾層/發(fā)光層/電子輸送層/陰極本發(fā)明的高分子發(fā)光元件具有空穴輸送層時(shí)，作為所用空穴輸送性材料，可以舉出聚乙烯基昨唑或其衍生物、聚硅垸或其衍生物、側(cè)鏈或主鏈具有芳香族胺的聚硅氧垸衍生物、吡唑啉衍生物、芳胺衍生物、苯乙烯衍生物、三苯二胺衍生物、聚苯胺或其衍生物、聚噻吩或其衍生物、聚吡咯或其衍生物、聚對苯乙炔或其衍生物、聚(2,5-噻吩乙烯)(poly(2，5-thienylenevinylene))或其衍生物等。具體地說，作為該空穴輸送性材料可以舉出日本特開昭63-70257號公報(bào)、日本特開昭63-175860號公報(bào)、日本特開平2-135359號公報(bào)、日本特開平2-135361號公報(bào)、日本特開平2-209988號公報(bào)、日本特開平3-37992號公報(bào)、日本特開平3-152184號公報(bào)所記載的材料等。這些中，作為空穴輸送層中使用的空穴輸送性材料，優(yōu)選聚乙烯基咔唑或其衍生物、聚硅垸或其衍生物、側(cè)鏈或主鏈具有芳香族胺化合物基的聚硅氧烷衍生物、聚苯胺或其衍生物、聚噻吩或其衍生物、聚對苯乙炔或其衍生物、聚(2,5-噻吩乙烯)或其衍生物等的高分子空穴輸送性材料，更優(yōu)選聚乙烯基咔唑或其衍生物、聚硅烷或其衍生物、側(cè)鏈或主鏈具有芳香族胺化合物基的聚硅氧垸衍生物。另外，作為低分子化合物的空穴輸送性材料可以舉出吡唑啉衍生物、芳胺衍生物、苯乙烯衍生物、三苯基二胺衍生物。低分子的空穴輸送性材料時(shí)，優(yōu)選分散在高分子粘合劑中使用?；旌系母叻肿诱澈蟿﹥?yōu)選不會極度阻礙電荷輸送的物質(zhì)，或者優(yōu)選使用相對于可見光的吸收不強(qiáng)的物質(zhì)。該高分子粘合劑可以舉出聚(N-乙烯基咔唑)、聚苯胺或其衍生物、聚噻吩或其衍生物、聚對苯乙炔或其衍生物、聚(2,5-噻吩乙烯)或其衍生物、聚碳酸酯、聚丙烯酸酯、聚丙烯酸甲酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚氯乙烯、聚硅氧垸等。聚乙烯基咔唑或其衍生物例如可以由乙烯基單體通過陽離子聚合或自由基聚合而獲得。聚硅烷或其衍生物可以舉出Chem.Rev，89巻，1359頁(1989年)、英國專利GB2300196號公開說明書所記載的化合物。合成方法也可以使用它們所記載的方法，特別優(yōu)選使用基普(kipping)法。聚硅氧垸或其衍生物由于硅氧垸骨架結(jié)構(gòu)基本沒有空穴輸送性，因此優(yōu)選使用側(cè)鏈或主鏈具有上述低分子空穴輸送性材料結(jié)構(gòu)者。特別可以舉出側(cè)鏈或主鏈具有空穴輸送性芳香族胺者?？昭ㄝ斔蛯拥某赡し椒úo限定，在低分子空穴輸送性材料中，可以舉出由與高分子粘合劑的混合溶液成膜的方法。另外，高分子空穴輸送材料中，可以舉出利用由溶液的成膜的方法。作為由溶液成膜所使用的溶劑，優(yōu)選能夠溶解或均勻分散空穴輸送性材料。該溶劑可以舉出氯仿、二氯甲烷、1,2-二氯乙烷、1,1，2-三氯乙烷、氯苯、鄰二氯苯等氯系溶劑，四氫呋喃、二嗯烷等醚系溶劑，甲苯、二甲苯等芳香族烴系溶劑，環(huán)己垸、甲基環(huán)己烷、正戊烷、正己烷、正庚垸、正辛烷、正壬烷、正癸垸等脂肪族烴系溶劑，丙酮、甲乙酮、環(huán)己酮等酮系溶劑，乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙基溶纖劑乙酸酯等酯系溶劑，乙二醇、乙二醇單丁基醚、乙二醇單乙基醚、乙二醇單甲基醚、二甲氧基乙烷、丙二醇、二乙氧基甲烷、三乙二醇單乙基醚、甘油、1，2-己二醇等多元醇及其衍生物，甲醇、乙醇、丙醇、異丙醇、環(huán)己醇等醇系溶劑，二甲基亞砜等亞砜系溶劑，N-甲基-2-批咯垸酮、N,N-二甲基甲酰胺等酰胺系溶劑。另外，這些有機(jī)溶劑可以單獨(dú)或多個(gè)組合使用。由溶液的成膜方法可以使用由溶液的旋涂法、鑄造法、微凹版涂覆法、凹版涂覆法、棒涂法、輥涂法、絲棒涂法、浸涂法、噴涂法、絲網(wǎng)印刷法、苯胺印刷法、膠版印刷法、噴墨印刷法等涂覆法。空穴輸送層的膜厚隨所用材料不同而最佳值不同，可以按照驅(qū)動電壓和發(fā)光效率達(dá)到最佳值進(jìn)行選擇，但必要的是至少不產(chǎn)生針孔的厚度，過厚時(shí)，則元件的驅(qū)動電壓變高、不優(yōu)選。因此，該空穴輸送層的膜厚例如為lnmlnm、優(yōu)選為2nm500nm、更優(yōu)選為5nm200nm。本發(fā)明的高分子發(fā)光元件具有電子輸送層時(shí)，作為所用電子輸送材料可以使用公知的材料，可以舉出嚼、二唑衍生物、蒽醌二甲烷(anthraquinodimethane)或其衍生物、苯醌或其衍生物、萘醌或其衍生物、蒽醌或其衍生物、四氰基蒽醌二甲烷或其衍生物、芴酮衍生物、二苯基二氰基乙烯或其衍生物、二苯酚合苯醌(diphenoquinone)衍生物或8-羥基喹啉或其衍生物的金屬絡(luò)合物、聚喹啉或其衍生物、聚喹喔啉或其衍生物、聚笏或其衍生物等。具體地可以舉出日本特開昭63-70257號公報(bào)、日本特開昭63-175860號公報(bào)、日本特開平2-135359號公報(bào)、日本特開平2-135361號公報(bào)、日本特開平2-209988號公報(bào)、日本特開平3-37992號公報(bào)、日本特開平3-152184號公報(bào)所記載的物質(zhì)等。這些中，優(yōu)選隨二唑衍生物、苯醌或其衍生物、蒽醌或其衍生物、或8-羥基喹啉或其衍生物的金屬絡(luò)合物、聚喹啉或其衍生物、聚喹喔啉或其衍生物、聚笏或其衍生物，更優(yōu)選2-(4-聯(lián)苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-l，3,4-ff惡二唑、苯醌、蒽醌、三(8-喹啉醇)鋁、聚喹啉。電子輸送層的成膜法并無特別限定，為低分子電子輸送材料時(shí)，可以舉出由粉末的真空蒸鍍法或利用由溶液或熔融狀態(tài)成膜的方法；為高分子電子輸送材料時(shí)，可以舉出利用由溶液或熔融狀態(tài)的成膜的方法。由溶液或熔融狀態(tài)的成膜時(shí)，可以并用上述高分子粘合劑。作為由溶液的成膜所用的溶劑，優(yōu)選可以溶解或均勻地分散電子輸送材料和/或高分子粘合劑的溶劑。該溶劑可以舉出氯仿、二氯甲垸、1,2-二氯乙烷、1,1，2-三氯乙烷、氯苯、鄰二氯苯等氯系溶劑，四氫呋喃、二嗯烷等醚系溶劑，甲苯、二甲苯等芳香族烴系溶劑，環(huán)己烷、甲基環(huán)己烷、正戊垸、正己垸、正庚烷、正辛垸、正壬烷、正癸烷等脂肪族烴系溶劑，丙酮、甲乙酮、環(huán)己酮等酮系溶劑，乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙基溶纖劑乙酸酯等酯系溶劑，乙二醇、乙二醇單丁基醚、乙二醇單乙基醚、乙二醇單甲基醚、二甲氧基乙垸、丙二醇、二乙氧基甲烷、三乙二醇單乙基醚、甘油、1,2-己二醇等多元醇及其衍生物，甲醇、乙醇、丙醇、異丙醇、環(huán)己醇等醇系溶劑，二甲基亞砜等亞砜系溶劑，N-甲基-2-吡咯烷酮、N，N-二甲基甲酰胺等酰胺系溶劑。另外，這些有機(jī)溶劑可以單獨(dú)或多個(gè)組合使用。由溶液或熔融狀態(tài)的成膜方法，可以使用旋涂法、鑄造法、微凹版涂覆法、凹版涂覆法、棒涂法、輥涂法、絲棒涂法、浸涂法、噴涂法、絲網(wǎng)印刷法、苯胺印刷法、膠版印刷法、噴墨印刷法等涂覆法。電子輸送層的膜厚隨所用材料不同而最佳值不同，可以按照驅(qū)動電壓和發(fā)光效率達(dá)到最佳值進(jìn)行選擇，但必要的是至少不產(chǎn)生針孔的厚度，過厚時(shí)，則元件的驅(qū)動電壓變高、不優(yōu)選。因此，該電子輸送層的膜厚例如為lnmljim、優(yōu)選為2nm500nm、更優(yōu)選為5nm200nm。另外，在相鄰于電極設(shè)置的電荷輸送層中，具有改善來自電極的電荷注入效率的功能、具有降低元件驅(qū)動電壓的效果者一般被稱作電荷注入層(空穴注入層、電子注入層)。進(jìn)而，為了提高與電極的密合性、改善來自電極的電荷注入，可以與電極相鄰設(shè)置上述電荷注入層或膜厚2nm以下的絕緣層，另外，為了提高表面的密合性或防止混合等，可以在電荷輸送層或發(fā)光層的界面上插入薄的緩沖層。層疊的層的順序或數(shù)量以及各層的厚度可以考慮發(fā)光效率或元件壽命適當(dāng)使用。本發(fā)明中，作為設(shè)有電荷注入層(電子注入層、空穴注入層)的高分子發(fā)光元件，可以舉出與陰極相鄰設(shè)有電荷注入層的高分子發(fā)光元件、與陽極相鄰設(shè)有電荷注入層的高分子發(fā)光元件。例如具體地可以舉出以下e)p)的結(jié)構(gòu)。e)陽極/電荷注入層/發(fā)光層/陰極f)陽極/發(fā)光層/電荷注入層/陰極g)陽極/電荷注入層/發(fā)光層/電荷注入層/陰極h)陽極/電荷注入層/空穴輸送層/發(fā)光層/陰極i)陽極/空穴注入層/發(fā)光層/電荷注入層/陰極j)陽極/電荷注入層/空穴輸送層/發(fā)光層/電荷注入層/陰極k)陽極/電荷注入層/發(fā)光層/電子注入層/陰極1)陽極/發(fā)光層/電子輸送層/電荷注入層/陰極m)陽極/電荷注入層/發(fā)光層/電子輸送層/電荷注入層/陰極n)陽極/電荷注入層/空穴輸送層/發(fā)光層/電子輸送層/陰極o)陽極/空穴輸送層/發(fā)光層/電子輸送層/電荷注入層/陰極p)陽極/電荷注入層/空穴輸送層/發(fā)光層/電子輸送層/電荷注入層/陰極另外，對于這些各個(gè)結(jié)構(gòu)，還可以舉出在發(fā)光層和陽極之間、相鄰于發(fā)光層設(shè)有夾層的結(jié)構(gòu)。此時(shí)，夾層還可以兼作空穴注入層和/或空穴輸送層。作為電荷注入層的具體例子，可以舉出含有導(dǎo)電性高分子的層；設(shè)置于陽極和空穴輸送層之間、含有具有陽極材料與空穴輸送層所含空穴輸送材料的中間值的電離電勢的材料的層；設(shè)置于陰極和電子輸送層之間、含有具有陰極材料與電子輸送層所含電子輸送性材料的中間值的電子親和力的材料的層等。上述電荷注入層為含有導(dǎo)電性高分子的層時(shí)，該導(dǎo)電性高分子的導(dǎo)電度優(yōu)選為l0-5S/cm以上103以下，為了減小發(fā)光元件間的漏電流，更優(yōu)選為l0-5S/cm以上102以下、進(jìn)一步優(yōu)選為l0-5S/cm以上101以下。上述電荷注入層含有導(dǎo)電性高分子時(shí)，該導(dǎo)電性高分子的導(dǎo)電度優(yōu)選為10-5S/cm以上103S/cm以下，為了減小發(fā)光元件間的漏電流，更優(yōu)選為10-5S/cm以上102S/cm以下、進(jìn)一步優(yōu)選為l0-5S/cm以上101S/cm以下。通常，為了使導(dǎo)電性高分子的導(dǎo)電度為l0-5S/cm以上103S/cm以下，在該導(dǎo)電性高分子中摻雜適量的離子。摻雜的離子種類在空穴注入層時(shí)為陰離子、在電子注入層時(shí)為陽離子。作為陰離子的例子可以舉出聚苯乙烯磺酸離子、烷基苯磺酸離子、樟腦磺酸離子等，作為陽離子的例子可以舉出鋰離子、鈉離子、鉀離子、四丁基銨離子等。電荷注入層的膜厚例如為lnm100nm、優(yōu)選為2nm50nm。電荷注入層中使用的材料可以根據(jù)與電極或相鄰層的材料的關(guān)系適當(dāng)選擇，可以舉出聚苯胺及其衍生物、聚噻吩及其衍生物、聚吡咯及其衍生物、聚苯乙炔及其衍生物、聚噻吩乙烯(polythienylenevinylene)及其衍生物、聚喹啉及其衍生物、聚喹喔啉及其衍生物、在主鏈或側(cè)鏈含有芳香族胺結(jié)構(gòu)的聚合物等導(dǎo)電性高分子、金屬酞菁(銅酞菁等)、碳等。膜厚2nm以下的絕緣層具有使電荷注入變得容易的功能。作為上述絕緣層的材料可以舉出金屬氟化物、金屬氧化物、有機(jī)絕緣材料等。作為設(shè)有膜厚2nm以下絕緣層的高分子發(fā)光元件，可以舉出相鄰于陰極設(shè)有膜厚2nm以下絕緣層的高分子發(fā)光元件、相鄰于陽極設(shè)有膜厚2nm以下絕緣層的高分子LED。具體地例如可以舉出以下q)ab)的結(jié)構(gòu)。q)陽極/膜厚2nm以下的絕緣層/發(fā)光層/陰極r)陽極/發(fā)光層/膜厚2nm以下的絕緣層/陰極s)陽極/膜厚2nm以下的絕緣層/發(fā)光層/膜厚2nm以下的絕緣層/陰極t)陽極/膜厚2nm以下的絕緣層/空穴輸送層/發(fā)光層/陰極u)陽極/空穴輸送層/發(fā)光層/膜厚2nm以下的絕緣層/陰極v)陽極/膜厚2nm以下的絕緣層/空穴輸送層/發(fā)光層/膜厚2nm以下的絕緣層/陰極w)陽極/膜厚2nm以下的絕緣層/發(fā)光層/電子輸送層/陰極x)陽極/發(fā)光層/電子輸送層/膜厚2nm以下的絕緣層/陰極y)陽極/膜厚2nm以下的絕緣層/發(fā)光層/電子輸送層/膜厚2nm以下的絕緣層/陰極z)陽極/膜厚2nm以下的絕緣層/空穴輸送層/發(fā)光層/電子輸送層/陰極aa)陽極/空穴輸送層/發(fā)光層/電子輸送層/膜厚2nm以下的絕緣層/陰極ab)陽極/膜厚2nm以下的絕緣層/空穴輸送層/發(fā)光層/電子輸送層/膜厚2nm以下的絕緣層/陰極另外，對于這些各個(gè)結(jié)構(gòu)，還可以舉出在發(fā)光層和陽極之間，相鄰于發(fā)光層設(shè)有夾層的結(jié)構(gòu)。此時(shí)，夾層還可以兼為空穴注入層和/或空穴輸送層。對于在上述結(jié)構(gòu)a)ab)中適用夾層的結(jié)構(gòu)，作為夾層，優(yōu)選設(shè)置在陽極和發(fā)光層之間，由具有陽極或空穴注入層或者空穴輸送層與構(gòu)成發(fā)光層的高分子化合物的中間的電離電勢的材料構(gòu)成。作為夾層使用的材料，可以舉出聚乙烯基咔唑或其衍生物、側(cè)鏈或主鏈具有芳香族胺的聚亞芳衍生物、芳胺衍生物、三苯二胺衍生物等含有芳香族胺的聚合物。夾層的成膜方法并無限定，例如使用高分子材料時(shí)可以舉出利用由溶液成膜的方法。作為由溶液的成膜所使用的溶劑優(yōu)選可以溶解或均勻地分散夾層所用材料的溶劑。該溶劑可以舉出氯仿、二氯甲垸、1,2-二氯乙垸、1，1,2-三氯乙烷、氯苯、鄰二氯苯等氯系溶劑，四氫呋喃、二隨垸等醚系溶劑，甲苯、二甲苯等芳香族烴系溶劑，環(huán)己烷、甲基環(huán)己烷、正戊烷、正己烷、正庚垸、正辛垸、正壬烷、正癸垸等脂肪族烴系溶劑，丙酮、甲乙酮、環(huán)己酮等酮系溶劑，乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙基溶纖劑乙酸酯等酯系溶劑，乙二醇、乙二醇單丁基醚、乙二醇單乙基醚、乙二醇單甲基醚、二甲氧基乙垸、丙二醇、二乙氧基甲浣、三乙二醇單乙基醚、甘油、1,2-己二醇等多元醇及其衍生物，甲醇、乙醇、丙醇、異丙醇、環(huán)己醇等醇系溶劑，二甲基亞砜等亞砜系溶劑，N-甲基-2-吡咯烷酮、N,N-二甲基甲酰胺等酰胺系溶劑。另外，這些有機(jī)溶劑可以單獨(dú)或多個(gè)組合使用。作為由溶液的成膜方法可以使用由溶液的旋涂法、澆鑄法、微凹版涂覆法、凹版涂覆法、棒涂法、輥涂法、絲棒涂法、浸涂法、噴涂法、絲網(wǎng)印刷法、苯胺印刷法、膠版印刷法、噴墨印刷法等涂覆法。夾層的膜厚隨所用材料不同而最佳值不同，可以按照驅(qū)動電壓和發(fā)光效率達(dá)到最佳值進(jìn)行選擇。例如為lnmlpm、優(yōu)選為2nm500nm、更優(yōu)選為5nm200nm。相鄰于發(fā)光層設(shè)置該夾層時(shí)，特別是利用涂覆法形成兩種層時(shí)，有2層的材料混合對元件的特性等造成不良影響的情況。利用涂覆法形成夾層后、用涂覆法形成發(fā)光層時(shí)，作為減少2層材料的混合的方法，可以舉出利用涂覆法形成夾層后，加熱該夾層使得相對于制作發(fā)光層所用有機(jī)溶劑不溶后，形成發(fā)光層的方法。加熱溫度通常為150。C30(TC左右、時(shí)間通常為1分鐘1小時(shí)左右。此時(shí)，為了除去由于加熱而溶劑不溶化的成分，可以在加熱后、形成發(fā)光層之前，用發(fā)光層形成所用的溶劑淋洗該夾層，從而除去。利用加熱的溶劑不溶化充分地進(jìn)行時(shí)，可以省略利用溶劑的淋洗。為了使利用加熱的溶劑不溶化充分地進(jìn)行，作為夾層所用高分子化合物優(yōu)選使用分子內(nèi)含有至少l個(gè)可聚合基團(tuán)的化合物。而且，可聚合的基團(tuán)的數(shù)量優(yōu)選相對于分子內(nèi)構(gòu)成單元的數(shù)量為5%以上。形成本發(fā)明高分子發(fā)光元件的基板只要是在形成電極、形成有機(jī)物層時(shí)不變化即可，例如可以舉出玻璃、塑料、高分子膜、硅基板等。為不透明的基板時(shí)，優(yōu)選相向的電極為透明或半透明。通常，本發(fā)明高分子發(fā)光元件所具有的陽極和陰極的至少一者為透明或半透明。陽極側(cè)優(yōu)選透明或半透明。該陽極的材料使用導(dǎo)電性的金屬氧化物膜、半透明的金屬薄膜等。具體地使用氧化銦、氧化鋅、氧化錫和作為它們復(fù)合體的銦'錫'氧化物(ITO)、銦-鋅，氧化物等導(dǎo)電性玻璃制作的膜(NESA等)、金、鉬、銀、銅等，優(yōu)選ITO、銦.鋅.氧化物、氧化錫。制作方法可以舉出真空蒸鍍法、濺射法、離子鍍法、鍍敷法等。另外，該陽極可以使用聚苯胺或其衍生物、聚噻吩或其衍生物等有機(jī)的透明導(dǎo)電膜。陽極的膜厚可以考慮透光性和導(dǎo)電度適當(dāng)選擇，例如為10nml(Vm、優(yōu)選為20nml(im、更優(yōu)選為50nm500nm。另外，在陽極上，為了使電荷注入變得容易，可以設(shè)置酞菁衍生物、導(dǎo)電性高分子、碳等形成的層，或者金屬氧化物、金屬氟化物、有機(jī)絕緣材料等形成的平均膜厚2nm以下的層。本發(fā)明的高分子發(fā)光元件中使用的陰極的材料優(yōu)選功函數(shù)小的材料。例如使用鋰、鈉、鉀、銣、銫、鈹、鎂、鈣、鍶、鋇、鋁、鈧、釩、鋅、釔、銦、鈰、釤、銪、鋱、鐿等金屬或它們2種以上的合金或它們中的1個(gè)以上與金、銀、鉑、銅、錳、鈦、鈷、鎳、鎢、錫中的l個(gè)以上的合金，或者石墨或石墨層間化合物等。合金的例子可以舉出鎂-銀合金、鎂-銦合金、鎂-鋁合金、銦-銀合金、鋰-鋁合金、鋰-鎂合金、鋰-銦合金、鈣-鋁合金等。還可以使陰極為2層以上的層疊結(jié)構(gòu)。陰極的膜厚可以考慮導(dǎo)電度或持久性適當(dāng)?shù)剡x擇，例如為10nm10^m、優(yōu)選為20nml(im、更優(yōu)選為50nm500nm。作為陰極的制作方法，可以使用真空蒸鍍法、濺射法或?qū)⒔饘俦∧釅航拥膶盈B法等。另外，可以在陰極和有機(jī)物層之間設(shè)置由導(dǎo)電性高分子形成的層，由金屬氧化物、金屬氟化物、有機(jī)絕緣材料等形成的平均膜厚2nm以下的層，還可以在制作陰極后安裝保護(hù)該高分子發(fā)光元件的保護(hù)層。為了長期穩(wěn)定地使用該高分子發(fā)光元件、從外部保護(hù)元件，優(yōu)選安裝保護(hù)層和/或保護(hù)蓋。作為該保護(hù)層可以使用高分子化合物、金屬氧化物、金屬氟化物、金屬硼化物等。另外，作為保護(hù)蓋可以使用金屬板、玻璃板、表面施以低透水率處理的塑料板等，優(yōu)選使用用熱固化樹脂或光固化樹脂將該蓋與元件基板粘貼進(jìn)行密封的方法。使用隔離物維持空間時(shí)，易于防止元件的損傷。當(dāng)在空間內(nèi)密封氮?dú)饣驓鍤獾榷栊詺怏w時(shí)，可以防止陰極的氧化，而且通過在該空間內(nèi)設(shè)置氧化鋇等千燥劑，易于抑制制造工序中所吸附的水分或通過固化樹脂浸入的微量水分對元件造成的損害。這些中優(yōu)選采用任何1個(gè)以上的方案。本發(fā)明的高分子發(fā)光元件可以作為面狀光源、段式顯示裝置、點(diǎn)矩陣顯示裝置、液晶顯示裝置的背光等。為了使用本發(fā)明高分子發(fā)光元件獲得面狀的發(fā)光，可以按照面狀的陽極與陰極重疊而配置。另外，為了獲得圖案狀的發(fā)光，有在上述面狀的發(fā)光元件表面上設(shè)置設(shè)有圖案狀窗的掩模的方法、極厚地形成非發(fā)光部的有機(jī)物層使其基本不發(fā)光的方法、將陽極或陰極的任一者或兩者的電極形成為圖案狀的方法。通過這些任意方法形成圖案、按照可以獨(dú)立地開/關(guān)幾個(gè)電極而配置，可以獲得能夠顯示數(shù)字、文字、簡單符號等的扇型顯示元件。而且，為了制成點(diǎn)矩陣元件，可以按照將陽極和陰極均形成為線條狀而正交的方式配置。通過將多種發(fā)光色不同的高分子熒光體分別涂覆的方法、使用濾光器或熒光轉(zhuǎn)換濾光器的方法，可以進(jìn)行部分彩色顯示、全彩色顯示。點(diǎn)矩陣元件可以被動驅(qū)動，還可以與TFT等組合后主動驅(qū)動。這些顯示元件可以作為計(jì)算機(jī)、電視機(jī)、便攜末端、手機(jī)、衛(wèi)星導(dǎo)航定位系統(tǒng)、攝像機(jī)的取景器等顯示裝置使用。而且，上述面狀的發(fā)光元件為自發(fā)光薄型，可以作為液晶顯示裝置的背光用的面狀光源或面狀照明用光源優(yōu)選使用。另外，使用撓性基板時(shí)，可以作為曲面狀的光源或顯示裝置使用。另外，本發(fā)明的嵌段共聚物還可以用于高分子電解質(zhì)膜、光電轉(zhuǎn)換材料、熱電轉(zhuǎn)換材料等。實(shí)施例以下通過實(shí)施例更加詳細(xì)地說明本發(fā)明，但本發(fā)明并非局限于這些實(shí)施例。單體的NMR測定在以下條件下進(jìn)行。裝置瓦里安(Varian)社制INOVA300核磁共振裝置測定溶劑氘代氯仿樣品濃度約1重量％測定溫度25°C本發(fā)明的嵌段共聚物的NMR測定在下述條件下進(jìn)行。裝置布魯克(Bmker)社制Avance600核磁共振裝置測定溶劑氘代四氫呋喃樣品濃度約1重量％測定溫度30°C聚苯乙烯換算的數(shù)均分子量(Mn)、重均分子量(Mw)利用分子篩色譜(SEC)在以下條件下求得。裝置東曹制HLC-8220GPC柱TSKguardcolumnSuperH-H(東曹制)l根TSKgelSuperHM-H(東曹制)2根TSKgelSuperH2000(東曹制)l根將上述4根串聯(lián)連接。流動相四氫呋喃檢測器示差折射率檢測器[合成例1]<2-(9-溴-7，7-二辛基-7H-苯并[c]芴-5-基)-4,4,5,5-四甲基-[l,3,2]二氧雜戊硼烷(化合物l)的合成><formula>formulaseeoriginaldocumentpage73</formula>在惰性氣體氣氛下將5,9-二溴-7，7-二辛基-7H-苯并[c]芴(化合物2)70.0g(0.12mol)溶解于脫水四氫呋喃1170mL和脫水二乙基醚1170mL中，冷卻至-65。C。在-65-70。C下用30分鐘的時(shí)間滴加1.6mol/L己烷溶液的正丁基鋰73.1mL((U2mo1)，在-7(TC下攪拌1小時(shí)。接著，在-7(TC下用10分鐘的時(shí)間滴加2-異丙氧基-4，4,5,5-四甲基-l,3，2-二氧雜戊硼烷28.6mL(0.14mol)，在-70"C下攪拌約1小時(shí)，進(jìn)而在室溫下攪拌1晚。接著，在水936mL、濃鹽酸234mL構(gòu)成的混合液中在室溫下用15分鐘滴加反應(yīng)溶液，進(jìn)而攪拌15分鐘后，將油層與水層分離。用蒸餾水、5。/。NaHC03水溶液、蒸餾水按順序洗滌該油層，進(jìn)行分液后，濃縮獲得油狀的粗產(chǎn)物77g。將該粗產(chǎn)物溶解于四氫呋喃31mL中，滴加甲醇306mL，使結(jié)晶析出，過濾、洗滌、減壓干燥，獲得固體。將該固體從四氫呋喃和甲醇中實(shí)施2次重結(jié)晶，獲得57.7g(純度99.9%、收率76%)獲得化合物l?！SR:0,50(br,4H>、0,80(t,6H〉，0.921.26(m,20H),1.46(s,12H),2.05(ra,4H),7.577.51(m,4H)、8,19(d，1H)、8,'66(d,1H〉、8,92(d,1H)LC一MS:644,)(化合物2)<(4-溴-苯基)-(4-叔丁基-2，6-二甲基-苯基)-[4-(4，4,5，5-四甲基-[1，3,2]二氧雜戊硼烷-2-基)-苯基]-胺(化合物3)的合成>(化合物3)向干燥的四頸燒瓶中、在氬氣氣氛下裝入雙-(4-溴-苯基)-(4-叔丁基-2,6-二甲基-苯基)-胺91.89g(188.58mmo1)，加入脫水四氫呋喃2750mL使其均勻。將反應(yīng)溶液冷卻至-7(TC，用78分鐘的時(shí)間滴加1.54M正丁基鋰的正己烷溶液98mL(150.9mmo1)，此狀態(tài)下攪拌65分鐘。接著，在-7(TC下用60分鐘的時(shí)間滴加2-異丙氧基-4，4,5,5-四甲基-l，3,2-二氧雜戊硼烷35.1g(188.65mmo1)，此狀態(tài)下攪拌1小時(shí)，之后升溫至1520°C，攪拌2小時(shí)。在室溫下加入1L水?dāng)嚢?小時(shí)后，通過減壓濃縮蒸餾除去四氫呋喃。在濃縮的混懸液中加入甲苯2L攪拌后，將油層與水層分離。將利用上述3次分液操作獲得的油層混合，加入無水硫酸鈉攪拌。過濾無水硫酸鈉，將所得濾液減壓濃縮，獲得113.54g白色固體。通過以甲苯、正己垸為洗脫液的硅膠柱色譜法精制該白色固體進(jìn)行濃縮干燥，獲得黃白色固體45.5g。將該黃白色固體溶解在800mL四氫呋喃中，在25'C下用3小時(shí)的時(shí)間滴加蒸餾水800mL，使結(jié)晶析出，攪拌1小時(shí)后，過濾，重復(fù)該操作7次，將所得結(jié)晶減壓干燥，作為白色固體獲得化合物3(收量40,2g、收率37.8%、LC面積百分率98.0。/cO。1H-簡R:1.32(s.9H),1.32(s,12H〉,1.98(s,6H).6-87(d,2H),6.90(d,2H),7.09(s'2H),7.28(d,2H),7,63(d,2H)LC一MS:535.1(M+H)<無規(guī)共聚物1的合成>在惰性氣氛下加入0.70g(1.2mmo1)化合物2、0.24g(0.50mmo1)雙-(4-溴-苯基)-(4-叔丁基-2,6-二甲基-苯基)胺、0.63g(4.0mmo1)2，2，畫二吡啶、1.10g(4.0mmo1)雙(1,5-環(huán)辛二烯)鎳(0)、脫水的四氫呋喃50mL，在60。C下攪拌5小時(shí)。反應(yīng)后，將該反應(yīng)液冷卻至室溫，滴加至25%氨水5ml/甲醇50ml/離子交換水50ml的混合溶液中攪拌后，過濾析出的沉淀進(jìn)行減壓干燥。接著，溶解于甲苯50mL，加入鈉沸石攪拌，過濾不溶物。通過氧化鋁柱對所得濾液進(jìn)行精制。接著，加入5.2%鹽酸水后除去水層，在有機(jī)層中加入4%氨水?dāng)嚢韬蟪ニ畬樱谟袡C(jī)層中加入離子交換水?dāng)嚢韬蟪ニ畬?。之后，將有機(jī)層加入甲醇中進(jìn)行攪拌，過濾析出的沉淀減壓干燥，獲得無規(guī)共聚物1。聚苯乙烯換算的數(shù)均分子量和重均分子量分別為Mn=3.5xl04、Mw=1.0xl05。該無規(guī)共聚物的下述二價(jià)基團(tuán)1與二價(jià)基團(tuán)2的摩爾比為70:30。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage76</formula>(二價(jià)基團(tuán)1)(二價(jià)基團(tuán)2)<無規(guī)共聚物2的合成>在惰性氣氛下加入0.80g(1.3mmo1)化合物2、0.65g(1.3mmo1)雙-(4-溴-苯基)-(4-叔丁基-2,6-二甲基-苯基)胺、1.00g(6.4mmo1)2,2，-二吡啶、1.8g(6.4mmol)雙(l,5-環(huán)辛二烯)鎳(0)、脫水的四氫呋喃150mL，在6(TC下攪拌4小時(shí)。反應(yīng)后，將該反應(yīng)液冷卻至室溫，滴加至25%氨水15ml/甲醇150ml/離子交換水150ml的混合溶液中攪拌后，過濾析出的沉淀進(jìn)行減壓干燥。接著，溶解于甲苯150mL，加入鈉沸石攪拌，過濾不溶物。通過氧化鋁柱對所得濾液進(jìn)行精制。接著，加入5.2%鹽酸水后除去水層，在有機(jī)層中加入4%氨水?dāng)嚢韬蟪ニ畬?，在有機(jī)層中加入離子交換水?dāng)嚢韬蟪ニ畬印Ｖ?，將有機(jī)層加入甲醇中進(jìn)行攪拌，過濾析出的沉淀減壓干燥，獲得無規(guī)共聚物2。聚苯乙烯換算的數(shù)均分子量和重均分子量分別為Mn=1.9xl04、Mw=6.5xl04。該無規(guī)共聚物的下述二價(jià)基團(tuán)1與二價(jià)基團(tuán)2的摩爾比為50:50。<嵌段共聚物1的合成>在200mL三頸燒瓶中裝入l.OOg(1.5mmo1)化合物1，用氬氣置換燒瓶內(nèi)。接著，加入6.6mg(0.03mmo1)4-叔丁基溴苯、34mL甲苯，在45。C下攪拌5分鐘。接著，加入2.2mg(0.002mmo1)三(二亞芐基丙酮)二鈀和6,6mg(0.019mmo1)三(2-甲氧基苯基)膦，在45。C下攪拌10分鐘，加入33重量％碳酸銫水溶液7.0mL在45。C下攪拌7分鐘。接著，在ll(TC下攪拌3小時(shí)，利用高效液相色譜確認(rèn)化合物l的消失，確認(rèn)此時(shí)的高分子化合物的SEC的峰高分子量為7.1xl04。接著，加入0.82g(1.5mmo1)化合物3和10mL甲苯，在ll(TC下攪拌21小時(shí)，利用高效液相色譜確認(rèn)化合物3的消失，確認(rèn)此時(shí)的高分子化合物的SEC的峰高分子量為8.9乂104，確認(rèn)通過共聚分子量增力口。接著，加入0.17經(jīng)(0.7811111101)4-(4,4,5，5-四甲基-l，3，2-二氧雜戊硼烷-2-基)甲苯和甲苯2mL，在11(TC下攪拌3小時(shí)。冷卻至室溫后，將反應(yīng)溶液滴加入乙醇500mL，將所得沉淀過濾、干燥，獲得黃色固體。將上述黃色固體溶解在甲苯65mL，進(jìn)行硅膠和活性氧化鋁的柱色譜，進(jìn)行濃縮干燥。將所得固體溶解在氯仿中，將所得溶液滴加入乙醇，將析出的沉淀過濾、干燥，獲得固體0.82g。將該固體0.73g溶解在四氫呋喃中，將溶液滴加至丙酮中，將所得沉淀過濾，干燥，實(shí)施上述操作4次，獲得0.40g目標(biāo)嵌段共聚物1。聚苯乙烯換算的數(shù)均分子量和重均分子量分別為Mn=7.2xl04、Mfl.lxl04。根據(jù)該嵌段共聚物的元素分析的結(jié)果，上述二價(jià)基團(tuán)1與二價(jià)基團(tuán)2的摩爾比為73:27。因此，嵌段共聚物1由以二價(jià)基團(tuán)1為構(gòu)成單元的嵌段和以二價(jià)基團(tuán)2為構(gòu)成單元的嵌段這2個(gè)嵌段構(gòu)成，二價(jià)基團(tuán)1和二價(jià)基團(tuán)2的化學(xué)式量分別為438.7和327.4，因此以二價(jià)基團(tuán)1為構(gòu)成單元的嵌段的數(shù)均聚合度為120、以二價(jià)基團(tuán)2為構(gòu)成單元的嵌段的數(shù)均聚合度為59。<利用SEC的嵌段共聚物1的餾分>稱量200.2mg嵌段共聚物1，溶解于40ml的甲苯中，每200jul注入SEC柱，分離嵌段共聚物1的高分子量成分。SEC柱將東曹社制的TSKgelGMHHR-3000柱和TSKgdGMHHR-4000柱各1根串聯(lián)后使用，色譜裝置使用島津制LC-10Avp，以四氫呋喃作為流動相在6(TC下進(jìn)行SEC。流速為每分鐘l.Oml、以30秒鐘間隔獲取洗脫液。在餾分中，將注入開始10.5分鐘以后11分鐘以前的餾分(fr.2)和11分鐘以后11.5分鐘以前的餾分(fr.3)混合，除去溶劑，獲得嵌段共聚物1A。予以說明，上述fr.2和fr.3的聚苯乙烯換算的Mn和Mw分別如下所述。<table>tableseeoriginaldocumentpage78</column></row><table><嵌段共聚物1A的NMR測定〉將嵌段共聚物lA制成四氫呋喃-d8溶液，在3(TC下測定TOCSY光譜。NMR裝置使用布魯克社制Avance600型核磁共振裝置。TOCSY光譜中，在(Fl軸、F2軸)=(7.11ppm、7.67ppm)和(Fl軸、F2軸)=(7.67ppm、7.1ppm)的位置上明顯地觀測到式(Zl)的HA和HB所示質(zhì)子間的交叉峰。這說明，該嵌段共聚物1A中以二價(jià)基團(tuán)1為構(gòu)成單元的嵌段和以二價(jià)基團(tuán)2為構(gòu)成單元的嵌段以化學(xué)鍵鍵合。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage78</formula>(式(Zl)中，R表示CsH,7基。)另一方面，TOCSY光譜中，式(Z2)的Hc和Ho所示質(zhì)子間的交叉峰的出現(xiàn)位置、即(Fl軸、F2軸)=(7.97ppm、8.60ppm)禾Q(Fl軸、F2軸)=(8.60ppm、7.97ppm)處完全未觀測到峰。(式〈Z2)中，R表示CsHn基。)而且，式(Z3)的HE和HF所示質(zhì)子間的交叉峰的出現(xiàn)位置、即(Fl軸、F2軸)=(7.38ppm、7.67ppm)和(Fl軸、F2軸)=(7.67ppm、7.38ppm)處完全未觀測到峰。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage79</formula>而且，式(Z4)的Hc和HH所示質(zhì)子間的交叉峰的出現(xiàn)位置、即(Fl軸、F2軸)=(7.43ppm、7.18ppm)和(Fl軸、F2軸)=(7.18ppm、7.43ppm)處完全未觀測到峰。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage79</formula>(式(Z4)中，R表示QHn基。)綜合上述結(jié)果可知，該嵌段共聚物1A的以二價(jià)基團(tuán)1為構(gòu)成單元的嵌段顯示出無法在NMR光譜上能檢測式(Z3)所示頭-頭鍵或式(Z2)所示尾-尾鍵那樣的高度頭-尾規(guī)則性。另一方面，在以二價(jià)基團(tuán)2為構(gòu)成單元的嵌段中，根據(jù)使用模型化合物的反應(yīng)可知化合物3的單體的Br基有2個(gè)脫離、不會發(fā)生偶聯(lián)反應(yīng)，由此，在該嵌段共聚物1A中以二價(jià)基團(tuán)1為構(gòu)成單元的嵌段與以二價(jià)基團(tuán)2為構(gòu)成單元的嵌段的反應(yīng)點(diǎn)為其結(jié)構(gòu)為式(Zl)所示的僅1種，這種結(jié)構(gòu)在該嵌段共聚物1A的1分子中僅存在1處。因此確認(rèn)，該嵌段共聚物1A由以二價(jià)基團(tuán)1為構(gòu)成單元的嵌段與以二價(jià)基團(tuán)2為構(gòu)成單元的嵌段構(gòu)成。<嵌段共聚物3的合成>在300mL三頸燒瓶中裝入l.OOg(1.5mmo1)化合物1，用氬氣置換燒瓶內(nèi)。接著，加入6.6mg(0.03mmo1)4-叔丁基溴苯、34mL甲苯，在45。C下攪拌5分鐘。接著，加入2.1mg(0.002mmd)三(二亞芐基丙酮)二鈀和6.6mg(0.018mmo1)三(2-甲氧基苯基)膦，在45。C下攪拌10分鐘，加入33重量％碳酸銫水溶液7.0mL在45'C下攪拌5分鐘。接著，在ll(TC下攪拌4小時(shí)，利用高效液相色譜確認(rèn)化合物l的消失，確認(rèn)此時(shí)的高分子化合物的SEC的峰高分子量為5.6xl04。接著，加入5.12g(9.6mmo1)化合物3、13.2mg(0.014mmol)三(二亞芐基丙酮)二鈀、40.6mg(0.115mmo1)三(2-甲氧基苯基)膦、44mL的33重量％碳酸銫水溶液和10mL甲苯，在110'C下攪拌14.5小時(shí)，利用高效液相色譜確認(rèn)化合物3的消失，確認(rèn)此時(shí)的高分子化合物的SEC的峰高分子量為1.0xl05，確認(rèn)通過共聚分子量增加。接著，加入1.05g(4.8mmo1)4-(4,4，5,5-四甲基-l，3,2腳二氧雜戊硼垸-2-基)甲苯和甲苯2mL，在11(TC下攪拌3小時(shí)。進(jìn)行與實(shí)施例1同樣的精制操作，獲得2.5g目標(biāo)嵌段共聚物3。聚苯乙烯換算的數(shù)均分子量和重均分子量分別為Mn=7.2xl04、Mw^l.2xl05。根據(jù)該嵌段共聚物的元素分析的結(jié)果，上述二價(jià)基團(tuán)1與二價(jià)基團(tuán)2的摩爾比為26:76。因此，嵌段共聚物2由以二價(jià)基團(tuán)1為構(gòu)成單元的嵌段和以二價(jià)基團(tuán)2為構(gòu)成單元的嵌段這2個(gè)嵌段構(gòu)成，二價(jià)基團(tuán)1和二價(jià)基團(tuán)2的化學(xué)式量分別為438.7和3'27.4，因此以二價(jià)基團(tuán)1為構(gòu)成單元的嵌段的數(shù)均聚合度為39、以二價(jià)基團(tuán)2為構(gòu)成單元的嵌段的數(shù)均聚合度為167。<利用無規(guī)共聚物1的發(fā)光元件的制作>在利用濺射法以150nm厚度施有ITO膜的玻璃基板上，利用旋涂法以80nm的厚度成膜聚(3，4)乙烯二氧雜噻吩/聚苯乙烯磺酸(Bayer制、BytronPAI4083)的混懸液，在加熱板上20(TC下干燥10分鐘。接著，將合成例3所得無規(guī)共聚物1溶解于甲苯中。此時(shí)，按照固態(tài)成分的濃度達(dá)到1.6wt。/。進(jìn)行制備。使用該甲苯溶液利用旋涂法在2800rpm下成膜。之后，在5xl(T3Pa以下的真空度下卯。C下干燥1小時(shí)后，作為陰極蒸鍍約4nm氟化鋰、接著5nm鈣、最后約100nm鋁，制作有機(jī)EL元件。元件構(gòu)成為TIO/BaytronP(80nm)/無規(guī)共聚物1(80nm)/LiF/Ca/Al。真空度在達(dá)到lxl0—^a以下后，開始金屬的蒸鍍。在所得元件上施加電壓時(shí)，顯示來自無規(guī)共聚物1的峰波長460nm的藍(lán)色發(fā)光。該元件的最大發(fā)光效率為0.60cd/A。<利用無規(guī)共聚物1的發(fā)光元件的制作>在利用濺射法以150nm厚度施有ITO膜的玻璃基板上，利用旋涂法以80nm的厚度成膜聚(3，4)乙烯二氧雜噻吩/聚苯乙烯磺酸(Bayer制、BytnmPAI4083)的混懸液，在加熱板上20(TC下干燥10分鐘。接著，將實(shí)施例1所得無規(guī)共聚物1溶解于甲苯中。此時(shí)，按照固態(tài)成分的濃度達(dá)到1.6wtM進(jìn)行制備。使用該甲苯溶液利用旋涂法在2800rpm下成膜。之后，在5xl(T3Pa以下的真空度下9(TC下干燥1小時(shí)后，作為陰極蒸鍍約4nm氟化鋰、接著5nm鈣、最后約100nm鋁，制作有機(jī)EL元件。元件構(gòu)成為TIO/BaytronP(80nm)/無規(guī)共聚物1(80nm)/LiF/Ca/Al。真空度在達(dá)到lxlO—卞a以下后，開始金屬的蒸鍍。在所得元件上施加電壓時(shí)，顯示來自無規(guī)共聚物1的峰波長460nm的藍(lán)色發(fā)光。該元件的最大發(fā)光效率為1.36cd/A。如上所述，本發(fā)明的嵌段共聚物顯示高于比較例1的無規(guī)共聚物的發(fā)光效率，作為高分子發(fā)光元件所使用的材料具有優(yōu)異的性質(zhì)。<利用無規(guī)共聚物2的發(fā)光元件的制作>在利用濺射法以150nm厚度施有ITO膜的玻璃基板上，利用旋涂法以80nm的厚度成膜聚(3,4)乙烯二氧雜噻吩/聚苯乙烯磺酸(Bayer制、BytronPAI4083)的混懸液，在加熱板上200。C下干燥10分鐘。接著，將合成例4所得無規(guī)共聚物2溶解于甲苯中。此時(shí)，按照固態(tài)成分的濃度達(dá)到1.8wt。/。進(jìn)行制備。使用該甲苯溶液利用旋涂法在1200rpm下成膜。之后，在5xl(^Pa以下的真空度下9(TC下干燥l小時(shí)后，作為陰極蒸鍍約4nm氟化鋰、接著5nm鈣、最后約100nm鋁，制作有機(jī)EL元件。元件構(gòu)成為TIO/BaytronP(80nm)/無規(guī)共聚物2(80nm)/LiF/Ca/Al。真空度在達(dá)到lxlO—4Pa以下后，開始金屬的蒸鍍。在所得元件上施加電壓時(shí)，顯示來自無規(guī)共聚物2的峰波長460nm的藍(lán)色發(fā)光。該元件的最大發(fā)光效率為0.08cd/A。<利用無規(guī)共聚物2的發(fā)光元件的制作>在利用濺射法以150nm厚度施有ITO膜的玻璃基板上，利用旋涂法以80nm的厚度成膜聚(3，4)乙烯二氧雜噻吩/聚苯乙烯磺酸(Bayer制、BytronPAI4083)的混懸液，在加熱板上20(TC下干燥10分鐘。接著，將實(shí)施例2所得無規(guī)共聚物2溶解于甲苯中。此時(shí)，按照固態(tài)成分的濃度達(dá)到1.8wt。/。進(jìn)行制備。使用該甲苯溶液利用旋涂法在1200rpm下成膜。之后，在5xlO_3Pa以下的真空度下9(TC下干燥1小時(shí)后，作為陰極蒸鍍約4nm氟化鋰、接著5nm鈣、最后約100nm鋁，制作有機(jī)EL元件。元件構(gòu)成為TIO/BaytronP(80nm)/無規(guī)共聚物2(80nm)/LiF/Ca/Al。真空度在達(dá)到lxlO_4Pa以下后，開始金屬的蒸鍍。在所得元件上施加電壓時(shí)，顯示來自無規(guī)共聚物2的峰波長460nm的藍(lán)色發(fā)光。該元件的最大發(fā)光效率為0.61cd/A。如上所述，本發(fā)明的嵌段共聚物顯示高于比較例2的無規(guī)共聚物的發(fā)光效率，具有作為高分子發(fā)光元件所使用的材料的優(yōu)異性質(zhì)。<交替共聚物1的合成>在200mL三頸燒瓶中加入0.703g(1.02mmo1)化合物4、0.491g(l.Olmmol)雙-(4-溴-苯基)-(4-叔丁基-2,6-二甲基-苯基)胺，用氬氣置換燒瓶內(nèi)。接著，加入21.5mL甲苯，在45t:下攪拌5小時(shí)。接著，加入2.70mg(0.0029mmo1)三(二亞節(jié)基丙酮)二鈀和8.22mg(0.023mmo1)三(2-甲氧基苯基)膦和4.0mL甲苯，在45。C下攪拌10分鐘，加入9.1mL的33重量％碳酸銫水溶液，在114'C下攪拌2小時(shí)IO分鐘。接著，加入2.75mg(O屈Ommol)三(二亞節(jié)基丙酮)二鈀和8.56mg(0.024mmoO三(2-甲氧基苯基)膦和4.0mL甲苯。接著，在114。C下攪拌2小時(shí)20分鐘，利用高效液相色譜確認(rèn)化合物4和雙-(4-溴-苯基)-(4-叔丁基-2，6-二甲基-苯基)胺的消失。接著，加入42.6mg(0.20mmo1)4-叔丁基溴苯和2.0mL甲苯，加入0.87mg(0.001mmol)三(二亞節(jié)基丙酮)二鈀和2.57mg(0.0073mmo1)三(2-甲氧基苯基)膦、l.OmL甲苯、2.7mL的33重量％碳酸銫水溶液。接著，在114。C下攪拌2小時(shí)25分鐘。接著，加入4-(4，4，5，5-四甲基-l，3，2-二氧雜戊硼烷-2-基)甲苯O.O卯g(0.41mmo1)和2.0mL甲苯，在114"C下攪拌2小時(shí)。冷卻至室溫后，將反應(yīng)溶液的有機(jī)層滴入甲醇165mL中，將所得沉淀過濾、干燥，獲得黃色固體。將所得黃色固體溶解在甲苯71mL，進(jìn)行硅膠和活性氧化鋁的柱色譜，進(jìn)行濃縮、干燥，獲得固體0.59g。將該固體0.59g溶解在四氫呋喃中，將溶液滴加至丙酮中，將所得沉淀過濾，干燥，實(shí)施上述操作3次，將固體溶解在甲苯中，將溶液滴加至甲醇，將沉淀過濾、干燥，獲得0.52g目標(biāo)的交替共聚物1。聚苯乙烯換算的數(shù)均分子量和重均分子量分別為Mn=6.5xl04、Mw=l.lxl05。根據(jù)該交替共聚物的元素分析的結(jié)果，上述二價(jià)基團(tuán)1與二價(jià)基團(tuán)2的摩爾比為54:46。(化合物4)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage84</formula>[合成例9]<空穴輸送性高分子1的合成>在惰性氣氛中，在反應(yīng)容器中混合1.59g(3.0mmo1)下述化合物8、1.38g(3.0mmo1)下述化合物9、乙酸鈀(2.0mg)、三(2-甲氧基苯基)膦(22.0mg)、Aliquat336(0.39g、aldrich制)、甲苯(30ml)，加熱至105°C。在該反應(yīng)溶液中滴加2MNa2C03水溶液(8.2ml)使其回流2小時(shí)。反應(yīng)后，加入硼酸苯酯(37mg)，進(jìn)而使其回流2小時(shí)。接著，加入二乙基二硫代氨基甲酸鈉水溶液，在80'C下攪拌2小時(shí)。冷卻后，用水(40ml)洗滌2次、3%乙酸水溶液(40ml)洗漆2次、水(40ml)洗滌2次，將所得溶液滴加入甲醇(465mL),通過過濾獲得沉淀物。將該沉淀物溶解于甲苯(93mL)，通過氧化鋁柱、硅膠柱進(jìn)行精制。將所得甲苯溶液滴加入甲醇(465ml)，攪拌后，將所得沉淀物過濾、干燥。所得空穴輸送性高分子1的收量為1.4g?？昭ㄝ斔托愿叻肿?的聚苯乙烯換算數(shù)均分子量為Uxl05、聚苯乙烯換算重均分子量為2.8xl05。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage85</formula><利用嵌段共聚物2的發(fā)光元件的制作>溶液的調(diào)整將上述獲得的嵌段共聚物2溶解在二甲苯中，制作聚合物濃度1.8重量％的二甲苯溶液。EL元件的制作在利用濺射法以150nm厚度施有ITO膜的玻璃基板上，利用旋涂法以60nm的厚度將聚(3，4)乙烯二氧雜噻吩/聚苯乙烯磺酸(Bayer制、BytronPAI4083)的混懸液經(jīng)0.2pm濾膜過濾后的液體形成薄膜，在加熱板上200。C下干燥IO分鐘。接著，使用上述獲得的空穴輸送性高分子化合物1的二甲苯溶液(濃度0.5重量％)，利用旋涂法在3000rpm的旋轉(zhuǎn)速度下形成10nm膜厚的薄膜。之后，在氮?dú)鈿夥障碌募訜岚迳?80。C下熱處理15分鐘。在如此形成的空穴輸送性高分子化合物1的層上，使用上述獲得的嵌段共聚物2的二甲苯溶液，利用旋涂法在3200rpm的旋轉(zhuǎn)速度下成膜。成膜后的膜厚約為80nm。進(jìn)而，在氮?dú)鈿夥障?3(TC的加熱板上將其干燥20分鐘后，作為陰極蒸鍍約5nm的鋇、接著約83nm的鋁，制作EL元件。真空度在達(dá)到lxlO"Pa以下后，開始金屬的蒸鍍。EL元件的性能在所得元件上施加電壓時(shí)，由該元件獲得在450nm處具有峰的EL發(fā)光。用C.I.E色坐標(biāo)值表示亮度100cd/m2的EL發(fā)光色時(shí)，x=0.150、y=0.126。EL發(fā)光的強(qiáng)度與電流密度基本成比例。另外，100cd/m2的驅(qū)動電壓為7.8V。予以說明，該元件從4.9V可見開始發(fā)光，最大發(fā)光效率為0.07cd/A。<利用交替共聚物1的發(fā)光元件的制作>溶液的調(diào)整將上述獲得的交替共聚物1溶解在二甲苯中，制作聚合物濃度1.8重量％的二甲苯溶液。EL元件的制作除了使用上述獲得的交替共聚物1的二甲苯溶液代替嵌段共聚物2的二甲苯溶液之外，與實(shí)施例6同樣地制作EL元件。予以說明，旋涂時(shí)的旋轉(zhuǎn)數(shù)2000rpm、成膜后的膜厚約為82nm。EL元件的性能在所得元件上施加電壓時(shí)，由該元件獲得在450nm處具有峰的EL發(fā)光。用C丄E色坐標(biāo)值表示亮度100cd/m2的EL發(fā)光色時(shí)，xK).186、y^0.206。EL發(fā)光的強(qiáng)度與電流密度基本成比例。另外，100cd/m2的驅(qū)動電壓為9.8V。予以說明，該元件從5.8V可見開始發(fā)光，最大發(fā)光效率為0.01cd/A。對于實(shí)施例6的嵌段共聚物2的元件、比較例3的交替共聚物1的元件，將電壓-電流特性示于圖1、電壓-亮度特性示于圖2進(jìn)行比較。(圖中，0表示嵌段共聚物2、口表示交替共聚物1。)由圖可知，嵌段共聚物2與交替共聚物l相比，相同電壓下的電流密度和亮度更大。另外，嵌段共聚物2與交叉聚合物1相比，發(fā)光開始電壓低、發(fā)光效率高，因此是用于電場發(fā)光元件優(yōu)選的材料。<化合物6-1的合成>在反應(yīng)容器中加入200.0C0.855mo1)4-碘苯甲醚、441.0g(2.56mol)4-溴苯胺、5.60g(0.031mol)1,10-菲咯啉，用氬氣置換容器內(nèi)，加入甲苯545mL。向其中加入3.08g(0.031moD氯化亞銅、374.9g(6.68mol)氫氧化鉀、llmL甲苯，在125'C下攪拌2小時(shí)。冷卻至室溫，加入氯仿545mL過濾，用2N鹽酸和蒸餾水洗滌濾液，將有機(jī)層濃縮干燥，則獲得141.8g暗紫色物質(zhì)。用凝膠柱色譜(洗脫溶劑己烷/氯仿1:3)精制該暗紫色物質(zhì)14.9g，將洗脫液濃縮干燥，進(jìn)行真空干燥，從而獲得4.4g目標(biāo)化合物6-1(收率18%)。LC畫MS(APPI/posi):278[M+f](化合物6-1)<化合物6-2的合成>在反應(yīng)容器中加入10.00g(36.0mmo1)上述化合物6-1、35.58g(簡mmo"對-二碘苯、0.24g(1.3mmo1)1,10-菲咯啉，用氬氣置換容器內(nèi)，加入甲苯206mL。向其中加入0.13g(1.3mmo1)氯化亞銅、15.77g(281mmo1)氫氧化鉀、4mL甲苯，在125。C下攪拌7小時(shí)。冷卻至室溫，加入氯仿206mL過濾，將濾液濃縮干燥。將濃縮物溶解于氯仿中，滴加甲醇時(shí)，沉淀析出，過濾除去沉淀，將濾液濃縮，獲得固體。接著，用凝膠柱色譜(洗脫溶劑己垸/氯仿3:1)進(jìn)行精制，將洗脫液濃縮干燥、真空干燥，從而獲得12.57g目標(biāo)化合物6-2(收率73%)。LC畫MS(APPI/posi):480[M+E^](化合物6""2)<化合物6-3的合成>在反應(yīng)容器中加入2.26g(4.7mmo1)上述化合物6-2，用氬氣置換容器內(nèi)，加入四氫呋喃40mL。接著，在室溫下用10分鐘的時(shí)間滴加2mol/L異丙基氯化鎂的四氫呋喃溶液3.50mL(7.0mmo1)，持續(xù)攪拌1小時(shí)。攪拌后，將反應(yīng)溶液冷卻至-45。C，用IO分鐘的時(shí)間滴加三甲氧基硼1.60mL(14mmo1)，在-45'C下攪拌30分鐘，進(jìn)而在室溫下攪拌30分鐘。用2N鹽酸25mL滴加反應(yīng)溶液，加入甲苯攪拌后，從有機(jī)層中除去水層。向有機(jī)層加入2N鹽酸，攪拌，從有機(jī)層中除去水層，向該有機(jī)層中加入飽和食鹽水從有機(jī)層中除去水層，用無水硫酸鎂干燥有機(jī)層，進(jìn)行濃縮干燥，獲得油狀物質(zhì)。將該油狀物質(zhì)溶解于氯仿中，進(jìn)行硅膠柱色譜(洗脫溶劑氯仿)。接著，加入甲苯卯mL和四甲基乙二醇0.56g(4.7mmo1)，在125°C下攪拌12小時(shí)。冷卻至室溫，加入水后從有機(jī)層中除去水層，用無水硫酸鎂干燥所得有機(jī)層，通過進(jìn)行濃縮干燥、減壓干燥，作為油狀物質(zhì)獲得0.64g目標(biāo)化合物6-3(收率28%)。LC-MS(APPI/posi):480[M+H+]<化合物7-1的合成>在惰性氣氛下在反應(yīng)容器中加入1.56g(6.98mmd)乙酸鈀、2.8g(13.96mmol)三叔丁基膦、1.6L二甲苯，在28。C下攪拌1小時(shí)，加入128.4g(768mmol)咔唑、160.0g(698mmol)l-溴-4-丁氧基苯、1.6L二甲苯攪拌。接著，在8(TC下加入80.0g(838mmol)叔丁氧基鈉、0.8L二甲苯，在13(TC下攪拌1晚。將反應(yīng)液冷卻至室溫后，使用貼有硅藻土(cdilte)的濾器過濾，濃縮干燥后，進(jìn)行凝膠柱色譜，獲得150.6g目標(biāo)化合物7-l(收率66%)?！痘衔?—1)<化合物7-2的合成><formula>formulaseeoriginaldocumentpage90</formula>在惰性氣氛下在反應(yīng)容器中加入130.0g(412mmol)化合物7-1、2.5L的N，N-二甲基甲酰胺，在4'C下加入143.8g(808mmol)N-溴琥珀酰胺后，在室溫下攪拌l晚。接著，向反應(yīng)液中加入水2kg，攪拌后，將析出的固體過濾，用正己垸洗滌，進(jìn)行減壓干燥。接著，實(shí)施凝膠柱色譜后，由甲苯和正己烷重結(jié)晶，獲得159,2g目標(biāo)化合物7-2(收率81%)。GC—MS(EI):473M-卜醒R:1,02(t,3H),1,55(m>2H〉，1,84(m，2H),4.06".2H),7.09(2H,d〉，7..17,(cJ,2H),7.36(d,2H)7.50(d,2H),8.18(S，2H)>C4H9(化合物7—2)<化合物7-3的合成>在惰性氣氛下在反應(yīng)容器中加入60.0g(127mmo1)化合物7-2、19.3g(76mmo1)頻那醇二硼烷(pinacoldiborane)、37.3g(380mmo1)乙酸鉀、600mL脫水1，4-二聰烷、3.1gG.8mmo1)二氯[l,l，-雙(二苯基膦)二茂鐵]鈀，在5(TC下攪拌4小時(shí)。冷卻至室溫后，使用貼有硅藻土的濾器過濾，進(jìn)行濃縮干燥。接著，溶解于甲苯中，加入水進(jìn)行攪拌，從有機(jī)層中除去水層，進(jìn)行該操作2次，用無水硫酸鎂對有機(jī)層脫水，除去無水硫酸鎂后，將有機(jī)層濃縮干燥。接著，使用凝膠柱色譜進(jìn)行精制，獲得11.7g目標(biāo)化合物7-3(收率18%)。LC一MS(APPI/pos":519[M*.]''H—NMR:1.02(E,3H),1.40(s,12H),1.55(m,2H).1.84(m,2H〉4.06",2J!).7.09(d,2H),7.16(d,H〉,7.28(d,1H〉,7.38(d.2H),7.46(dd.1H),7.86(<!,1H),8.(d,1H),8.59(s,1H)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage92</formula>(化合物7一3)<嵌段共聚物4的合成>在lOOmL二頸燒瓶中裝入0.250g(0.43mmo1)上述化合物5，用氬氣置換燒瓶內(nèi)。接著，加入1.90mg(0.009mmo1)4-叔丁基溴苯、8.9mL甲苯，進(jìn)行Ar排氣泡后，在45"C下攪拌5分鐘。接著，加入0.59mg(0扁6mmo1)三(二亞節(jié)基丙酮)二鈀禾口1.80mg(0.005lmmol)三(2-甲氧基苯基)膦、l.OmL甲苯，在45。C下攪拌10分鐘，加入33重量％碳酸銫水溶液1.9mL。接著，在114。C下攪拌30分鐘，利用高效液相色譜確認(rèn)化合物5的消失，確認(rèn)此時(shí)的高分子化合物的SEC的峰高分子量為8.6xl04。接著，加入0.307g(0.58mmo1)上述化合物3、2mL甲苯，加入0.78mg(0細(xì)9mmo1)三(二亞節(jié)基丙酮)二鈀、2.41mg(0.0068mmo1)三(2-甲氧基苯基)膦、l.OmL甲苯、2.6mL的33重量％碳酸銫水溶液，在114。C下攪拌7小時(shí)。接著，加入0.73mg(0細(xì)8mmo1)三(二亞芐基丙酮)二鈀、2.24mg(0馬4mmo1)三(2-甲氧基苯基)膦、l.OmL甲苯，在114。C下攪拌7小時(shí)30分鐘。接著，加入0.86mg(0細(xì)9mmo1)三(二亞芐基丙酮)二鈀、2.70mg(0.0077mmo1)三(2-甲氧基苯基)膦、l.OmL甲苯，在11《C下攪拌7小時(shí)，利用高效液相色譜確認(rèn)化合物3的消失，確認(rèn)此時(shí)的高分子化合物的SEC的峰高分子量為9.9xl04，確認(rèn)通過共聚分子量增加。接著，加入0,062g(0.28mmo1)4-(4，4,5,5-四甲基-l,3,2陽二氧雜戊硼烷-2-基)甲苯和甲苯2mL，加入0.32mg(0扁3mmo1)三(二亞芐基丙酮)二鈀、0.97mg(0.003mmo1)三(2-甲氧基苯基)膦、l.OmL甲苯、1.1mL的33重量n/。碳酸銫水溶液，在114'C下攪拌4小時(shí)。冷卻至室溫后，從有機(jī)層中除去反應(yīng)溶液的水層，將有機(jī)層滴入甲醇90mL中，將所得沉淀過濾、干燥，獲得黃色固體。將所述黃色固體溶解于甲苯30mL，進(jìn)行硅膠和活性氧化鋁的柱色譜，將洗脫液濃縮。將濃縮液滴入甲醇中，將析出的沉淀過濾、干燥，獲得固體0.25§。將該固體0.21g溶解在四氫呋喃中，將溶液滴加至丙酮中，將所得沉淀過濾，干燥，實(shí)施上述操作3次，獲得0.17g目標(biāo)嵌段共聚物4。聚苯乙烯換算的數(shù)均分子量和重均分子量分別為Mr^7.7xl04、Mw=1.3xl05。根據(jù)該嵌段共聚物的元素分析的結(jié)果，上述二價(jià)基團(tuán)3與上述二價(jià)基團(tuán)2的摩爾比為55:45。因此，嵌段共聚物4由以二價(jià)基團(tuán)3為構(gòu)成單元的嵌段和以二價(jià)基團(tuán)2為構(gòu)成單元的嵌段這2個(gè)嵌段構(gòu)成，二價(jià)基團(tuán)3和二價(jià)基團(tuán)2的化學(xué)式量分別為388.6和327.4，因此以二價(jià)基團(tuán)3為構(gòu)成單元的嵌段的數(shù)均聚合度為109、以二價(jià)基團(tuán)2為構(gòu)成單元的嵌段的數(shù)均聚合度為106。(二價(jià)基團(tuán)3)<嵌段共聚物4的NMR測定>使上述獲得的嵌段共聚物4為四氫呋喃-(18溶液，在3(TC下進(jìn)行檢測'H^C二次相關(guān)光譜(HMQC光譜)和NOE相關(guān)光譜(NOESY光譜)測定。NMR裝置使用布魯克社制Avance600型核磁共振裝置。進(jìn)行HMQC光譜的測定時(shí)，式(XI)中，HA,和Hw所示的質(zhì)子分別位于7.75ppm、7.80卯m，另外，式(XI)中，CA1和CB1所示的碳l3分別位于126.5ppm、121.6ppm的位置，相對于HAi和C^、Hb,和Cw所示的質(zhì)子與碳的對，觀測到質(zhì)子-碳13的相關(guān)峰。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage94</formula>(XI)另外，該HMQC光譜上，式(X2)中，Hd和HjM所示的質(zhì)子分別位于7.44ppm、7.02ppm，另外，式(X2)中，CC1和Cm所示的碳13的化學(xué)位移分別位于127.1ppm、120.1ppm的位置，相對于Hc!和Cd、Hm和Cin所示的質(zhì)子與碳的對，觀測到質(zhì)子-碳13的相關(guān)峰。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage94</formula>(X2)另一方面，該HMQC光譜上，式(X3)中，Ha2和Hb2所示的腐子分別位于7.64ppm、7.69ppm，另外，式(X3)中，CA2和(^2所示的碳13分別位于125.8ppm、121.4ppm的位置，相對于Ha2和CA2、&2和Cb2所示的質(zhì)子與碳的對，觀測到質(zhì)子-碳13的相關(guān)峰。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage95</formula>另外，該HMQC光譜上，式(X3)中，Hc2和Ho2所示的質(zhì)子分別位于7.59ppm、7.08ppm，另外，式(X3)中，Cc2和Cm所示的碳13的化學(xué)位移分別位于127.9ppm、121.5ppm的位置，相對于^2和0;2、H。2和CD2所示的質(zhì)子與碳的對，觀測到質(zhì)子-碳13的相關(guān)峰。而且，進(jìn)行NOESY測定時(shí)，式(X3)中HB2和Hc2所示的質(zhì)子間的交叉峰的出現(xiàn)位置、即在(Fl軸、F2軸)=(7.69ppm、7.59ppm)禾Q(Fl軸、F2軸)=(7.59ppm、7.69ppm)處觀測到NOE峰。這表示式(X3)中&2和Hb所示的質(zhì)子間的距離小，明確地表明式(X3)中HB2和Hc2的歸屬正確。綜合上述結(jié)果可知，嵌段共聚物4含有式(XI)所示的嵌段和式(X2)所示的嵌段，而且確認(rèn)存在式(X3)所示的連接部。[實(shí)施例8]<利用嵌段共聚物4的高分子發(fā)光元件的制作>溶液的調(diào)整將上述獲得的嵌段共聚物4溶解在二甲苯中，制作聚合物濃度1.6重量％的二甲苯溶液。EL元件的制作除了使用上述獲得的嵌段共聚物4的二甲苯溶液代替嵌段共聚物2的二甲苯溶液之外，與實(shí)施例6同樣地制作EL元件。予以說明，旋涂時(shí)的旋轉(zhuǎn)數(shù)為3000rpm，成膜后的膜厚約為79nm。EL元件的性能在所得元件上施加電壓時(shí)，由該元件獲得在430nm處具有峰的EL發(fā)光。用C丄E色坐標(biāo)值表示亮度100cd/m2的EL發(fā)光色時(shí)，xi.l62、yi.066。EL發(fā)光的強(qiáng)度與電流密度基本成比例。另外，100cd/m2的驅(qū)動電壓為6.0V。予以說明，該元件從4.3V可見開始發(fā)光，最大發(fā)光效率為0.30cd/A。[實(shí)施例9]<嵌段共聚物5的合成>在100mL二頸燒瓶中裝入0.250g(0.43mmo1)上述化合物5，用氬氣置換燒瓶內(nèi)。接著，加入1.90mg(0.009mmo1)4-叔丁基溴苯、8.9mL甲苯，在45。C下攪袢5分鐘。接著，加入0.58mg(0.0006mmo1)三(二亞芐基丙酮)二鈀和1.83mg(0.0052mmo1)三(2-甲氧基苯基)膦、l.OmL甲苯，在45"C下攪拌10分鐘，加入33重量％碳酸銫水溶液1.9mL。接著，在114'C下攪拌30分鐘，利用高效液相色譜確認(rèn)化合物5的消失，確認(rèn)此時(shí)的高分子化合物的SEC的峰高分子量為7.6xl04。接著，加入0.279g(0.58mmo1)上述化合物6-3、2mL甲苯，加入0.79mg(0細(xì)9mmo1)三(二亞節(jié)基丙酮)二鈀、2.37mg(0.0067mmo1)三(2-甲氧基苯基)膦、l.OmL甲苯、2.6mL的33重量％碳酸銫水溶液，在114'C下攪拌3小時(shí)。接著，加入0.83mg(0.0009mmo1)三(二亞芐基丙酮)二鈀、2.75mg(0.0078mmo1)三(2-甲氧基苯基)膦、l.OmL甲苯，在114。C下攪拌7小時(shí)30分鐘。接著，加入0.81mg(0扁9mmo1)三(二亞芐基丙酮)二鈀、2.32mg(0.0066mmo1)三(2-甲氧基苯基)膦、l.OmL甲苯，在114°C下攪拌9小時(shí)。然后，加入0.78mg(0.0009mmo1)三(二亞芐基丙酮)二鈀、2.31mg(0.0066mmo1)三(2-甲氧基苯基)膦、l.OmL甲苯，在114。C下攪拌17小時(shí)。利用高效液相色譜確認(rèn)化合物6-3的消失，確認(rèn)此時(shí)的高分子化合物的SEC的峰高分子量為8.9x104，確認(rèn)通過共聚分子量增加。接著，加入0.057g(0.26mmo1)4-(4,4，5，5-四甲基-1,3,2-二氧雜戊硼垸-2-基)甲苯和甲苯2mL，加入0.37mg(0.0004mmo1)三(二亞節(jié)基丙酮)二鈀、0.99mg(0.003mmo1)三(2-甲氧基苯基)膦、l.OmL甲苯、l.lmL的33重量％碳酸銫水溶液，在114'C下攪拌2小時(shí)30分鐘。冷卻至室溫后，從有機(jī)層中除去反應(yīng)溶液的水層，將有機(jī)層滴入甲醇120mL中，將所得沉淀過濾、干燥，獲得黃色固體。將所述黃色固體溶解于甲苯27mL，進(jìn)行硅膠和活性氧化鋁的柱色譜，將洗脫液濃縮。將濃縮液滴入甲醇中，將析出的沉淀過濾、干燥，獲得固體0.16g。將該固體0.13g溶解在甲苯中，將溶液滴加至甲醇中，將所得沉淀過濾，干燥，實(shí)施上述操作2次，獲得0.12g目標(biāo)嵌段共聚物5。聚苯乙烯換算的數(shù)均分子量和重均分子量分別為Mn=5.3xl04、Mw=l.lxl05。根據(jù)該嵌段共聚物的元素分析的結(jié)果，上述二價(jià)基團(tuán)3與上述二價(jià)基團(tuán)4的摩爾比為64:36。因此，嵌段共聚物5由以二價(jià)基團(tuán)3為構(gòu)成單元的嵌段和以二價(jià)基團(tuán)4為構(gòu)成單元的嵌段這2個(gè)嵌段構(gòu)成，二價(jià)基團(tuán)3和二價(jià)基團(tuán)4的化學(xué)式量分別為388.6和273.3，因此以二價(jià)基團(tuán)3為構(gòu)成單元的嵌段的數(shù)均聚合度為87、以二價(jià)基團(tuán)4為構(gòu)成單元的嵌段的數(shù)均聚合度為70。(二價(jià)基團(tuán)4)<嵌段共聚物5的NMR測定>使上述獲得的嵌段共聚物5為四氫呋喃-ds溶液，在30'C下進(jìn)行'H檢測'H，C二維相關(guān)光譜(HMQC光譜)和NOE相關(guān)光譜(NOESY光譜)測定。NMR裝置使用布魯克社制Avance600型核磁共振裝置。進(jìn)行HMQC光譜的測定時(shí)，式(Yl)中，H^和Hw所示的質(zhì)子分別位于7.75ppm、7,80ppm，另外，式(Yl)中，CA1和CB1所示的碳13分別位于126.5ppm、121.6ppm的位置，相對于H^和Ou、Hb!和Cw所示的質(zhì)子與碳的對，觀測到質(zhì)子-碳13的相關(guān)峰。另外，該HMQC光譜上，式(Y2)中，Ha和Hm所示的質(zhì)子分別位于7.47ppm、7.08ppm，另外，式(Y2)中，Qn和Cm所示的碳13的化學(xué)位移分別位于127.3ppm、123.2ppm的位置，相對于Hd和Qn、Hm和Cw所示的質(zhì)子與碳的對，觀測到質(zhì)子-碳13的相關(guān)峰。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage98</formula>另一方面，該HMQC光譜上，式(Y3)中，Ha2和Hb2所示的腐子分別位于7.63ppm、7.68ppm，另外，式(Y3)中，CA2和(^2所示的碳13分別位于125.9ppm、121.2ppm的位置，相對于HAjnCA2、&2和Cm所示的質(zhì)子與碳的對，觀測到質(zhì)子-碳13的相關(guān)峰。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage98</formula>另夕卜，該HMQC光譜上，式(Y3)中，Hc2和Hm所示的質(zhì)子分別位于7.61ppm、7.14ppm，另外，式(Y3)中，Ca和<:02所示的碳13的化學(xué)位移分別位于127.9ppm、124.8ppm的位置，相對于Hc2和Cc2、&2和CD2所示的質(zhì)子與碳的對，觀測到質(zhì)子-碳13的相關(guān)峰。而且，進(jìn)行NOESY測定時(shí)，式(Y3)中HB2和Hc2所示的質(zhì)子間的交叉峰的出現(xiàn)位置、即在(Fl軸、F2軸)=(7.68ppm、7.61ppm)和(Fl軸、F2軸)=(7.61ppm、7.68ppm)處觀測到NOE峰。這表示式(Y3)中Hb2和Eb所示的質(zhì)子間的距離小，明確地表明式(Y3)中Hb2禾BHc2的歸屬正確。綜合上述結(jié)果可知，嵌段共聚物5含有式(Yl)所示的嵌段和式(Y2)所示的嵌段，而且確認(rèn)存在式(Y3)所示的連接部。[實(shí)施例10]<利用嵌段共聚物5的高分子發(fā)光元件的制作>溶液的調(diào)整將上述獲得的嵌段共聚物5溶解在氯仿中，制作聚合物濃度0.5重量°/。的氯仿溶液。EL元件的制作除了使用上述獲得的嵌段共聚物5的氯仿溶液代替嵌段共聚物2的二甲苯溶液之外，與實(shí)施例6完全同樣地制作EL元件。予以說明，旋涂時(shí)的旋轉(zhuǎn)數(shù)為3600rpm，成膜后的膜厚約為90nm。EL元件的性能在所得元件上施加電壓時(shí)，由該元件獲得在445nm處具有峰的EL發(fā)光。用C.I.E色坐標(biāo)值表示亮度100cd/m2的EL發(fā)光色時(shí)，x=0.181、y=0.134。EL發(fā)光的強(qiáng)度與電流密度基本成比例。另外，100cd/m2的驅(qū)動電壓為8.0V。予以說明，該元件從5.7V可見開始發(fā)光，最大發(fā)光效率為0.14cd/A。<嵌段共聚物6的合成>在200mL三頸燒瓶中裝入0.600g(1.02mmo1)上述化合物5，用氬氣置換燒瓶內(nèi)。接著，加入4.53mg(0.021mmo1)4-叔丁基溴苯、22.0mL甲苯，在45。C下攪拌5分鐘。接著，加入1.46mg(0.0016mmo1)三(二亞芐基丙酮)二鈀和4.44mg(0.013mmo1)三(2-甲氧基苯基)膦、2.0mL甲苯，在45"C下攪拌IO分鐘，加入33重量％碳酸銫水溶液4.7mL。接著，在114'C下攪拌30分鐘，利用高效液相色譜確認(rèn)化合物5的消失，確認(rèn)此時(shí)的高分子化合物的SEC的峰高分子量為6.9xl04。接著，加入0.718g(1.38mmo1)上述化合物7-3、5mL甲苯，加入1.84mg(O豫Ommol)三(二亞卡基丙酮)二鈀、5.61mg(0.016mmo1)三(2-甲氧基苯基)膦、2.0mL甲苯、6.5mL的33重量％碳酸銫水溶液，在114'C下攪拌3小時(shí)。接著，加入1.94mg(0.0021mmo1)三(二亞芐基丙酮)二鈀、6.00mg(0.017mmo1)三(2-甲氧基苯基)膦、2.0mL甲苯，在114。C下攪拌19小時(shí)30分鐘，利用高效液相色譜確認(rèn)化合物7-3的消失，確認(rèn)此時(shí)的高分子化合物的SEC的峰高分子量為8.4xl04，確認(rèn)通過共聚分子量增加。接著，加入0.138g(0.63mmo1)4隱(4,4,5,5-四甲基-l,3，2-二氧雜戊硼垸-2-基)甲苯和甲苯4.8mL，加入0.80mg(0.0009mmo1)三(二亞節(jié)基丙酮)二鈀、2.57mg(0.0073mmo1)三(2-甲氧基苯基)膦、l.OmL甲苯、3.0mL的33重量％碳酸銫水溶液，在11《C下攪拌1小時(shí)30分鐘。冷卻至室溫后，從有機(jī)層中除去反應(yīng)溶液的水層，將有機(jī)層滴入甲醇194mL中，將所得沉淀過濾、干燥，獲得黃色固體。向所述黃色固體添加甲苯81mL，進(jìn)行硅膠和活性氧化鋁的柱色譜，將洗脫液濃縮。將濃縮液滴入甲醇中，將析出的沉淀過濾、干燥，獲得固體0.52g。將該固體0.52g溶解在四氫呋喃中，將不溶物過濾除去，將濾液濃縮干燥。將其溶解于甲苯，將溶液滴入甲醇中，將所得沉淀過濾、干燥。將其溶解于四氫呋喃，進(jìn)而將溶液滴入丙酮，將所得沉淀過濾、干燥，實(shí)施上述操作3次，進(jìn)而將固體溶解于甲苯中，將溶液滴入甲醇中，將沉淀過濾、干燥，獲得0.17g目標(biāo)嵌段共聚物6。聚苯乙烯換算的數(shù)均分子量和重均分子量分別為Mn=7.3xl04、Mw=1.2xl04。根據(jù)該嵌段共聚物的元素分析的結(jié)果，上述二價(jià)基團(tuán)3與上述二價(jià)基團(tuán)5的摩爾比為92:8。因此，嵌段共聚物6由以二價(jià)基團(tuán)3為構(gòu)成單元的嵌段和以二價(jià)基團(tuán)5為構(gòu)成單元的嵌段這2個(gè)嵌段構(gòu)成，二價(jià)基團(tuán)3和二價(jià)基團(tuán)5的化學(xué)式量分別為388.6和313.4，因此以二價(jià)基團(tuán)3為構(gòu)成單元的嵌段的數(shù)均聚合度為173、以二價(jià)基團(tuán)5為構(gòu)成單元的嵌段的數(shù)均聚合度為19。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage101</formula>(二價(jià)基團(tuán)的5)<利用嵌段共聚物6的高分子發(fā)光元件的制作>溶液的調(diào)整將上述獲得的嵌段共聚物6溶解在二甲苯中，制作聚合物濃度1.6重量％的二甲苯溶液。EL元件的制作除了使用上述獲得的嵌段共聚物6的二甲苯溶液代替嵌段共聚物2的二甲苯溶液之外,與實(shí)施例6完全同樣地制作EL元件。予以說明，旋涂時(shí)的旋轉(zhuǎn)數(shù)為3000rpm，成膜后的膜厚約為78nm。EL元件的性能在所得元件上施加電壓時(shí)，由該元件獲得在430nm處具有峰的EL發(fā)光。用C.I.E色坐標(biāo)值表示亮度100cd/m2的EL發(fā)光色時(shí)，xi.l70、y-0.108。EL發(fā)光的強(qiáng)度與電流密度基本成比例。另外，100cd/m2的驅(qū)動電壓為6.4V。予以說明，該元件從4.9V可見開始發(fā)光，最大發(fā)光效率為1.02cd/A。<嵌段共聚物7的合成>在200mL三頸燒瓶中裝入0.650g(l.Olmmol)上述化合物1，用氬氣置換燒瓶內(nèi)。接著，加入4.52mg(0.021mmo1)4-叔丁基溴苯、21.5mL甲苯，在45。C下攪拌5分鐘。接著，加入1.43mg(0扁6mmo1)三(二亞芐基丙酮)二鈀和4.40mg(0.013mmo1)三(2-甲氧基苯基)膦、2.0mL甲苯，在45卩下攪拌IO分鐘，加入33重量。/。碳酸銫水溶液4.6mL。接著，在U4t:下攪拌2小時(shí)，利用高效液相色譜確認(rèn)化合物1的消失，確認(rèn)此時(shí)的高分子化合物的SEC的峰高分子量為6.6xl04，通過共聚分子量增加。接著，加入0.799g(1.36mmo1)上述化合物5和4.7mL甲苯，加入1.95mg(0.0021mmo1)三(二亞芐基丙酮)二鈀和6.15mg(0,018mmo1)三(2-甲氧基苯基)膦、2.0mL甲苯、33重量％碳酸銫水溶液6.2mL。接著，在114'C下攪拌1小時(shí)40分鐘，利用高效液相色譜確認(rèn)化合物5的消失，確認(rèn)此時(shí)的高分子化合物的SEC的峰高分子量為9."104。接著，加入0.726g(1.36mmo1)上述化合物3和甲苯4.7mL，加入1.84mg(O觀Ommol)三(二亞芐基丙酮)二鈀、5.58mg(0.016mmo1)三(2-甲氧基苯基)膦、2.0mL甲苯、6.2mL的33重量％碳酸銫水溶液。接著，在114。C下攪拌19小時(shí)50分鐘，利用高效液相色譜確認(rèn)化合物3的消失，確認(rèn)此時(shí)的高分子化合物的SEC的峰高分子量為1.0xl05，確認(rèn)通過共聚分子量增加。接著，加入0.133g(0,61mmo1)4畫(4，4,5，5-四甲基-l，3，2-二氧雜戊硼烷-2-基)甲苯和甲苯4.7mL，加入0.88mg(O.OOlmmol)三(二亞節(jié)基丙酮)二鈀、2.78mg(0.0079mmo1)三(2-甲氧基苯基)膦、l.OmL甲苯、2.8mL的33重量％碳酸銫水溶液，在114"C下攪拌2小時(shí)。冷卻至室溫后，從有機(jī)層中除去反應(yīng)溶液的水層，將有機(jī)層滴入甲醇300mL中，將所得沉淀過濾、干燥，獲得黃色固體。向所述黃色固體添加甲苯133mL，迸行硅膠和活性氧化鋁的柱色譜，將洗脫液濃縮。將濃縮液滴入甲醇中，將析出的沉淀過濾、干燥，獲得固體1.13g。將該固體1.13g溶解在四氫呋喃中，將溶液滴入丙酮，將所得沉淀過濾、干燥，實(shí)施上述操作3次，進(jìn)而將固體溶解于甲苯中，將溶液滴入甲醇中，將沉淀過濾、干燥，獲得0.97g目標(biāo)嵌段共聚物7。聚苯乙烯換算的數(shù)均分子量和重均分子量分別為Mn-8.0xl04、Mw=1.5xl04。根據(jù)該嵌段共聚物的下述NMR測定的結(jié)果，上述二價(jià)基團(tuán)l與上述二價(jià)基團(tuán)3與上述二價(jià)基團(tuán)2的摩爾比為27:41:32。因此，嵌段共聚物7由以二價(jià)基團(tuán)1為構(gòu)成單元的嵌段、以二價(jià)基團(tuán)3為構(gòu)成單元的嵌段和以二價(jià)基團(tuán)2為構(gòu)成單元的嵌段這3個(gè)嵌段構(gòu)成，二價(jià)基團(tuán)1、二價(jià)基團(tuán)3和二價(jià)基團(tuán)2的化學(xué)式量分別為438.7、388.6和327.4，因此以二價(jià)基團(tuán)1為構(gòu)成單元的嵌段的數(shù)均聚合度為49、以二價(jià)基團(tuán)3為構(gòu)成單元的嵌段的數(shù)均聚合度為84、以二價(jià)基團(tuán)2為構(gòu)成單元的嵌段的數(shù)均聚合度為78。<嵌段共聚物7的NMR測定〉NMR測定是使聚合物為氘代四氫呋喃的約1%溶液、使用布魯克社制Avance600型核磁共振裝置、在30。C下進(jìn)行。進(jìn)行嵌段共聚物7的'H-NMR測定時(shí)，在'H-NMR的光譜上，表示二價(jià)基團(tuán)1的式(ZWl)中，H(n和H(2)所示的質(zhì)子峰化學(xué)位移分別為9.10ppm、8.67ppm。另外，在^-NMR的光譜上，表示二價(jià)基團(tuán)2的式(ZW2)中，H(8)、H(9)和H(up所示的質(zhì)子峰化學(xué)位移分別為7.45ppm、7.23ppm、7.04ppm。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage103</formula>(ZW2)在該iH-NMR的光譜上，求得H①、H(2)、H(8)、H(9)、H(up的峰的積分強(qiáng)度，將考慮到1個(gè)二價(jià)基團(tuán)所含等價(jià)的質(zhì)子的個(gè)數(shù)進(jìn)行規(guī)格化的結(jié)果示于表l。表l<table>tableseeoriginaldocumentpage104</column></row><table>另外，在'H-NMR的光譜上，表示二價(jià)基團(tuán)3的式(ZW3)中，Hm)、Hu"和H(n)所示的質(zhì)子峰在7.53ppm8.09ppm的范圍內(nèi)觀測到。該范圍內(nèi)也可以觀測到式(ZW1)中質(zhì)子H①、H(4)、H(s)、H^、H("所示的質(zhì)子峰。C右Hj7C8H17(ZW3〉質(zhì)子H(3)、H(4)、H(5)、H(6)、H(7)的積分強(qiáng)度為在上述(YY1)上乘以作為質(zhì)子H(3)、H(4)、H(5)、H(6)、H(7)的質(zhì)子個(gè)數(shù)的5，計(jì)算為4798.7…(b3—7)。因此，質(zhì)子H()、HU2)、H(13)的積分強(qiáng)度通過從作為在1H-NMR的光譜上從7.53ppm8.09ppm的積分強(qiáng)度的實(shí)測值的13657.2減去值(b3—7)，計(jì)算為8858.5…(bl1—13)。而且，通過質(zhì)子H(n)、H(12)、H(13)的經(jīng)規(guī)格化的積分強(qiáng)度(YY3)用作為質(zhì)子H(川、H(12)、H(w的質(zhì)子個(gè)數(shù)的6除，從而計(jì)算為1476.4…(YY3)。由以上可知，構(gòu)成嵌段共聚物7的3種二價(jià)基團(tuán)的摩爾比使用經(jīng)規(guī)格化的積分強(qiáng)度YY1、YY2、YY3，為(二價(jià)基團(tuán)1):(二價(jià)基團(tuán)2):(二價(jià)基團(tuán)3)=式(ZW1):式(ZW2):式(ZW3)=959.7:1168.6:1476.4=27:32:41。<利用嵌段共聚物7的高分子發(fā)光元件的制作>溶液的調(diào)整將上述獲得的嵌段共聚物7溶解在二甲苯中，制作聚合物濃度1.5重量％的二甲苯溶液。EL元件的制作除了使用上述獲得的嵌段共聚物7的二甲苯溶液代替嵌段共聚物2的二甲苯溶液之外，與實(shí)施例6完全同樣地制作EL元件。予以說明，旋涂時(shí)的旋轉(zhuǎn)數(shù)為3000rpm，成膜后的膜厚約為77nm。EL元件的性能在所得元件上施加電壓時(shí)，由該元件獲得在450nm處具有峰的EL發(fā)光。用C丄E色坐標(biāo)值表示亮度100cd/m2的EL發(fā)光色時(shí)，x^.l51、y^.105。EL發(fā)光的強(qiáng)度與電流密度基本成比例。另外，100cd/m2的驅(qū)動電壓為5.4V。予以說明，該元件從4.1V可見開始發(fā)光，最大發(fā)光效率為1.33cd/A。<嵌段共聚物8的合成>在反應(yīng)容器中裝入0.650g(l.Olmmol)上述化合物1，用氬氣置換燒瓶內(nèi)。接著，加入4.51mg(0.021mmo1)4-叔丁基溴苯、21.5mL甲苯，在45。C下攪拌5分鐘。接著，加入1.34mg(0.0015mmo1)三(二亞節(jié)基丙酮)二鈀和4.14mg(0.012mmo1)三(2-甲氧基苯基)膦、2.0mL甲苯，在45°C下攪拌10分鐘，加入33重量％碳酸銫水溶液4.6mL。接著，在114°C下攪拌2小時(shí)，利用高效液相色譜確認(rèn)化合物1的消失，確認(rèn)此時(shí)的高分子化合物的SEC的峰高分子量為6.2x104。接著，加入0.799g(1.36mmo1)上述化合物5和4.7mL甲苯、1.93mg(0.0021mmo1)三(二亞節(jié)基丙酮)二鈀、5.84mg(0.017mmo1)三(2-甲氧基苯基)膦、2.0mL甲苯、6.2mL的33重量％碳酸銫水溶液。接著，在114"C下攪拌1小時(shí)，利用高效液相色譜確認(rèn)化合物5的消失，確認(rèn)此時(shí)的高分子化合物的SEC的峰高分子量為1.0xl05。接著，加入0.727g(1.36mmo1)上述化合物3和4.7mL甲苯、1.99mgC0.0022mmo1)三(二亞節(jié)基丙酮)二鈀、6.07mg(0.017mmol)三(2-甲氧基苯基)膦、2.0mL甲苯、6.2mL的33重量°/。碳酸銫水溶液。接著，在114'C下攪拌9小時(shí)，利用高效液相色譜確認(rèn)化合物3的消失，確認(rèn)此時(shí)的高分子化合物的SEC的峰高分子量為l.lxlO5，確認(rèn)通過共聚分子量增加。接著，加入0.709g(1.36mmo1)上述化合物7-3和4.7mL甲苯、1.81mg(O纖Ommol)三(二亞節(jié)基丙酮)二鈀、5.49mg(0,016mmo1)三(2-甲氧基苯基)膦、2.0mL甲苯、6.2mL的33重量％碳酸銫氷溶液，在114。C下攪拌7小時(shí)。接著加入1.90g(0.0021mmo1)三(二亞芐基丙酮)二鈀、5.83mg(0.017mmo1)三(2-甲氧基苯基)膦、2.0mL甲苯，接著，在114"C下攪拌15小時(shí)，利用高效液相色譜確認(rèn)化合物7-3的消失，確認(rèn)此時(shí)的高分子化合物的SEC的峰高分子量為1.2xl05，確認(rèn)通過共聚分子量增加。接著，加入0.134g(0.61mmo1)4-(4,4,5,5-四甲基-l,3,2-二氧雜戊硼烷-2-基)甲苯和甲苯4.7mL，加入0.78mg(0細(xì)9mmo1)三(二亞芐基丙酮)二鈀、2.35mg(0.0067mmo1)三(2-甲氧基苯基)膦、l.OmL甲苯、2.7mL的33重量％碳酸銫水溶液，在114。C下攪拌2小時(shí)。冷卻至室溫后，從有機(jī)層中除去反應(yīng)溶液的水層，將有機(jī)層滴入甲醇385mL中，將所得沉淀過濾、干燥，獲得黃色固體。將所述黃色固體溶解于四氫呋喃中，將不溶部過濾除去，將濾液濃縮，將溶液滴入丙酮中將所得沉淀過濾、干燥。將其溶解于甲苯119mL中，進(jìn)行硅膠和活性氧化鋁的柱色譜，進(jìn)行濃縮。將濃縮液滴入甲醇中，將析出的沉淀過濾、干燥，獲得固體1.03g。將該固體1.03g溶解在四氫呋喃中，將溶液滴入丙酮，將所得沉淀過濾、干燥，實(shí)施上述操作2次，進(jìn)而將固體溶解于甲苯中，將溶液滴入甲醇中，將沉淀過濾、干燥，獲得0.89g目標(biāo)嵌段共聚物8。聚苯乙烯換算的數(shù)均分子量和重均分子量分別為Mn=9.4xl04、Mw^l.8xl04。根據(jù)下述NMR測定的結(jié)果，上述二價(jià)基團(tuán)1與上述二價(jià)基團(tuán)3與上述二價(jià)基團(tuán)2與上述二價(jià)基團(tuán)5的摩爾比為26:36:31:6。因此，嵌段共聚物8由以二價(jià)基團(tuán)l為構(gòu)成單元的嵌段、以二價(jià)基團(tuán)3為構(gòu)成單元的嵌段、以二價(jià)基團(tuán)2為構(gòu)成單元的嵌段和以二價(jià)基團(tuán)5為構(gòu)成單元的嵌段這4個(gè)嵌段構(gòu)成，二價(jià)基團(tuán)1、二價(jià)基團(tuán)3、二價(jià)基團(tuán)2和二價(jià)基團(tuán)5的化學(xué)式量分別為438.7、388.6、327.4和313.4，因此以二價(jià)基團(tuán)1為構(gòu)成單元的嵌段的數(shù)均聚合度為56、以二價(jià)基團(tuán)3為構(gòu)成單元的嵌段的數(shù)均聚合度為87、以二價(jià)基團(tuán)2為構(gòu)成單元的嵌段的數(shù)均聚合度為89、以二價(jià)基團(tuán)5為構(gòu)成單元的嵌段的數(shù)均聚合度為18。<嵌段共聚物8的NMR測定>NMR測定是使嵌段聚合物8為氘代四氫呋喃的約1%溶液、使用布魯克社制Avance600型核磁共振裝置、在30。C下進(jìn)行。進(jìn)行嵌段共聚物8的'H-NMR測定時(shí)，在^-NMR的光譜上，表示二價(jià)基團(tuán)l的式(Z5)中，Hu4)所示的質(zhì)子峰的化學(xué)位移為9.10ppm。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage107</formula>(Z5)另外，在^-NMR的光譜上，表示二價(jià)基團(tuán)2的式(Z6)中，H(20)、H(21)所示的質(zhì)子峰的化學(xué)位移分別為2.08ppm、1.38ppm。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage107</formula>(Z6)在該'H-NMR的光譜上，表示二價(jià)基團(tuán)5的式(Z7)中，11(25)所示的質(zhì)子峰的化學(xué)位移為4.03ppm。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage108</formula>在該'H-NMR的光譜上，求得Hu4)、H(2(p、H(21)、H(25)的峰的積分強(qiáng)度，將考慮到1個(gè)二價(jià)基團(tuán)所含等價(jià)的質(zhì)子的個(gè)數(shù)進(jìn)行規(guī)格化的結(jié)果示于表2。表2<table>tableseeoriginaldocumentpage108</column></row><table>另夕卜，在^-畫R的光譜上，表示二價(jià)基團(tuán)3的式(Z9)中，H(3D、11(32)和H(33)所示的質(zhì)子峰在6.80ppm8.07ppm的范圍內(nèi)觀測到。該范圍內(nèi)也可以觀測到式(Z5)中質(zhì)子Hu5)、H(16)、H(i7)、H(i8)、H(19)所不的質(zhì)子峰，式(Z6)中質(zhì)子H(22)、H(23)、H(24)所示的質(zhì)子峰，式(Z7)中質(zhì)子11(26)、H(27)、H(28)、H(29)、H(3o)所示的質(zhì)子峰。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage109</formula>(Z9)將使用上述Y4、Y5、Y6分別計(jì)算該^-NMR的光譜上在6.80ppm8.07ppm的范圍內(nèi)觀測的質(zhì)子H(15)、H(16)、H(17)、Hn8)和H^)的積分強(qiáng)度、質(zhì)子H(2"、H(23)和H(24)的積分強(qiáng)度、質(zhì)子H(26,、H(27)、H(28)、H(29)和H(3Q)的積分強(qiáng)度的結(jié)果示于表3中。表3<table>tableseeoriginaldocumentpage109</column></row><table>因此，質(zhì)子H。D、H(32〉、H(33)的積分強(qiáng)度通過從作為在'H-NMR光譜上從6.80ppm8.07ppm的積分強(qiáng)度的實(shí)測值的27487.8減去值(bl5—19)、(b2224)、(b26_30)，計(jì)算為8442.7…(b31—33)。而且，由質(zhì)子H(w、H(32)、H(33)的經(jīng)規(guī)格化的積分強(qiáng)度(Y7)通過將值(b31—33)除以作為質(zhì)子H(3p、H(32)、H(3"的質(zhì)子個(gè)數(shù)的6，從而計(jì)算為1407.1…(Y7)。由以上可知，構(gòu)成嵌段共聚物8的4種二價(jià)基團(tuán)的摩爾比使用經(jīng)規(guī)格化的積分強(qiáng)度Y4、Y5、Y6和'Y7，為(二價(jià)基團(tuán)l):(二價(jià)基團(tuán)2):(二價(jià)基團(tuán)5):(二價(jià)基團(tuán)3)=式(Z5):式(Z6):式(Z7):式(Z9)=1016.5:1200.5:244.7:1407.1=26:31:6:36。產(chǎn)業(yè)實(shí)用性本發(fā)明的嵌段共聚物作為發(fā)光材料和電荷輸送材料有用，元件性能優(yōu)異。因此，含有本發(fā)明嵌段共聚物的高分子LED可以在作液晶顯示器的背光或作為照明用的曲面狀或平面狀的光源、段式顯示元件、點(diǎn)矩陣的平板顯示器等中使用。另外，也可作為燃料電池用高分子電解質(zhì)膜、太陽電池等光電轉(zhuǎn)變材料使用。權(quán)利要求1.一種嵌段共聚物，其為由2個(gè)以上的下式(1)所示嵌段構(gòu)成的嵌段共聚物，其特征在于，所述共聚物中存在的多個(gè)m中的至少2個(gè)表示5以上的數(shù)，所述共聚物的相鄰2個(gè)嵌段中的Ar互不相同，所述共聚物在由2個(gè)上式(1)所示嵌段構(gòu)成時(shí)具有2種Ar，由3個(gè)上式(1)所示嵌段構(gòu)成時(shí)具有2種以上的Ar，由4個(gè)以上的上式(1)所示嵌段構(gòu)成時(shí)具有4種以上的Ar，式(1)中，Ar表示共軛系的二價(jià)基團(tuán)，在同一嵌段內(nèi)表示相同的二價(jià)基團(tuán)，m表示存在于一個(gè)嵌段內(nèi)的Ar的數(shù)均聚合度，且表示1以上的數(shù)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的嵌段共聚物，其特征在于，共軛系的二價(jià)基團(tuán)是下式(2)所示的基團(tuán)，式(2)中，A1、A2、A3、八4和AS各自獨(dú)立地表示可以被取代的亞芳基或二價(jià)的雜環(huán)基;B、B2、B3和B4各自獨(dú)立地表示-BR、-NR2-、-SiR3R4-、-PR5-、-C三C、-CRb-N-或可以具有取代基的1,2-亞乙烯基;R1、R2、R3、R4、RS和W各自獨(dú)立地表示氫原子或取代基；a1、a2、a3、^和^各自獨(dú)立地表示03的整數(shù)，且表示滿足1S^+a2+a3+a4+a5^15的整數(shù)；b1、b2、b3、！/各自獨(dú)立地表示0或l。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的嵌段共聚物，其特征在于，不同嵌段中的Ar表示全部不同的二價(jià)基團(tuán)。4.根據(jù)權(quán)利要求13中任一項(xiàng)所述的嵌段共聚物，其特征在于，式(2)所示的基團(tuán)為選自下式(C-l)、(C-ll)、(C-15)、(D-9)、(D善l)、(D-11)、(D-13)、(D-16)、(D-17)、(G-1)、(G陽2)、(G-3)禾口(G-4)的基團(tuán)，一i1)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage3</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage4</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage5</formula>上式(C-1)、(C-ll)、(C-15)、(D-9)、(D-10隱l)、(D-lO、(D-13)、(D-16)、(D-17)、(G-l)、(G陽2)、(G-3)禾卩(G-4)中，Ra和RC各自獨(dú)立地表示氫原子或取代基，多個(gè)Re可以相同也可不同。5.根據(jù)權(quán)利要求14中任一項(xiàng)所述的嵌段共聚物，其特征在于，存在的多個(gè)m中的至少2個(gè)表示51X104的數(shù)值。6.根據(jù)權(quán)利要求15中任一項(xiàng)所述嵌段共聚物，其特征在于，其由2100個(gè)的式(1)所示的嵌段構(gòu)成。7.根據(jù)權(quán)利要求16中任一項(xiàng)所述嵌段共聚物，其特征在于，由下式(5)表示，(s)式(5)中，Ar1、Ar2、Ar3、Ar4、Ar5、Ar6、Ar7、Ar8、Ar9、Ar1G各自獨(dú)立地表示共軛系的二價(jià)基團(tuán)，在同一嵌段內(nèi)表示相同的二價(jià)基團(tuán)，在相鄰2個(gè)嵌段中表示互不相同的二價(jià)基團(tuán)；RX和RY各自獨(dú)立地表示末端基團(tuán)，或者通過RX和RY形成一個(gè)單鍵，嵌段共聚物的2個(gè)末端之間鍵合形成環(huán)狀結(jié)構(gòu)；m1、m2、m3、m4、m5、m6、m7、m8、n^和m^分別表示Ar1、Ar2、Ar3、Ar4、Ar5、Ar6、Ar7、Ar8、Ar9、A,的數(shù)均聚合度，各自獨(dú)立地表示0以上的數(shù)值，m1、m2、m3、m4、m5、m6、m7、m8、m9禾口m1Q中的至少2—個(gè)表示5以上的數(shù)值；當(dāng)m1^5且m2^5且m3=m4=m5=m6=m7=m8=m9=m1()=0時(shí)，A—禾卩Ai"2表示互不相同的二價(jià)基團(tuán)；m1、m2、r^分別為l以上的數(shù)值，且m1、m2、n^中的至少2個(gè)為5以上的數(shù)值，且1114=1115=1116=1117=1118=1119=1111<}=0時(shí)，Ar'和Ar2表示互不相同的二價(jià)基團(tuán)、A一和A—表示互不相同的二價(jià)基團(tuán)、A^和A一可以相互相同或不同；在m1、m2、m3、m4、m5、m6、m7、m8、1119和m1Q中的至少4個(gè)表示1以上的數(shù)值、且至少2個(gè)表示5以上的數(shù)值時(shí)，Ar'、Ar2、Ar3、Ar4、Ar5、Ar6、Ar7、Ar8、Ar9、A,所表示的二價(jià)基團(tuán)為四種以上。8.根據(jù)權(quán)利要求17中任一項(xiàng)所述的嵌段共聚物，其特征在于，由下式(5-A)表示，(5—A)式(5-A)中，Ar1、Ar2、Ar3、A,各自獨(dú)立地表示共軛系的二價(jià)基團(tuán)、表示互不相同的二價(jià)基團(tuán)；RX和RY各自獨(dú)立地表示末端基團(tuán)，或者通過RX和RY形成一個(gè)單鍵，嵌段共聚物的2個(gè)末端之間鍵合形成環(huán)狀結(jié)構(gòu)；m1、m2、m3、rr/分別表示Ar1、Ar2、Ar3、Ar4的數(shù)均聚合度，各自獨(dú)立地表示l以上的數(shù)值，m1、m2、m3、m4中的至少2個(gè)表示5以上的數(shù)值。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的嵌段共聚物，其特征在于，Ar1、Ar2各自獨(dú)立地表示上式(C-ll)或(C-15)所示的二價(jià)基團(tuán)且Ar3、Ar4各自獨(dú)立地表示上式(D-10-l)、(D-16)、(G-l)、(G-2)、(G-3)或(G-4)所示的二價(jià)基團(tuán)。10.根據(jù)權(quán)利要求17中任一項(xiàng)所述的嵌段共聚物，其特征在于，由下式(6)表示，<formula>formulaseeoriginaldocumentpage7</formula>式(6)中，Ar1、Ar2和Ar3各自獨(dú)立地表示共軛系的二價(jià)基團(tuán)，Ar1和Ar2互不相同、Ar2和Ar3互不相同、Ar1和Ar3可以相同也可以互不相同；RX和RY各自獨(dú)立地表示末端基團(tuán)，或者通過RX和RY形成一個(gè)單鍵，嵌段共聚物的2個(gè)末端之間鍵合形成環(huán)狀結(jié)構(gòu)；m1、m2、m3分別表示Ar1、Ar2、Ar3的數(shù)均聚合度，各自獨(dú)立地表示1以上的數(shù)值，m1、m2、m3中的至少2個(gè)表示5以上的數(shù)值。11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的嵌段共聚物，其特征在于，Ar1為上式(C-ll)或(C-15)所示的二價(jià)基團(tuán)，且Ar1為上式(D-10陽l)、(D-16)、(G-l)、(G-2)、(G-3)或(G-4)所示的二價(jià)基團(tuán)。12.根據(jù)權(quán)利要求17中任一項(xiàng)所述的嵌段共聚物，其特征在于，由下式(7)表示，式(7)中，Ar1和Ar2各自獨(dú)立地表示共軛系的二價(jià)基團(tuán)，Ar1和Ar2互不相同；RX和RY各自獨(dú)立地表示末端基團(tuán)，或者通過RX和RY形成一個(gè)單鍵，嵌段共聚物的2個(gè)末端之間鍵合形成環(huán)狀結(jié)構(gòu)；m1和m2分別表示Ar1和Ar2的數(shù)均聚合度，各自獨(dú)立地表示5以上的數(shù)值。13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的嵌段共聚物，其特征在于，Ar1為上式(C-ll)或(C-15)所示的二價(jià)基團(tuán)，且Ar2為上式(D-10-l)、(D-16)、(G-l)、(G-2)、(G-3)或(G-4)所示的二價(jià)基團(tuán)。14.根據(jù)權(quán)利要求113中任一項(xiàng)所述的嵌段共聚物，其特征在于，通過將兩種以上的下述通式(b)所示單體縮聚而獲得，<formula>formulaseeoriginaldocumentpage8</formula>(b)式(b)中，Ar表示與上式(1)中Ar所示的二價(jià)基團(tuán)相同的二價(jià)基團(tuán)；X'表示鹵原子、式(c)所示的磺酸酯基或甲氧基；Mi表示硼酸酯基、硼酸基、式(d)所示基團(tuán)、式(e)所示基團(tuán)或式(f)所示基團(tuán)，(c)式(c)中，RP表示可以被取代的垸基或芳基，-MgXA(d>式(d)、(e)中，Xa表示逸自氛原子、溴原子和碘原子中的鹵原子，^^^"^。rOr共bS(f》式(f)中，RQ、RR、RS各自獨(dú)立地表示垸基或芳基。15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的嵌段共聚物，其特征在于，通過在配體共存下使2種以上的上式(b)的Xi為鹵原子或式(c)所示的磺酸酯基、且M1為硼酸酯基或硼酸基的單體與鈀絡(luò)合物縮聚而獲得。16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的嵌段共聚物，其特征在于，鈀絡(luò)合物為[三(二亞節(jié)基丙酮)]二鈀或乙酸鈀。17.權(quán)利要求15或16所述的嵌段共聚物，其特征在于，配體為三(2-甲基苯基)膦或三(2-甲氧基苯基)膦。18.根據(jù)權(quán)利要求117中任一項(xiàng)所述的嵌段共聚物，其特征在于，聚苯乙烯換算的數(shù)均分子量為1X1031X107。19.一種高分子組合物，其特征在于，含有選自空穴輸送材料、電子輸送材料和發(fā)光材料中的至少1種材料以及權(quán)利要求118中任一項(xiàng)所述的嵌段共聚物。20.—種溶液，其特征在于，含有權(quán)利要求118中任一項(xiàng)所述的嵌段共聚物。21.—種溶液，其特征在于，含有權(quán)利要求19所述的高分子組合物。22.根據(jù)權(quán)利要求20或21所述的溶液，含有2種以上的有機(jī)溶劑。23.根據(jù)權(quán)利要求2022中任一項(xiàng)所述的溶液，其特征在于，在25"C下具有120mPas的粘度。24.—種發(fā)光性薄膜，其特征在于，含有權(quán)利要求118中任一項(xiàng)所述的嵌段共聚物或權(quán)利要求19所述的高分子組合物。25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的發(fā)光性薄膜，其特征在于，熒光的量子收率為50%以上。26.—種導(dǎo)電性薄膜，其特征在于，含有權(quán)利要求118中任一項(xiàng)所述的嵌段共聚物或權(quán)利要求19所述的高分子組合物。27.—種有機(jī)半導(dǎo)體薄膜，其特征在于，含有權(quán)利要求118中任一項(xiàng)所述的嵌段共聚物或權(quán)利要求19所述的高分子組合物。28.—種有機(jī)晶體管，其特征在于，具有權(quán)利要求27所述的有機(jī)半導(dǎo)體薄膜。29.根據(jù)權(quán)利要求2427中任一項(xiàng)所述的薄膜的制膜方法，其特征在于，使用噴墨法。30.—種高分子發(fā)光元件，其特征在于，在由陽極和陰極構(gòu)成的電極間具有有機(jī)層，所述有機(jī)層含有權(quán)利要求118中任一項(xiàng)所述的嵌段共聚物或權(quán)利要求19所述的高分子組合物。31.根據(jù)權(quán)利要求30所述的高分子發(fā)光元件，其特征在于，所述有機(jī)層為發(fā)光層。32.根據(jù)權(quán)利要求31所述的高分子發(fā)光元件，其特征在于，所述發(fā)光層還含有空穴輸送材料、電子輸送材料或發(fā)光材料。33.根據(jù)權(quán)利要求30所述的高分子發(fā)光元件，其特征在于，在由陽極和陰極構(gòu)成的電極間具有發(fā)光層和電荷輸送層，所述電荷輸送層含有權(quán)利要求118中任一項(xiàng)所述的嵌段共聚物或權(quán)利要求19所述的高分子組合物。34.根據(jù)權(quán)利要求30所述的高分子發(fā)光元件，其特征在于，在由陽極和陰極構(gòu)成的電極間具有發(fā)光層和電荷輸送層，所述電荷輸送層和電極之間具有電荷注入層，所述電荷注入層含有權(quán)利要求118中任一項(xiàng)所述的嵌段共聚物或權(quán)利要求19所述的高分子組合物。35.—種面狀光源，其特征在于，使用了權(quán)利要求3034中任一項(xiàng)所述的高分子發(fā)光元件。36.—種段式顯示裝置，其特征在于，使用了權(quán)利要求3034中任一項(xiàng)所述的高分子發(fā)光元件。37.—種點(diǎn)陣顯示裝置，其特征在于，使用了權(quán)利要求3034中任一項(xiàng)所述的高分子發(fā)光元件。38.—種液晶顯示裝置，其特征在于，以權(quán)利要求3034中任一項(xiàng)所述的高分子發(fā)光元件作為背光。全文摘要本發(fā)明提供一種嵌段共聚物，其為由2個(gè)以上的下式(1)Ar_m所示嵌段構(gòu)成的嵌段共聚物，其特征在于，該共聚物中存在的多個(gè)m中的至少2個(gè)表示5以上的數(shù)值，該共聚物的相鄰2個(gè)嵌段的Ar互不相同，該共聚物在由2個(gè)上式(1)所示嵌段構(gòu)成時(shí)具有兩種Ar、在由3個(gè)上式(1)所示嵌段構(gòu)成時(shí)具有兩種以上的Ar、在由4個(gè)上式(1)所示嵌段構(gòu)成時(shí)具有四種以上的Ar(式(1)中，Ar表示共軛系的二價(jià)基團(tuán)，在同一嵌段內(nèi)表示相同的二價(jià)基團(tuán)，m表示存在于1個(gè)嵌段內(nèi)的Ar的數(shù)均聚合度、表示1以上的數(shù)值)。文檔編號C09K11/06GK101389685SQ200680053458公開日2009年3月18日申請日期2006年12月25日優(yōu)先權(quán)日2005年12月28日發(fā)明者東村秀之,岡田明彥,大內(nèi)一榮,安立誠,福島大介申請人:住友化學(xué)株式會社