專利名稱：合成碳納米管的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的主題是一種使用流化催化劑床通過(guò)化學(xué)氣相沉積合成碳納米
管(CNT)的方法。
背景技術(shù)：
碳納米管由于它們的力學(xué)性能、它們非常高的形狀因數(shù)(長(zhǎng)徑比)和它們 的電學(xué)性能而在目前被認(rèn)為是具有巨大優(yōu)勢(shì)的材料。
它們由巻起并以由五邊形和六邊形構(gòu)成的結(jié)構(gòu)類似于富勒烯的半球封 端的石墨片制成。
已知碳納米管由單層片(稱為單壁納米管(SWNT))或若干層同心片(稱為 多壁納米管(MWNT))組成。通常，SWNT比MWNT更難制備。碳納米管可通過(guò)各種方法如放電、激光燒蝕或化學(xué)氣相沉積(CVD)制備。
在這些技術(shù)中，化學(xué)氣相沉積似乎是僅有的一種能夠大量制備碳納米 管的方法，這是實(shí)現(xiàn)容許它們?cè)诟鞣N工業(yè)(如汽車、電子、光電子以及熱或 電保護(hù)工業(yè))中大量用于聚合物和/或樹(shù)脂應(yīng)用的成本價(jià)的基本條件。
在該方法中，將碳源在相對(duì)高的溫度下注射到催化劑上，所述催化劑 可能包括負(fù)載于無(wú)機(jī)固體上的金屬。優(yōu)選的金屬是鐵(Fe)、鈷(Co)、鎳(Ni) 和鉬(Mo)，且載體(在下文中稱為基底)通常是氧化鋁、二氧化硅或氧化鎂。
可展望的碳源為曱烷、乙烷、乙烯、乙炔、乙醇、曱醇、丙酮、或者 甚至是CO/H2合成氣體(HIPCO方法)。
在公開(kāi)碳納米管的合成的文獻(xiàn)中，可提到相應(yīng)于EP225 556B1的來(lái)自 Hyperion Catalysis International Inc.的WO 86/03455A1 ，其可認(rèn)為是關(guān)于CNT 的合成的基礎(chǔ)專利之一，其要求保護(hù)直徑為3.5~70nm、形狀因數(shù)等于100 或更高的幾乎為圓柱形的碳纖維(carbon fibril ， CNT的舊稱)及制備它們的方 法。
所述合成是通過(guò)有利地在能與碳反應(yīng)以產(chǎn)生氣體產(chǎn)物(例如CO、 &或
H20)的化合物的存在下，使含鐵的催化劑(例如，在碳基底上的Fe304、 Fe, 在氧化鋁基底上的Fe、或在碳纖維基底上的Fe)與含碳的氣體化合物(優(yōu)選 CO或一種或多種碳?xì)寤衔?接觸而實(shí)施的。在實(shí)施例中，催化劑通過(guò)干 法浸漬、沉淀或濕法浸漬而制備。
護(hù)由同樣的反應(yīng)物和催化劑制備直徑為3.5 70nm但長(zhǎng)徑比L/D為5~100的 纖維的方法。
沒(méi)有給出關(guān)于生產(chǎn)率(其可表示成在單位時(shí)間內(nèi)每克催化劑所形成的纖 維的質(zhì)量)的信息，只是給出了如下事實(shí)的信息如果含碳?xì)怏w化合物是苯， 則需要在800。C以上進(jìn)行。
其它文獻(xiàn)要求保護(hù)方法的改進(jìn)，如允許控制催化劑的聚集狀態(tài)和所形 成的碳材料的狀態(tài)的連續(xù)流化床(參見(jiàn)以清華大學(xué)名義的WO 02/94713 Al)、 或要求保護(hù)產(chǎn)品的改進(jìn)，如描述于以Trustees of Boston College名義的WO 02/095097 Al中的產(chǎn)品的改進(jìn)，該文獻(xiàn)通過(guò)改變催化劑的性質(zhì)和反應(yīng)條件制 備不同形態(tài)的非定向納米管。
Hyperion Catalysis International Inc.的文獻(xiàn)US 2001/0036549 Al公開(kāi)了 一種通過(guò)與多價(jià)過(guò)渡金屬或者優(yōu)選金屬的混合物(如Fe和Mo、 Cr、 Mn和/ 或Ce)接觸的碳源的降解而制備CNT的改進(jìn)的方法，其中的改進(jìn)在于所述 過(guò)渡金屬由尺寸小于400微米的無(wú)機(jī)基底負(fù)載的事實(shí)，所述過(guò)渡金屬形成 了大量尺寸在3.5nm至70nm之間變化的催化位點(diǎn)。
在該實(shí)施例中，碳源為氫氣/乙烯混合物，其各自的分壓為0.66和0.33, 在650。C下的反應(yīng)時(shí)間為30分鐘，且催化劑通過(guò)將熱解氧化鋁(未給出鐵含 量，但估計(jì)為15%)與硝酸鐵浸漬作為曱醇漿料而制備。生產(chǎn)率為在30分鐘 內(nèi)6.9g/g，而當(dāng)加入鉬鹽時(shí)，對(duì)于約9% 10%的鐵含量和1% 2%的鉬含量， 生產(chǎn)率達(dá)到10.9-11.8。當(dāng)共金屬為鈰、鉻或錳時(shí)，納米管的生產(chǎn)率分別為 8.3、 9.7和11。
已發(fā)現(xiàn)乙酰丙酮鐵不及硝酸鐵有效。
在實(shí)施例16中，通過(guò)同時(shí)加入硝酸鐵和碳酸氫鈉溶液而在約6的pH 值下沉淀而在水相中實(shí)施浸漬。該催化劑導(dǎo)致對(duì)15%的鐵含量的10.5的選 擇性以及半連續(xù)引入到反應(yīng)器中。
另一個(gè)實(shí)施例，通過(guò)在鐵和鉬的水相中的浸漬，給出與使用曱醇一樣好的結(jié)果。
該文獻(xiàn)還顯示以大于2.5%的Mo含量的鉬代替鐵是有些不利的，因?yàn)?對(duì)于含有相等比例的Fe和Mo的混合物(總計(jì)=16.7%)，在30分鐘內(nèi)獲得 了 8.8的生產(chǎn)率。
而且，在該文獻(xiàn)US 2001/0036549 Al中，當(dāng)使用無(wú)孔的基底，如具有 100mVg的比表面積的Degussa熱解氧化鋁時(shí)，發(fā)現(xiàn)難以浸漬大量的鐵，因 為氣體可到達(dá)的僅是外層，而下層將呈現(xiàn)不足的催化活性。
而且，使用這種類型的載體的技術(shù)是復(fù)雜的，因?yàn)榱６仁?0nm且本體 密度是0.06，這增加了工業(yè)上實(shí)施的難度。
通常，使用CVD技術(shù)的CNT合成方法包括將碳源在500 150(TC的溫 度下與催化劑(通常以覆蓋有金屬的基底顆粒的形式，這些顆粒置于流化床 中)接觸。合成的CNT以纏結(jié)的三維網(wǎng)絡(luò)的形式"附著"在催化劑基底顆 粒上，形成具有大于約100微米，典型地為約300-600微米的d5o的聚集體。 dso表示聚集體總數(shù)的50%的表觀直徑。這樣獲得的CNT可同樣地用于多數(shù) 應(yīng)用，但是也有可能使它們經(jīng)受隨后的額外的純化步驟，以將CNT從催化 劑基底顆粒分離且還將CNT聚集體的尺寸減小。
無(wú)論使用什么催化劑，已發(fā)現(xiàn)通過(guò)CVD合成CNT導(dǎo)致有限的催化劑 生產(chǎn)率，這可通過(guò)所形成的CNT與有關(guān)的催化劑之比表示。例如，當(dāng)所有 可用的催化位點(diǎn)均已反應(yīng)時(shí)和/或當(dāng)載體周圍的CNT的纏結(jié)使反應(yīng)性氣體 (來(lái)自碳源)向催化位點(diǎn)的擴(kuò)散減少且使可反應(yīng)的催化劑面積減小時(shí)，則達(dá)到 該極限。
形成本發(fā)明主題的用于合成CNT的方法使得有可能獲得更高純度的 CNT同時(shí)顯著地提高所使用的催化劑的生產(chǎn)率，并有可能限制尺寸大于200 微米的CNT聚集體的形成和/或減少它們的數(shù)量、以及有可能這樣做而不需 要額外的純化步驟。
根據(jù)本發(fā)明，術(shù)語(yǔ)"純度"是指(所形成的CNT的量)/(所形成的CNT 的量+所引入的催化劑的量)的比，所述催化劑包括負(fù)載在有機(jī)固體上的金 屬。由于根據(jù)本發(fā)明的方法，獲得了含有超過(guò)93°/。的碳的CNT。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的合成CNT的方法包括
a)將第一碳源在500 150(TC的溫度下與包含至少一種(一種或多種) 優(yōu)選覆蓋多孔基底顆粒如氧化鋁的多價(jià)過(guò)渡金屬的新鮮催化劑(優(yōu)選作為流 化床)接觸，用以通過(guò)化學(xué)氣相沉積(或CVD)獲得具有位于300與600微米 之間的d5()的在催化劑顆粒周圍的纏結(jié)的三維網(wǎng)絡(luò)形式的CNT或CNT聚集 體；
b)粉碎得自步驟a)的所述CNT聚集體(在催化劑顆粒周圍的纏結(jié)的 CNT三維網(wǎng)絡(luò))中的至少一些，使得由該粉碎操作獲得的聚集體的ds"立于 10與200微米之間，優(yōu)選為50與150微米之間，優(yōu)選接近100微米，或者 甚至更優(yōu)選接近約50微米；
c) 為了獲得CNT聚集體(纏結(jié)的(CNT)三維網(wǎng)絡(luò))，在位于500與"OO 。C之間的溫度下，在第二碳源的存在下，任選在新鮮催化劑的存在下，使 得自步驟b)的經(jīng)粉碎的產(chǎn)物流化；
d) 任選地，在步驟b)的操作條件下，粉碎在步驟c)中形成的CNT中的 至少一些；和
e) 回收得自步驟c)或d)的CNT。 根據(jù)本發(fā)明，表達(dá)"位于......之間"也包含端值。
術(shù)語(yǔ)"新鮮催化劑，，應(yīng)理解為是指首次使用的催化劑，換句話說(shuō)，是 未再生過(guò)的催化劑。
根據(jù)本發(fā)明，所述第 一和第二碳源可以在化學(xué)性質(zhì)和/或流速方面相同 或不同。
所述 一 種或多種碳源可選自任何類型的含碳材料，如以下物質(zhì)自身或 作為混合物曱烷、乙烷、丙烷、丁烷、己烷、環(huán)己烷或含有超過(guò)4個(gè)碳 原子的任何其它更高級(jí)的脂肪族烷烴、乙烯、丙烯、丁烯、異丁烯、或含 有超過(guò)4個(gè)碳原子的任何其它更高級(jí)的脂肪族烯烴、苯、曱苯、二曱苯、 異丙苯、乙苯、萘、菲、蒽、乙炔和含有超過(guò)4個(gè)碳原子的任何其它更高 級(jí)的炔經(jīng)、曱醛、乙醛、丙酮、曱醇、乙醇、 一氧化碳等。
粉碎步驟b)的目的是使催化劑上的纏結(jié)的CNT三維網(wǎng)絡(luò)解聚集，以減 小其粒度并使在所述催化劑上的活性催化位點(diǎn)是可到達(dá)的。
粉碎步驟b)可以熱或冷方式進(jìn)行，并使用已知技術(shù)在例如以下的設(shè)備 中進(jìn)行球磨機(jī)、錘磨機(jī)、磨碎機(jī)、切碎機(jī)、氣體射流粉碎機(jī)、或任何其 它能減小纏結(jié)的CNT網(wǎng)絡(luò)的尺寸，同時(shí)仍允許其使用流化床CVD技術(shù)的
后續(xù)加工(步驟c))的粉碎系統(tǒng)。因此，在該粉碎步驟b)之后，CNT聚集體 具有大于10微米，位于10與200微米之間，優(yōu)選位于50與150微米之間 且甚至更優(yōu)選接近100微米的d5Q。如果在粉碎步驟b)之后的CNT的d50小 于10微米，則流化是不可能的。
優(yōu)選地，粉碎步驟b)通過(guò)氣體射流粉碎進(jìn)行，其中用于提供能量的氣 體可有利地為用于合成CNT的反應(yīng)性氣體。
現(xiàn)在將參考附圖用具體的實(shí)施方式實(shí)例來(lái)說(shuō)明本發(fā)明，其目的絕不在 于限制本發(fā)明的范圍，在附圖中
-

圖1為根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)獲得的CNT的掃描電子顯微鏡照片；和
-圖2為根據(jù)本發(fā)明由步驟b)獲得的經(jīng)粉碎的CNT的掃描電子顯微鏡照 片；和
-圖3說(shuō)明了根據(jù)本發(fā)明的粉碎裝置，其可安裝在通過(guò)CVD合成CNT
應(yīng)器內(nèi)的可能循環(huán)的外部回路中(離位粉碎(ex situ milling))。
示于圖3中的粉碎裝置包括穿過(guò)噴嘴(2)產(chǎn)生的高速氣體射流系統(tǒng)，其 將CNT粉末夾帶到一個(gè)或多個(gè)由支撐體(4)把持的耙(5)上，靶(5)必須經(jīng)受 CNT聚集體的轟擊由此通過(guò)沖擊將粒度減小。流化可通過(guò)僅這些噴嘴(2)和/ 或與由在這些噴嘴(2)周圍的分配器(3)擴(kuò)散的氣流組合而實(shí)施。取決于催化 劑基底的硬度和密度，粉碎系統(tǒng)的尺寸和使用的進(jìn)氣(l)和(2a)的流速適合用 于獲得良好的流化和所需的粒度。
設(shè)計(jì)分配器(3)用于負(fù)載催化劑，所述催化劑在合成的時(shí)間To時(shí)為粉末狀。
粉碎裝置的形式將根據(jù)所使用的材料和/或流化床的行為而有利地進(jìn)行 調(diào)整。
根據(jù)本發(fā)明的方法可半連續(xù)地或以間歇模式實(shí)施，但優(yōu)選連續(xù)地實(shí)施。 得自步驟a)的纏結(jié)的CNT/催化劑網(wǎng)絡(luò)的至少一部分可從合成反應(yīng)器提
取到連續(xù)、半連續(xù)或以間歇模式運(yùn)行的粉碎裝置中，然后將(步驟c))注入到
步驟a)的相同合成反應(yīng)器中或通過(guò)流化床CVD(finishing reactor(修整反應(yīng)
器))注入到第二 CNT合成反應(yīng)器中。
也可在步驟a)的合成反應(yīng)器中實(shí)施粉碎(步驟b))，提供有如圖3中的裝
置所顯示的粉碎設(shè)備，其避免了不得不將粉末從反應(yīng)器取出并因此減少了
壓頭損失(head loss)和粉末飛走的風(fēng)險(xiǎn)。
因此，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式，步驟b)通過(guò)將一種或多種反應(yīng)氣 體和/或額外氣體中的一些注射穿過(guò)分布在分配器(3)表面上的注射噴嘴(2) 而在CNT合成反應(yīng)器(6)內(nèi)實(shí)施， 一股或多股垂直氣體射流夾帶顆粒朝向靶 (5)。顆粒由CNT聚集體和/或催化劑組成。靶(5)為圓錐體的形狀，由不銹 鋼制成，防止顆粒在靶(5)的頂部沉積。
該粉碎使得催化CNT生長(zhǎng)位點(diǎn)是可以到達(dá)的，由此使得有可能在步驟 c)的過(guò)程中在這些現(xiàn)在可以到達(dá)的位點(diǎn)上生長(zhǎng)更多的CNT，而且在步驟a) 的過(guò)程中所形成的CNT聚集體上生長(zhǎng)更多的CNT,所述CNT聚集體的尺 寸和/或數(shù)目已由于粉碎而減小。使用相同的氣體源(其為在涉及原位粉碎的 方法過(guò)程中的情況)或在性質(zhì)和流速兩方面均不同的源(其特別是在涉及離 位粉碎的方法過(guò)程中的情況)，可發(fā)生在步驟a)和步驟c)過(guò)程中的CNT的生 長(zhǎng)。
在步驟c)的過(guò)程中，在引入合成氣體和新鮮催化劑的過(guò)程中合成的 CNT可在上述條件下經(jīng)受進(jìn)一步的粉碎步驟d)。 在步驟c)或d)后由此獲得的CNT最終被回收。
這些CNT具有改進(jìn)的性能，特別是它們?cè)诓牧现?，特別是在聚合物中 的分散性。因此與現(xiàn)有技術(shù)相比，有可能引入較高量的CNT，并具有更好 的分散和/或均勻性，由此改善含有CNT的材料的最終性能。
這些CNT可用于其中使用CNT的所有應(yīng)用，特別是在其中期望它們的 電性能(取決于溫度和它們的結(jié)構(gòu)，它們可以是導(dǎo)體、半導(dǎo)體或絕緣體)的領(lǐng) 域中，和/或在其中期望它們的力學(xué)性能的領(lǐng)域中，例如用于復(fù)合材料的增 強(qiáng)(CNT是鋼的 一百倍強(qiáng)且是鋼的六倍輕)和機(jī)電應(yīng)用(它們可通過(guò)電荷注入 而伸長(zhǎng)或縮小)。例如，可提到CNT在以下中的應(yīng)用大分子組合物，該大 分子組合物例如用于電子元件的封裝、用于燃料管線(汽油或柴油)的制造； 抗靜電涂層；熱敏電阻；電極，特別是在能量部分中用于超級(jí)電容器的電 極等。
實(shí)施例
實(shí)施例1 (比較例-根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)通過(guò)CVD制備CNT:僅步驟a)) 通過(guò)用硝酸鐵溶液浸漬中值直徑為約85孩i米的Puralox SCCA5-150 丫-
氧化鋁來(lái)制備包括35%的鐵的催化劑。浸漬在流化床中實(shí)施，其中用100 °C的空氣流以在整個(gè)操作中保持粉末干燥。將300g該催化劑作為層引入到 具有l(wèi)m的有效高度的25cm直徑的反應(yīng)器中，該反應(yīng)器安裝有用于防止顆 粒細(xì)粒(細(xì)催化劑顆粒)被順流夾帶走的分離裝置。反應(yīng)器在氮?dú)庀略?00°C 下加熱40分鐘，然后在氬氣/氮?dú)?20體積％/80體積％)下加熱，將溫度在 75分鐘內(nèi)升到650°C。在該溫度下，引入3000 Nl/h的乙烯氣流和1000 Nl/h 的氫氣氣流，這對(duì)應(yīng)于0.75的乙烯分壓。
當(dāng)乙烯不再被消耗時(shí)，不再產(chǎn)生CNT:乙烯和氫氣隨后被氮?dú)怛?qū)氣所 代替。
lg的催化劑制造了 15g的CNT。因此CNT的生產(chǎn)率為15,即，93% 的碳純度(15/(15+1))。
對(duì)CNT聚集體的粒度分析給出了 420微米的ds。(即，在催化劑表面上 的具有約150微米厚度的CNT層，催化劑(氧化鋁基底+Fe)的中值直徑為約 85微米)。
在圖1中，可看到若干尺寸基本上大于200微米的聚集體。 實(shí)施例2(根據(jù)本發(fā)明-離位粉碎)
將在實(shí)施例1中獲得的產(chǎn)物在由Alpine以Spiral jet mill 50AS的名稱出 售的裝置中進(jìn)行切向空氣射流粉碎。
設(shè)定氣體流速和噴射時(shí)間以將根據(jù)實(shí)施例1獲得的聚集體減小至具有 40微米的d50。
在根據(jù)實(shí)施例1的具有3:1的乙烯/氫氣體積比的CNT合成條件下，將 5g該經(jīng)粉碎的產(chǎn)物的樣品引入到5cm直徑的反應(yīng)器中。
通過(guò)將圖2和圖1進(jìn)行比較，可清楚地看到根據(jù)本發(fā)明的方法導(dǎo)致非 常少量的具有大于200微米的直徑的CNT。因此，由此形成的最終產(chǎn)物更 易于分散在材料，特別是聚合物之中。
在合成的末期，回收6.4g的最終產(chǎn)物，即相對(duì)于所引入的產(chǎn)品的量， 增加了 28%(100x(6.4-5)/5)。因此，CNT的生產(chǎn)率為19.2(lg的催化劑得到 19.2g的CNT),即，95%(19.2/(19.2+1))的碳純度。
實(shí)施例3(根據(jù)本發(fā)明-原位粉碎)
將在實(shí)施例1中獲得的產(chǎn)物在根據(jù)附圖3的合成反應(yīng)器中直接進(jìn)行空 氣射流粉碎。
該粉碎在室溫下在CNT合成反應(yīng)器(6)中實(shí)施，所述合成反應(yīng)器(6)是裝 配有多孔分配器(3)的直徑為5cm的垂直管，所述分配器(3)裝備有用于引入 高速氣體的噴嘴(2)。介質(zhì)(7)用流過(guò)分配器的氮?dú)饬?1)和通過(guò)噴嘴(1)的第二 氣流(2a)進(jìn)4亍流化。
設(shè)定氣體流速和噴射時(shí)間以將根據(jù)實(shí)施例1獲得的聚集體減小至具有 4(H敖米的d50。
由此獲得的最終產(chǎn)物可容易和均勻地分散在聚合物材料中，用于改進(jìn) 其力學(xué)、電學(xué)和/或熱性能。
權(quán)利要求
1.一種合成碳納米管的方法，包括:a)在500～1500℃的溫度下，將第一碳源與包含至少一種多價(jià)過(guò)渡金屬的新鮮催化劑接觸，以通過(guò)化學(xué)氣相沉積(CVD)獲得具有位于300與600微米之間的d50的在催化劑顆粒周圍的纏結(jié)的三維網(wǎng)絡(luò)或聚集體形式的CNT；b)粉碎得自步驟a)的聚集體中的至少一些，使得由該粉碎操作獲得的聚集體的d50位于10與200微米之間；c)為了獲得聚集體，在位于500與1500℃之間的溫度下，在第二碳源的存在下，任選在新鮮催化劑的存在下，將得自步驟b)的經(jīng)粉碎的產(chǎn)物流化；d)任選地，在步驟b)的操作條件下，粉碎在步驟c)中形成的CNT中的至少一些；和e)回收得自步驟c)或d)的CNT。
2. 權(quán)利要求1的方法，其特征在于所述各碳源具有相同的化學(xué)性質(zhì)且 具有相同的流速。
3. 權(quán)利要求1或2的方法，其特征在于所述催化劑是流化床形式的。
4. 前迷權(quán)利要求中任一項(xiàng)的方法，其特征在于所述過(guò)渡金屬覆蓋多孔 基底顆粒。
5. 前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)的方法，其特征在于該方法連續(xù)地運(yùn)行。
6. 前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)的方法，其特征在于步驟b)在CNT合成反應(yīng) 器內(nèi)部實(shí)施(原位粉碎)。
7. 前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)的方法，其特征在于通過(guò)將一種或多種反應(yīng) 氣體和/或額外氣體中的一些注射穿過(guò)分布在分配器(3)的表面上的注射噴 嘴(2),垂直的氣體射流(1)夾帶所述顆粒朝向靶(5)，步驟b)在CNT合成反 應(yīng)器(6)內(nèi)部實(shí)施。
8. —種用于實(shí)施前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)的方法的用于粉碎CNT聚集 體的裝置，其包括用于將氣體注射穿過(guò)噴嘴(2)的氣體射流系統(tǒng)、至少一個(gè) 必須經(jīng)受所述聚集體的轟擊的靶(5)。
9. 權(quán)利要求8的裝置，其中所述靶在形狀上是圓錐形的。
10. 權(quán)利要求1到5中任一項(xiàng)的方法，其特征在于步驟b)在所述合成反 應(yīng)器外部進(jìn)行(離位粉碎)。
11. 能夠通過(guò)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所限定的方法而獲得的CNT。
12. 權(quán)利要求8的CNT在用作改善力學(xué)和/或?qū)щ娦阅艿脑噭┨貏e是在 基于聚合物的組合物中用作改善力學(xué)和/或?qū)щ娦阅艿脑噭┑挠猛尽?br> 13. 根據(jù)權(quán)利要求7的CNT在燃料管線、抗靜電涂層、熱敏電阻以及 超級(jí)電容器的電極中的用途。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種通過(guò)氣相化學(xué)沉積方法合成最高碳純度的碳納米管的方法。所制造的納米管可有利地用于碳納米管所有已知的應(yīng)用。
文檔編號(hào)C09D5/24GK101374762SQ200680052991
公開(kāi)日2009年2月25日 申請(qǐng)日期2006年12月22日 優(yōu)先權(quán)日2005年12月23日
發(fā)明者卡羅爾·巴道爾, 帕特賴斯·蓋拉德, 瑟奇·博德里 申請(qǐng)人:阿克馬法國(guó)公司